JPH05342677A - 光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録再生方法Info
- Publication number
- JPH05342677A JPH05342677A JP17920192A JP17920192A JPH05342677A JP H05342677 A JPH05342677 A JP H05342677A JP 17920192 A JP17920192 A JP 17920192A JP 17920192 A JP17920192 A JP 17920192A JP H05342677 A JPH05342677 A JP H05342677A
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- JP
- Japan
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- layer
- reproducing
- recording
- memory
- magneto
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録密度の向上と転送レートの向上を同時に
図ることのできる光磁気記録再生方法を提供する。 【構成】 交換結合した再生層、メモリ層及びメモリ補
助層を順次積層してなる記録層を有し、かつこれらの磁
気特性が所定の関係を満足する光磁気記録媒体を用い
る。記録は、予め第１の初期化磁界を印加してメモリ補
助層の磁界を一方向に揃えておき、バイアス磁界を印加
した状態でパワーが２値の記録用レーザー光を照射する
ダイレクトオーバーライト方式により行う。再生は、予
め第２の初期化磁界を印加して再生層の磁化を一方向に
揃えておき、再生用レーザー光照射による加熱状態のも
とで記録情報をメモリ層から再生層に磁気的転写した
後、磁気光学効果によって記録情報を読みだす超解像再
生方式により行う。
図ることのできる光磁気記録再生方法を提供する。 【構成】 交換結合した再生層、メモリ層及びメモリ補
助層を順次積層してなる記録層を有し、かつこれらの磁
気特性が所定の関係を満足する光磁気記録媒体を用い
る。記録は、予め第１の初期化磁界を印加してメモリ補
助層の磁界を一方向に揃えておき、バイアス磁界を印加
した状態でパワーが２値の記録用レーザー光を照射する
ダイレクトオーバーライト方式により行う。再生は、予
め第２の初期化磁界を印加して再生層の磁化を一方向に
揃えておき、再生用レーザー光照射による加熱状態のも
とで記録情報をメモリ層から再生層に磁気的転写した
後、磁気光学効果によって記録情報を読みだす超解像再
生方式により行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は記録密度の向上と転送レ
ートの向上を同時に図った光磁気記録再生方法に関す
る。
ートの向上を同時に図った光磁気記録再生方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】レーザ
ー光照射により情報ビット即ち磁区を形成し、磁気光学
効果を利用してこれを読みだす光磁気記録再生方法にお
いて、記録の超高密度化を図るために超解像再生方式が
特開平３−８８１５６号公報に提案されている。この方
式は、メモリ層と再生層を有する光磁気記録媒体を用
い、再生に先立って再生層に初期化磁界を印加してその
磁化を一方向に揃え、再生時の加熱状態で再生層にメモ
リ層の記録情報を、メモリ層の記録磁化による静磁気力
によって転写し、その転写された記録情報を磁気光学効
果によって読みだす方式である。このようにすることに
よって超高密度記録と共に再生Ｓ／Ｎの向上が図れると
されている。
ー光照射により情報ビット即ち磁区を形成し、磁気光学
効果を利用してこれを読みだす光磁気記録再生方法にお
いて、記録の超高密度化を図るために超解像再生方式が
特開平３−８８１５６号公報に提案されている。この方
式は、メモリ層と再生層を有する光磁気記録媒体を用
い、再生に先立って再生層に初期化磁界を印加してその
磁化を一方向に揃え、再生時の加熱状態で再生層にメモ
リ層の記録情報を、メモリ層の記録磁化による静磁気力
によって転写し、その転写された記録情報を磁気光学効
果によって読みだす方式である。このようにすることに
よって超高密度記録と共に再生Ｓ／Ｎの向上が図れると
されている。
【０００３】しかしながら、上記従来方法によれば、記
録密度の向上は図れるものの、転送レートを上げること
はできない。転送レートの向上は、情報処理の高速化の
ために非常に重要な課題となっている。
録密度の向上は図れるものの、転送レートを上げること
はできない。転送レートの向上は、情報処理の高速化の
ために非常に重要な課題となっている。
【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、記録密度の向上と転送レートの向上を同時に
図ることのできる光磁気記録再生方法を提供することを
目的とする。
たもので、記録密度の向上と転送レートの向上を同時に
図ることのできる光磁気記録再生方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、レーザー光照射側より交換結合し
た再生層、メモリ層及びメモリ補助層を順次積層してな
る記録層を有し、かつこれらのキュリー温度をＴc1、Ｔ
c2、Ｔc3、保磁力をＨc1、Ｈc2、Ｈc3としたときに、Ｔ
c1＞Ｔc3＞Ｔc2、Ｔc1−Ｔc2≧１００℃及びＨc2＞Ｈc3
＞Ｈc1なる関係を満足する光磁気記録媒体を用い、記録
は、予め第１の初期化磁界を印加してメモリ補助層の磁
界を一方向に揃えておき、バイアス磁界を印加した状態
でパワーが２値の記録用レーザー光を照射するダイレク
トオーバーライト方式により行い、再生は、予め第２の
初期化磁界を印加して再生層の磁化を一方向に揃えてお
き、再生用レーザー光照射による加熱状態のもとで記録
情報をメモリ層から再生層に磁気的転写した後、磁気光
学効果によって記録情報を読みだす超解像再生方式によ
り行うことを特徴とする光磁気記録再生方法が提供され
る。
め、本発明によれば、レーザー光照射側より交換結合し
た再生層、メモリ層及びメモリ補助層を順次積層してな
る記録層を有し、かつこれらのキュリー温度をＴc1、Ｔ
c2、Ｔc3、保磁力をＨc1、Ｈc2、Ｈc3としたときに、Ｔ
c1＞Ｔc3＞Ｔc2、Ｔc1−Ｔc2≧１００℃及びＨc2＞Ｈc3
＞Ｈc1なる関係を満足する光磁気記録媒体を用い、記録
は、予め第１の初期化磁界を印加してメモリ補助層の磁
界を一方向に揃えておき、バイアス磁界を印加した状態
でパワーが２値の記録用レーザー光を照射するダイレク
トオーバーライト方式により行い、再生は、予め第２の
初期化磁界を印加して再生層の磁化を一方向に揃えてお
き、再生用レーザー光照射による加熱状態のもとで記録
情報をメモリ層から再生層に磁気的転写した後、磁気光
学効果によって記録情報を読みだす超解像再生方式によ
り行うことを特徴とする光磁気記録再生方法が提供され
る。
【０００６】
【実施例】以下本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の方法において使用する光磁気記録媒
体の記録層の構成を示すもので、レーザ光照射側から、
再生層１、メモリ層２及びメモリ補助層３を順次積層し
てなる。再生層１とメモリ層２、メモリ層２とメモリ補
助層３とは互いに交換結合している。再生層１、メモリ
層２及びメモリ補助層３は少なくとも図２に示す関係、
即ちこれらのキュリー温度をＴc1、Ｔc2、Ｔc3、保磁力
をＨc1、Ｈc2、Ｈc3としたときにＴc1＞Ｔc3＞Ｔc2、Ｔ
c1−Ｔc2≧１００℃及びＨc2＞Ｈc3＞Ｈc1なる関係を満
足する必要がある。
る。図１は本発明の方法において使用する光磁気記録媒
体の記録層の構成を示すもので、レーザ光照射側から、
再生層１、メモリ層２及びメモリ補助層３を順次積層し
てなる。再生層１とメモリ層２、メモリ層２とメモリ補
助層３とは互いに交換結合している。再生層１、メモリ
層２及びメモリ補助層３は少なくとも図２に示す関係、
即ちこれらのキュリー温度をＴc1、Ｔc2、Ｔc3、保磁力
をＨc1、Ｈc2、Ｈc3としたときにＴc1＞Ｔc3＞Ｔc2、Ｔ
c1−Ｔc2≧１００℃及びＨc2＞Ｈc3＞Ｈc1なる関係を満
足する必要がある。
【０００７】再生層１にはキュリー温度がこれら３層の
中で最も高く（＞３００℃）、保磁力が最も低く（１０
０〜２００Ｏｅ）、カー回転角が大きい磁性材料を用い
る。このような条件を満たす磁性材料としてはＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏなどが用いられる。メモリ層２
には保磁力が最も高く（＞５ＫＯｅ）、キュリー温度が
低い（１００〜２００℃）磁性材料が用いられる。また
オーバーライト時の高レベル及び低レベルのレーザーパ
ワーマージンを十分に得るためにメモリ層２と再生層１
のキュリー温度の差は１００℃以上あるものとする。こ
のような条件を満たす磁性材料としてはＴｂＦｅ，Ｔｂ
ＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏなどが用い
られる。メモリ補助層３にはキュリー温度が再生層１と
メモリ層２のキュリー温度の間（２００〜２５０℃）に
あり、保磁力がメモリ層２と再生層１の間（１ＫＯｅ程
度）にある磁性材料、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏなどが用いられる。再生層１の膜
厚は２００〜５００Å、メモリ層２の膜厚は１００〜５
００Å、メモリ補助層３の膜厚は２００〜７００Åが適
当であり、これらの膜の形成方法としてはスパッタ法、
真空蒸着等を用いることができる。
中で最も高く（＞３００℃）、保磁力が最も低く（１０
０〜２００Ｏｅ）、カー回転角が大きい磁性材料を用い
る。このような条件を満たす磁性材料としてはＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏなどが用いられる。メモリ層２
には保磁力が最も高く（＞５ＫＯｅ）、キュリー温度が
低い（１００〜２００℃）磁性材料が用いられる。また
オーバーライト時の高レベル及び低レベルのレーザーパ
ワーマージンを十分に得るためにメモリ層２と再生層１
のキュリー温度の差は１００℃以上あるものとする。こ
のような条件を満たす磁性材料としてはＴｂＦｅ，Ｔｂ
ＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏなどが用い
られる。メモリ補助層３にはキュリー温度が再生層１と
メモリ層２のキュリー温度の間（２００〜２５０℃）に
あり、保磁力がメモリ層２と再生層１の間（１ＫＯｅ程
度）にある磁性材料、例えばＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏなどが用いられる。再生層１の膜
厚は２００〜５００Å、メモリ層２の膜厚は１００〜５
００Å、メモリ補助層３の膜厚は２００〜７００Åが適
当であり、これらの膜の形成方法としてはスパッタ法、
真空蒸着等を用いることができる。
【０００８】上記の記録層の構成は最も基本的なもの
で、下地層、無機保護層、反射層、カバー層、断熱層等
を適宜設置することができる。また、交換結合力の調整
のために各磁性層の間に中間層を設けてもよい。
で、下地層、無機保護層、反射層、カバー層、断熱層等
を適宜設置することができる。また、交換結合力の調整
のために各磁性層の間に中間層を設けてもよい。
【０００９】次に本発明による記録方法について説明す
る。記録時には、予め第１の初期化磁界Ｈini1（Ｈc2＞
Ｈini1＞Ｈc3：２〜５ＫＯｅＯｅ程度）を印加して再生
層１、メモリ補助層３の磁化を一方向に揃えておき（図
３の（ａ）−（ｂ））、Ｈini1とは反対方向にバイアス
磁界Ｈex：１００〜５００程度）を印加した状態でパワ
ーが２値（低レベルＰl 、高レベルＰh ）の記録用レー
ザー光を照射する。より詳しくは、低レベルＰl のレー
ザー光を照射することにより、メモリ層２の温度をその
キュリー温度Ｔc2以上あるいはキュリー温度Ｔc2近傍ま
で昇温させると、メモリ層２の磁化方向はメモリ補助層
３、再生層１の磁化方向に揃う（図３の（ｃ）−
（ｄ））。従って、低レベルＰl のレーザー光照射によ
りデータの消去が可能となる。また上記と同じバイアス
磁界Ｈexのもと高レベルＰh のレーザー光を照射するこ
とにより、メモリ補助層３の磁化が反転し、その後室温
まで冷却する過程でメモリ層２はメモリ補助層３と同じ
磁化方向になる（図３の（ｅ）−（ｆ））。従って、高
レベルＰh のレーザー光照射によりデータの記録が可能
となる。このようにデータの記録（記録マークの形成）
をするために高レベルＰh のレーザー光を照射すること
により（ｆ）の状態とし、またデータの消去をするため
に低レベルＰl のレーザー光を照射することにより
（ｄ）の状態とすることができ、ダイレクトオーバーラ
イトが可能となる。なお、初期状態が（ａ）’の状態で
あっても第１の初期化磁界Ｈini1による初期化により
（ｃ）の状態となる。
る。記録時には、予め第１の初期化磁界Ｈini1（Ｈc2＞
Ｈini1＞Ｈc3：２〜５ＫＯｅＯｅ程度）を印加して再生
層１、メモリ補助層３の磁化を一方向に揃えておき（図
３の（ａ）−（ｂ））、Ｈini1とは反対方向にバイアス
磁界Ｈex：１００〜５００程度）を印加した状態でパワ
ーが２値（低レベルＰl 、高レベルＰh ）の記録用レー
ザー光を照射する。より詳しくは、低レベルＰl のレー
ザー光を照射することにより、メモリ層２の温度をその
キュリー温度Ｔc2以上あるいはキュリー温度Ｔc2近傍ま
で昇温させると、メモリ層２の磁化方向はメモリ補助層
３、再生層１の磁化方向に揃う（図３の（ｃ）−
（ｄ））。従って、低レベルＰl のレーザー光照射によ
りデータの消去が可能となる。また上記と同じバイアス
磁界Ｈexのもと高レベルＰh のレーザー光を照射するこ
とにより、メモリ補助層３の磁化が反転し、その後室温
まで冷却する過程でメモリ層２はメモリ補助層３と同じ
磁化方向になる（図３の（ｅ）−（ｆ））。従って、高
レベルＰh のレーザー光照射によりデータの記録が可能
となる。このようにデータの記録（記録マークの形成）
をするために高レベルＰh のレーザー光を照射すること
により（ｆ）の状態とし、またデータの消去をするため
に低レベルＰl のレーザー光を照射することにより
（ｄ）の状態とすることができ、ダイレクトオーバーラ
イトが可能となる。なお、初期状態が（ａ）’の状態で
あっても第１の初期化磁界Ｈini1による初期化により
（ｃ）の状態となる。
【００１０】次に本発明による再生方法について説明す
る。再生時には、予め初期化磁石により第２の初期化磁
界Ｈini2を印加して再生層１の磁化を一方向に揃えてお
き（図４の（ａ）−（ｂ））、記録時よりは低いレベル
Ｐr の再生用レーザー光を照射する。これによりメモリ
層２の記録情報は再生層１に磁気的に転写され、磁気光
学効果を利用することによりその情報を読みだすことが
可能となる。第２の初期化磁界Ｈini2の値は記録時の第
１の初期化磁界Ｈini1よりは小さく、Ｈc1＜Ｈini2＜Ｈ
c3を満足する値とする。このようにすると再生エリア以
外は図４の（ｂ）の状態になるため、クロストーク、符
号間干渉等が除去できるため、再生のＳ／Ｎが向上す
る。
る。再生時には、予め初期化磁石により第２の初期化磁
界Ｈini2を印加して再生層１の磁化を一方向に揃えてお
き（図４の（ａ）−（ｂ））、記録時よりは低いレベル
Ｐr の再生用レーザー光を照射する。これによりメモリ
層２の記録情報は再生層１に磁気的に転写され、磁気光
学効果を利用することによりその情報を読みだすことが
可能となる。第２の初期化磁界Ｈini2の値は記録時の第
１の初期化磁界Ｈini1よりは小さく、Ｈc1＜Ｈini2＜Ｈ
c3を満足する値とする。このようにすると再生エリア以
外は図４の（ｂ）の状態になるため、クロストーク、符
号間干渉等が除去できるため、再生のＳ／Ｎが向上す
る。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、前記のような３層構造の記録層を有する光磁気記
録媒体を用いたので、記録はダイレクトオーバーライト
方式で行い、再生は超解像再生方式で行えるため、記録
密度の向上と転送レートの向上を同時に図ることが可能
となる。
れば、前記のような３層構造の記録層を有する光磁気記
録媒体を用いたので、記録はダイレクトオーバーライト
方式で行い、再生は超解像再生方式で行えるため、記録
密度の向上と転送レートの向上を同時に図ることが可能
となる。
【図１】本発明に使用する光磁気記録媒体の記録層の構
造を模式的に示す図である。
造を模式的に示す図である。
【図２】再生層、メモリ層及びメモリ補助層の磁気特性
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図３】本発明による記録方法の説明図である。
【図４】本発明による再生方法の説明図である。
１ 再生層 ２ メモリ層 ３ メモリ補助層
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザー光照射側より交換結合した再生
層、メモリ層及びメモリ補助層を順次積層してなる記録
層を有し、かつこれらのキュリー温度をＴc1、Ｔc2、Ｔ
c3、保磁力をＨc1、Ｈc2、Ｈc3としたときに、Ｔc1＞Ｔ
c3＞Ｔc2、Ｔc1−Ｔc2≧１００℃及びＨc2＞Ｈc3＞Ｈc1
なる関係を満足する光磁気記録媒体を用い、 記録は、予め第１の初期化磁界を印加してメモリ補助層
の磁界を一方向に揃えておき、バイアス磁界を印加した
状態でパワーが２値の記録用レーザー光を照射するダイ
レクトオーバーライト方式により行い、 再生は、予め第２の初期化磁界を印加して再生層の磁化
を一方向に揃えておき、再生用レーザー光照射による加
熱状態のもとで記録情報をメモリ層から再生層に磁気的
転写した後、磁気光学効果によって記録情報を読みだす
超解像再生方式により行うことを特徴とする光磁気記録
再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920192A JPH05342677A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光磁気記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17920192A JPH05342677A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光磁気記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342677A true JPH05342677A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=16061698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17920192A Pending JPH05342677A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光磁気記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0652556A3 (en) * | 1993-11-05 | 1995-10-18 | Canon Kk | Magneto-optical recording medium which allows hyper-resolution and method of information reproduction using the medium. |
| EP0706181A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and information reproducing method using the medium |
| US5719829A (en) * | 1993-03-04 | 1998-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing super-resolution, and information reproduction method using the medium |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17920192A patent/JPH05342677A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719829A (en) * | 1993-03-04 | 1998-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing super-resolution, and information reproduction method using the medium |
| EP0652556A3 (en) * | 1993-11-05 | 1995-10-18 | Canon Kk | Magneto-optical recording medium which allows hyper-resolution and method of information reproduction using the medium. |
| EP0706181A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and information reproducing method using the medium |
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