JPH0534182A - 歪・温度複合センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 歪検出と温度検出とを一つのセンサで実現で
き、かつ狭い場所における歪および温度を精度よく測定
できることを目的とする。 【構成】 一つの絶縁薄膜基板上に高いゲージ率と高い
温度係数とを有した複数の同一薄膜抵抗を用いて歪検出
用と温度検出用との２つのホイートストンブリッジ回路
を形成している。さらに、歪測定用のホイートストンブ
リッジ回路の一辺を構成する高いゲージ率と高い温度係
数を有した薄膜抵抗の一つを歪発生方向に形成し、他の
薄膜抵抗を歪発生方向に対して直角に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は歪測定と温度測定とを一
つのセンサで実行できる歪・温度複合センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】印加された力を最も簡便に測定する手法
の一つの手法として、外力が印加され金属に歪ゲージを
貼付けて、外力印加に起因して発生する表面歪を歪ゲー
ジの抵抗変化でもって検出する。そして、その抵抗変化
を外力に換算するようにしている。

【０００３】しかし、金属表面に貼付けられた歪ゲージ
の抵抗値Ｒは金属表面の歪εにほぼ比例して変化すると
ともに、周囲温度Ｔの変化によっても変化する。したが
って、歪の測定結果に温度変化の要因が混入しないよう
に、４枚の歪ゲーシを金属表面に貼付けて、これらでも
ってホイートストンブリッシ回路を構成すようにしてい
る。

【０００４】一方、歪のみならず周囲温度も同時に測定
する必要が生じる場合がある。このような場合、別途温
度専用の温度検出装置を用いないで、歪測定装置の機能
を用いて歪と温度とを同時に測定する手法が提唱されて
いる（特開平１−２０６１１３号公報，特開昭５８−１
３４３９４号公報）。

【０００５】図７は特開平１−２０６１１３号公報に記
載された歪および温度を測定可能な歪・温度センサを示
す回路図である。４個の歪ゲージ１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄでもってホイートストンブリッジ回路を構成してい
る。そして、入力端子２ａ，２ｂから電圧を印加する
と、出力端子３ａ，３ｂ間に歪εに比例する電圧Ｖe が
出力され、出力端子３ｂ，３ｃ間に温度Ｔに対応する電
圧Ｖtが出力される。

【０００６】歪ゲージ１ａは例えば図７（ｂ）に示すよ
うに、例えば絶縁性のポリイミドフィルム４上に細い抵
抗線箔５を配線して、両端からリード線６ａ，６ｂを取
出すように構成されている。このように、歪測定用のホ
イートストンブリッシ回路を構成する一つの歪ゲーシ１
ｃの温度変化に起因する抵抗変化を利用して温度Ｔを測
定することが可能である。

【０００７】しかし、一般に、歪を測定する歪ゲージ１
ａ〜１ｄにおいては、歪に対する抵抗変化度合いを示す
ゲージ率Ｇは測定感度を向上するためになるべく大きな
値となる抵抗材料が選択される。また、温度の影響をな
るべく少なくするために、歪ゲージ１ａ〜１ｄにおける
温度変化に対する抵抗変化度合いを示す温度係数Ｋがな
るべく小さい値となる抵抗材料が選択される。したがっ
て、歪ゲージ１ｄの低い温度係数Ｋを利用して温度Ｔを
測定するので、高い測定精度が得られない問題がある。

【０００８】このような不都合を解消するために。図８
に示す特開昭５８−１３４３９４号公報に記載された歪
・温度センサにおいては、歪検出用のホイートストンブ
リッジ回路を構成する４個の各歪ゲーシ７ａ〜７ｄの他
に温度検出専用の感温抵抗素子８を用いて、歪εおよび
温度Ｔを個別に検出するようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７お
よび図８に示した歪・温度センサにおいて、各歪ゲージ
は図７（ｂ）に示すようにそれぞれ個別の電子部品であ
り、各歪ゲージをそれぞれ被測定体の最良の方向でかつ
最良の位置に貼付たのち、各歪ゲージをホイートストン
ブリッジ回路を構成するように接続する必要がある。

【００１０】その結果、各歪ゲージ相互間の位置関係も
考慮して貼付ける必要があるので、歪ゲージ貼付け作業
能率が大幅に低下する。また、各歪ゲージの貼付け作業
が終了した後に、ホイートストンブリッジ回路への配線
作業を行う必要がある。したがって、実際に測定開始す
るまでの準備作業に多大の時間を費やすことになる。

【００１１】また、いずれの場合であっても、一つの歪
ゲージ１ｃまたは１つの感温抵抗素子８のみで温度測定
を行っており、歪測定の場合のようにホイートストンブ
リッジ回路を構成していない。したがって、温度以外の
歪の影響や電源変動の影響を受けやすい。

【００１２】さらに、前述したように、各歪ゲージ１ａ
〜１ｄ，７ａ〜７ｄはポリイミドフィルム４上に貼付け
られたそれぞれ個別の電子部品であるので、これら４枚
の歪ゲージをまとめて狭い場所に貼付けることは不可能
である。

【００１３】また、図８のセンサにおいては、歪検出用
の歪ゲージと温度検出用の感温抵抗素子との２種類の抵
抗素子を製造する必要がある。さらに、歪測定用と温度
測定用とでそれぞれ独立した２つの定電流電源９ａ，９
ｂが必要である。

【００１４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、一つの絶縁薄膜基板上に同一の薄膜抵抗を
用いた歪検出用と温度検出用との２つのホイートストン
ブリッジ回路を形成することによって、歪検出と温度検
出とを同程度の精度で正確に測定でき、かつセンサ全体
が一つの電子部品であるので、センサ全体を小型に形成
できる歪・温度複合センサを提供することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解消するため
に本発明の歪・温度複合センサは、絶縁薄膜基板と、こ
の絶縁薄膜基板上に歪検出方向が歪発生方向に一致する
ように形成された第１の薄膜抵抗と、絶縁薄膜基板上に
歪検出方向が第１の薄膜抗抵と直交するように形成され
た第２，第３，第４，第５，第６の薄膜抗抵と、第１，
２の薄膜抵抗を直列接続してなる直列回路と第３，４の
薄膜抵抗の直列回路とが並列接続され、各直列回路の中
点相互間から第１の出力信号が導出される第１のホイー
トストンブリッジ回路と、第３，４の薄膜抵抗の直列回
路と第５，６の薄膜抵抗の直列回路とが並列接続され、
各直列回路の中点相互間から第２の出力信号が導出され
る第２のホイートストンブリッジ回路とで構成されてい
る。

【００１６】さらに、少なくとも前記第１，第３の各薄
膜抗抵のゲージ率および温度係数が第２，第４，第５の
各薄膜抗抵のゲージ率および温度係数より大きい金属材
料で構成されている。そして、第１の出力信号を歪検出
信号として取出し、第２の出力信号を温度検出信号とし
て取出す。

【００１７】

【作用】このように構成された歪・温度複合センサによ
れば、この歪・温度複合センサに組込まれる第１から第
６までの６個の薄膜抵抗はすべて１枚の絶縁薄膜基板上
に形成されている。また、各薄膜抵抗を接続して第１，
第２のホイートストンブリッジ回路が構成されるが、各
薄膜抵抗を接続する各配線も前記絶縁薄膜基板上に形成
することが容易であるので、歪・温度複合センサを一つ
の電子部品として取扱うことが可能となる。

【００１８】また、歪検出方向が外部歪の発生方向に一
致するように形成された第１の薄膜抵抗と第２〜第４の
薄膜抵抗とで第１のホイートストンブリッジ回路が構成
されている。したがって、この歪・温度複合センサが貼
付けられた被測定体表面に歪が発生すると、第１の薄膜
抵抗の抵抗値のみが大きく変化するので、第１のホイー
トストンブリッジ回路の出力信号は歪に対応した値を有
する歪検出信号となる。

【００１９】なお、第１の薄膜抵抗の抵抗値は周囲温度
にも大きく影響され、その影響は前記歪検出信号に含ま
れるが、第３の薄膜抵抗も同じ条件で周囲温度の影響を
受ける。その結果、歪検出信号に含まれる第１の薄膜抵
抗の温度変動分は第３の薄膜抵抗の温度変動分によって
相殺される。したがって、前記歪検出信号から温度変動
成分が除去される。

【００２０】また、第３〜第６の薄膜抵抗で第２のホイ
ートストンブリッジ回路が構成されている。第３の薄膜
抵抗の温度係数は第４および第５の薄膜抵抗の温度係数
に比較して大きい値に設定されている。したがって、こ
の歪・温度複合センサの周囲温度が変化すると、第３の
薄膜抵抗の抵抗値のみが大きく変化するので、第２のホ
イートストンブリッジ回路の出力信号は温度に対応した
値を有する温度検出信号となる。

【００２１】なお、この歪・温度複合センサが貼付けら
れた被測定体表面に歪が発生して、たとえ第３の薄膜抵
抗が第１の薄膜抵抗と同一の高いゲージ率を有していた
としても、歪検出方向が歪発生方向と直交しているの
で、抵抗値の変化は小さい。その結果、温度検出信号に
歪成分が混入することはない。

【００２２】このように、歪および温度がそれぞれ独立
して、しかも高い精度で測定可能となる。

【００２３】

【実施例】以下本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。

【００２４】図１は実施例の歪・温度複合センサの概略
構成を示す上面図である。矩形形状を有した絶縁薄膜基
板１０は例えばガラス板，ポリイミドフィルム等、また
は金属基板に絶縁処理を施した表面を例えばＣＶＤＳi
Ｏ₂ 薄膜等の絶縁薄膜で覆って作成される。そして、大
きさは例えば［4.4mm（横）×3.4 mm（縦）］である。

【００２５】この絶縁薄膜基板１０上の周縁に例えば
［Ｎi Ｃr −Ａu ］等の良導体金属からなるシールジ膜
１１が例えばフォトエッチング手法を用いて形成されて
いる。そして、下側の両隅に外部のシールドケーブルに
接続する場合のシールド端子１１ａ，１１ｂが形成され
ている。シールド膜１１の内側に第１〜第６の各薄膜抵
抗Ｒ1 〜Ｒ6 が形成されている。第１の薄膜抵抗Ｒ1 は
絶縁薄膜基板１０の長尺方向に向かって形成され、それ
以外の第２〜第６の５個の各薄膜抵抗Ｒ2 〜Ｒ6は第１
の薄膜抵抗Ｒ1 に対して直交する方向に形成されてい
る。

【００２６】各薄膜抵抗Ｒ1 〜Ｒ6 は例えば前述した図
７（ｂ）に示すように、薄膜抵抗内部にその長尺方向に
短冊状に多数の線が配線されている。長尺方向に歪が発
生すると、その抵抗値Ｒが大きく変化するが、短尺方向
に歪が発生した場合は抵抗値Ｒはほとんど変化しない。
すなわち、各薄膜抵抗Ｒ1〜Ｒ6 において、長尺方向が
歪検出方向となる。

【００２７】前記６つの薄膜抵抗Ｒ1 〜Ｒ6 のうちの第
１の薄膜抵抗Ｒ1 ，第３の薄膜抵抗Ｒ3 および第６の薄
膜抵抗Ｒ6 はアモルファスシリコン半導体をプラズマＣ
ＶＤ法の一種であるグロー放電法を用いて薄膜絶縁基板
１０上に堆積したアモルファスシリコン半導体薄膜であ
る。そして、このアモルファスシリコン半導体薄膜で形
成された第１，第３，第６の薄膜抵抗Ｒ1 ，Ｒ3 ，Ｒ6
のゲージ率Ｇは２０〜３０の非常に高い値である。ちな
みに、図７，図８で示したＣu −Ｎi 箔に代表される従
来の歪ゲージのゲージ率Ｇは２〜４程度の値である。

【００２８】また、このアモルファスシリコン半導体薄
膜で形成された第１，第３，第６のの薄膜抵抗Ｒ1 ，Ｒ
3 ，Ｒ6 の温度係数Ｋは−500 〜−3000ｐｐｍの非常に
高い値である。ちなみに、前述した従来の歪ゲージの温
度係数Ｋは−100 ｐｐｍ程度の値である。

【００２９】このように、第１，第３，第６の薄膜抵抗
Ｒ1 ，Ｒ3 ，Ｒ6 は高いゲージ率Ｇと高い温度係数Ｋと
を有する。

【００３０】これに対して、他の第２，第４，第５の各
薄膜抵抗Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ5 は、例えは、［Ｔａ₂ Ｎ］等
の金属を前述と同様にグロー放電法を用いて薄膜絶縁基
板１０上に堆積して構成されている。そして、この各薄
膜抵抗Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 のゲージ率Ｇはほぼ０の値であ
り、温度係数Ｋは−100 ｐｐｍ程度の値である。

【００３１】したがって、第１，第３，第６の薄膜抵抗
Ｒ1 ，Ｒ3 Ｒ6 のゲージ率Ｇおよび温度係数Ｋは、他の
第２，第４，第５の各薄膜抵抗Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ5 のゲー
ジ率Ｇおよび温度係数Ｋに比較して桁違いに高い値であ
る。

【００３２】そして、第１の薄膜抵抗Ｒ1 と第２の薄膜
抵抗Ｒ2 とを［Ｎi Ｃr −Ａu ］等の金属薄膜１４で直
列接続した直列回路と、第３の薄膜抵抗Ｒ3 と第４の薄
膜抵抗Ｒ4 とを金属薄膜１４で直列接続した直列回路と
が並列接続されて、図２の等価回路で示すように、第１
のホイートストンブリッジ回路１５ａが構成される。さ
らに、前記第３の薄膜抵抗Ｒ3 と第４の薄膜抵抗Ｒ4 と
の直列回路と、第５の薄膜抵抗Ｒ5 と第６の薄膜抵抗Ｒ
6 とを金属薄膜１４で直列接続した直列回路とが並列接
続されて第２のホイートストンブリッジ回路１５ｂが構
成される。

【００３３】そして、各直列回路の各中点からそれぞれ
出力端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃが同じく金属薄膜１４
で導出されている。また、第１，第２のホイートストン
ブリッジ回路１５ａ，１５ｂの両端から接地端子１３ａ
および電源端子１３ｂが導出されている。

【００３４】図３は、この歪・温度複合センサを用いて
歪εおよび温度Ｔを測定する場合の回路図である。第１
のホイートストンブリッジ回路１５ａの各出力端子１２
ａ，１２ｂ相互間の電圧を増幅器１６ａで増幅して歪検
出信号ａとして取出す。また、第２のホイートストンブ
リッジ回路１５ｂの各出力端子１２ｂ，１２ｃ相互間の
電圧を増幅器１６ｂで増幅して温度検出信号ｂとして取
出す。

【００３５】次にこのように構成された歪・温度複合セ
ンサの動作を説明する。

【００３６】先ず、被測定体の歪発生方向に第１の薄膜
抵抗Ｒ1 の歪検出方向（長尺方向）が一致するようにこ
の歪・温度複合センサを被測定体表面に例えば樹脂等の
接着剤を用いて貼付ける。そして、図３に示すように、
各出力端子１２ａ〜１２ｃに増幅器１６ａ，１６ｂを接
続する。また、接地端子１３ａと電源端子１３ｂとの間
に直流基準電圧Ｅを印加する。

【００３７】なお、被測定体に歪が発生していない状態
でかつ例えば室温２０℃等の基準温度において、各薄膜
抵抗Ｒ1 〜Ｒ6 の抵抗値が一致するように予め設定され
ている。したがって、この状態においては、各中点に接
続された各出力端子１２ａ〜１２ｃの電圧Ｖa ，Ｖb ，
Ｖc はそれぞれ等しい。

【００３８】そして、被測定体に前述した方向に歪εが
発生し、かつ温度Ｔが２０℃の基準温度からずれたとす
る。

【００３９】この場合、第１の薄膜抵抗Ｒ1 は歪εおよ
び温度Ｔに応じて抵抗値が大きく変化する。また、第
３，第６の薄膜抵抗Ｒ3 ，Ｒ6 は温度Ｔに応じて抵抗値
が変化するが、歪方向と直交する方向に形成されている
ので、歪εによる抵抗変化は少ない。

【００４０】なお、他の薄膜抵抗Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ5 は歪
方向と直交する方向に形成されており、かつゲーシ率Ｇ
が小さいので、歪εによる抵抗変化は第３の薄膜抵抗Ｒ
3 に比較してさらに少ない。また、これらの薄膜抵抗Ｒ
2 ，Ｒ4 ，Ｒ5 の抵抗値は温度Ｔに応じて変化するが、
温度係数Ｋが小さいので、その変化量は第３，第６のの
薄膜抵抗Ｒ3 ，Ｒ6 に比較して少ない。

【００４１】第１のホイートストンブリッジ回路１５ａ
における第１の薄膜抵抗Ｒ1 と第３の薄膜抵抗Ｒ3 は温
度Ｔに対して同一の抵抗変化を示し、かつ第２の薄膜抵
抗Ｒ2 と第４の薄膜抵抗Ｒ4 は温度Ｔに対して同一の抵
抗変化を示すので、出力端子１２ａ，１２ｂ間の電圧
（Ｖa −Ｖb ）からなる出力信号には、それらの抵抗変
化分が互いに相殺されて、温度成分が含まれない。ま
た、歪εに対しては第１の薄膜抵抗Ｒ1 のみに大きな抵
抗変化が生じる。したがって、出力信号は歪εに応じた
値に変化する。よって、この出力信号が増幅器１６ａで
増幅されて歪検出信号ａとなる。

【００４２】一方、第２のホイートストンブリッジ回路
１５ｂにおける第３〜第６の各薄膜抵抗Ｒ3 〜Ｒ6 はそ
れぞれ歪方向と直角に形成されているので、歪εに起因
する抵抗変化は非常に少なく、かつ同程度に影響される
と見なすことが可能である。したがって、出力端子１２
ｂ，１２ｃ間の電圧（Ｖb−Ｖc ）からなる出力信号に
は、それらの抵抗変化分が互いに相殺されて、歪成分が
含まれないと見なすことが可能である。また、温度Ｔに
対しては第３，第６の薄膜抵抗Ｒ3 ，Ｒ6 に大きな抵抗
変化が生じる。したがって、出力信号は温度Ｔに応じた
値に変化する。よって、この出力信号を増幅器１６ｂで
増幅した信号が温度検出信号ｂとなる。

【００４３】なお、第３，第６の薄膜抵抗Ｒ3 ，Ｒ6 は
ホイートストンブリッジ回路１５ｂにおける対角線位置
に挿入されているので、温度検出信号ｂの温度変化に対
する検出感度は、第３，第６の薄膜抵抗Ｒ3 ，Ｒ6のう
ちのいずれか一方の抵抗のみが前述した高い温度係数Ｋ
を有する場合に比較して２倍となる。

【００４４】このように、一つの歪・温度複合センサで
もって、歪εと温度Ｔとを個別に測定することが可能で
ある。

【００４５】図４は例えば荷重試験装置でもって被測定
体に応力を印加して、歪εと各出力端子１２ａ，１２ｂ
間の出力電圧Ｖ01（＝Ｖa −Ｖb）との関係を示す実測
図である。歪を上昇させていった場合と、歪を減少させ
ていた場合における各出力値が区別して表示されてい
る。この実測図でも理解できるように、発生歪に対して
非常に高い直線性を有し、かつヒステリシスもほとんど
発生しない出力特性が得られることが理解できる。

【００４６】さらに、図５は例えば冷凍加熱試験装置で
もって被測定体の周囲温度を−４０℃から＋１００℃ま
で変化させた場合における各温度Ｔと各出力端子１２
ｂ，１２ｃ間の出力電圧Ｖ02（＝Ｖb −Ｖc ）との関係
を示す実測図である。温度を上昇させていった場合と、
温度を低下させていた場合における各出力値が区別して
表示されている。この実測図でも理解できるように、温
度に対してヒステリシスがほとんど発生しない出力特性
が得られる。また、出力端子１２ａ，１２ｂ間の出力電
圧Ｖ03（＝Ｖａ−Ｖｂ）は、温度によってほとんど変化
しない。したがって、温度補正された出力特性が得られ
る。

【００４７】このように構成された歪・温度複合センサ
であれば、６枚の薄膜抵抗Ｒ1 〜Ｒ6 が１枚の絶縁薄膜
基板１０上に例えばプラズマＣＤＶ法等の半導体製造手
法を用いて形成されているので、この歪・温度複合セン
サを一つの部品として取扱うことができる。したがっ
て、この歪・温度複合センサを被測定体表面に１回の貼
付け操作で装着できる。また、歪の発生方向と歪・温度
複合センサの長尺方向とを一致させて貼付けるのみでよ
い。その結果、図７，図８に示した従来センサのよう
に、各歪ゲージをそれぞれ個別に被測定体の表面に方向
を調整しながら貼付けていき、その後ブリッジに接続す
る場合に比較して、貼付け作業能率が大幅に向上する。

【００４８】また、歪・温度複合センサ全体の形状を従
来センサに比較して大幅に小型化可能である。例えば実
施例センサにおいては、５mm角以下にできる。したがっ
て、狭い場所や小さい部品においても確実に該当位置に
おける正確な歪εと温度Ｔとを精度よく測定できる。

【００４９】また、歪測定のみならず、温度測定におい
てもホイートストンブリッジ回路を用いて歪，雑音等の
温度以外の要因を温度検出信号ｂから除去している。ま
た、従来の歪ゲージに比較して格段に高い温度係数Ｋを
有した薄膜抵抗Ｒ3 を使用しているので、温度測定精度
を歪測定精度とほぼ同程度まで上昇できる。

【００５０】さらに、ゲージ率Ｇと温度係数Ｋとが両方
とも従来の歪ゲージに比較して格段に高い値を有する例
えばアモルファスシリコン半導体薄膜を使用することに
よって、歪測定と温度測定とを１種類の薄膜抵抗でもっ
て両方とも正確に測定できる。したがって、それぞれ専
用の検出素子を用いた図８の従来センサに比較して製造
工程が簡素化できる。また、製造費が低減される。

【００５１】また、温度Ｔが歪εと独立して検出できる
ので、例えばゲージ率Ｇが温度により変化する場合に
は、その温度特性を補正することができ、歪測定精度を
さらに向上できる。

【００５２】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば図６に示すように、第２のホイ
ートストンブリッジ回路１５ｂを構成する第６の薄膜抵
抗Ｒ6 を第２，第４，第５の薄膜抵抗Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ5
と同一の低いゲージ率Ｇおよび低い温度係数Ｋを有した
通常の［Ｔａ₂ Ｎ］等の金属で形成することも可能であ
る。

【００５３】この場合には、温度Ｔが変化すると、第２
のホイートストンブリッジ回路１５ｂにおいて、第３の
薄膜抵抗Ｒ3 の抵抗値のみが大きく変化するので、温度
に対応した温度検出信号ｂが得られるが、検出感度は前
述した実施例に比較して低くなる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の歪・温度複
合センサによれば、一つの絶縁薄膜基板上に高いゲージ
率と高い温度係数とを有した複数の同一薄膜抵抗を用い
て歪検出用と温度検出用との２つのホイートストンブリ
ッジ回路を形成している。したがって。歪検出と温度検
出とを同程度の高い精度で正確に測定できる。

【００５５】また、センサ全体が一つの電子部品である
ので、センサ全体を小型に形成でき、被測定体における
狭い位置の歪および温度が測定可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係わる歪・温度複合セン
サの概略構成を示す上面図、

【図２】 同実施例センサの等価回路図、

【図３】 同実施例センサに増幅器を接続した回路図、

【図４】 同実施例センサにおける歪−出力特性図、

【図５】 同実施例センサにおける温度−出力特性図、

【図６】 本発明の他の実施例に係わる歪・温度複合セ
ンサの等価回路図、

【図７】 従来の歪・温度センサを示す回路図、

【図８】 従来の他の歪・温度センサを示す回路図、

【符号の説明】 １０…絶縁薄膜基板、１２ａ〜１２ｃ…出力端子、１３
ａ…接地端子、１３ｂ…電源端子、１４…金属薄膜、１
５ａ…第１のホイートストンブリッジ回路、１５ｂ…第
２のホーシストンブリッジ回路、１６ａ，１６ｂ…増幅
器、Ｒ1 〜Ｒ6…第１〜第６の薄膜抵抗。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 昭 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アンリ ツ株式会社内 (72)発明者 関 恭一郎 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アンリ ツ株式会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 絶縁薄膜基板(10)と、この絶縁薄膜基板
   上に歪検出方向が歪発生方向に一致するように形成され
   た第１の薄膜抵抗 (Ｒ1)と、前記絶縁薄膜基板上に歪検
   出方向が前記第１の薄膜抗抵と直交するように形成され
   た第２，第３，第４，第５，第６の薄膜抗抵 (Ｒ2 〜Ｒ
   6)と、前記第１，２の薄膜抵抗を直列接続してなる直列
   回路と前記第３，４の薄膜抵抗の直列回路とが並列接続
   され、各直列回路の中点相互間から第１の出力信号が導
   出される第１のホイートストンブリッジ回路(15a) と、
   前記第３，４の薄膜抵抗の直列回路と前記第５，６の薄
   膜抵抗の直列回路とが並列接続され、各直列回路の中点
   相互間から第２の出力信号が導出される第２のホイート
   ストンブリッジ回路(15b) とで構成され、 少なくとも前記第１，第３の各薄膜抗抵のゲージ率およ
   び温度係数が前記第２，第４，第５の各薄膜抗抵のゲー
   ジ率および温度係数より大きい金属材料で構成され、前
   記第１の出力信号を歪検出信号(a) として取出し、前記
   第２の出力信号を温度検出信号(b) として取出すことを
   特徴とする歪・温度複合センサ。