JPH05343813A - 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法 - Google Patents
量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法Info
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- JPH05343813A JPH05343813A JP17200992A JP17200992A JPH05343813A JP H05343813 A JPH05343813 A JP H05343813A JP 17200992 A JP17200992 A JP 17200992A JP 17200992 A JP17200992 A JP 17200992A JP H05343813 A JPH05343813 A JP H05343813A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】瞬時光学損傷による端面破壊を防止し、より高
出力で、かつ動作特性が安定し、高効率で高信頼性を目
的とする。 【構成】量子井戸型活性層を、共振器の端面側でのスト
ライプ幅と厚みに対して、内部に向けて徐々にストライ
プ幅を狭くし、かつ活性層の厚みを厚くしてなることを
特徴とする半導体レーザ装置。
出力で、かつ動作特性が安定し、高効率で高信頼性を目
的とする。 【構成】量子井戸型活性層を、共振器の端面側でのスト
ライプ幅と厚みに対して、内部に向けて徐々にストライ
プ幅を狭くし、かつ活性層の厚みを厚くしてなることを
特徴とする半導体レーザ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高信頼性で高出力の半
導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
導体レーザ装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】共振器の端面に処理を特に施していない
通常の半導体レーザにおいては、端面劣化のために高い
出力を得ることができない。高出力化の一つの方法とし
て、いわゆるウインドウ構造が提案されている。これ
は、図５に示すように共振器の端面に、共振器の内部よ
りもバンドギャップエネルギが高く、共振光に対して透
明となる領域を設けるものである。
通常の半導体レーザにおいては、端面劣化のために高い
出力を得ることができない。高出力化の一つの方法とし
て、いわゆるウインドウ構造が提案されている。これ
は、図５に示すように共振器の端面に、共振器の内部よ
りもバンドギャップエネルギが高く、共振光に対して透
明となる領域を設けるものである。
【０００３】図５に従い、従来技術の説明を行う。ｎ型
ＧａＡｓ基板２２上にｎ型ＡｌＧａＡｓ型第１クラッド
層２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層２４、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ型第２クラッド層２５を結晶成長させる。その後、２
つの端面１４と１５から離れた共振器内部のみに選択的
に亜鉛などのｐ型不純物を拡散して、図５中の斜線部に
示すｐ型拡散領域２８を形成し、表面からｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層２４までをｐ型とし、ダブルヘテロ構造を形
成する。そしてこのようにして設けた積層構造の下面に
ｎ型電極２１を設け、上面にｐ型電極２７を絶縁膜２６
を介して設ける。
ＧａＡｓ基板２２上にｎ型ＡｌＧａＡｓ型第１クラッド
層２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層２４、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ型第２クラッド層２５を結晶成長させる。その後、２
つの端面１４と１５から離れた共振器内部のみに選択的
に亜鉛などのｐ型不純物を拡散して、図５中の斜線部に
示すｐ型拡散領域２８を形成し、表面からｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層２４までをｐ型とし、ダブルヘテロ構造を形
成する。そしてこのようにして設けた積層構造の下面に
ｎ型電極２１を設け、上面にｐ型電極２７を絶縁膜２６
を介して設ける。
【０００４】通常、同じ材料の場合、ｎ型の方がｐ型よ
りも実効的なエネルギバンドギャップが大きいため、端
面１４および端面１５の近傍に共振光に対して透明なウ
インドウ構造が形成されることになる。
りも実効的なエネルギバンドギャップが大きいため、端
面１４および端面１５の近傍に共振光に対して透明なウ
インドウ構造が形成されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示す従
来例において、ｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層２４にｐ型不純
物が高濃度にドープされている。つまり、半導体レーザ
における発光作用の中心部位である活性層そのものに高
濃度ドーピングが行われるので、（イ）結晶性の低下、
（ロ）フリーキャリア吸収の増大による発振しきい値電
流の上昇、およびこれに伴う発振効率の低下、（ハ）信
頼性の低下等の問題点を有していた。さらにｎ型クラッ
ド層と活性層との境界でｐｎ接合をとるために、（ニ）
製造工程においてその不純物拡散の制御が、非常に難し
いという欠点を有していた。
来例において、ｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層２４にｐ型不純
物が高濃度にドープされている。つまり、半導体レーザ
における発光作用の中心部位である活性層そのものに高
濃度ドーピングが行われるので、（イ）結晶性の低下、
（ロ）フリーキャリア吸収の増大による発振しきい値電
流の上昇、およびこれに伴う発振効率の低下、（ハ）信
頼性の低下等の問題点を有していた。さらにｎ型クラッ
ド層と活性層との境界でｐｎ接合をとるために、（ニ）
製造工程においてその不純物拡散の制御が、非常に難し
いという欠点を有していた。
【０００６】そこで本発明は上記のような問題点を解消
するためになされ、高信頼性で高出力の半導体レーザ装
置を提供することを目的としている。
するためになされ、高信頼性で高出力の半導体レーザ装
置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、単一または多
重の量子井戸構造の活性層を備え、第１の端面と第２の
端面を備えた半導体レーザ装置において、第１の端面お
よび第２の端面の少なくとも一方に対応する端面側の活
性層のエネルギバンドギャップ値が、中央部の活性層の
エネルギバンドギャップ値よりも、大きくしてなること
を特徴とする半導体レーザ装置を提供する。
重の量子井戸構造の活性層を備え、第１の端面と第２の
端面を備えた半導体レーザ装置において、第１の端面お
よび第２の端面の少なくとも一方に対応する端面側の活
性層のエネルギバンドギャップ値が、中央部の活性層の
エネルギバンドギャップ値よりも、大きくしてなること
を特徴とする半導体レーザ装置を提供する。
【０００８】また、半導体基板上に、バッファ層、第１
クラッド層、単一または多重量子井戸構造を有する活性
層または前記活性層を第１と第２のグレイデッド・イン
デックス層で挟み込んだ層、さらに第２クラッド層、そ
してキャップ層を、この順にストライプ状に気相成長方
法で形成し、このように設けられた積層構造を挟むよう
にｐ型電極と、ｎ型電極とが両面に設けられた半導体レ
ーザ装置の製造方法において、前記活性層の形成に用い
る絶縁マスクのマスク穴の少なくとも一端の幅が、その
マスク穴の中央部の幅よりも太い非矩形のマスク穴を有
する絶縁マスクを用い、かつ選択結晶成長法によって活
性層を形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製
造方法を提供する。
クラッド層、単一または多重量子井戸構造を有する活性
層または前記活性層を第１と第２のグレイデッド・イン
デックス層で挟み込んだ層、さらに第２クラッド層、そ
してキャップ層を、この順にストライプ状に気相成長方
法で形成し、このように設けられた積層構造を挟むよう
にｐ型電極と、ｎ型電極とが両面に設けられた半導体レ
ーザ装置の製造方法において、前記活性層の形成に用い
る絶縁マスクのマスク穴の少なくとも一端の幅が、その
マスク穴の中央部の幅よりも太い非矩形のマスク穴を有
する絶縁マスクを用い、かつ選択結晶成長法によって活
性層を形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製
造方法を提供する。
【０００９】
【作用】本発明における半導体レーザ装置は、積層構造
をなす共振器の端面部において活性領域のバンドギャッ
プエネルギを、中央部よりも相対的に大きくすることに
よりウインドウ構造を形成し端面における瞬時光学損傷
（ＣＯＭＤ：Ｃａｔａｓｔｒｏｐｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｍｉｒｒｏｒ Ｄａｍａｇｅ）のしきい値を増大させ
ることができる。さらに、拡散プロセスを用いずして活
性層等を形成することが可能である。
をなす共振器の端面部において活性領域のバンドギャッ
プエネルギを、中央部よりも相対的に大きくすることに
よりウインドウ構造を形成し端面における瞬時光学損傷
（ＣＯＭＤ：Ｃａｔａｓｔｒｏｐｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｍｉｒｒｏｒ Ｄａｍａｇｅ）のしきい値を増大させ
ることができる。さらに、拡散プロセスを用いずして活
性層等を形成することが可能である。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例の上面図とそれに対
応する発光エネルギ状態を示すグラフとを示すブロック
図である。この上面図において、端面側に位置する部位
が太く、中央部側が相対的に細く設けられたストライプ
部を模式的に表している。図２は、図１のＡ−Ａ’切断
線における断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ’切断
線における断面図である。図２と図３も、積層構造の断
面を模式的に表している。なお、理解のためストライプ
部の厚みを強調して描いている。
応する発光エネルギ状態を示すグラフとを示すブロック
図である。この上面図において、端面側に位置する部位
が太く、中央部側が相対的に細く設けられたストライプ
部を模式的に表している。図２は、図１のＡ−Ａ’切断
線における断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ’切断
線における断面図である。図２と図３も、積層構造の断
面を模式的に表している。なお、理解のためストライプ
部の厚みを強調して描いている。
【００１１】図２を参照して説明する。ＧａＡｓのｎ型
基板２上に、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4などの絶縁マスクを
用いて、逆台形の溝をドライエッチングもしくはウエッ
トエッチング等により形成する。このとき絶縁マスクの
幅は共振器の端面部において幅広く、共振器の端面から
離れた内部において幅狭くしている。
基板２上に、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4などの絶縁マスクを
用いて、逆台形の溝をドライエッチングもしくはウエッ
トエッチング等により形成する。このとき絶縁マスクの
幅は共振器の端面部において幅広く、共振器の端面から
離れた内部において幅狭くしている。
【００１２】その後、ＭＯ−ＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒ
ｇａｎｉｃ ＣＶＤ）、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシャル
法）、ＭＯ−ＭＢＥ等の選択結晶成長技術を用い以下の
積層構造を形成する。
ｇａｎｉｃ ＣＶＤ）、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシャル
法）、ＭＯ−ＭＢＥ等の選択結晶成長技術を用い以下の
積層構造を形成する。
【００１３】まずｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層５、
ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる第１クラッド層６、
ノンドープＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．２〜０．５）
からなる第１グレイデッド・インデックス層７（Ｇｒａ
ｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ層、屈折率変化層のことである、以
下ＧＲＩＮ層と略す）、ノンドープ性のＭＱＷ（Ｍｕｌ
ｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：多重量子井戸）を有
する活性層８、ノンドープＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ（Ｙ＝
０．２〜０．５）からなる第２ＧＲＩＮ層９、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる第２クラッド層１０、ｐ型Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層１１を成長させる。
ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる第１クラッド層６、
ノンドープＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ（Ｘ＝０．２〜０．５）
からなる第１グレイデッド・インデックス層７（Ｇｒａ
ｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ層、屈折率変化層のことである、以
下ＧＲＩＮ層と略す）、ノンドープ性のＭＱＷ（Ｍｕｌ
ｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：多重量子井戸）を有
する活性層８、ノンドープＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ（Ｙ＝
０．２〜０．５）からなる第２ＧＲＩＮ層９、ｐ型Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる第２クラッド層１０、ｐ型Ｇ
ａＡｓからなるキャップ層１１を成長させる。
【００１４】さらにｐ型電極４およびｎ型電極１を形成
する。なお、上面のｐ型電極４の端は共振器の２つの両
側の端面からそれぞれ離れて内部のみに形成しているの
で、レーザ発光動作上のマイナス要因である非発光再結
合を抑制することができる。また第１バッファ層５と第
１クラッド層６の間に、超格子等のバッファ層をさらに
挿入し、結晶性を向上させることも可能である。第１Ｇ
ＲＩＮ層７と第２ＧＲＩＮ層９とは、設けなくともレー
ザ発光動作は可能である。発光しきい値の点では、設け
た方が望ましい。
する。なお、上面のｐ型電極４の端は共振器の２つの両
側の端面からそれぞれ離れて内部のみに形成しているの
で、レーザ発光動作上のマイナス要因である非発光再結
合を抑制することができる。また第１バッファ層５と第
１クラッド層６の間に、超格子等のバッファ層をさらに
挿入し、結晶性を向上させることも可能である。第１Ｇ
ＲＩＮ層７と第２ＧＲＩＮ層９とは、設けなくともレー
ザ発光動作は可能である。発光しきい値の点では、設け
た方が望ましい。
【００１５】このような積層構造を設けた後で、所望の
共振器長に、積層構造をへき開し、レーザ光の取り出し
方向とする端面（出射端面となる）に１０％程度の反射
率を持たせた低反射膜１２（以下、ＡＲ膜と略す）を、
この反対側に位置して非出射端面となる端面に９０％程
度の反射率を持たせた反射膜１３（以下、ＨＲ膜と略
す）をコーティングし、レーザ光の高出力化および端面
そのものの酸化防止を行っている。
共振器長に、積層構造をへき開し、レーザ光の取り出し
方向とする端面（出射端面となる）に１０％程度の反射
率を持たせた低反射膜１２（以下、ＡＲ膜と略す）を、
この反対側に位置して非出射端面となる端面に９０％程
度の反射率を持たせた反射膜１３（以下、ＨＲ膜と略
す）をコーティングし、レーザ光の高出力化および端面
そのものの酸化防止を行っている。
【００１６】なお、図３においてはストライプ部の中央
部側の厚みが端面側よりも相対的に厚いため、端面側よ
り中央部側で盛り上がっているように強調して図を描い
ている。また、これに対応して、図２ではキャップ層１
１の斜面部（断面部からｐ型電極までの間）が断面部の
直上に見えるものとしている。実際は、巨視的にほぼ平
坦な積層構造である。また、ｐ型電極４と直接コンタク
トしないキャップ層１１の表面には、さらに保護膜を設
けてもよい。
部側の厚みが端面側よりも相対的に厚いため、端面側よ
り中央部側で盛り上がっているように強調して図を描い
ている。また、これに対応して、図２ではキャップ層１
１の斜面部（断面部からｐ型電極までの間）が断面部の
直上に見えるものとしている。実際は、巨視的にほぼ平
坦な積層構造である。また、ｐ型電極４と直接コンタク
トしないキャップ層１１の表面には、さらに保護膜を設
けてもよい。
【００１７】次に、この半導体レーザ装置の基本的な動
作について説明する。ｐ型電極４に正の電圧を、かつｎ
型電極１に負の電圧を印加する。本実施例では、ｐ型電
極４が電流注入電極として作用する。電流は逆台形上の
溝に制限されノンドープ性のＭＱＷを有する活性層８
の、ｐ型電極４に対応する活性領域に集中する。活性層
８の活性領域にキャリアが注入されると電子とホールの
再結合によって量子井戸幅と、材料組成で決定される発
光波長で発光し、発光した光は共振器の２つの端面の間
で反射増幅され、ある電流値、いわゆる発振しきい値以
上になるとレーザ発振する。
作について説明する。ｐ型電極４に正の電圧を、かつｎ
型電極１に負の電圧を印加する。本実施例では、ｐ型電
極４が電流注入電極として作用する。電流は逆台形上の
溝に制限されノンドープ性のＭＱＷを有する活性層８
の、ｐ型電極４に対応する活性領域に集中する。活性層
８の活性領域にキャリアが注入されると電子とホールの
再結合によって量子井戸幅と、材料組成で決定される発
光波長で発光し、発光した光は共振器の２つの端面の間
で反射増幅され、ある電流値、いわゆる発振しきい値以
上になるとレーザ発振する。
【００１８】ＧａＡｓや、ＡｌＧａＡｓ等の量子井戸の
井戸幅と、その発光エネルギの関係は、量子井戸幅が大
きくなると、発光波長が長くなることである（発光エネ
ルギは小さくなる）。そして、その他の諸条件にもよる
が、量子井戸幅が２０ｎｍを超えると、発光波長の変化
は飽和し、一定の値に近づく傾向にある。たとえばＧａ
Ａｓを例にとると図４のような特性を示す。
井戸幅と、その発光エネルギの関係は、量子井戸幅が大
きくなると、発光波長が長くなることである（発光エネ
ルギは小さくなる）。そして、その他の諸条件にもよる
が、量子井戸幅が２０ｎｍを超えると、発光波長の変化
は飽和し、一定の値に近づく傾向にある。たとえばＧａ
Ａｓを例にとると図４のような特性を示す。
【００１９】図１における半導体レーザにおいて、例え
ばＧａＡｓの量子井戸幅を共振器の端面側において６ｎ
ｍ、共振器内部（端面側に対しての中央部）において
８．６ｎｍとする。この構造によって端面側と中央部で
の発光エネルギの差が、ΔＥ＝約４０ｍｅＶ（ミリエレ
クトロンボルト）となり、共振器の端面側において大き
くすることができる。
ばＧａＡｓの量子井戸幅を共振器の端面側において６ｎ
ｍ、共振器内部（端面側に対しての中央部）において
８．６ｎｍとする。この構造によって端面側と中央部で
の発光エネルギの差が、ΔＥ＝約４０ｍｅＶ（ミリエレ
クトロンボルト）となり、共振器の端面側において大き
くすることができる。
【００２０】このように活性層の部位によって、量子井
戸幅の異なる結晶は、ＭＯ−ＣＶＤ、ＭＯ−ＭＢＥ等の
選択結晶成長技術を用いることにより実現できる。すな
わち図１に示すように端面側での活性層８のストライプ
幅を２ｂとし、共振器の内部でのストライプ幅２ａと
し、２ｂ＞２ａとなるように端面側でのパターン幅を広
くすることにより、広い部分（端面側）には薄く（すな
わちエネルギバンドギャップ＝Ｅｇ大）。狭い部分（共
振器の内部）には厚く（すなわちエネルギバンドギャッ
プ＝Ｅｇ小）なるように結晶成長させることができる。
戸幅の異なる結晶は、ＭＯ−ＣＶＤ、ＭＯ−ＭＢＥ等の
選択結晶成長技術を用いることにより実現できる。すな
わち図１に示すように端面側での活性層８のストライプ
幅を２ｂとし、共振器の内部でのストライプ幅２ａと
し、２ｂ＞２ａとなるように端面側でのパターン幅を広
くすることにより、広い部分（端面側）には薄く（すな
わちエネルギバンドギャップ＝Ｅｇ大）。狭い部分（共
振器の内部）には厚く（すなわちエネルギバンドギャッ
プ＝Ｅｇ小）なるように結晶成長させることができる。
【００２１】これは絶縁マスク上において結晶成長が起
こらないため、絶縁マスク上の気相中に存在する原料種
が気相中を横方向に拡散し、成長領域に到達して成長に
寄与するためである。すなわち、マスク幅が大きく、マ
スク穴が小さい（すなわちマスクの占める割合が大き
い）ほど厚く成長することによる。
こらないため、絶縁マスク上の気相中に存在する原料種
が気相中を横方向に拡散し、成長領域に到達して成長に
寄与するためである。すなわち、マスク幅が大きく、マ
スク穴が小さい（すなわちマスクの占める割合が大き
い）ほど厚く成長することによる。
【００２２】図１にその形状が表されている。ｎ型基板
２に設けられた溝に、積層されるストライプ状の構造の
端面部での幅を、ほぼ２ｂとし、中央部での幅をほぼ２
ａとする。また、Ｂ−Ｂ’切断線は、中心線を兼ねるも
のとし、Ｗは積層構造を有する半導体レーザ装置の幅の
ほぼ１／２を示す。従って、図１に示すＷ、ａ、ｂの寸
法比を変えることにより、（ａ＜ｂ＜Ｗ）端面側を薄
く、共振器の内部（端面側に対する中央部）において厚
くすることができ、ウインドウ構造が形成される。
２に設けられた溝に、積層されるストライプ状の構造の
端面部での幅を、ほぼ２ｂとし、中央部での幅をほぼ２
ａとする。また、Ｂ−Ｂ’切断線は、中心線を兼ねるも
のとし、Ｗは積層構造を有する半導体レーザ装置の幅の
ほぼ１／２を示す。従って、図１に示すＷ、ａ、ｂの寸
法比を変えることにより、（ａ＜ｂ＜Ｗ）端面側を薄
く、共振器の内部（端面側に対する中央部）において厚
くすることができ、ウインドウ構造が形成される。
【００２３】また同時に、共振器の端面側において導波
領域が徐々に広くなっているために、光密度を低減させ
ることができる。この形状は、ほぼマスク穴の形状で決
定される。以上の効果により瞬時光学損傷（ＣＯＭＤ）
を、従来のものに比して１桁程度改善できる。また、共
振器内部と端面側ではパターン幅をなだらかに変化させ
ているので、導波損失を同時に小さくすることが可能で
ある。
領域が徐々に広くなっているために、光密度を低減させ
ることができる。この形状は、ほぼマスク穴の形状で決
定される。以上の効果により瞬時光学損傷（ＣＯＭＤ）
を、従来のものに比して１桁程度改善できる。また、共
振器内部と端面側ではパターン幅をなだらかに変化させ
ているので、導波損失を同時に小さくすることが可能で
ある。
【００２４】なお、本実施例においては、徐々にストラ
イプ幅が曲線状に変化する図１の形式のものを例示した
が、直線状に変化する形式のものであってもよい。ま
た、端面に近づくにつれてより開口する形式のものであ
ってもよい。
イプ幅が曲線状に変化する図１の形式のものを例示した
が、直線状に変化する形式のものであってもよい。ま
た、端面に近づくにつれてより開口する形式のものであ
ってもよい。
【００２５】上記の実施例では、多重量子井戸型（ＭＱ
Ｗ）としたが、活性層を単一量子井戸（ＳＱＷ）として
もよい。実施例に示すようなＦＰ型の半導体レーザだけ
ではなく、回折格子を備えたＤＢＲや、ＤＦＢ型のレー
ザでも適用可能である。さらにストライプ構造は、実施
例に示す以外の他の構造、例えば埋め込み型、プレーナ
型等のようなストライプでも適用可能である。
Ｗ）としたが、活性層を単一量子井戸（ＳＱＷ）として
もよい。実施例に示すようなＦＰ型の半導体レーザだけ
ではなく、回折格子を備えたＤＢＲや、ＤＦＢ型のレー
ザでも適用可能である。さらにストライプ構造は、実施
例に示す以外の他の構造、例えば埋め込み型、プレーナ
型等のようなストライプでも適用可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明により、共振器端
面における瞬時光学損傷（ＣＯＭＤ）のしきい値を増大
させることができ、破壊しやすい端面構造を保護し、レ
ーザ光の高出力化を達成することができるとともに、半
導体レーザ装置としての信頼性の向上の効果がある。
面における瞬時光学損傷（ＣＯＭＤ）のしきい値を増大
させることができ、破壊しやすい端面構造を保護し、レ
ーザ光の高出力化を達成することができるとともに、半
導体レーザ装置としての信頼性の向上の効果がある。
【図１】第１の実施例の上面図と発光エネルギ状態を示
すグラフとを対応したブロック図。
すグラフとを対応したブロック図。
【図２】第１の実施例の正面（Ｂ−Ｂ’切断線）から見
た断面図。
た断面図。
【図３】第１の実施例の側面（Ａ−Ａ’切断線）から見
た断面図。
た断面図。
【図４】ＧａＡｓの量子井戸幅と発光エネルギの関係を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図５】従来例におけるウインドウ構造を示す側面図。
１：ｎ型電極 ２：ｎ型基板 ３：絶縁膜 ４：ｐ型電極 ５：バッファ層 ６：第１クラッド層 ７：第１グレイデッド・インデックス層 ８：活性層 ９：第２グレイデッド・インデックス層 １０：第２クラッド層 １１：キャップ層 １２：低反射膜 １３：反射膜
Claims (5)
- 【請求項１】単一または多重の量子井戸構造の活性層を
備え、第１の端面と第２の端面を備えた半導体レーザ装
置において、第１の端面および第２の端面の少なくとも
一方に対応する端面側の活性層のエネルギバンドギャッ
プ値が、中央部の活性層のエネルギバンドギャップ値よ
りも、大きくしてなることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】請求項１の半導体レーザ装置において、活
性層に電流を注入せしめる電流注入電極の少なくとも一
方の端が第１の端面または第２の端面に接しないように
設けられ、前記電流注入電極に対応した活性層の活性領
域でキャリアが注入されることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項３】活性層の厚みが、少なくとも一方の端面側
で、中央部よりも薄くされたことを特徴とする請求項１
または２の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】一方の端面に低反射膜を、もう一方の端面
に反射膜を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】半導体基板上に、バッファ層、第１クラッ
ド層、単一または多重の量子井戸構造を有する活性層ま
たは前記活性層を第１と第２のグレイデッド・インデッ
クス層で挟み込んだ層、さらに第２クラッド層、そして
キャップ層を、この順にストライプ状に気相成長方法で
形成し、このように設けられた積層構造を挟むようにｐ
型電極と、ｎ型電極とが両面に設けられた半導体レーザ
装置の製造方法において、前記活性層の形成に用いる絶
縁マスクのマスク穴の少なくとも一端の幅が、そのマス
ク穴の中央部の幅よりも太い非矩形のマスク穴を有する
絶縁マスクを用い、かつ選択結晶成長法によって活性層
を形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17200992A JPH05343813A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17200992A JPH05343813A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343813A true JPH05343813A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15933836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17200992A Withdrawn JPH05343813A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343813A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038956A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production method for semiconductor light emitting element |
| EP1583189A3 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP17200992A patent/JPH05343813A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038956A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production method for semiconductor light emitting element |
| US6884648B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| US6958493B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| EP1583189A3 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
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