JPH05342933A - Ｎｂ３Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
Ｎｂ３Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法Info
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- JPH05342933A JPH05342933A JP4153171A JP15317192A JPH05342933A JP H05342933 A JPH05342933 A JP H05342933A JP 4153171 A JP4153171 A JP 4153171A JP 15317192 A JP15317192 A JP 15317192A JP H05342933 A JPH05342933 A JP H05342933A
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- alloy
- wire
- outer tube
- superconducting wire
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 臨界電流値が優れているＮｂ3 Ｓｎ系化合物
超電導線の製造方法を提供する。 【構成】 使用する一次複合体の表面に、Ｓを含有する
Ｃｕめっき層を形成する。 【効果】 一次複合体をスタッキングしてＮｂ3 Ｓｎ化
合物を生成するときに、各一次複合体表面のＳがＳｎの
内部への拡散または外部への拡散を抑制する。バンドル
部では均一にＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成が進む。
超電導線の製造方法を提供する。 【構成】 使用する一次複合体の表面に、Ｓを含有する
Ｃｕめっき層を形成する。 【効果】 一次複合体をスタッキングしてＮｂ3 Ｓｎ化
合物を生成するときに、各一次複合体表面のＳがＳｎの
内部への拡散または外部への拡散を抑制する。バンドル
部では均一にＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成が進む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電
導線の製造方法に関する。
導線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ブロンズ法で製造される内部安定型のＮ
ｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線は、概ね、図４で示したよう
な断面構造になっている。すなわち、中心に安定化銅３
が位置し、その外側にＴａやＮｂのような材料から成る
拡散防止バリア層４が前記安定化銅３の外周面と一体に
なった状態で位置し、その外側には超電導体であるＮｂ
3 Ｓｎ化合物を主成分とするバンドル部５が前記拡散防
止バリア層２の外周面と一体になった状態で位置し、そ
してその外側をＣｕ−Ｓｎ合金から成る外管６が前記バ
ンドル部５の外周面と一体化した状態で被覆している。
ｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線は、概ね、図４で示したよう
な断面構造になっている。すなわち、中心に安定化銅３
が位置し、その外側にＴａやＮｂのような材料から成る
拡散防止バリア層４が前記安定化銅３の外周面と一体に
なった状態で位置し、その外側には超電導体であるＮｂ
3 Ｓｎ化合物を主成分とするバンドル部５が前記拡散防
止バリア層２の外周面と一体になった状態で位置し、そ
してその外側をＣｕ−Ｓｎ合金から成る外管６が前記バ
ンドル部５の外周面と一体化した状態で被覆している。
【０００３】この超電導線は次のようにして製造され
る。まず、Ｃｕ−Ｓｎ合金の例えば円柱ブロックに１個
または複数個の孔を穿設し、この孔の中にＮｂから成る
芯材を挿入する。このとき、目標とする超電導特性との
関係で、Ｎｂ芯材の断面積とＣｕ−Ｓｎ合金ブロックの
断面積との間の比率が適宜に選定される。
る。まず、Ｃｕ−Ｓｎ合金の例えば円柱ブロックに１個
または複数個の孔を穿設し、この孔の中にＮｂから成る
芯材を挿入する。このとき、目標とする超電導特性との
関係で、Ｎｂ芯材の断面積とＣｕ−Ｓｎ合金ブロックの
断面積との間の比率が適宜に選定される。
【０００４】ついで、この複合ブロックに所定の温度下
で例えば伸線，圧延などの塑性加工を施して所定断面形
状の一次複合体にする。その後、Ｃｕ−Ｓｎ合金製の外
管を用意し、その中心に安定化銅を配置し、更に、安定
化銅と一次複合体との相互反応を防止することを目的と
してその外側に拡散防止バリアとして機能する材料を配
置し、前記外管の断面内に形成されている環状部分に前
記した一次複合体を充填し、全体に所定温度での塑性加
工を施して伸線する。
で例えば伸線，圧延などの塑性加工を施して所定断面形
状の一次複合体にする。その後、Ｃｕ−Ｓｎ合金製の外
管を用意し、その中心に安定化銅を配置し、更に、安定
化銅と一次複合体との相互反応を防止することを目的と
してその外側に拡散防止バリアとして機能する材料を配
置し、前記外管の断面内に形成されている環状部分に前
記した一次複合体を充填し、全体に所定温度での塑性加
工を施して伸線する。
【０００５】ついで、この得られた線材を所定の温度で
加熱してＮｂとＳｎの間に拡散熱処理を施す。この過程
で、芯材であるＮｂとその周囲に位置するＣｕ−Ｓｎ合
金は密着一体化すると同時にＣｕ−Ｓｎ合金に含まれて
いるＳｎが所定の反応率でＮｂと拡散反応して超電導体
であるＮｂ3 Ｓｎ化合物が生成し、バンドル層が形成さ
れる。その結果、図１で示したような断面構造の超電導
線が製造される。
加熱してＮｂとＳｎの間に拡散熱処理を施す。この過程
で、芯材であるＮｂとその周囲に位置するＣｕ−Ｓｎ合
金は密着一体化すると同時にＣｕ−Ｓｎ合金に含まれて
いるＳｎが所定の反応率でＮｂと拡散反応して超電導体
であるＮｂ3 Ｓｎ化合物が生成し、バンドル層が形成さ
れる。その結果、図１で示したような断面構造の超電導
線が製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した超
電導線の製造方法には次のような問題がある。一次複合
体を安定化銅や拡散防止バリアと共にＣｕ−Ｓｎ合金の
外管に充填して一次複合体におけるＮｂとＳｎの反応を
進める場合、この外管に近接する一次複合体において
は、外管に含まれているＳｎ成分が他の個所よりも過剰
になっている関係でＮｂとＳｎの反応率は大きくなる。
また、安定化銅の近辺では、一次複合体のＳｎ成分が拡
散防止バリアと反応することがあり、本来、一次複合体
のＮｂと反応してＮｂ3 Ｓｎを生成すべきＳｎ成分の量
が不足することになる。
電導線の製造方法には次のような問題がある。一次複合
体を安定化銅や拡散防止バリアと共にＣｕ−Ｓｎ合金の
外管に充填して一次複合体におけるＮｂとＳｎの反応を
進める場合、この外管に近接する一次複合体において
は、外管に含まれているＳｎ成分が他の個所よりも過剰
になっている関係でＮｂとＳｎの反応率は大きくなる。
また、安定化銅の近辺では、一次複合体のＳｎ成分が拡
散防止バリアと反応することがあり、本来、一次複合体
のＮｂと反応してＮｂ3 Ｓｎを生成すべきＳｎ成分の量
が不足することになる。
【０００７】すなわち、形成されたバンドル層におい
て、外管側では相対的にＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成割合が
多くなり、安定化銅側では相対的にＮｂ3 Ｓｎ化合物の
生成割合が少なくなり、全体の断面で、超電導体である
Ｎｂ3 Ｓｎ化合物が均一に分布していないことになる。
そのため、得られた超電導線の外側部分では電流容量が
高くなり、中心部側では電流容量が低くなってしまう。
て、外管側では相対的にＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成割合が
多くなり、安定化銅側では相対的にＮｂ3 Ｓｎ化合物の
生成割合が少なくなり、全体の断面で、超電導体である
Ｎｂ3 Ｓｎ化合物が均一に分布していないことになる。
そのため、得られた超電導線の外側部分では電流容量が
高くなり、中心部側では電流容量が低くなってしまう。
【０００８】このような問題に対しては、充填した一次
複合体とＣｕ−Ｓｎ合金の外管の間にＳｎの拡散を防止
する別のバリア層を介在させることが考えられる。しか
し、この構造の超電導線では、外管を溶解して超電導線
を相互に接続しようとした場合、上記した別のバリア層
が露出するので、接続が阻害されるという問題を避け得
ない。
複合体とＣｕ−Ｓｎ合金の外管の間にＳｎの拡散を防止
する別のバリア層を介在させることが考えられる。しか
し、この構造の超電導線では、外管を溶解して超電導線
を相互に接続しようとした場合、上記した別のバリア層
が露出するので、接続が阻害されるという問題を避け得
ない。
【０００９】また、一次複合体のマトリックスとして用
いるＣｕ−Ｓｎ合金に更にＰを添加してＳｎの拡散を抑
制することも考えられるが、しかし、そのＰ添加のＣｕ
−Ｓｎ合金は激しく加工硬化を起こし、また再結晶温度
も高いので、この合金を一次複合体のマトリックスにす
ることは適切ではない。本発明は、従来のブロンズ法に
よるＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法における上
記した問題を解決し、生成するＮｂ3 Ｓｎ化合物の分布
が線の断面内で均一であり、したがって高い電気容量を
実現することができるＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の製
造方法の提供を目的とする。
いるＣｕ−Ｓｎ合金に更にＰを添加してＳｎの拡散を抑
制することも考えられるが、しかし、そのＰ添加のＣｕ
−Ｓｎ合金は激しく加工硬化を起こし、また再結晶温度
も高いので、この合金を一次複合体のマトリックスにす
ることは適切ではない。本発明は、従来のブロンズ法に
よるＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法における上
記した問題を解決し、生成するＮｂ3 Ｓｎ化合物の分布
が線の断面内で均一であり、したがって高い電気容量を
実現することができるＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の製
造方法の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、Ｎｂの芯部と、前記芯部を
被包するＣｕ−Ｓｎ合金のマトリックスとから成る複数
本の一次複合体を、安定化銅およびその外側に位置する
拡散防止バリアが中心に配置されているＣｕ−Ｓｎ合金
外管の中に充填したのち熱間加工を行ない、更に拡散熱
処理を行うＮｂ 3 Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法にお
いて、前記一次複合体の外周面にはＳを含むＣｕめっき
層が形成されていることを特徴とするＮｂ3 Ｓｎ系化合
物超電導線の製造方法が提供される。
ために、本発明においては、Ｎｂの芯部と、前記芯部を
被包するＣｕ−Ｓｎ合金のマトリックスとから成る複数
本の一次複合体を、安定化銅およびその外側に位置する
拡散防止バリアが中心に配置されているＣｕ−Ｓｎ合金
外管の中に充填したのち熱間加工を行ない、更に拡散熱
処理を行うＮｂ 3 Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法にお
いて、前記一次複合体の外周面にはＳを含むＣｕめっき
層が形成されていることを特徴とするＮｂ3 Ｓｎ系化合
物超電導線の製造方法が提供される。
【００１１】本発明方法の場合、Ｃｕ−Ｓｎ合金の外管
内に充填する一次複合体の表面に後述する処理を施すこ
とを除いては、前記した従来のブロンズ法と変わること
はない。すなわち、本発明方法においては、一次複合体
の表面にＳを含むＣｕめっき層が形成される。
内に充填する一次複合体の表面に後述する処理を施すこ
とを除いては、前記した従来のブロンズ法と変わること
はない。すなわち、本発明方法においては、一次複合体
の表面にＳを含むＣｕめっき層が形成される。
【００１２】ここで、ＳはＳｎの拡散を抑制する働きを
する。したがって、一次複合体をＣｕ−Ｓｎ合金の外管
内に充填すると、各一次複合体の間にはこのＣｕめっき
層が介在することになる。そのため、前記した拡散熱処
理を行うと、このＣｕめっき層に含まれているＳが、一
次複合体のマトリックス（Ｃｕ−Ｓｎ合金）のＳｎ成分
が外部に拡散していくことと、例えば外管の近くでは外
管に含まれているＳｎが一次複合体のマトリックス内に
拡散してくることを抑制する。その結果、それぞれの一
次複合体では、外部のＳｎ成分の量に関係なく、自らの
マトリックスと自らのＮｂ芯材との間でＮｂ3 Ｓｎ化合
物が生成することになる。
する。したがって、一次複合体をＣｕ−Ｓｎ合金の外管
内に充填すると、各一次複合体の間にはこのＣｕめっき
層が介在することになる。そのため、前記した拡散熱処
理を行うと、このＣｕめっき層に含まれているＳが、一
次複合体のマトリックス（Ｃｕ−Ｓｎ合金）のＳｎ成分
が外部に拡散していくことと、例えば外管の近くでは外
管に含まれているＳｎが一次複合体のマトリックス内に
拡散してくることを抑制する。その結果、それぞれの一
次複合体では、外部のＳｎ成分の量に関係なく、自らの
マトリックスと自らのＮｂ芯材との間でＮｂ3 Ｓｎ化合
物が生成することになる。
【００１３】このＣｕめっき層は次のようにして形成さ
れる。まず、熱間加工によって製造された一次複合体の
表面を硫酸を用いて洗浄する。この洗浄により、熱間加
工時に表面に付着した油汚れや、また熱間加工の過程で
加工歪み除去のために行う中間焼鈍時に表面に形成され
る酸化層などが除去される。
れる。まず、熱間加工によって製造された一次複合体の
表面を硫酸を用いて洗浄する。この洗浄により、熱間加
工時に表面に付着した油汚れや、また熱間加工の過程で
加工歪み除去のために行う中間焼鈍時に表面に形成され
る酸化層などが除去される。
【００１４】ついで、一次複合体を例えば硫酸銅系の無
電解めっき浴に浸漬する。一次複合体のマトリックス表
面に存在するＳｎ成分とめっき浴のＣｕイオンとの間で
イオン交換が起こり、マトリックス表面にはＣｕめっき
層が形成される。このとき、上記洗浄時にマトリックス
表面に付着している硫酸根，めっき浴中の硫酸根などの
Ｓ成分は、めっき層やマトリックスの原子空孔にトラッ
プして、固溶状態で取り込まれる。
電解めっき浴に浸漬する。一次複合体のマトリックス表
面に存在するＳｎ成分とめっき浴のＣｕイオンとの間で
イオン交換が起こり、マトリックス表面にはＣｕめっき
層が形成される。このとき、上記洗浄時にマトリックス
表面に付着している硫酸根，めっき浴中の硫酸根などの
Ｓ成分は、めっき層やマトリックスの原子空孔にトラッ
プして、固溶状態で取り込まれる。
【００１５】用いる無電解めっき浴としては、格別限定
されるものではないが、例えば、金属塩として硫酸銅，
還元剤としてホルマリン，錯化剤としてロッセル塩，ア
ルカリ剤として水酸化ナトリウムを含む組成のフェーリ
ング氏液をあげることができる。また、このＣｕめっき
層におけるＳ成分の濃度が低すぎると、そのめっき層は
Ｓｎの拡散防止機能が減退してしまい、またその濃度が
高すぎると、表面にピットが発生してくるので、Ｓ濃度
は通常５〜１００ｐｐｍの範囲となるように管理するこ
とが好ましい。
されるものではないが、例えば、金属塩として硫酸銅，
還元剤としてホルマリン，錯化剤としてロッセル塩，ア
ルカリ剤として水酸化ナトリウムを含む組成のフェーリ
ング氏液をあげることができる。また、このＣｕめっき
層におけるＳ成分の濃度が低すぎると、そのめっき層は
Ｓｎの拡散防止機能が減退してしまい、またその濃度が
高すぎると、表面にピットが発生してくるので、Ｓ濃度
は通常５〜１００ｐｐｍの範囲となるように管理するこ
とが好ましい。
【００１６】このＳ濃度の管理は、一次複合体の洗浄時
に用いる硫酸の濃度や、無電解めっき浴の組成などを適
宜に選択することによって行うことができる。更に、形
成するＣｕめっき層の厚みは0.１〜１μｍ程度であるこ
とが好ましい。厚みが0.１μｍより薄いときは、拡散防
止機能が弱くなり、また１μｍより厚くなると、拡散防
止機能が強くなりすぎるからである。
に用いる硫酸の濃度や、無電解めっき浴の組成などを適
宜に選択することによって行うことができる。更に、形
成するＣｕめっき層の厚みは0.１〜１μｍ程度であるこ
とが好ましい。厚みが0.１μｍより薄いときは、拡散防
止機能が弱くなり、また１μｍより厚くなると、拡散防
止機能が強くなりすぎるからである。
【００１７】
【発明の実施例】Ｓｎ１4.３重量％，Ｔｉ0.２２重量
％，残部がＣｕから成るＣｕ−Ｓｎ合金のビレットを外
径２００mm，内径１１3.６mmの筒状体に加工した。この
円筒内に直径１１3.０mmのＮｂロッドを挿入し、全体に
温度６８０℃で押出加工を施し、更に、溝ロール圧延，
ダイス伸線を順次施して、図１の断面図で示したよう
に、Ｎｂの芯部１と上記合金のマトリックス２とから成
り、対辺距離が2.０mmの６角線（一次複合体）とした。
この６角線では、芯部１とマトリックス２との面積比は
2.０で芯部のＮｂの２０％が未反応状態で残るように設
計されている。
％，残部がＣｕから成るＣｕ−Ｓｎ合金のビレットを外
径２００mm，内径１１3.６mmの筒状体に加工した。この
円筒内に直径１１3.０mmのＮｂロッドを挿入し、全体に
温度６８０℃で押出加工を施し、更に、溝ロール圧延，
ダイス伸線を順次施して、図１の断面図で示したよう
に、Ｎｂの芯部１と上記合金のマトリックス２とから成
り、対辺距離が2.０mmの６角線（一次複合体）とした。
この６角線では、芯部１とマトリックス２との面積比は
2.０で芯部のＮｂの２０％が未反応状態で残るように設
計されている。
【００１８】この６角線の表面をまずアルコール脱脂
し、ついで、比重1.２２，濃度１3.０％の硫酸で洗浄し
たのち、組成が、硫酸銅５ｇ／ｌ，ロッシェル塩２５ｇ
／ｌ，ホルマリン１０ｍｌ／ｌ，水酸化ナトリウム７ｇ
／ｌである無電解めっき浴中に３０分間浸漬した。６角
線の表面は厚み0.５μｍのＣｕめっき層で被覆された。
Ｓｎ１3.０重量％のＣｕ─Ｓｎ合金から成り、外径２０
０mm，内径１８０mmの外管の中心に、直径８９mmの安定
化銅とその周囲を被包する厚み1.５mmの円筒（組成：Ｎ
ｂ）を配置したのち、外管との間に上記した６角線をス
タックした。
し、ついで、比重1.２２，濃度１3.０％の硫酸で洗浄し
たのち、組成が、硫酸銅５ｇ／ｌ，ロッシェル塩２５ｇ
／ｌ，ホルマリン１０ｍｌ／ｌ，水酸化ナトリウム７ｇ
／ｌである無電解めっき浴中に３０分間浸漬した。６角
線の表面は厚み0.５μｍのＣｕめっき層で被覆された。
Ｓｎ１3.０重量％のＣｕ─Ｓｎ合金から成り、外径２０
０mm，内径１８０mmの外管の中心に、直径８９mmの安定
化銅とその周囲を被包する厚み1.５mmの円筒（組成：Ｎ
ｂ）を配置したのち、外管との間に上記した６角線をス
タックした。
【００１９】ついで、全体に、温度６００℃，圧力１５
００気圧で２時間のＨＩＰを行なって二次複合体にし
た。この二次複合体のバンドル部における６角線の複合
状態を図２に示した。各６角線は互いに密着して複合し
ている。このバンドル部の断面において、ある６角線の
中心Ａと隣の６角線の中心Ａ’との間につき、法で元素
分析を行った。その結果を図３に示した。
００気圧で２時間のＨＩＰを行なって二次複合体にし
た。この二次複合体のバンドル部における６角線の複合
状態を図２に示した。各６角線は互いに密着して複合し
ている。このバンドル部の断面において、ある６角線の
中心Ａと隣の６角線の中心Ａ’との間につき、法で元素
分析を行った。その結果を図３に示した。
【００２０】図４から明らかなように、６角線の密着界
面ではＳ成分の濃度が高く、かつＳｎ成分の濃度は低く
なっている。上記した二次複合体を温度６８０℃で押出
し、更に、溝ロール圧延とダイス伸線を行なって、図４
で示した断面構造で線径0.７mmの線材にした。この線材
に温度７００℃で３時間の熱処理を行ったのち長さ５０
mmのストレートサンプルとし、温度4.２Ｋにおいて、１
０Ｔ，１２Ｔ，１４Ｔの磁場中でその臨界電流値（Ａ）
を測定した。比較のために、一次複合体にＣｕめっき層
を形成しない場合についても実施例と同様にして線径0.
７mmの線材を製造し、その臨界電流値も測定した。
面ではＳ成分の濃度が高く、かつＳｎ成分の濃度は低く
なっている。上記した二次複合体を温度６８０℃で押出
し、更に、溝ロール圧延とダイス伸線を行なって、図４
で示した断面構造で線径0.７mmの線材にした。この線材
に温度７００℃で３時間の熱処理を行ったのち長さ５０
mmのストレートサンプルとし、温度4.２Ｋにおいて、１
０Ｔ，１２Ｔ，１４Ｔの磁場中でその臨界電流値（Ａ）
を測定した。比較のために、一次複合体にＣｕめっき層
を形成しない場合についても実施例と同様にして線径0.
７mmの線材を製造し、その臨界電流値も測定した。
【００２１】以上の結果を表１に示した。
【００２２】
【表１】 表のデータから明らかなように、本発明方法で製造した
線材は、従来のそれに比べて、臨界電流値特性が優れて
いる。
線材は、従来のそれに比べて、臨界電流値特性が優れて
いる。
【００２３】ついで、上記２種類の線材につき、外管近
辺のバンドル部に位置する６角線，拡散防止バリア近辺
のバンドル部に位置する６角線のそれぞれにおいて、Ｎ
ｂとＳｎの反応率を、残留Ｎｂの断面積と生成したＮｂ
3 Ｓｎ層の断面積との比として算出した。本発明の線材
では、外管近辺の反応率は平均して約９０％，バリヤ近
辺の反応率は平均して約８０％であった。比較例の場
合、外管近辺の反応率は約１００％，バリヤ近辺の反応
率は平均して約７５％であった。
辺のバンドル部に位置する６角線，拡散防止バリア近辺
のバンドル部に位置する６角線のそれぞれにおいて、Ｎ
ｂとＳｎの反応率を、残留Ｎｂの断面積と生成したＮｂ
3 Ｓｎ層の断面積との比として算出した。本発明の線材
では、外管近辺の反応率は平均して約９０％，バリヤ近
辺の反応率は平均して約８０％であった。比較例の場
合、外管近辺の反応率は約１００％，バリヤ近辺の反応
率は平均して約７５％であった。
【００２４】このように、本発明方法で製造した超電導
線は、バンドル部におけるＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成は非
常に均一になっている。
線は、バンドル部におけるＮｂ3 Ｓｎ化合物の生成は非
常に均一になっている。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法によれば、一次複合体の表面にはＳｎ成分の拡散を抑
制するＳｎ含有Ｃｕめっき層が形成されているので、Ｎ
ｂ3 Ｓｎ化合物の生成はバンドル部の径方向で均一化す
る。そのため、得られた超電導線の臨界電流値特性は向
上する。また、Ｃｕめっき層の働きで、塑性加工時にお
ける一次複合体相互の密着性が向上して伸線加工性は良
好になる。
法によれば、一次複合体の表面にはＳｎ成分の拡散を抑
制するＳｎ含有Ｃｕめっき層が形成されているので、Ｎ
ｂ3 Ｓｎ化合物の生成はバンドル部の径方向で均一化す
る。そのため、得られた超電導線の臨界電流値特性は向
上する。また、Ｃｕめっき層の働きで、塑性加工時にお
ける一次複合体相互の密着性が向上して伸線加工性は良
好になる。
【図１】一次複合体の断面図である。
【図２】本発明方法で製造した二次複合体のバンドル部
の一部断面図である。
の一部断面図である。
【図３】本発明方法で複合した一次複合体相互間の断面
における元素分析の結果を示すグラフである。
における元素分析の結果を示すグラフである。
【図４】内部安定型超電導線の断面図である。
１ Ｃｕ−Ｓｎ合金のマトリックス ２ Ｎｂの芯材 ３ 安定化銅 ４ 拡散防止バリヤ ５ バンドル部 ６ Ｃｕ−Ｓｎ合金の外管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 靖三 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎｂの芯部と、前記芯部を被包するＣｕ
−Ｓｎ合金のマトリックスとから成る複数本の一次複合
体を、安定化銅およびその外側に位置する拡散防止バリ
アが中心に配置されているＣｕ−Ｓｎ合金外管の中に充
填したのち熱間加工を行ない、更に拡散熱処理を行うＮ
ｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法において、前記一
次複合体の外周面にはＳを含むＣｕめっき層が形成され
ていることを特徴とするＮｂ3 Ｓｎ系化合物超電導線の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153171A JPH05342933A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｎｂ３Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153171A JPH05342933A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｎｂ３Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342933A true JPH05342933A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15556609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153171A Pending JPH05342933A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | Ｎｂ３Ｓｎ系化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015163A3 (de) * | 2002-08-05 | 2004-04-08 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren zur herstellung einer keramikfaser mit einer metallbeschichtung |
| KR100748444B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2007-08-10 | 한국기계연구원 | 무전해도금법에 의한 고온 초전도 박막 선재 안정화층 형성 장치 및 방법 |
| CN114429857A (zh) * | 2020-10-29 | 2022-05-03 | 东莞市铧美电子有限公司 | 合金材料铁芯防扩散处理工艺 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153171A patent/JPH05342933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015163A3 (de) * | 2002-08-05 | 2004-04-08 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren zur herstellung einer keramikfaser mit einer metallbeschichtung |
| KR100748444B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2007-08-10 | 한국기계연구원 | 무전해도금법에 의한 고온 초전도 박막 선재 안정화층 형성 장치 및 방법 |
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