JPH05345431A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
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- JPH05345431A JPH05345431A JP15498192A JP15498192A JPH05345431A JP H05345431 A JPH05345431 A JP H05345431A JP 15498192 A JP15498192 A JP 15498192A JP 15498192 A JP15498192 A JP 15498192A JP H05345431 A JPH05345431 A JP H05345431A
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- thermal head
- electrode
- electrodes
- protective film
- heating resistor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 印字濃度、ごみ抜け性のおよび耐環境性に対
する信頼性の向上。 【構成】 逆スパッタリングにより電極４、５の先端部
に面取り部を設けた後、保護膜６を形成する。 【効果】 保護膜表面の断差が少なくなり、印字濃度お
よびゴミ抜け性が向上し、耐環境性に対する信頼性が向
上する。
する信頼性の向上。 【構成】 逆スパッタリングにより電極４、５の先端部
に面取り部を設けた後、保護膜６を形成する。 【効果】 保護膜表面の断差が少なくなり、印字濃度お
よびゴミ抜け性が向上し、耐環境性に対する信頼性が向
上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ファクシミリやプリ
ンター等の感熱記録に用いられるサーマルヘッドに関す
る。
ンター等の感熱記録に用いられるサーマルヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示す発熱部の概略断面図の
ように、セラミック等の絶縁基板１上に蓄熱層としてグ
レーズ層２を設け、Ｔａ系やシリサイド系、Ｎｉ−Ｃｒ
系などの発熱抵抗体材料およびＡｌ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ａｕ
等の電極材料をスパッタリングやＣＶＤ法等によって成
膜し、フォトリソグラフィによるパターニングを行い、
発熱抵抗体３、共通電極４および個別電極５を形成し、
その後、発熱抵抗体３の酸化防止、耐摩耗のためにＳｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ），Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＣ等の保護膜６をスパッタリングやプラズ
マＣＶＤ法により成膜し、サーマルヘッドとして用いて
いる。
ように、セラミック等の絶縁基板１上に蓄熱層としてグ
レーズ層２を設け、Ｔａ系やシリサイド系、Ｎｉ−Ｃｒ
系などの発熱抵抗体材料およびＡｌ，Ｃｒ−Ｃｕ，Ａｕ
等の電極材料をスパッタリングやＣＶＤ法等によって成
膜し、フォトリソグラフィによるパターニングを行い、
発熱抵抗体３、共通電極４および個別電極５を形成し、
その後、発熱抵抗体３の酸化防止、耐摩耗のためにＳｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ），Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＣ等の保護膜６をスパッタリングやプラズ
マＣＶＤ法により成膜し、サーマルヘッドとして用いて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のサーマ
ルヘッドでは、図２に示すように共通電極および個別電
極の成膜およびパターニング後に保護膜形成をしてい
た。このために共通電極および個別電極の膜先端部がほ
ぼ直角となり、保護膜表面にも同様の段差あるいは断層
が発生する。この段差のために感熱紙、受像紙やインク
シート等の記録媒体とサーマルヘッドとの接触性が悪く
なり印字濃度の低下の原因となっていた。
ルヘッドでは、図２に示すように共通電極および個別電
極の成膜およびパターニング後に保護膜形成をしてい
た。このために共通電極および個別電極の膜先端部がほ
ぼ直角となり、保護膜表面にも同様の段差あるいは断層
が発生する。この段差のために感熱紙、受像紙やインク
シート等の記録媒体とサーマルヘッドとの接触性が悪く
なり印字濃度の低下の原因となっていた。
【０００４】また記録媒体とサーマルヘッドとの間にゴ
ミが存在すると同様に接触性が悪く、印字抜けとなる。
このため、ゴミが介在した場合には、記録媒体とサーマ
ルヘッドとの摺動によって速やかにゴミを廃除する必要
があるが、前述のように保護膜表面に段差部があるとゴ
ミが入りやすく、ゴミ抜け性低下の原因となっていた。
またこの保護膜の断層部から水、ＮａＣｌ等の侵入があ
った場合、電極の腐食の原因となり、耐腐食性等に対し
て信頼性にかけるという課題があった。
ミが存在すると同様に接触性が悪く、印字抜けとなる。
このため、ゴミが介在した場合には、記録媒体とサーマ
ルヘッドとの摺動によって速やかにゴミを廃除する必要
があるが、前述のように保護膜表面に段差部があるとゴ
ミが入りやすく、ゴミ抜け性低下の原因となっていた。
またこの保護膜の断層部から水、ＮａＣｌ等の侵入があ
った場合、電極の腐食の原因となり、耐腐食性等に対し
て信頼性にかけるという課題があった。
【０００５】この発明の目的は、従来のこのような課題
を解決するため、保護膜表面の段差を少なくし、断層の
ない耐環境性に対する信頼性を高めたサーマルヘッドを
得ることである。
を解決するため、保護膜表面の段差を少なくし、断層の
ない耐環境性に対する信頼性を高めたサーマルヘッドを
得ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は絶縁基板上に、少なくとも発熱抵抗体、
発熱抵抗体に電力を供給するための電極、および保護膜
を有する薄膜サーマルヘッドにおいて、共通電極および
個別電極の先端部に逆スパッタリングを行い、面取り部
を設けることによって保護膜表面の段差を少なくし、断
層をなくすようにした。
に、この発明は絶縁基板上に、少なくとも発熱抵抗体、
発熱抵抗体に電力を供給するための電極、および保護膜
を有する薄膜サーマルヘッドにおいて、共通電極および
個別電極の先端部に逆スパッタリングを行い、面取り部
を設けることによって保護膜表面の段差を少なくし、断
層をなくすようにした。
【０００７】
【作用】上記のように加工を行ったサーマルヘッドにお
いては、保護膜表面の電極膜厚および電極先端部による
段差が少なくなり、断層がなくなるため、記録媒体とサ
ーマルヘッドの接触性が向上し印字濃度が高くなり、ゴ
ミ抜け性も向上すると同時に水、ＮａＣｌ等の侵入に対
して耐腐食性が向上する。
いては、保護膜表面の電極膜厚および電極先端部による
段差が少なくなり、断層がなくなるため、記録媒体とサ
ーマルヘッドの接触性が向上し印字濃度が高くなり、ゴ
ミ抜け性も向上すると同時に水、ＮａＣｌ等の侵入に対
して耐腐食性が向上する。
【０００８】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図１に基づいて
説明する。図１は発熱主要部の概略断面図であり、１は
絶縁性基板、２はグレーズ層、３は発熱抵抗体、４およ
び５は給電体である電極、６は保護膜を示す。
説明する。図１は発熱主要部の概略断面図であり、１は
絶縁性基板、２はグレーズ層、３は発熱抵抗体、４およ
び５は給電体である電極、６は保護膜を示す。
【０００９】このようなサーマルヘッドは、たとえば蓄
熱のためのグレーズ層２を形成したアルミナセラミック
ス等の耐薬品性のためＴａ膜をスパッタリングにより成
膜後、酸化焼成し、アンダーコート層を形成し、発熱抵
抗体材料としてのＴａ−ＳｉＯ2 膜をスパッタリングに
より成膜した後、フォトリソグラフィにより発熱抵抗体
３をパターニングする。その後、給電体の電極材料であ
るＡｌ膜を同様にスパッタリングにより成膜し、フォト
リソグラフィによるパターニングを行い電極４および５
を形成、さらに発熱抵抗体の酸化防止膜と耐摩耗のため
の保護膜６としてサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）をスパッ
タリングにより形成している。電極４および５の膜厚は
約１μｍ、保護膜６の膜厚は約５μｍが一般的に用いら
れ、この状態では、電極４および５の膜厚により図２に
示すように保護膜６の表面にも約１μｍの段差が形成さ
れる。また、電極４および５の先端部により保護膜６の
表面に断層が形成される。
熱のためのグレーズ層２を形成したアルミナセラミック
ス等の耐薬品性のためＴａ膜をスパッタリングにより成
膜後、酸化焼成し、アンダーコート層を形成し、発熱抵
抗体材料としてのＴａ−ＳｉＯ2 膜をスパッタリングに
より成膜した後、フォトリソグラフィにより発熱抵抗体
３をパターニングする。その後、給電体の電極材料であ
るＡｌ膜を同様にスパッタリングにより成膜し、フォト
リソグラフィによるパターニングを行い電極４および５
を形成、さらに発熱抵抗体の酸化防止膜と耐摩耗のため
の保護膜６としてサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）をスパッ
タリングにより形成している。電極４および５の膜厚は
約１μｍ、保護膜６の膜厚は約５μｍが一般的に用いら
れ、この状態では、電極４および５の膜厚により図２に
示すように保護膜６の表面にも約１μｍの段差が形成さ
れる。また、電極４および５の先端部により保護膜６の
表面に断層が形成される。
【００１０】本発明では電極４および５の先端部に逆ス
パッタリングによる加工工程を行う。逆スパッタ加工工
程は図３（ａ）〜（ｅ）に示す。図３（ａ）に示すよう
にＡｌパターニング後に、図３（ｂ）に示すようにＡｌ
全体にポジ型レジストを塗布、プリベークを行った後、
発熱抵抗体３上のみをフォトマスクにより遮光して表面
全体を露光、現像して、発熱抵抗体３上のみにレジスト
を残す。その後、図３（ｃ）に示すように電極４および
５の先端部に面取り部ができるように逆スパッタリング
により加工する。これは、Ａｒによるエッチング速度が
平坦面よりも先端部で大きいことを利用している。その
後、図３（ｄ）に示すようにフォトレジストをリムーブ
する。最後に図３（ｅ）に示すように保護膜６として、
サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）を形成した。
パッタリングによる加工工程を行う。逆スパッタ加工工
程は図３（ａ）〜（ｅ）に示す。図３（ａ）に示すよう
にＡｌパターニング後に、図３（ｂ）に示すようにＡｌ
全体にポジ型レジストを塗布、プリベークを行った後、
発熱抵抗体３上のみをフォトマスクにより遮光して表面
全体を露光、現像して、発熱抵抗体３上のみにレジスト
を残す。その後、図３（ｃ）に示すように電極４および
５の先端部に面取り部ができるように逆スパッタリング
により加工する。これは、Ａｒによるエッチング速度が
平坦面よりも先端部で大きいことを利用している。その
後、図３（ｄ）に示すようにフォトレジストをリムーブ
する。最後に図３（ｅ）に示すように保護膜６として、
サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）を形成した。
【００１１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したようにサーマ
ルヘッドの電極先端部に逆スパッタリング工程を付加す
ることにより、電極先端部に面取り部を設けるという構
成としたので、保護膜表面の段差を少なくし、印字濃度
およびゴミ抜け性が向上し、保護膜表面の断層がなくな
り、耐環境性に対する信頼性が向上する。さらに、同じ
印字濃度の場合、発熱抵抗体に与えるエネルギーを少な
くすることが可能となり、省電力、耐パルス寿命が向上
するという効果がある。また、この他にエッチング、ド
ライエッチなどでも同様の効果が可能である。
ルヘッドの電極先端部に逆スパッタリング工程を付加す
ることにより、電極先端部に面取り部を設けるという構
成としたので、保護膜表面の段差を少なくし、印字濃度
およびゴミ抜け性が向上し、保護膜表面の断層がなくな
り、耐環境性に対する信頼性が向上する。さらに、同じ
印字濃度の場合、発熱抵抗体に与えるエネルギーを少な
くすることが可能となり、省電力、耐パルス寿命が向上
するという効果がある。また、この他にエッチング、ド
ライエッチなどでも同様の効果が可能である。
【図１】本発明のサーマルヘッドの発熱体主要部分の概
略断図を示した説明図である。
略断図を示した説明図である。
【図２】従来のサーマルヘッドの発熱体主要部分の概略
断面図を示した説明図である。
断面図を示した説明図である。
【図３】本発明のサーマルヘッドの発熱体主要部分の工
程順断面図を示した説明図である。
程順断面図を示した説明図である。
１ 絶縁性基板 ２ グレーズ層 ３ 発熱抵抗体 ４ 共通電極 ５ 個別電極 ６ 保護膜 ７ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に設けられたグレーズ層と、該グ
レーズ層上に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に
電力を供給するために設けられた電極と、少なくとも前
記発熱抵抗体および電極の上面を覆う保護膜とを有する
サーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体上面に配置さ
れた電極端部に面取り部を形成し、保護膜表面の電極膜
厚による段部を小さくしたことを特徴とするサーマルヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498192A JPH05345431A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498192A JPH05345431A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05345431A true JPH05345431A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15596105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15498192A Pending JPH05345431A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05345431A (ja) |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15498192A patent/JPH05345431A/ja active Pending
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