JPH05343183A - 有機薄膜el素子 - Google Patents

有機薄膜el素子

Info

Publication number
JPH05343183A
JPH05343183A JP4150369A JP15036992A JPH05343183A JP H05343183 A JPH05343183 A JP H05343183A JP 4150369 A JP4150369 A JP 4150369A JP 15036992 A JP15036992 A JP 15036992A JP H05343183 A JPH05343183 A JP H05343183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
titanium oxide
thin film
light emitting
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4150369A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Nakayama
隆博 中山
Shintaro Hattori
紳太郎 服部
Atsushi Tsunoda
角田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4150369A priority Critical patent/JPH05343183A/ja
Publication of JPH05343183A publication Critical patent/JPH05343183A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/816Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】有機発光素子の輝度と効率を向上させる。 【構成】そのホール輸送層の一部又は全体として酸化チ
タン薄膜を用いる。 【効果】均一な膜厚の有機膜層を形成することができ、
有機薄膜に注入されるホールのエネルギ分布を制御,最
適化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自己発光型デバイスに
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の発光素子では、例えば、特開昭57
−51781 号公報のように、発光層を導電性の薄膜の上
や、導電性の薄膜の上に成長させた別の有機膜の上に成
長させていたために、発光層は導電膜の凹凸の影響を受
け、膜厚,特性ともにパネル面内で不均一であった。こ
の不均一性は、発光むらや非発光の欠陥をパネル面内に
生じさせる原因となっていた。また、10nm以下の薄
膜を発光層に用いたときに特性が低下する原因となって
いた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
に、平坦かつ均一な有機物質層を作成することにより、
面内で均一な発光をするパネルを作成することである。
第二に、素子を流れるホールのエネルギ分布を制御,最
適化することにある。第三に、半透明反射鏡を素子の一
部に導入することによって、素子内部に光の共振のモー
ドを誘起し、発光スペクトル幅を小さくすることにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明はホール輸送層の一部又は全体として、酸
化チタン(TiOx,x≦2)薄膜を用いる。
【0005】
【作用】本発明によれば、平坦,均一な有機物質層の形
成が可能となり、欠陥,発光むらの小さいパネルが作成
できる。また、膜厚の均一化の効果として、より薄い発
光物質層を作成して用いることができるようになる。
【0006】また、本発明によれば、有機薄膜に注入さ
れるホールのエネルギ分布を制御,最適化することがで
きるようになる。
【0007】また、本発明によれば、素子内部に光の共
振モードを誘起し、発光効率を改善した素子を設計する
ことが可能になる。
【0008】
【実施例】図1に、本発明による1実施例を断面図で示
す。硝子基板101上に形成したシート抵抗10Ωの透
明伝導膜(ITO)102の上に、厚さ20nmで酸化
チタン膜103をスパッタリング法で形成している。そ
の上に、ジアミン誘導体(TPB)のホール注入層10
4を厚さ50nmで成膜し、さらに、アルミキレート
(Alq3)の発光層105を真空蒸着法により形成
し、Ag:Mg金属電極106を形成している。
【0009】図2に従来構造の有機EL素子を示す。こ
の構造の場合には、発光層の下地膜となるホール注入層
104の表面には、数十nmオーダの凹凸ができてい
た。これは、ホール注入層の下地膜として、多結晶性の
透明導電薄膜を用いている効果と、有機物のホール注入
層の膜成長が不均一に生じた効果とによるものである。
この凹凸のため、その上に厚さ10nmで均一な発光層
を作成することは困難であり、発光むらや非発光欠陥を
生じていた。
【0010】図3に、図1と図2の構造の素子での、発
光層の膜厚と最大輝度の関係を示す。201は図1の素
子、202は図2の構造の素子である。本発明の構造の
素子が最大輝度が高く、特に発光層膜厚が小さくなって
いくと差が顕著であることがわかる。これは、酸化チタ
ン層により、発光層が平坦化された効果である。
【0011】また、酸化チタンは、その酸素組成量を変
えることにより、そのエネルギギャップと導電率を変え
ることができる。このことをもちいて、酸化チタンから
有機膜に注入するホールの量とエネルギ分布を制御して
有機膜の特性とデバイスの構造に最適化し、発光特性を
向上させることができる。
【0012】さらに、図4に、本発明の実施例を示す。
図4は、図1の素子の、発光層と金属電極との間に、電
子注入層(TAD)107を挿入した素子である。この
素子では、有機膜(ホール注入層,発光層及び電子注入
層)の厚さ方向の光学的距離(屈折率と膜厚の積の値)の
和、及び酸化チタン膜の厚さ方向の光学的距離の二つ
を、素子の発光波長と同程度の値としている。図5は、
発光スペクトルを、図4の酸化チタン膜を用いた素子
と、用いない素子とで比較したものである。301が図
4の素子の発光スペクトルであり、302は図4の素子
構成から、酸化チタン膜103を除いた構成の素子の発
光スペクトルである。酸化チタン膜を用いた素子では、
発光スペクトルの半値幅が小さくなったことがわかる。
これは、酸化チタン膜が半透明反射鏡として機能し、図
6のように、素子の内部に光の共振モードを誘起したこ
とを示している。図7に、有機膜の厚さ方向の光学的距
離と、素子の発光強度の関係を示す。光学的距離がEL
発光波長のピークに一致する時に強度は最も大きく、1
0%以上ずれると急激に強度は低下する。
【0013】図1,図4の構成から、ホール注入層10
4または電子注入層107を省略した構成も実現可能で
ある。
【0014】
【発明の効果】酸化チタン層を用いることにより、均一
な膜厚の有機膜層を形成することができ、有機薄膜に注
入されるホールのエネルギ分布を制御,最適化すること
ができる。均一化の効果として、輝度の面内分布の均一
化,破壊の原因となるピンホール欠陥の低減が実現でき
る。また、ホール注入の最適化により、輝度を向上させ
ることができる。また、ホール注入層,発光層と電子注
入層の光学的距離の和、及び酸化チタンの光学的距離を
それぞれ素子の発光波長と同程度またはその整数倍とす
ることによって、酸化チタン膜を半透明反射膜として利
用でき、素子の内部に光の光振モードを誘起し、発光ス
ペクトルの半値幅を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による実施例で、有機EL素子の断面
図。
【図2】従来構造の有機EL素子の断面図。
【図3】発光層膜厚と発光輝度の関係を、図1と図2の
構造の素子とで比較した説明図。
【図4】本発明による実施例で、有機EL素子の断面
図。
【図5】素子内部における光の振幅の分布の説明図。
【図6】発光スペクトルを、図4の酸化チタン膜を用い
た素子と、用いない素子とで比較した特性図。
【図7】有機膜の厚さ方向の光学的距離と、素子の発光
強度の関係の特性図。
【符号の説明】
101…硝子基板、102…ITO透明電極、103…
酸化チタン層、104…ホール輸送層、105…発光
層、106…Ag:Mg電極。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エレクトロルミネセント現象を生じる有機
    物質を用いる発光素子において、そのホール輸送層の一
    部又は全体として酸化チタン薄膜を用いることを特徴と
    する有機薄膜EL素子。
  2. 【請求項2】請求項1において、透明伝導膜に接して酸
    化チタン膜を形成した素子。
  3. 【請求項3】素子の内部に光の共振モードを誘起するた
    め発光層と電子注入層の光学的距離の和、及びホール輸
    送層として用いる酸化チタンの光学的距離を素子の発光
    波長の90〜110%の範囲、またはその整数倍とする
    ことを特徴とする有機薄膜EL素子。
JP4150369A 1992-06-10 1992-06-10 有機薄膜el素子 Pending JPH05343183A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4150369A JPH05343183A (ja) 1992-06-10 1992-06-10 有機薄膜el素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4150369A JPH05343183A (ja) 1992-06-10 1992-06-10 有機薄膜el素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05343183A true JPH05343183A (ja) 1993-12-24

Family

ID=15495491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4150369A Pending JPH05343183A (ja) 1992-06-10 1992-06-10 有機薄膜el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05343183A (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950034864A (ko) * 1994-02-17 1995-12-28 리차드 제이. 보토스 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법
WO1999002017A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-14 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production
WO2000010366A1 (en) * 1998-08-13 2000-02-24 Tdk Corporation Organic el device
WO2000056123A1 (en) * 1999-03-17 2000-09-21 Tdk Corporation Organic el device
WO2000056124A1 (fr) * 1999-03-17 2000-09-21 Tdk Corporation Dispositif el organique
WO2000060906A1 (en) * 1999-04-05 2000-10-12 Tdk Corporation Organic el device
WO2000076277A1 (fr) * 1999-06-07 2000-12-14 Tdk Corporation Ecran organique electroluminescent
WO2001039554A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif d'affichage
US6806641B2 (en) * 2000-03-15 2004-10-19 Sony Corporation Light-emitting device and its use
WO2005002010A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機レーザー装置
KR100512626B1 (ko) * 2002-10-18 2005-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2006093685A (ja) * 2004-08-25 2006-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
US7385655B2 (en) 2002-09-02 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations
US7449252B2 (en) 2004-08-20 2008-11-11 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US7459726B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element
US7769253B2 (en) 2002-09-02 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device
US7812520B2 (en) 2003-07-01 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Full color display based on organic light-emitting device
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
US8530922B2 (en) 2009-12-04 2013-09-10 Panasonic Corporation Organic EL device and method for manufacturing same
US8994007B2 (en) 2003-10-03 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950034864A (ko) * 1994-02-17 1995-12-28 리차드 제이. 보토스 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법
WO1999002017A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-14 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production
KR100732350B1 (ko) * 1997-06-30 2007-06-27 메르크 파텐트 게엠베하 평면 유기 발광장치용 박막 전극 및 이의 제조방법
WO2000010366A1 (en) * 1998-08-13 2000-02-24 Tdk Corporation Organic el device
US6445126B1 (en) 1998-08-13 2002-09-03 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
US6288487B1 (en) 1999-03-17 2001-09-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent device with a high-resistance inorganic electron injecting and transporting layer
WO2000056123A1 (en) * 1999-03-17 2000-09-21 Tdk Corporation Organic el device
WO2000056124A1 (fr) * 1999-03-17 2000-09-21 Tdk Corporation Dispositif el organique
US6252246B1 (en) 1999-04-05 2001-06-26 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
WO2000060906A1 (en) * 1999-04-05 2000-10-12 Tdk Corporation Organic el device
US6369507B1 (en) 1999-06-07 2002-04-09 Tdk Corporation Organic EL display apparatus with a switching device
WO2000076277A1 (fr) * 1999-06-07 2000-12-14 Tdk Corporation Ecran organique electroluminescent
WO2001039554A1 (fr) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Dispositif d'affichage
EP1154676A4 (en) * 1999-11-22 2008-08-20 Sony Corp DISPLAY DEVICE
US7102282B1 (en) 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light
US7218049B2 (en) 1999-11-22 2007-05-15 Sony Corporation Display device
US6806641B2 (en) * 2000-03-15 2004-10-19 Sony Corporation Light-emitting device and its use
US7385655B2 (en) 2002-09-02 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device with optical sensors and optical shutters at specific locations
US7769253B2 (en) 2002-09-02 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit device
KR100512626B1 (ko) * 2002-10-18 2005-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US7459726B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a light emitting element and a light receiving element
WO2005002010A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機レーザー装置
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
US7812520B2 (en) 2003-07-01 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Full color display based on organic light-emitting device
US8994007B2 (en) 2003-10-03 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US9461271B2 (en) 2003-10-03 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US7449252B2 (en) 2004-08-20 2008-11-11 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2006093685A (ja) * 2004-08-25 2006-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
US8530922B2 (en) 2009-12-04 2013-09-10 Panasonic Corporation Organic EL device and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05343183A (ja) 有機薄膜el素子
US7741771B2 (en) Light-emitting element and display device and lighting device using same
CN100482025C (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
CN100477322C (zh) 有机电致发光器件
EP0987774A2 (en) An electrode having enhanced hole injection
JPH08102360A (ja) 有機無機複合薄膜型電界発光素子
JP2008521165A (ja) 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
US8987985B2 (en) Method and apparatus for light emission utilizing an OLED with a microcavity
CN108281465A (zh) 一种有机发光显示面板和显示装置
KR100490535B1 (ko) 유기 전계발광 소자
US5672938A (en) Light emission device comprising light emitting organic material and electron injection enhancement structure
JPH04137485A (ja) 電界発光素子
JP3546697B2 (ja) 有機el素子
KR20020076171A (ko) 고품질 디스플레이가 가능한 유기 발광 소자
KR101007653B1 (ko) 유기 발광 다이오드 디바이스
KR100591795B1 (ko) 적층형 유기 발광 소자
KR101604495B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이를 제조하는 방법
JPH053081A (ja) 面発光装置
KR100542996B1 (ko) 투명 유기 전계 발광 표시 장치
JPH07188649A (ja) 有機薄膜発光素子
JP3253368B2 (ja) 電界発光素子
JPH07228865A (ja) 有機薄膜発光素子
KR20080074994A (ko) 발광 소자
JPH08162273A (ja) 薄膜el素子
US20250143072A1 (en) Amorphous metal based top emission organic light emitting diodes