JPH05347346A - 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 - Google Patents
半導体発光素子の高周波応答特性測定装置Info
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- JPH05347346A JPH05347346A JP17908792A JP17908792A JPH05347346A JP H05347346 A JPH05347346 A JP H05347346A JP 17908792 A JP17908792 A JP 17908792A JP 17908792 A JP17908792 A JP 17908792A JP H05347346 A JPH05347346 A JP H05347346A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便で、広帯域の、半導体発光素子の高周波
応答特性測定装置を提供する。 【構成】 互いに発振周波数のわずかに異なる２つのポ
ンプレーザ２０，３０と、ポンプレーザ２０，３０の光
を同時に被測定半導体発光素子１０に注入するための偏
光制御器９０及びファイバ結合器１２０と、被測定半導
体発光素子２０，３０から出射される被測定光を受光す
る高速受光器４０と、高速受光器４０から発生するマイ
クロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサ
ー６０及びマイクロ波パワーメーター７０と、ポンプレ
ーザ３０の発振周波数を可変にする温度制御器８０と、
温度制御器８０の温度をＸ軸としマイクロ波パワーメー
ター７０の出力をＹ軸として記録するＸＹレコーダー１
３０とを備えてなる。測定系の安定化のために光アイソ
レータ１００，１１０が設けてある。
応答特性測定装置を提供する。 【構成】 互いに発振周波数のわずかに異なる２つのポ
ンプレーザ２０，３０と、ポンプレーザ２０，３０の光
を同時に被測定半導体発光素子１０に注入するための偏
光制御器９０及びファイバ結合器１２０と、被測定半導
体発光素子２０，３０から出射される被測定光を受光す
る高速受光器４０と、高速受光器４０から発生するマイ
クロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサ
ー６０及びマイクロ波パワーメーター７０と、ポンプレ
ーザ３０の発振周波数を可変にする温度制御器８０と、
温度制御器８０の温度をＸ軸としマイクロ波パワーメー
ター７０の出力をＹ軸として記録するＸＹレコーダー１
３０とを備えてなる。測定系の安定化のために光アイソ
レータ１００，１１０が設けてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子の高周波
応答特性の測定装置に関する。
応答特性の測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信の高速化にともなって、
光源となる半導体発光素子、特に半導体レーザの高周波
変調時の応答特性を正確に評価することがますます重要
となってきている。数ＧＨｚ以上の高周波領域での応答
特性を測定するに当たって問題となるのは、半導体発光
素子自身やマウントの浮遊容量である。すなわち、通常
半導体発光素子の高周波応答特性は、その駆動電流を直
接変調する方法で測定されているために、浮遊容量によ
る影響がさけられない。このためにより高周波になるほ
ど素子本来の応答特性を正確に測定することが難しくな
る。そこでこの浮遊容量の影響を受けない高周波応答特
性の測定方法として、被測定半導体発光素子を電流で変
調する代わりに、変調された光を外部から半導体発光素
子の活性領域に注入し、この変調光で半導体発光素子を
変調する光変調法が開発された。
光源となる半導体発光素子、特に半導体レーザの高周波
変調時の応答特性を正確に評価することがますます重要
となってきている。数ＧＨｚ以上の高周波領域での応答
特性を測定するに当たって問題となるのは、半導体発光
素子自身やマウントの浮遊容量である。すなわち、通常
半導体発光素子の高周波応答特性は、その駆動電流を直
接変調する方法で測定されているために、浮遊容量によ
る影響がさけられない。このためにより高周波になるほ
ど素子本来の応答特性を正確に測定することが難しくな
る。そこでこの浮遊容量の影響を受けない高周波応答特
性の測定方法として、被測定半導体発光素子を電流で変
調する代わりに、変調された光を外部から半導体発光素
子の活性領域に注入し、この変調光で半導体発光素子を
変調する光変調法が開発された。
【０００３】図３は従来例を説明するための図で、光変
調法を用いて高周波応答特性を測定する装置の構成図で
ある。図に示された方法は「活性領域光混合法」と名づ
けられた方法で、詳しくはＫ．Ｊ．Ｖａｈａｒａらの論
文（Ｋ．Ｊ．Ｖａｈａｒａｅｔ．ａｌ．，ＩＥＥＥ
Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．，ｖｏｌ．２
５，ｐｐ１３９３−１３９８，１９８９）に説明があ
る。ここでは原理を簡単に説明しておく。互いに発振周
波数がわずかに異なり、連続発振している２つのポンプ
レーザ２０、３０からのレーザ光（以下ポンプ光）が、
偏光制御器９０によって偏光面をそろえられた後、被測
定半導体レーザ１０の活性領域に同時に注入される。ポ
ンプ光のエネルギーは、被測定半導体レーザの活性領域
のエネルギーギャップより大きいため、活性領域で吸収
される。２つのポンプ光は、設定した周波数（以下ビー
ト周波数）だけ周波数が異なっている。このため被測定
半導体レーザ１０の活性領域では、このビート周波数で
キャリアが変調され、そこから出射される被測定光がビ
ート周波数で変調される。このビート周波数は数１００
ＭＨｚから数１０ＧＨｚのマイクロ波周波数領域に設定
される。被測定光は高速受光器７０で受光され、マイク
ロ波信号に変換される。マイクロ波信号はスペクトラム
アナライザ８０で、そのパワーと周波数（ビート周波数
に等しい）が同時に測定される。片方のポンプレーザ２
０の周波数を固定しておき、他方のポンプレーザ３０の
発振周波数を変化させることで、ビート周波数を変化さ
せる。ビート周波数（つまり変調周波数）の関数とし
て、マイクロ波パワーを測定すれば、半導体レーザの高
周波応答特性が、浮遊容量に影響されずに測定できる。
調法を用いて高周波応答特性を測定する装置の構成図で
ある。図に示された方法は「活性領域光混合法」と名づ
けられた方法で、詳しくはＫ．Ｊ．Ｖａｈａｒａらの論
文（Ｋ．Ｊ．Ｖａｈａｒａｅｔ．ａｌ．，ＩＥＥＥ
Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．，ｖｏｌ．２
５，ｐｐ１３９３−１３９８，１９８９）に説明があ
る。ここでは原理を簡単に説明しておく。互いに発振周
波数がわずかに異なり、連続発振している２つのポンプ
レーザ２０、３０からのレーザ光（以下ポンプ光）が、
偏光制御器９０によって偏光面をそろえられた後、被測
定半導体レーザ１０の活性領域に同時に注入される。ポ
ンプ光のエネルギーは、被測定半導体レーザの活性領域
のエネルギーギャップより大きいため、活性領域で吸収
される。２つのポンプ光は、設定した周波数（以下ビー
ト周波数）だけ周波数が異なっている。このため被測定
半導体レーザ１０の活性領域では、このビート周波数で
キャリアが変調され、そこから出射される被測定光がビ
ート周波数で変調される。このビート周波数は数１００
ＭＨｚから数１０ＧＨｚのマイクロ波周波数領域に設定
される。被測定光は高速受光器７０で受光され、マイク
ロ波信号に変換される。マイクロ波信号はスペクトラム
アナライザ８０で、そのパワーと周波数（ビート周波数
に等しい）が同時に測定される。片方のポンプレーザ２
０の周波数を固定しておき、他方のポンプレーザ３０の
発振周波数を変化させることで、ビート周波数を変化さ
せる。ビート周波数（つまり変調周波数）の関数とし
て、マイクロ波パワーを測定すれば、半導体レーザの高
周波応答特性が、浮遊容量に影響されずに測定できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例は、浮
遊容量の影響を受けない半導体レーザの高周波応答特性
の測定方法として有効な方法であるが、改良すべき点を
有している。それは使用する広帯域のスペクトラムアナ
ライザの帯域が最高３０ＧＨｚ程度に制限されているた
めに、測定帯域がこの値に制限されていること、および
広帯域スペクトラムアナライザが非常に高価である点で
ある。
遊容量の影響を受けない半導体レーザの高周波応答特性
の測定方法として有効な方法であるが、改良すべき点を
有している。それは使用する広帯域のスペクトラムアナ
ライザの帯域が最高３０ＧＨｚ程度に制限されているた
めに、測定帯域がこの値に制限されていること、および
広帯域スペクトラムアナライザが非常に高価である点で
ある。
【０００５】本発明の目的は、上述の従来例を改良し、
高価な広帯域スペクトラムアナライザを使用しない、簡
便で、広帯域の、半導体発光素子の高周波応答特性測定
装置を提供することである。
高価な広帯域スペクトラムアナライザを使用しない、簡
便で、広帯域の、半導体発光素子の高周波応答特性測定
装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
の高周波応答特性測定装置は、互いに発振周波数のわず
かに異なる２つのポンプレーザと、前記２つのポンプレ
ーザの光を同時に被測定半導体発光素子に注入する手段
と、前記被測定半導体発光素子から出射される被測定光
を受光する高速受光器と、前記高速受光器から発生する
マイクロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセ
ンサーとを少なくとも備え、前記ポンプレーザのうち少
なくとも一方の発振周波数が可変であることを特徴とす
る。
の高周波応答特性測定装置は、互いに発振周波数のわず
かに異なる２つのポンプレーザと、前記２つのポンプレ
ーザの光を同時に被測定半導体発光素子に注入する手段
と、前記被測定半導体発光素子から出射される被測定光
を受光する高速受光器と、前記高速受光器から発生する
マイクロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセ
ンサーとを少なくとも備え、前記ポンプレーザのうち少
なくとも一方の発振周波数が可変であることを特徴とす
る。
【０００７】また、本発明による別の半導体素子高周波
応答特性測定装置は、互いに発振周波数のわずかに異な
る２つのポンプレーザと、前記２つのポンプレーザの光
を同時に被測定半導体発光素子に注入する手段と、注入
する前記２つのポンプレーザの光の少なくとも一方の光
の強度を一定のサンプリング周波数で変調する手段と、
前記被測定半導体発光素子から出射される被測定光を受
光する高速受光器と、前記高速受光器から発生するマイ
クロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサ
ーと、前記マイクロ波信号パワーのうち前記サンプリン
グ周波数成分を増幅する手段とを少なくとも備え、前記
ポンプレーザのうち少なくとも一方の発振周波数が可変
であることを特徴とする。
応答特性測定装置は、互いに発振周波数のわずかに異な
る２つのポンプレーザと、前記２つのポンプレーザの光
を同時に被測定半導体発光素子に注入する手段と、注入
する前記２つのポンプレーザの光の少なくとも一方の光
の強度を一定のサンプリング周波数で変調する手段と、
前記被測定半導体発光素子から出射される被測定光を受
光する高速受光器と、前記高速受光器から発生するマイ
クロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサ
ーと、前記マイクロ波信号パワーのうち前記サンプリン
グ周波数成分を増幅する手段とを少なくとも備え、前記
ポンプレーザのうち少なくとも一方の発振周波数が可変
であることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例を説明するための図
であり、特許請求範囲の請求項１に記された半導体発光
素子（ここでは半導体レーザ）の高周波応答特性測定を
行うための測定装置の構成を表す。図３に示した従来例
との主な違いは、高速受光器４０から発生するマイクロ
波信号をスペクトラムアナライザの替わりに、マイクロ
波パワーセンサー６０とマイクロ波パワーメーター７０
を用いて測定する点である。
る。図１は、本発明の第１の実施例を説明するための図
であり、特許請求範囲の請求項１に記された半導体発光
素子（ここでは半導体レーザ）の高周波応答特性測定を
行うための測定装置の構成を表す。図３に示した従来例
との主な違いは、高速受光器４０から発生するマイクロ
波信号をスペクトラムアナライザの替わりに、マイクロ
波パワーセンサー６０とマイクロ波パワーメーター７０
を用いて測定する点である。
【０００９】この測定装置を用いて被測定半導体レーザ
１０の高周波応答特性を測定する方法を具体的に説明す
る。被測定半導体レーザ１０として、波長１．５５μｍ
のファブリペロー型量子井戸半導体レーザを用いる場合
について述べる。この時ポンプレーザ２０，３０として
は、波長１．３１μｍ帯の発振周波数がわずかに異な
る、連続発振している２つの分布反射型半導体レーザ
（以下ＤＦＢレーザ）を用いる。２つのポンプレーザ２
０，３０から出射されるポンプ光は、偏光制御器９０を
用いて、偏光面がそろえられた後、ファイバ結合器１２
０で結合され、被測定半導体レーザ１０の端面から同時
に注入され、活性領域で吸収される。２つのポンプ光
は、ビート周波数だけ周波数が異なっている。このため
被測定半導体レーザ１０の活性領域では、このビート周
波数（マイクロ波周波数帯にある）でキャリアが変調さ
れ、そこから出射される被測定光が変調される。被測定
半導体レーザ１０から出射される変調された被測定光
は、高速受光器４０に入射し、マイクロ波信号に変換さ
れる。測定系の安定化のために、被測定半導体レーザ１
０の両側に光アイソレータ１００，１１０を用いてい
る。マイクロ波信号は、マイクロ波パワーセンサー６０
とマイクロ波パワーセンサー７０を用いて平均パワーが
測定される。片方のポンプレーザ２０の発振周波数と光
出力は固定されている。もう一方のポンプレーザ３０
は、光出力一定の状態で発振周波数が連続的に変化でき
る。発振周波数は、温度制御器８０で、ポンプレーザ３
０の温度を変化させることによって行う。ＤＦＢレーザ
の発振周波数は１℃当たり１０ＧＨｚ程度変化するた
め、ビート周波数を１００ＧＨｚ程度変化させることは
容易にできる。温度制御器８０で設定した温度（ビート
周波数に対応する）の関数として、マイクロ波パワーメ
ーター７０の出力をＸＹレコーダー１３０で記録する。
受信系は、２つのポンプ光を直接高速受光器４０に入
れ、受信系の高周波応答特性をビート周波数の関数とし
て測定したときの値を基準とすることで更正される。
１０の高周波応答特性を測定する方法を具体的に説明す
る。被測定半導体レーザ１０として、波長１．５５μｍ
のファブリペロー型量子井戸半導体レーザを用いる場合
について述べる。この時ポンプレーザ２０，３０として
は、波長１．３１μｍ帯の発振周波数がわずかに異な
る、連続発振している２つの分布反射型半導体レーザ
（以下ＤＦＢレーザ）を用いる。２つのポンプレーザ２
０，３０から出射されるポンプ光は、偏光制御器９０を
用いて、偏光面がそろえられた後、ファイバ結合器１２
０で結合され、被測定半導体レーザ１０の端面から同時
に注入され、活性領域で吸収される。２つのポンプ光
は、ビート周波数だけ周波数が異なっている。このため
被測定半導体レーザ１０の活性領域では、このビート周
波数（マイクロ波周波数帯にある）でキャリアが変調さ
れ、そこから出射される被測定光が変調される。被測定
半導体レーザ１０から出射される変調された被測定光
は、高速受光器４０に入射し、マイクロ波信号に変換さ
れる。測定系の安定化のために、被測定半導体レーザ１
０の両側に光アイソレータ１００，１１０を用いてい
る。マイクロ波信号は、マイクロ波パワーセンサー６０
とマイクロ波パワーセンサー７０を用いて平均パワーが
測定される。片方のポンプレーザ２０の発振周波数と光
出力は固定されている。もう一方のポンプレーザ３０
は、光出力一定の状態で発振周波数が連続的に変化でき
る。発振周波数は、温度制御器８０で、ポンプレーザ３
０の温度を変化させることによって行う。ＤＦＢレーザ
の発振周波数は１℃当たり１０ＧＨｚ程度変化するた
め、ビート周波数を１００ＧＨｚ程度変化させることは
容易にできる。温度制御器８０で設定した温度（ビート
周波数に対応する）の関数として、マイクロ波パワーメ
ーター７０の出力をＸＹレコーダー１３０で記録する。
受信系は、２つのポンプ光を直接高速受光器４０に入
れ、受信系の高周波応答特性をビート周波数の関数とし
て測定したときの値を基準とすることで更正される。
【００１０】ここで示した各部品は、すべて市販されて
いる。２つのＤＦＢレーザは、光出力が数ｍＷ以上、ス
ペクトル線幅が１００ＭＨｚ程度以下であれば良い。高
速受光器４０は帯域４０ＧＨｚの、マイクロ波パワーセ
ンサーは帯域５０ＧＨｚの市販の部品を用いた。この測
定装置では、マウントなどの浮遊容量の影響を受けず
に、４０ＧＨｚ以上の高周波領域まで、半導体レーザの
高周波応答特性を測定することが可能である。
いる。２つのＤＦＢレーザは、光出力が数ｍＷ以上、ス
ペクトル線幅が１００ＭＨｚ程度以下であれば良い。高
速受光器４０は帯域４０ＧＨｚの、マイクロ波パワーセ
ンサーは帯域５０ＧＨｚの市販の部品を用いた。この測
定装置では、マウントなどの浮遊容量の影響を受けず
に、４０ＧＨｚ以上の高周波領域まで、半導体レーザの
高周波応答特性を測定することが可能である。
【００１１】図２は、本発明の第２の実施例を説明する
ための図であり、特許請求範囲の請求項２に記された半
導体発光素子の高周波応答特性測定装置の構成を表す。
第１の実施例との違いは、ファイバ結合器１２０と光ア
イソレータ１００の間に、光チョッパ１４０を挿入した
点と、マイクロ波パワーセンサー６０の出力を増幅する
ためにロックインアンプ１５０を用いた点である。他は
第１の実施例と同じである。被測定半導体レーザ１０に
注入されるポンプ光を、光チョッパ１４０を用いて、低
周波のサンプリング周波数で変調し、マイクロ波パワー
センサー６０の出力のうち、このサンプリング周波数成
分だけをロックインアンプ１５０で増幅する。このため
測定系の信号雑音比が大幅に改善され、被測定半導体レ
ーザ１０からのマイクロ波周波数帯の変調光信号が比較
的弱い場合にも、第１の実施例と比べて精度の良い測定
ができる。この測定系を用いて被測定半導体レーザ１０
の高周波応答特性を測定する方法は、基本的に第１の実
施例で述べた方法と同じであるため説明は省略する。用
いた光チョッパ１４０やロックインアンプ１５０は通常
の光学測定で良く用いられているもので良い。この測定
装置でも、マウントなどの浮遊容量の影響を受けずに、
４０ＧＨｚ以上の高周波領域まで、半導体レーザの高周
波応答特性を測定することが可能である。
ための図であり、特許請求範囲の請求項２に記された半
導体発光素子の高周波応答特性測定装置の構成を表す。
第１の実施例との違いは、ファイバ結合器１２０と光ア
イソレータ１００の間に、光チョッパ１４０を挿入した
点と、マイクロ波パワーセンサー６０の出力を増幅する
ためにロックインアンプ１５０を用いた点である。他は
第１の実施例と同じである。被測定半導体レーザ１０に
注入されるポンプ光を、光チョッパ１４０を用いて、低
周波のサンプリング周波数で変調し、マイクロ波パワー
センサー６０の出力のうち、このサンプリング周波数成
分だけをロックインアンプ１５０で増幅する。このため
測定系の信号雑音比が大幅に改善され、被測定半導体レ
ーザ１０からのマイクロ波周波数帯の変調光信号が比較
的弱い場合にも、第１の実施例と比べて精度の良い測定
ができる。この測定系を用いて被測定半導体レーザ１０
の高周波応答特性を測定する方法は、基本的に第１の実
施例で述べた方法と同じであるため説明は省略する。用
いた光チョッパ１４０やロックインアンプ１５０は通常
の光学測定で良く用いられているもので良い。この測定
装置でも、マウントなどの浮遊容量の影響を受けずに、
４０ＧＨｚ以上の高周波領域まで、半導体レーザの高周
波応答特性を測定することが可能である。
【００１２】なお、光チョッパ１４０を挿入する位置
は、図２の配置の他に、２つのポンプレーザ２０，３０
のうち、どちらか一方からの光を変調できる位置に置い
ても良い。また、光チョッパの替わりに、ＬｉＮｂＯ3
などの光強度変調器を利用することもできる。さらに、
ポンプレーザであるＤＦＢレーザの駆動電流を、サンプ
リング周波数で直接変調することも可能である。
は、図２の配置の他に、２つのポンプレーザ２０，３０
のうち、どちらか一方からの光を変調できる位置に置い
ても良い。また、光チョッパの替わりに、ＬｉＮｂＯ3
などの光強度変調器を利用することもできる。さらに、
ポンプレーザであるＤＦＢレーザの駆動電流を、サンプ
リング周波数で直接変調することも可能である。
【００１３】以上２つの実施例について詳しく説明して
きたが、以下で若干の補足をする。まず、測定される半
導体発光素子は、半導体レーザのほか発光ダイオードで
も良い。また、ポンプレーザの波長を適当に選べば、
１．５５μｍに限らず、どのような波長帯の半導体発光
素子でも本発明の測定装置を適用できる。また、被測定
光は被測定半導体レーザ１０の後方からだけでなく、適
当な光学系を構成すれば、前方端面（つまりポンプ光を
注入する側）から取り出すこともできる。実施では、発
振周波数を変化させる方のポンプレーザ３０の温度を測
定し、ビート周波数（つまり変調周波数）に換算すると
いう、最も簡単な方法を用いているが、別の方法でビー
ト周波数を測定することも可能である。例えば、ポンプ
レーザ３０の光出力の一部を取り出し、光周波数計で直
接周波数を測定する方法や、高速受光器４０のマイクロ
波出力の一部を取り出し、マイクロ波周波数カウンタで
ビート周波数を直接測定する方法がある。これらの方法
を用いれば、ビート周波数を実施例よりも正確に測定で
きる。さらに、実施例においては、半導体レーザの強度
変調における高周波応答特性の測定についてだけ述べた
が、本発明を応用することによって、周波数変調におけ
る高周波応答特性を測定することも可能である。この目
的のためには、すべての実施例において、受光器４０の
前に、マッハツェンダ干渉計のような周波数弁別器を設
置すればよい。
きたが、以下で若干の補足をする。まず、測定される半
導体発光素子は、半導体レーザのほか発光ダイオードで
も良い。また、ポンプレーザの波長を適当に選べば、
１．５５μｍに限らず、どのような波長帯の半導体発光
素子でも本発明の測定装置を適用できる。また、被測定
光は被測定半導体レーザ１０の後方からだけでなく、適
当な光学系を構成すれば、前方端面（つまりポンプ光を
注入する側）から取り出すこともできる。実施では、発
振周波数を変化させる方のポンプレーザ３０の温度を測
定し、ビート周波数（つまり変調周波数）に換算すると
いう、最も簡単な方法を用いているが、別の方法でビー
ト周波数を測定することも可能である。例えば、ポンプ
レーザ３０の光出力の一部を取り出し、光周波数計で直
接周波数を測定する方法や、高速受光器４０のマイクロ
波出力の一部を取り出し、マイクロ波周波数カウンタで
ビート周波数を直接測定する方法がある。これらの方法
を用いれば、ビート周波数を実施例よりも正確に測定で
きる。さらに、実施例においては、半導体レーザの強度
変調における高周波応答特性の測定についてだけ述べた
が、本発明を応用することによって、周波数変調におけ
る高周波応答特性を測定することも可能である。この目
的のためには、すべての実施例において、受光器４０の
前に、マッハツェンダ干渉計のような周波数弁別器を設
置すればよい。
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の装置によ
れば、簡便で、広帯域の、浮遊容量に影響されない半導
体発光素子の高周波応答特性が測定できる。
れば、簡便で、広帯域の、浮遊容量に影響されない半導
体発光素子の高周波応答特性が測定できる。
【図１】本発明の第１の実施例を表す構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例を表す構成図である。
【図３】従来例を説明するための図である。
１０ 被測定半導体レーザ ２０，３０ ポンプレーザ ４０ 高速受光器 ６０ マイクロ波パワーセンサー ７０ マイクロ波パワーメーター ８０ 温度制御器 ９０ 偏光制御器 １００，１１０ 光アイソレータ １２０ ファイバ結合器 １３０ ＸＹレコーダー １４０ 光チョッパ １５０ ロックインアンプ １６０ スペクトラムアナライザ
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに発振周波数のわずかに異なる２つ
のポンプレーザと、前記２つのポンプレーザの光を同時
に被測定半導体発光素子に注入する手段と、前記被測定
半導体発光素子から出射される被測定光を受光する高速
受光器と、前記高速受光器から発生するマイクロ波信号
のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサーとを少な
くとも備え、前記ポンプレーザのうち少なくとも一方の
発振周波数が可変であることを特徴とする半導体発光素
子の高周波応答特性測定装置。 - 【請求項２】 互いに発振周波数のわずかに異なる２つ
のポンプレーザと、前記２つのポンプレーザの光を同時
に被測定半導体発光素子に注入する手段と、注入する前
記２つのポンプレーザの光の少なくとも一方の光の強度
を一定のサンプリング周波数で変調する手段と、前記被
測定半導体発光素子から出射される被測定光を受光する
高速受光器と、前記高速受光器から発生するマイクロ波
信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサーと、
前記マイクロ波信号パワーのうち前記サンプリング周波
数成分を増幅する手段とを少なくとも備え、前記ポンプ
レーザのうち少なくとも一方の発振周波数が可変である
ことを特徴とする半導体発光素子の高周波応答特性測定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17908792A JPH05347346A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17908792A JPH05347346A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347346A true JPH05347346A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=16059853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17908792A Withdrawn JPH05347346A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347346A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002224079A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-13 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | ノイズ干渉制御装置およびこれを用いたｍｒｉ装置ならびにノイズ干渉制御方法 |
| WO2005031377A1 (de) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Technische Universität Berlin | Verfahren zum bestimmen des frequenzgangs eines elektrooptischen bauelements |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17908792A patent/JPH05347346A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002224079A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-13 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | ノイズ干渉制御装置およびこれを用いたｍｒｉ装置ならびにノイズ干渉制御方法 |
| WO2005031377A1 (de) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Technische Universität Berlin | Verfahren zum bestimmen des frequenzgangs eines elektrooptischen bauelements |
| US7522285B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-04-21 | Technische Universitaet Berlin | Method for determining the frequency response of an electrooptical component |
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Legal Events
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