JPH05346411A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH05346411A JPH05346411A JP32846892A JP32846892A JPH05346411A JP H05346411 A JPH05346411 A JP H05346411A JP 32846892 A JP32846892 A JP 32846892A JP 32846892 A JP32846892 A JP 32846892A JP H05346411 A JPH05346411 A JP H05346411A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微小部分の分析や、分析箇所を正確に設定す
ることができる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 照射装置１はＸ線源２からの一次Ｘ線Ｂ１を
モノクロメータ３で単色化し、この単色化した一次Ｘ線
Ｂ１を、試料５０の表面５１に対向する方向から試料５
０に集光させて照射する。一次Ｘ線Ｂ１を受けた試料５
０からの蛍光Ｘ線Ｂ３は、Ｘ線検出器４で検出される。
試料５０とＸ線検出器４との間には、試料５０からの蛍
光Ｘ線Ｂ３を５°以下の取出角βで取り出して、Ｘ線検
出器４に入射させる光学素子５が設けられている。
ることができる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。 【構成】 照射装置１はＸ線源２からの一次Ｘ線Ｂ１を
モノクロメータ３で単色化し、この単色化した一次Ｘ線
Ｂ１を、試料５０の表面５１に対向する方向から試料５
０に集光させて照射する。一次Ｘ線Ｂ１を受けた試料５
０からの蛍光Ｘ線Ｂ３は、Ｘ線検出器４で検出される。
試料５０とＸ線検出器４との間には、試料５０からの蛍
光Ｘ線Ｂ３を５°以下の取出角βで取り出して、Ｘ線検
出器４に入射させる光学素子５が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料に一次Ｘ線を照
射して、試料から発生する蛍光Ｘ線を分析する蛍光Ｘ線
分析装置に関するものである。
射して、試料から発生する蛍光Ｘ線を分析する蛍光Ｘ線
分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】蛍光Ｘ線分析装置は、試料に一次Ｘ線を
照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出して、試料の
元素や組成を分析する装置である。この種の蛍光Ｘ線分
析装置の一種として、試料の表面の分析に適した全反射
蛍光Ｘ線分析装置がある。（たとえば、特開昭63-78056
号公報参照）。この全反射蛍光Ｘ線分析装置の一例を図
４に示す。
照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線を検出して、試料の
元素や組成を分析する装置である。この種の蛍光Ｘ線分
析装置の一種として、試料の表面の分析に適した全反射
蛍光Ｘ線分析装置がある。（たとえば、特開昭63-78056
号公報参照）。この全反射蛍光Ｘ線分析装置の一例を図
４に示す。
【０００３】図４において、図示しないＸ線源から出た
一次Ｘ線B1は、スリット52を介して、試料５０の表面５
１に微小な入射角α (たとえば 0.005°〜0.20°程度)
で照射される。入射した一次Ｘ線B1は、その一部が全反
射されて反射Ｘ線B2となり、他の一部が試料５０を励起
して、試料５０を構成する元素固有の蛍光Ｘ線B3を発生
させる。蛍光Ｘ線B3は、試料表面５１に対向して配置し
たＸ線検出器60に入射する。この入射した蛍光Ｘ線B3
は、Ｘ線検出器60において、そのＸ線強度が検出された
後、Ｘ線検出器60からの検出信号ａに基づき、多重波高
分析器61によって目的とするＸ線スペクトルが得られ
る。
一次Ｘ線B1は、スリット52を介して、試料５０の表面５
１に微小な入射角α (たとえば 0.005°〜0.20°程度)
で照射される。入射した一次Ｘ線B1は、その一部が全反
射されて反射Ｘ線B2となり、他の一部が試料５０を励起
して、試料５０を構成する元素固有の蛍光Ｘ線B3を発生
させる。蛍光Ｘ線B3は、試料表面５１に対向して配置し
たＸ線検出器60に入射する。この入射した蛍光Ｘ線B3
は、Ｘ線検出器60において、そのＸ線強度が検出された
後、Ｘ線検出器60からの検出信号ａに基づき、多重波高
分析器61によって目的とするＸ線スペクトルが得られ
る。
【０００４】この種の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、一次
Ｘ線B1の入射角αが微小であることから、反射Ｘ線B2お
よび散乱Ｘ線がＸ線検出器60に入射しにくく、Ｘ線検出
器60により検出される蛍光Ｘ線B3の出力レベルに比べて
ノイズが小さいという利点がある。つまり、大きなS/N
比が得られ、そのため、分析精度が良く、たとえば、微
量の不純物でも検出できるという利点がある。
Ｘ線B1の入射角αが微小であることから、反射Ｘ線B2お
よび散乱Ｘ線がＸ線検出器60に入射しにくく、Ｘ線検出
器60により検出される蛍光Ｘ線B3の出力レベルに比べて
ノイズが小さいという利点がある。つまり、大きなS/N
比が得られ、そのため、分析精度が良く、たとえば、微
量の不純物でも検出できるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる全反射
蛍光Ｘ線分析装置は、前述のように、入射角αが極めて
小さいことから、一次Ｘ線Ｂ１の照射方向のスポット径
Ｄが大きくなるのは避けられず、そのため、微小部分の
分析が困難である。
蛍光Ｘ線分析装置は、前述のように、入射角αが極めて
小さいことから、一次Ｘ線Ｂ１の照射方向のスポット径
Ｄが大きくなるのは避けられず、そのため、微小部分の
分析が困難である。
【０００６】また、入射角αが極めて小さいことから、
試料５０の表面５１のレベルが設定レベルに対して若干
異なると、スポットＰの照射位置が設定位置から照射方
向に大きく位置ずれする。そのため、目的とする分析箇
所に一次Ｘ線Ｂ１を正確に照射できないので、所定の分
析箇所を分析するのが困難となる。
試料５０の表面５１のレベルが設定レベルに対して若干
異なると、スポットＰの照射位置が設定位置から照射方
向に大きく位置ずれする。そのため、目的とする分析箇
所に一次Ｘ線Ｂ１を正確に照射できないので、所定の分
析箇所を分析するのが困難となる。
【０００７】また、このように、分析箇所に正確に一次
Ｘ線Ｂ１を照射できないので、試料５０がシリコンウエ
ハである場合には、次のような大きな欠点がある。図５
のシリコンウエハは、一般に、その中央部５５よりも周
縁近傍部５３のほうが汚染されており、この周縁近傍部
５３に一次Ｘ線Ｂ１を照射する必要がある。しかし、前
述のとおり、一次Ｘ線Ｂ１の照射位置を正確に設定でき
ないので、図６の拡大図のように、一次Ｘ線Ｂ１がエッ
ジ部５４に照射されることがある。このように、エッジ
部５４に一次Ｘ線Ｂ１が照射されると、エッジ部５４か
らの反射Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線が、Ｘ線検出器６０に入射
する。そのため、Ｓ／Ｎ比が著しく低下する。したがっ
て、シリコンウエハにおける汚染が大きい周縁近傍部５
３の分析を行うことができない。
Ｘ線Ｂ１を照射できないので、試料５０がシリコンウエ
ハである場合には、次のような大きな欠点がある。図５
のシリコンウエハは、一般に、その中央部５５よりも周
縁近傍部５３のほうが汚染されており、この周縁近傍部
５３に一次Ｘ線Ｂ１を照射する必要がある。しかし、前
述のとおり、一次Ｘ線Ｂ１の照射位置を正確に設定でき
ないので、図６の拡大図のように、一次Ｘ線Ｂ１がエッ
ジ部５４に照射されることがある。このように、エッジ
部５４に一次Ｘ線Ｂ１が照射されると、エッジ部５４か
らの反射Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線が、Ｘ線検出器６０に入射
する。そのため、Ｓ／Ｎ比が著しく低下する。したがっ
て、シリコンウエハにおける汚染が大きい周縁近傍部５
３の分析を行うことができない。
【０００８】この発明は上記従来の問題に鑑みてなされ
たもので、全反射蛍光Ｘ線分析と同等の S/N比が得ら
れ、かつ、微小部分の分析や、分析箇所を正確に設定す
ることができる蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的
とする。
たもので、全反射蛍光Ｘ線分析と同等の S/N比が得ら
れ、かつ、微小部分の分析や、分析箇所を正確に設定す
ることができる蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の構成および原理を、図１に基づいて説明す
る。図１において、照射装置１はＸ線源２からの一次Ｘ
線Ｂ１をモノクロメータ３で単色化し、この単色化した
一次Ｘ線Ｂ１を集光させるとともに試料５０の表面５１
に対向する方向から試料５０に照射する。一次Ｘ線Ｂ１
を受けた試料５０からの蛍光Ｘ線Ｂ３は、Ｘ線検出器４
で検出される。試料５０からＸ線検出器４までの光路に
は、試料５０からの蛍光Ｘ線Ｂ３を５°以下の取出角β
で取り出して、Ｘ線検出器４に入射させる光学素子５が
設けられている。なお、一次Ｘ線Ｂ１は、必ずしも集光
させる必要はない。
のこの発明の構成および原理を、図１に基づいて説明す
る。図１において、照射装置１はＸ線源２からの一次Ｘ
線Ｂ１をモノクロメータ３で単色化し、この単色化した
一次Ｘ線Ｂ１を集光させるとともに試料５０の表面５１
に対向する方向から試料５０に照射する。一次Ｘ線Ｂ１
を受けた試料５０からの蛍光Ｘ線Ｂ３は、Ｘ線検出器４
で検出される。試料５０からＸ線検出器４までの光路に
は、試料５０からの蛍光Ｘ線Ｂ３を５°以下の取出角β
で取り出して、Ｘ線検出器４に入射させる光学素子５が
設けられている。なお、一次Ｘ線Ｂ１は、必ずしも集光
させる必要はない。
【００１０】
【作用】この発明の構成のように、試料５０の表面５１
に対向する方向から一次Ｘ線Ｂ１を照射した場合、反射
Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線は、取出角βが４５°の付近におい
て最も大きくなり、取出角βが５°以下になると著しく
小さくなる。したがって、この発明のように取出角βを
小さくすることで、ノイズが小さくなる。また、単色化
した一次Ｘ線Ｂ１を試料５０に照射するので、他の特性
Ｘ線や連続Ｘ線が一次Ｘ線Ｂ１に含まれておらず、その
ため、ノイズが小さくなる。このように、ノイズが小さ
くなるので、大きなＳ／Ｎ比が得られ、その結果、従来
の全反射蛍光Ｘ線分析に近い程度まで、分析精度が向上
する。
に対向する方向から一次Ｘ線Ｂ１を照射した場合、反射
Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線は、取出角βが４５°の付近におい
て最も大きくなり、取出角βが５°以下になると著しく
小さくなる。したがって、この発明のように取出角βを
小さくすることで、ノイズが小さくなる。また、単色化
した一次Ｘ線Ｂ１を試料５０に照射するので、他の特性
Ｘ線や連続Ｘ線が一次Ｘ線Ｂ１に含まれておらず、その
ため、ノイズが小さくなる。このように、ノイズが小さ
くなるので、大きなＳ／Ｎ比が得られ、その結果、従来
の全反射蛍光Ｘ線分析に近い程度まで、分析精度が向上
する。
【００１１】また、取出角βが小さいので、試料５０の
深い所からの蛍光Ｘ線は試料５０に吸収される。そのた
め、全反射蛍光Ｘ分析と同様に、試料５０の表面層の元
素分析に適している。
深い所からの蛍光Ｘ線は試料５０に吸収される。そのた
め、全反射蛍光Ｘ分析と同様に、試料５０の表面層の元
素分析に適している。
【００１２】また、試料５０の表面５１に対向する方向
から一次Ｘ線Ｂ１を試料５０に照射するので、つまり、
入射角αが大きいので、試料５０の表面レベルが設定レ
ベルに対して若干異なっていても、一次Ｘ線Ｂ１の照射
位置が大きくずれることがないから、照射位置を容易か
つ正確に設定することができる。したがって、分析箇所
を正確に設定することができる。
から一次Ｘ線Ｂ１を試料５０に照射するので、つまり、
入射角αが大きいので、試料５０の表面レベルが設定レ
ベルに対して若干異なっていても、一次Ｘ線Ｂ１の照射
位置が大きくずれることがないから、照射位置を容易か
つ正確に設定することができる。したがって、分析箇所
を正確に設定することができる。
【００１３】また、一次Ｘ線Ｂ１を試料５０に対向する
方向から照射しているので、試料５０の表面レベルに誤
差があっても、集光させた一次Ｘ線Ｂ１のスポット径が
設定値に近い大きさになる。したがって、微小部分の分
析が可能になる。
方向から照射しているので、試料５０の表面レベルに誤
差があっても、集光させた一次Ｘ線Ｂ１のスポット径が
設定値に近い大きさになる。したがって、微小部分の分
析が可能になる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがって
説明する。図２は第１実施例を示す。この実施例では、
照射装置１が一対のＸ線管（Ｘ線源）２Ａ，２Ｂと、湾
曲結晶のような一対の分光結晶（モノクロメータ）３
Ａ，３Ｂで構成されており、試料５０の表面５１に対向
して配設されている。上記一対のＸ線管２Ａ，２Ｂは、
互いに異なるターゲットを有しており、異なる一次Ｘ線
Ｂ１を出射する。たとえば、第１のＸ線管２Ａはタング
ステンのターゲットを有しており、第２のＸ線管２Ｂは
モリブデンのターゲットを有している。上記第１の分光
結晶３ＡはＷ−Ｌβ1 線を回折し、一方、第２の分光結
晶３ＢはＭｏ−Ｋα線を回折する。これにより、試料５
０には、単色化された２種類の一次Ｘ線Ｂ１が集光され
て、試料５０の表面５１に対向する方向から照射され
る。なお、試料５０は、たとえばシリコンウエハで、図
示しない、試料台が水平に回転、走行することで、試料
５０の任意の位置に、一次Ｘ線Ｂ１が照射されるように
なっている。
説明する。図２は第１実施例を示す。この実施例では、
照射装置１が一対のＸ線管（Ｘ線源）２Ａ，２Ｂと、湾
曲結晶のような一対の分光結晶（モノクロメータ）３
Ａ，３Ｂで構成されており、試料５０の表面５１に対向
して配設されている。上記一対のＸ線管２Ａ，２Ｂは、
互いに異なるターゲットを有しており、異なる一次Ｘ線
Ｂ１を出射する。たとえば、第１のＸ線管２Ａはタング
ステンのターゲットを有しており、第２のＸ線管２Ｂは
モリブデンのターゲットを有している。上記第１の分光
結晶３ＡはＷ−Ｌβ1 線を回折し、一方、第２の分光結
晶３ＢはＭｏ−Ｋα線を回折する。これにより、試料５
０には、単色化された２種類の一次Ｘ線Ｂ１が集光され
て、試料５０の表面５１に対向する方向から照射され
る。なお、試料５０は、たとえばシリコンウエハで、図
示しない、試料台が水平に回転、走行することで、試料
５０の任意の位置に、一次Ｘ線Ｂ１が照射されるように
なっている。
【００１５】上記照射装置１は、図示しない移動装置に
より、全体が上下方向Ａに直線的に移動される。これに
より、分光結晶３Ａ，３Ｂから試料表面５１までの距離
を変化させて、一次Ｘ線Ｂ１のスポット径が変えられる
ようになっている。
より、全体が上下方向Ａに直線的に移動される。これに
より、分光結晶３Ａ，３Ｂから試料表面５１までの距離
を変化させて、一次Ｘ線Ｂ１のスポット径が変えられる
ようになっている。
【００１６】Ｘ線検出器４は、たとえば、取出角βが0.
005 °〜0.2 °程度になる位置に固定されている。スリ
ット（光学素子）５は、このスリット５を上下方向Ａに
微動させる微動装置（図示せず）を有しており、試料５
０から発生した蛍光Ｘ線Ｂ３を、0.005 °〜0.2 °の範
囲の任意の取出角βで取り出して、Ｘ線検出器４に入射
させるものである。
005 °〜0.2 °程度になる位置に固定されている。スリ
ット（光学素子）５は、このスリット５を上下方向Ａに
微動させる微動装置（図示せず）を有しており、試料５
０から発生した蛍光Ｘ線Ｂ３を、0.005 °〜0.2 °の範
囲の任意の取出角βで取り出して、Ｘ線検出器４に入射
させるものである。
【００１７】多重波高分析器６１は、Ｘ線検出器４から
の検出信号ａを入力とし、Ｘ線検出器４に入射した蛍光
Ｘ線Ｂ３のうちの目的とするスペクトルを得る。その他
の構成は、上記図１の分析装置と同様であり、同一部分
または相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を
省略する。
の検出信号ａを入力とし、Ｘ線検出器４に入射した蛍光
Ｘ線Ｂ３のうちの目的とするスペクトルを得る。その他
の構成は、上記図１の分析装置と同様であり、同一部分
または相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を
省略する。
【００１８】つぎに、試料５０の分析方法について説明
する。まず、第１のＸ線管２Ａから一次Ｘ線Ｂ１を出射
し、これを第１の分光結晶３Ａで単色化するとともに集
光させて、たとえば、Ｗ−Ｌβ1 線Ｂ１を試料５０の表
面５１に照射する。つづいて、第２のＸ線管２Ｂから一
次Ｘ線Ｂ１を出射し、これを第２の分光結晶３Ｂで単色
化するとともに集光させて、たとえばＭｏ−Ｋα線Ｂ１
を試料５０に照射する。一次Ｘ線Ｂ１は、試料５０の原
子を励起し、試料５０から元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ３が発
生する。蛍光Ｘ線Ｂ３の一部は、スリット５を通過し
て、Ｘ線検出器４に入射し、多重波高分析器６１で目的
とするスペクトルが得られる。一方、一次Ｘ線Ｂ１の照
射により、反射Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線が試料５０から出射
されるが、この反射Ｘ線Ｂ２などは、取出角が４５°付
近で大きく、小さな取出角βの方向には殆ど出射されな
い。このように、単色化された一次Ｘ線Ｂ１を試料５０
に照射し、かつ、取出角βを小さく設定したので、ノイ
ズが小さくなって、従来の全反射蛍光Ｘ線分析に近い程
度の分析精度が得られる。
する。まず、第１のＸ線管２Ａから一次Ｘ線Ｂ１を出射
し、これを第１の分光結晶３Ａで単色化するとともに集
光させて、たとえば、Ｗ−Ｌβ1 線Ｂ１を試料５０の表
面５１に照射する。つづいて、第２のＸ線管２Ｂから一
次Ｘ線Ｂ１を出射し、これを第２の分光結晶３Ｂで単色
化するとともに集光させて、たとえばＭｏ−Ｋα線Ｂ１
を試料５０に照射する。一次Ｘ線Ｂ１は、試料５０の原
子を励起し、試料５０から元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ３が発
生する。蛍光Ｘ線Ｂ３の一部は、スリット５を通過し
て、Ｘ線検出器４に入射し、多重波高分析器６１で目的
とするスペクトルが得られる。一方、一次Ｘ線Ｂ１の照
射により、反射Ｘ線Ｂ２や散乱Ｘ線が試料５０から出射
されるが、この反射Ｘ線Ｂ２などは、取出角が４５°付
近で大きく、小さな取出角βの方向には殆ど出射されな
い。このように、単色化された一次Ｘ線Ｂ１を試料５０
に照射し、かつ、取出角βを小さく設定したので、ノイ
ズが小さくなって、従来の全反射蛍光Ｘ線分析に近い程
度の分析精度が得られる。
【００１９】また、照射装置１を試料５０の表面５１に
対向して配置しているから、一次Ｘ線Ｂ１が大きな入射
角αで入射するので、前述の作用の項で述べたように、
目的とする分析箇所に一次Ｘ線Ｂ１を照射させて、その
分析を行うことができる。したがって、試料５０が図５
のシリコンウエハである場合には、シリコンウエハ（試
料）５０のエッジ部５４に一次Ｘ線Ｂ１が当たらないよ
うに、一次Ｘ線Ｂ１を周縁近傍部５３のみに照射するこ
とができるので、シリコンウエハにおける汚染の大きい
周縁近傍部５３を分析することができる。
対向して配置しているから、一次Ｘ線Ｂ１が大きな入射
角αで入射するので、前述の作用の項で述べたように、
目的とする分析箇所に一次Ｘ線Ｂ１を照射させて、その
分析を行うことができる。したがって、試料５０が図５
のシリコンウエハである場合には、シリコンウエハ（試
料）５０のエッジ部５４に一次Ｘ線Ｂ１が当たらないよ
うに、一次Ｘ線Ｂ１を周縁近傍部５３のみに照射するこ
とができるので、シリコンウエハにおける汚染の大きい
周縁近傍部５３を分析することができる。
【００２０】また、一次Ｘ線Ｂ１を単色化しているの
で、一次Ｘ線Ｂ１の強度が弱くなるのに伴い、蛍光Ｘ線
Ｂ３の強度が弱くなるが、一次Ｘ線Ｂ１を集光させて試
料５０に照射することで、一次Ｘ線Ｂ１の強度を大きく
しているから、蛍光Ｘ線Ｂ３の強度が十分大きくなる。
で、一次Ｘ線Ｂ１の強度が弱くなるのに伴い、蛍光Ｘ線
Ｂ３の強度が弱くなるが、一次Ｘ線Ｂ１を集光させて試
料５０に照射することで、一次Ｘ線Ｂ１の強度を大きく
しているから、蛍光Ｘ線Ｂ３の強度が十分大きくなる。
【００２１】ところで、図２の一次Ｘ線Ｂ１のスポット
径が小さいと、試料５０を全面にわたって分析する場合
に所要時間が長くなる。これに対し、この実施例では、
照射装置１を上下方向Ａに移動させる移動装置を設けた
ので、一次Ｘ線Ｂ１のスポット径を変化させることがで
きるから、必要に応じてスポットの径を大きくして、試
料５０の全面について分析を行うことで、分析時間を短
縮することができる。
径が小さいと、試料５０を全面にわたって分析する場合
に所要時間が長くなる。これに対し、この実施例では、
照射装置１を上下方向Ａに移動させる移動装置を設けた
ので、一次Ｘ線Ｂ１のスポット径を変化させることがで
きるから、必要に応じてスポットの径を大きくして、試
料５０の全面について分析を行うことで、分析時間を短
縮することができる。
【００２２】また、たとえばＷ−Ｌβ1 線およびＭｏ−
Ｋα線のように波長の異なる２種類の単色光を一次Ｘ線
Ｂ１として、試料５０に照射するので、Ｗ−Ｌβ1 線に
よりＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒなどの元素を分析し、一方、Ｍｏ
−Ｋα線によりＡｓ，Ｗ，Ａｕなどの元素を分析するこ
とで、種々の元素を分析することができる。
Ｋα線のように波長の異なる２種類の単色光を一次Ｘ線
Ｂ１として、試料５０に照射するので、Ｗ−Ｌβ1 線に
よりＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒなどの元素を分析し、一方、Ｍｏ
−Ｋα線によりＡｓ，Ｗ，Ａｕなどの元素を分析するこ
とで、種々の元素を分析することができる。
【００２３】なお、Ｘ線検出器４を矢印Ｒのように、照
射位置を中心に回動させるゴニオメータ（図示せず）を
設ければ、大きな取出角βでも測定できるから、一般的
な蛍光Ｘ線分析装置として用いることもできる。
射位置を中心に回動させるゴニオメータ（図示せず）を
設ければ、大きな取出角βでも測定できるから、一般的
な蛍光Ｘ線分析装置として用いることもできる。
【００２４】図３は第２実施例を示す。この実施例で
は、１つのＸ線管２に対して、同一の湾曲型の分光結晶
３Ａを複数個設けて、一次Ｘ線Ｂ１の強度を更に大きく
している。なお、分光結晶３Ａ，３Ａを、結晶面間隔が
互いに異なる分光結晶としてもよい。その他の構成は、
上記第１実施例と同様であり、同一部分または相当部分
に同一符号を付して、その説明を省略する。
は、１つのＸ線管２に対して、同一の湾曲型の分光結晶
３Ａを複数個設けて、一次Ｘ線Ｂ１の強度を更に大きく
している。なお、分光結晶３Ａ，３Ａを、結晶面間隔が
互いに異なる分光結晶としてもよい。その他の構成は、
上記第１実施例と同様であり、同一部分または相当部分
に同一符号を付して、その説明を省略する。
【００２５】なお、上記各実施例では、Ｘ線管２から出
射された一次Ｘ線Ｂ１を集光する方法として、湾曲型の
分光結晶３Ａ，３Ｂを用いたが、この発明では、分光結
晶３Ａ、３Ｂに代えて、だ円型の全反射ミラーにより一
次Ｘ線Ｂ１を集光させてもよい。また、一次Ｘ線Ｂ１を
単色化する方法としては、分光結晶３Ａ、３Ｂを用いる
代わりに、フィルタを設けてもよい。さらに、上記各実
施例では、一次Ｘ線Ｂ１を試料５０の上方から照射した
が、下方から照射した場合も、この発明に含まれること
は、いうまでもない。
射された一次Ｘ線Ｂ１を集光する方法として、湾曲型の
分光結晶３Ａ，３Ｂを用いたが、この発明では、分光結
晶３Ａ、３Ｂに代えて、だ円型の全反射ミラーにより一
次Ｘ線Ｂ１を集光させてもよい。また、一次Ｘ線Ｂ１を
単色化する方法としては、分光結晶３Ａ、３Ｂを用いる
代わりに、フィルタを設けてもよい。さらに、上記各実
施例では、一次Ｘ線Ｂ１を試料５０の上方から照射した
が、下方から照射した場合も、この発明に含まれること
は、いうまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、一次Ｘ線を単色化して大きな入射角度で試料に照射
し、かつ、小さな取出角で蛍光Ｘ線を取り出すので、従
来の全反射蛍光Ｘ線分析に近い高い精度で試料表面の分
析を行うことができるとともに、全反射蛍光Ｘ線分析で
は行うことができなかった微小部分の分析が可能にな
り、かつ、分析箇所も正確かつ容易に設定することがで
きる。
ば、一次Ｘ線を単色化して大きな入射角度で試料に照射
し、かつ、小さな取出角で蛍光Ｘ線を取り出すので、従
来の全反射蛍光Ｘ線分析に近い高い精度で試料表面の分
析を行うことができるとともに、全反射蛍光Ｘ線分析で
は行うことができなかった微小部分の分析が可能にな
り、かつ、分析箇所も正確かつ容易に設定することがで
きる。
【図１】この発明の原理を示す分析装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】この発明の第１実施例を示す分析装置の概略構
成図である。
成図である。
【図３】同第２実施例を示す分析装置の概略構成図であ
る。
る。
【図４】一般的な全反射蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構
成図である。
成図である。
【図５】シリコンウエハの斜視図である。
【図６】シリコンウエハの周縁近傍部の拡大断面図であ
る。
る。
１…照射装置、４…Ｘ線検出器、５…光学素子、５０…
試料、５１…表面、B1…一次Ｘ線、Ｂ３…蛍光Ｘ線、β
…取出角。
試料、５１…表面、B1…一次Ｘ線、Ｂ３…蛍光Ｘ線、β
…取出角。
Claims (1)
- 【請求項１】 一次Ｘ線を単色化して試料の表面に対向
する方向から試料に照射する照射装置と、上記一次Ｘ線
を受けた試料からの蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器と、
上記試料からの蛍光Ｘ線を５°以下の取出角で取り出し
て上記Ｘ線検出器に入射させる光学素子とを備えた蛍光
Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32846892A JPH05346411A (ja) | 1992-04-16 | 1992-11-13 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-125705 | 1992-04-16 | ||
| JP12570592 | 1992-04-16 | ||
| JP32846892A JPH05346411A (ja) | 1992-04-16 | 1992-11-13 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346411A true JPH05346411A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=26462055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32846892A Pending JPH05346411A (ja) | 1992-04-16 | 1992-11-13 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05346411A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005099030A (ja) * | 2000-02-11 | 2005-04-14 | Muradin Abubekirovich Kumakhov | Ｘ線照射を使用して対象の内部構造の画像を得る方法およびそれを実行する装置 |
| JPWO2023145236A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 |
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-
1992
- 1992-11-13 JP JP32846892A patent/JPH05346411A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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