JPH05341009A - Timing adjusting method for semiconductor test device - Google Patents

Timing adjusting method for semiconductor test device

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JPH05341009A
JPH05341009A JP4152021A JP15202192A JPH05341009A JP H05341009 A JPH05341009 A JP H05341009A JP 4152021 A JP4152021 A JP 4152021A JP 15202192 A JP15202192 A JP 15202192A JP H05341009 A JPH05341009 A JP H05341009A
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JP
Japan
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timing
semiconductor
signal
semiconductor test
test device
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JP4152021A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Hashimoto
橋本  修
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置2に印加する信号のタイミングを
測定し、得ようとするタイミングになるように、プログ
ラムにおけるタイミングの設定値を変更することを目的
とする。 【構成】 半導体装置2により、任意の信号において、
任意の区間のタイミング測定を行い、半導体テスト装置
1により、得ようとするタイミングとなるようにタイミ
ングのプログラム設定値を変更するものである。 【効果】 オシロスコープ等を用いて行っていたタイミ
ング調整の手間が省け、高精度のタイミングでテストを
行うことができる。
(57) [Abstract] [Purpose] The purpose is to measure the timing of a signal applied to the semiconductor device 2 and to change the set value of the timing in the program so as to obtain the timing. [Structure] With the semiconductor device 2, in an arbitrary signal,
The timing measurement is performed in an arbitrary section, and the semiconductor test apparatus 1 changes the program setting value of the timing so as to obtain the timing. [Effect] It is possible to save the trouble of adjusting the timing, which is performed by using an oscilloscope, and to perform a test with highly accurate timing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体テスト装置自
身によるキャリブレーションでは調整しきれなかったタ
イミングをユーザーの作成したプログラムの設定値を自
動的に変更し、タイミングの調整を行う半導体テスト装
置のタイミング調整方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus for automatically adjusting the set value of a program created by a user for the timing which could not be adjusted by the calibration by the semiconductor test apparatus itself. The present invention relates to a timing adjustment method.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1において、実線で示した波形は、半
導体テスト装置から出力されるハイレベル電圧VIH1
ローレベル電圧VIL1のパルス信号を示す。破線で示し
た波形は、同様に半導体テスト装置から出力されるハイ
レベル電圧VIH2、ローレベル電圧VIL2のパルス信号を
示す。
2. Description of the Related Art In FIG. 1, a waveform shown by a solid line is a high level voltage V IH1 output from a semiconductor test device,
The pulse signal of the low level voltage V IL1 is shown. The waveforms shown by the broken lines show pulse signals of the high level voltage V IH2 and the low level voltage V IL2 which are similarly output from the semiconductor test device.

【0003】電圧VCALは、キャリブレーションの基準
となる電圧で、パルス信号の立ち下がりにおいて電圧V
CALとなる点をAとし、時間0の点から点Aとなるまで
の時間をt1、パルス信号の立ち上がりにおいて電圧V
CALとなる点をA’とし、時間0の点から点A’となる
までの時間をt2とする。
The voltage V CAL is a reference voltage for calibration and is the voltage V CAL at the falling edge of the pulse signal.
CAL is the point A, the time from the point of time 0 to point A is t1, and the voltage V at the rising edge of the pulse signal
The point that becomes CAL is A ', and the time from the point of time 0 to the point A'is t2.

【0004】立ち上がり時間、立ち下がり時間を決める
基準となる電圧をVH、VLとし、立ち上がりにおいてパ
ルス信号が電圧VLから電圧VHとなるのに要する時間を
実線で示したパルス信号の場合にはtr1、破線で示し
たパルス信号の場合にはtr2、立ち下がりにおいてパ
ルス信号が電圧VHから電圧VLとなるのに要する時間を
実線で示したパルス信号の場合にはtf1、破線で示し
たパルス信号の場合にはtf2とする。
In the case of a pulse signal in which the reference voltages for determining the rising time and the falling time are V H and V L, and the time required for the pulse signal to change from the voltage V L to the voltage V H at the rising time is shown by a solid line. , Tr2 in the case of the pulse signal shown by the broken line, and tr2 in the case of the pulse signal shown by the solid line, the time required for the pulse signal to change from the voltage V H to the voltage V L at the fall. In the case of the pulse signal shown, it is tf2.

【0005】半導体テスト装置が出力するパルス信号の
立ち下がり時間、立ち上がり時間は、それぞれt1、t
2という設定でプログラムされ、パルス信号の電圧が変
わった場合も電圧VCALのところで立ち下がりt1、立
ち上がりt2となるようにキャリブレーションされる。
The fall time and rise time of the pulse signal output from the semiconductor test apparatus are t1 and t, respectively.
It is programmed with the setting of 2, and even when the voltage of the pulse signal changes, calibration is performed so that the voltage V CAL has a falling t1 and a rising t2.

【0006】図2において、パルス波形Aは、半導体テ
スト装置から出力される電圧VIH1、VIL1をもつパルス
信号、パルス波形Bも半導体テスト装置から出力される
電圧VIH1、VIL1をもつパルス信号で、キャリブレーシ
ョンの基準となる電圧とVCAL、立ち上がり、立ち下が
りの基準となる電圧をVL、VHとし、パルス信号におい
て、立ち下がり時、VHからVLになるのに要する時間を
Δt、パルス信号Aが立ち下がりの時VHとなる点を
A、VCALとなる時間を時間0の点から時間tA後、パル
ス信号Bにおいて立ち下がりの時VLとなる点をB、V
CALとなる時間を時間0の点から時間tB後、パルス信号
Aの点Aからパルス信号Bの点Bまでに要する時間をt
ABとする。
[0006] In FIG 2, the pulse waveform A, a pulse having a pulse signal, a pulse waveform B voltage is also output from the semiconductor testing device V IH1, V IL1 having a voltage V IH1, V IL1 output from the semiconductor testing device in signal serving as a reference voltage and V CAL calibration, rise, a voltage as a reference of falling and V L, V H, the pulse signal, fall time, the time required to consist of V H to V L Is Δt, the point at which the pulse signal A is V H at the falling edge is A, and the time at which the V CAL is V CAL is time t A from the point of time 0, and the point at which the pulse signal B is at the falling edge at V L is B after the time t A. , V
After the time t B from the point of time 0 to CAL , the time required from point A of pulse signal A to point B of pulse signal B is t
AB .

【0007】半導体装置のテストにおいて、半導体テス
ト装置から複数の信号を半導体装置に与える場合、例え
ば波形Aにおける点Aから波形Bの点Bまでの時間がt
ABとなるように、波形Bを決定するときにキャリブレー
ションの基準となる電圧が、タイミングの基準となる電
圧VH、VLとは異なるため、パルス信号の電圧ごとに立
ち上がり時間、立ち下がり時間を求め、計算によりA
点、B点間がtABとなるようにtBを決定するか、又は
オシロスコープ等で半導体テスト装置の出力波形を観測
してA点、B点間がtABとなるようにプログラムを変
え、オシロスコープで確認する作業が行われていた。
In the semiconductor device test, when a plurality of signals are applied from the semiconductor test device to the semiconductor device, for example, the time from point A in waveform A to point B in waveform B is t.
Since the voltage that is the reference for calibration when determining the waveform B so as to be AB is different from the voltages VH and VL that are the reference for timing, the rise time and fall time are different for each voltage of the pulse signal. And calculate A
Determine t B so that the distance between points B and B becomes t AB , or change the program so that the output waveform of the semiconductor test device is observed with an oscilloscope or the like so that the distance between points A and B becomes t AB . There was work being done on the oscilloscope.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体テスト装置のタイミング調整方法では、タイミン
グのキャリブレーションが任意の電圧で行うことができ
ないため、半導体テスト装置から出力される複数の信号
における相対的なタイミングを波形ごとに任意の電圧で
キャリブレーションすることができず、オシロスコープ
により観測してプログラムを変更していたという問題点
があった。
In the conventional timing adjustment method for a semiconductor test device as described above, since the timing calibration cannot be performed with an arbitrary voltage, a plurality of signals output from the semiconductor test device can be used. There was a problem that the relative timing could not be calibrated with arbitrary voltage for each waveform, and the program was changed by observing with an oscilloscope.

【0009】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、半導体テスト装置から出力する複
数の信号における相対的なタイミングを任意の電圧で測
定できるとともに、希望するタイミングに調整すること
ができる半導体テスト装置のタイミング調整方法を得る
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the relative timings of a plurality of signals output from a semiconductor test device can be measured at an arbitrary voltage and adjusted to a desired timing. It is an object of the present invention to obtain a method for adjusting the timing of a semiconductor test device that can perform the above.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体テ
スト装置のタイミング調整方法は、次に掲げるステップ
を含むものである。 〔1〕 半導体テスト装置から半導体装置に第1のテス
ト信号を供給する第1の信号出力ステップ。 〔2〕 プログラム設定値に基づいて所定のタイミング
後に前記半導体テスト装置から前記半導体装置に第2の
テスト信号を供給する第2の信号出力ステップ。 〔3〕 前記半導体装置により前記第1のテスト信号の
所定のポイントから前記第2のテスト信号の所定のポイ
ントまでの時間を測定する時間測定ステップ。 〔4〕 前記実測時間と前記プログラム設定値との差に
基づいて前記プログラム設定値を自動的に調整するプロ
グラム設定値調整ステップ。
The timing adjusting method for a semiconductor test apparatus according to the present invention includes the following steps. [1] A first signal output step of supplying a first test signal from the semiconductor test device to the semiconductor device. [2] A second signal output step of supplying a second test signal from the semiconductor test device to the semiconductor device after a predetermined timing based on a program set value. [3] A time measuring step of measuring a time from a predetermined point of the first test signal to a predetermined point of the second test signal by the semiconductor device. [4] A program setting value adjusting step of automatically adjusting the program setting value based on a difference between the actual measurement time and the program setting value.

【0011】[0011]

【作用】この発明に係る半導体テスト装置のタイミング
調整方法においては、第1の信号出力ステップにおい
て、半導体テスト装置から半導体装置に第1のテスト信
号が供給される。また、第2の信号出力ステップにおい
て、プログラム設定値に基づいて所定のタイミング後に
前記半導体テスト装置から前記半導体装置に第2のテス
ト信号が供給される。さらに、時間測定ステップにおい
て、前記半導体装置により前記第1のテスト信号の所定
のポイントから前記第2のテスト信号の所定のポイント
までの時間が測定される。そして、プログラム設定値調
整ステップにおいて、前記実測時間と前記プログラム設
定値との差に基づいて前記プログラム設定値が自動的に
調整される。
In the timing adjusting method for the semiconductor test device according to the present invention, the first test signal is supplied from the semiconductor test device to the semiconductor device in the first signal output step. Further, in the second signal output step, a second test signal is supplied from the semiconductor test device to the semiconductor device after a predetermined timing based on the program set value. Further, in the time measuring step, the semiconductor device measures the time from a predetermined point of the first test signal to a predetermined point of the second test signal. Then, in the program setting value adjusting step, the program setting value is automatically adjusted based on the difference between the actual measurement time and the program setting value.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

実施例1.この発明の実施例1を実施するシステムの構
成を図3及び図4を参照しながら説明する。図3は、こ
の発明の実施例1を実施するためのタイミング自動調整
システムを示すブロック図である。図4は、図3のタイ
ミング自動調整システムの半導体装置を示すブロック図
である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
Example 1. A configuration of a system for carrying out the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a block diagram showing an automatic timing adjustment system for carrying out the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor device of the automatic timing adjustment system of FIG. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【0013】図3において、1は半導体テスト装置、2
は半導体装置である。なお、半導体テスト装置1はCP
U、ROM、RAM、I/F、操作スイッチ等を備え
る。図4において、3及び4はコンパレータ、5はコン
パレータ3、4に接続された信号処理回路、6はクロッ
ク(CLK)、7はカウンタである。
In FIG. 3, reference numeral 1 is a semiconductor test device, and 2 is a semiconductor test device.
Is a semiconductor device. The semiconductor test equipment 1 is CP
It is provided with U, ROM, RAM, I / F, operation switches and the like. 4, 3 and 4 are comparators, 5 is a signal processing circuit connected to the comparators 3 and 4, 6 is a clock (CLK), and 7 is a counter.

【0014】つぎに、前述したタイミング自動調整シス
テムの動作を図5及び図6を参照しながら説明する。図
5は、この発明の実施例1を示すタイミングチャートで
ある。また、図6は、半導体テスト装置のメモリのテー
ブルを示す図である。
Next, the operation of the above automatic timing adjustment system will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a timing chart showing the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing a memory table of the semiconductor test device.

【0015】半導体テスト装置1において、キャリブレ
ーションでは調整しきれなかったタイミングをユーザー
の作成したタイミングを自動的に変更することにより、
タイミング調整を行うものである。
In the semiconductor test apparatus 1, by automatically changing the timing created by the user for the timing that cannot be adjusted by the calibration,
The timing is adjusted.

【0016】実施例1に係るタイミング自動調整方法
(システム)は、半導体テスト装置1のテストする半導
体装置2に対して出力される複数の信号の相対的なタイ
ミングを自動的に測定し、調整して相対的な信号間のタ
イミングを任意に出力できるようにプログラムの書き換
えを行うものである。
The automatic timing adjustment method (system) according to the first embodiment automatically measures and adjusts the relative timings of a plurality of signals output to the semiconductor device 2 to be tested by the semiconductor test device 1. The program is rewritten so that the relative timing between signals can be output arbitrarily.

【0017】すなわち、半導体装置2に印加する複数の
信号に対して、信号ごとに任意の電圧ポイントで信号間
の相対的なタイミングを測定し、任意のタイミングとな
るように自動的にプログラムを変更する。
That is, for a plurality of signals applied to the semiconductor device 2, the relative timing between the signals is measured at an arbitrary voltage point for each signal, and the program is automatically changed to have the arbitrary timing. To do.

【0018】図3に示すように、半導体テスト装置1か
ら半導体装置2に複数の信号が印加されるが、図4に示
すように、半導体装置2に入力される信号の中で任意の
信号がコンパレータ3及び4に入力される。例に示した
場合では、信号A、Bがそれぞれコンパレータ3、4に
入力される。
As shown in FIG. 3, a plurality of signals are applied from the semiconductor test device 1 to the semiconductor device 2. However, as shown in FIG. It is input to the comparators 3 and 4. In the case shown in the example, the signals A and B are input to the comparators 3 and 4, respectively.

【0019】ここで、基準電圧1、2とそれぞれ比較さ
れ、図5に示すように、信号Aの電圧レベルが基準電圧
1となった時、信号処理回路5によりsetパルスが発
生される。また、信号Bの電圧レベルが基準電圧2とな
った時、信号処理回路5によりresetパルスが発生
される。
Here, as compared with the reference voltages 1 and 2, respectively, as shown in FIG. 5, when the voltage level of the signal A becomes the reference voltage 1, the signal processing circuit 5 generates a set pulse. Further, when the voltage level of the signal B becomes the reference voltage 2, the signal processing circuit 5 generates a reset pulse.

【0020】setパルスとresetパルスとの間の
時間はクロック6とカウンタ7で測定される。それか
ら、半導体テスト装置1に送られる。set、rese
t間が短い場合は、set、reset間を何回か加算
したものをカウントし、図5に示したタイミング1の時
間の測定を行う。なお、図5に示した立ち上がりの部分
でも同様の測定は可能である。
The time between the set pulse and the reset pulse is measured by the clock 6 and the counter 7. Then, it is sent to the semiconductor test equipment 1. set, rese
If the time interval t is short, the value obtained by adding up between the set and the reset several times is counted, and the time at the timing 1 shown in FIG. 5 is measured. Note that the same measurement can be performed at the rising portion shown in FIG.

【0021】以上のように、半導体装置2によりいくつ
かのタイミングを測定し、半導体テスト装置1の自動調
整プログラムは、それらの値と得たいタイミングとを比
較する。そして、上記差が小さくなるように、タイミン
グのプログラム設定値を自動的に変更する。このように
して、半導体テスト装置1の出力する信号のタイミング
を調整する。
As described above, some timings are measured by the semiconductor device 2, and the automatic adjustment program of the semiconductor test device 1 compares those values with the desired timing. Then, the program setting value of the timing is automatically changed so that the difference becomes small. In this way, the timing of the signal output from the semiconductor test device 1 is adjusted.

【0022】この発明の実施例1は、前述したように、
半導体装置2に印加する信号のタイミングを測定し、得
ようとするタイミングになるように、プログラムにおけ
るタイミングの設定値を変更することを目的とする。
The first embodiment of the present invention, as described above,
The purpose is to measure the timing of the signal applied to the semiconductor device 2 and change the set value of the timing in the program so as to obtain the timing.

【0023】従来、半導体装置2に印加するタイミング
で、半導体テスト装置1自身で調整できない部分は、オ
シロスコープでタイミング測定を行い、タイミングの設
定を変えて調整していた。
Conventionally, at a timing applied to the semiconductor device 2, a portion which cannot be adjusted by the semiconductor test device 1 itself is measured by an oscilloscope and adjusted by changing the timing setting.

【0024】この発明の実施例1は、図4に示した半導
体装置2により、任意の信号において、任意の区間のタ
イミング測定を行い、半導体テスト装置1により、得よ
うとするタイミングとなるようにタイミングのプログラ
ム設定値を変更するものである。従って、オシロスコー
プ等を用いて行っていたタイミング調整の手間が省け、
高精度のタイミングでテストを行うことができるという
効果を奏する。
In the first embodiment of the present invention, the semiconductor device 2 shown in FIG. 4 measures the timing of an arbitrary section in an arbitrary signal so that the semiconductor test device 1 obtains the timing to be obtained. The timing program setting value is changed. Therefore, it is possible to save the trouble of timing adjustment that was performed using an oscilloscope,
An effect that a test can be performed with high precision timing is achieved.

【0025】[0025]

【発明の効果】この発明は、以上説明したとおり、半導
体テスト装置の出力信号のタイミングを自動的に測定
し、得ようとしているタイミングに調整するので、オシ
ロスコープ等で実測調整する手間が省け、かつ、精度の
高いタイミングで半導体装置のテストを行うことができ
るという効果を奏する。
As described above, according to the present invention, since the timing of the output signal of the semiconductor test device is automatically measured and adjusted to the timing to be obtained, it is possible to save the trouble of actually measuring and adjusting with an oscilloscope and the like. The semiconductor device can be tested at highly accurate timing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例1を実施する半導体テスト装
置の出力信号を示す波形図である。
FIG. 1 is a waveform diagram showing an output signal of a semiconductor test device for carrying out a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例1を実施する半導体テスト装
置の出力信号を示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing an output signal of the semiconductor test device for carrying out the first embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例1を実施するタイミング自動
調整システムを示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an automatic timing adjustment system for carrying out the first embodiment of the present invention.

【図4】この発明の実施例1を実施するタイミング自動
調整システムの半導体装置を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor device of an automatic timing adjustment system for carrying out the first embodiment of the present invention.

【図5】この発明の実施例1を実施するタイミング自動
調整システムの動作を示すタイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the automatic timing adjustment system for carrying out the first embodiment of the present invention.

【図6】この発明の実施例1を実施するタイミング自動
調整システムの半導体テスト装置のメモリのテーブルを
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a memory table of the semiconductor test device of the automatic timing adjustment system for carrying out the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体テスト装置 2 半導体装置 3 コンパレータ 4 コンパレータ 5 信号処理回路 6 クロック 7 カウンタ 1 semiconductor test device 2 semiconductor device 3 comparator 4 comparator 5 signal processing circuit 6 clock 7 counter

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置をテストする半導体テスト装
置のタイミング調整方法において、前記半導体テスト装
置から前記半導体装置に第1のテスト信号を供給する第
1の信号出力ステップ、プログラム設定値に基づいて所
定のタイミング後に前記半導体テスト装置から前記半導
体装置に第2のテスト信号を供給する第2の信号出力ス
テップ、前記半導体装置により前記第1のテスト信号の
所定のポイントから前記第2のテスト信号の所定のポイ
ントまでの時間を測定する時間測定ステップ、及び前記
実測時間と前記プログラム設定値との差に基づいて前記
プログラム設定値を自動的に調整するプログラム設定値
調整ステップを含むことを特徴とする半導体テスト装置
のタイミング調整方法。
1. A timing adjustment method for a semiconductor test device for testing a semiconductor device, comprising: a first signal output step of supplying a first test signal from the semiconductor test device to the semiconductor device; and a predetermined value based on a program set value. A second signal output step of supplying a second test signal from the semiconductor test device to the semiconductor device after the timing of, and the semiconductor device determines a predetermined point of the second test signal from a predetermined point of the first test signal. The semiconductor device is characterized by including a time measuring step for measuring the time to the point, and a program setting value adjusting step for automatically adjusting the program setting value based on the difference between the actual measurement time and the program setting value. Timing adjustment method for test equipment.
JP4152021A 1992-06-11 1992-06-11 Timing adjusting method for semiconductor test device Pending JPH05341009A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007531959A (en) * 2004-03-31 2007-11-08 マイクロン テクノロジー、インコーポレイテッド Signal timing reconstruction in integrated circuits.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007531959A (en) * 2004-03-31 2007-11-08 マイクロン テクノロジー、インコーポレイテッド Signal timing reconstruction in integrated circuits.

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