JPH05347257A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH05347257A JPH05347257A JP15489492A JP15489492A JPH05347257A JP H05347257 A JPH05347257 A JP H05347257A JP 15489492 A JP15489492 A JP 15489492A JP 15489492 A JP15489492 A JP 15489492A JP H05347257 A JPH05347257 A JP H05347257A
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- Japan
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- gas
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- vapor phase
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】減圧気相成長装置の成長ゾーンが長い場合で
も、温度勾配をつけないで気相成長膜の膜厚を均一にす
る。 【構成】石英の外管１１と内管７を備えた減圧気相成長
装置において、石英管内にガス導入ライン９，５及びガ
ス排気ライン１２．８を各２系統を持ち気相成長時に交
互にガス排気ラインとガス導入ラインを変更することを
可能にする。
も、温度勾配をつけないで気相成長膜の膜厚を均一にす
る。 【構成】石英の外管１１と内管７を備えた減圧気相成長
装置において、石英管内にガス導入ライン９，５及びガ
ス排気ライン１２．８を各２系統を持ち気相成長時に交
互にガス排気ラインとガス導入ラインを変更することを
可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は減圧気相成長装置に係わ
り、特に半導体装置の製造等に使用される減圧気相成長
装置に関する。
り、特に半導体装置の製造等に使用される減圧気相成長
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の縦型減圧気相成長装置は図３に示
すように、石英の外管１１をヒータ４で囲み、フロント
ハッチ６上の石英の外管１１と内管７の中央部に多数の
半導体ウェハー１０を配置し、気相成長時にポンプ排気
系１４のロータリーポンプ１５にて減圧中に排気切換バ
ルブ１６を開き、次にガス切換バルブ３を開き、反応ガ
スを一方向にのみ流し気相成長をおこなう機能を有して
いた。
すように、石英の外管１１をヒータ４で囲み、フロント
ハッチ６上の石英の外管１１と内管７の中央部に多数の
半導体ウェハー１０を配置し、気相成長時にポンプ排気
系１４のロータリーポンプ１５にて減圧中に排気切換バ
ルブ１６を開き、次にガス切換バルブ３を開き、反応ガ
スを一方向にのみ流し気相成長をおこなう機能を有して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来この種の減圧気相
成長装置は、石英管の下部よりガス導入をすると反対側
の上部より排気を引くという一方向性にて気相成長する
ため、膜厚の均一性を得るため装置内の反応室に温度勾
配をつけ成長をおこなっていたが、成長膜の膜質に差が
発生し電気的特性に影響を及ぼすような問題点があっ
た。
成長装置は、石英管の下部よりガス導入をすると反対側
の上部より排気を引くという一方向性にて気相成長する
ため、膜厚の均一性を得るため装置内の反応室に温度勾
配をつけ成長をおこなっていたが、成長膜の膜質に差が
発生し電気的特性に影響を及ぼすような問題点があっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の減圧気相成長装
置は、石英の外管と内管を備えた減圧気相成長装置にお
いて、この外内管間の石英管内にガス導入ラインとガス
排気ラインを各２系統を有し、気相成長時にガス排気ラ
インとガス導入ラインを交互にライン変更することによ
り装置内の反応室に温度勾配をつけずに膜厚均一性が向
上することを備えている。
置は、石英の外管と内管を備えた減圧気相成長装置にお
いて、この外内管間の石英管内にガス導入ラインとガス
排気ラインを各２系統を有し、気相成長時にガス排気ラ
インとガス導入ラインを交互にライン変更することによ
り装置内の反応室に温度勾配をつけずに膜厚均一性が向
上することを備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例の縦型気相成長装
置を示す概略断面図である。ヒータ４に囲まれた石英の
外管１１および内管７を有し、その間にポンプ排気系１
４のロータリーポンプ１５に第１の排気切換バルブ１３
を介して接続された第１の排気管８および第２の排気切
換バルブ１６を介して接続された第２の排気管１２が配
置される。また第１のガス切換バルブ２を介して反応ガ
ス１を導入する第１のガス管９はバックハッチ１７を貫
通して配置され、第２のガス切換バルブ３を介して反応
ガス１を導入する第２のガス管５はフロントハッチ６と
外管１１間に配置されている。
置を示す概略断面図である。ヒータ４に囲まれた石英の
外管１１および内管７を有し、その間にポンプ排気系１
４のロータリーポンプ１５に第１の排気切換バルブ１３
を介して接続された第１の排気管８および第２の排気切
換バルブ１６を介して接続された第２の排気管１２が配
置される。また第１のガス切換バルブ２を介して反応ガ
ス１を導入する第１のガス管９はバックハッチ１７を貫
通して配置され、第２のガス切換バルブ３を介して反応
ガス１を導入する第２のガス管５はフロントハッチ６と
外管１１間に配置されている。
【０００７】フロントハッチ６上の多数の半導体ウェー
ハ１０上に絶縁膜等を減圧気相成長する場合、まず第１
の排気切換バルブ１３を開き第１の排気管８により、石
英の外管１１、バックハッチ１７およびフロントハッチ
６からなるチャンバーを減圧した後に第２のガス切換バ
ルブ３を開いて第２のガス管５から反応ガス１を導入し
てある設定時間だけ気相成長を行う。次に第１の排気切
換バルブ１３および第２のガス切換バルブ３を閉じ、第
２の排気切換バルブ１６を開き第２の排気管１２により
排気を行い第１のガス切換バルブ２を開いて第１のガス
管９から反応ガス１を導入して気相成長を行う。
ハ１０上に絶縁膜等を減圧気相成長する場合、まず第１
の排気切換バルブ１３を開き第１の排気管８により、石
英の外管１１、バックハッチ１７およびフロントハッチ
６からなるチャンバーを減圧した後に第２のガス切換バ
ルブ３を開いて第２のガス管５から反応ガス１を導入し
てある設定時間だけ気相成長を行う。次に第１の排気切
換バルブ１３および第２のガス切換バルブ３を閉じ、第
２の排気切換バルブ１６を開き第２の排気管１２により
排気を行い第１のガス切換バルブ２を開いて第１のガス
管９から反応ガス１を導入して気相成長を行う。
【０００８】そして上記シーケンスを数回繰り返すこと
により、装置内の反応室に温度勾配を有さずに均一性の
良い気相成長膜が形成される。
により、装置内の反応室に温度勾配を有さずに均一性の
良い気相成長膜が形成される。
【０００９】図２に本発明の他の実施例として横型減圧
気相成長装置を示す。尚、図２において図１と同一もし
くは類似の機能の個別は同一の符号で示してある。
気相成長装置を示す。尚、図２において図１と同一もし
くは類似の機能の個別は同一の符号で示してある。
【００１０】この横型減圧気相成長にても交互にガス導
入ライン及びガス排気ラインを切換ることにより、装置
内の反応室に温度勾配をつけづに均一性の良い気相成長
膜がえられる。
入ライン及びガス排気ラインを切換ることにより、装置
内の反応室に温度勾配をつけづに均一性の良い気相成長
膜がえられる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は気相成長時
にガス導入ライン及びガス排気ラインを各２系統を持ち
交互にライン切換をおこなうことにより図４に示すよう
に、装置内の反応室に温度勾配を有さないで均一性の良
い気相成長膜が成長できるという効果を有する。
にガス導入ライン及びガス排気ラインを各２系統を持ち
交互にライン切換をおこなうことにより図４に示すよう
に、装置内の反応室に温度勾配を有さないで均一性の良
い気相成長膜が成長できるという効果を有する。
【００１２】図４（Ａ）は図３の従来の装置によるチャ
ンバー（反応室）内の中央と上部、下部における成長温
度（白丸）と膜厚（ナノメータ（ｎｍ））（黒丸）との
関係を示し、一方、図４（Ｂ）は図１の本発明の装置に
よるチャンバー（反応室）内の中央と上部、下部におけ
る成長温度（白丸）と膜厚（ナノメータ）（黒丸）との
関係を示している。
ンバー（反応室）内の中央と上部、下部における成長温
度（白丸）と膜厚（ナノメータ（ｎｍ））（黒丸）との
関係を示し、一方、図４（Ｂ）は図１の本発明の装置に
よるチャンバー（反応室）内の中央と上部、下部におけ
る成長温度（白丸）と膜厚（ナノメータ）（黒丸）との
関係を示している。
【図１】本発明の一実施例の概略を示す断面図。
【図２】本発明の他の実施例の概略を示す断面図。
【図３】従来の減圧気相成長装置の概略を示す断面図。
【図４】従来と本発明との温度分布と膜厚均一性を示す
説明図。
説明図。
１ 反応ガス ２ 第１のガス切換バルブ ３ 第２のガス切換バルブ ４ ヒーター ５ 第２のガス管 ６ フロントハッチ ７ 内管 ８ 第１の排気管 ９ 第１のガス管 １０ 半導体ウェハー １１ 石英外管 １２ 第２の排気管 １３ 第１の排気切換バルブ １４ ポンプ排気系 １５ ロータリーポンプ １６ 第２の排気切換バルブ １７ バックハッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 石英の外管と内管との間の石英管内にガ
ス導入ラインとガス排気ラインを各２系統有し、気相成
長時にガス排気ラインとガス導入ラインを交互にライン
変更することを特徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15489492A JPH05347257A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15489492A JPH05347257A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347257A true JPH05347257A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15594285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15489492A Withdrawn JPH05347257A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3836396C1 (en) * | 1988-10-26 | 1990-02-15 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De | Digital 90@ phase shifter circuit |
| JP2010080657A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びこの使用方法 |
| CN102732856A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 立式分批式成膜装置 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15489492A patent/JPH05347257A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3836396C1 (en) * | 1988-10-26 | 1990-02-15 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co Kg, 8000 Muenchen, De | Digital 90@ phase shifter circuit |
| JP2010080657A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びこの使用方法 |
| CN102732856A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 立式分批式成膜装置 |
| JP2012212819A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Tokyo Electron Ltd | 縦型バッチ式成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |