JPH0534748B2 - - Google Patents

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JPH0534748B2
JPH0534748B2 JP61274265A JP27426586A JPH0534748B2 JP H0534748 B2 JPH0534748 B2 JP H0534748B2 JP 61274265 A JP61274265 A JP 61274265A JP 27426586 A JP27426586 A JP 27426586A JP H0534748 B2 JPH0534748 B2 JP H0534748B2
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JP
Japan
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head
magnetic head
electrode
tunnel
recording medium
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JP61274265A
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JPS62125521A (ja
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Deiiteru Hooru Uorufuganku
Kajimierutsu Jiruzeusukii Jeemuzu
Rene Myuraruto Hooru
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International Business Machines Corp
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International Business Machines Corp
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Publication date
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Publication of JPS62125521A publication Critical patent/JPS62125521A/ja
Publication of JPH0534748B2 publication Critical patent/JPH0534748B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
    • G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
    • G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion

Landscapes

  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明は磁気記憶装置における磁気ヘツドの浮
動高を制御するための装置に関するものである。
磁気記憶媒体に関して浮動する磁気ヘツド・ア
センブリは広範囲で使用されている。回転デイス
クのような磁気ヘツドと磁気記録媒体との間の、
非接触変換関係を改良するための目的は、ヘツド
と記録媒体の表面との間の非常に接近した間隔を
得ること、及びその得られた間隔を実質的に一定
に維持することである。通常、浮動高と呼ばれる
ヘツドと記録媒体表面との間隔は、可能な最大記
憶密度を決定するパラメータの１つである。もう
１つの重要なパラメータは変換ギヤツプの狭さと
記録媒体の厚さである。浮動高を小さくすること
は高い空間周波数信号を記録することを考慮した
ものであり、それによつて高い密度の記録を与え
るものである。更に、減少した浮動高を一定の値
に調整することによつて、記録され或いは読取ら
れた信号の振幅は信号分解能を改良し、信号処理
を更に信頼し得るものにする。
Ｂ 従来技術 移動する記録媒体の表面上での磁気ヘツドの浮
動は媒体−ヘツド・アセンブリの空気力学的特
性、例えば、表面の形状、相対的変位の距離及び
速度、を調節することによつて調整される。多く
の公知の磁気記憶装置はデイスク回転及び相対的
変位によつて形成される空気クツシヨンに依存し
ており、その他の記憶装置でも磁気記録媒体に面
した、そのヘツドの表面上の複数の孔から突出す
る加圧空気により、発生される強制空気クツシヨ
ンを使つている。この空気ベアリング技術によ
り、約300nｍ以下の浮動高が得られている。し
かし、この技術により浮動高を、更に減少させる
ことは困難であると考えられる。
移動媒体における磁気記録の分野の状態は、
1977年ジヨン・ワイリ・アンド・サンズ（John
Wily ＆ Sons）社発行のR.E.マテイツク
（Matik）著、コンピユータ記憶装置及び技術
（Computer Storage Systems and
Technology）の第342ページによく開示されてい
る。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点 通常の空気ベアリング技術における固有の制限
から見て、本発明の目的は移動する磁気記憶装置
において記憶密度を増加するよう制御可能に浮動
高を減少させるための新しい装置を提供すること
である。
Ｄ 問題点を解決するための手段 本発明は磁気記憶装置における磁気ヘツド・ア
センブリの浮動高を制御するために準真空のトン
ネリングを行うことを意図している。この技術に
よつて、浮動高を数10ナノメートル以下の値まで
減少させること及びその結果通常の記憶装置に比
べて記憶密度を10倍以上に増加させることは手の
届く範囲のものとなろう。
真空又は空気（準真空）によるトンネリングは
0.1乃至10nｍの範囲の距離を制御するのに極めて
適している。その制御機構は、２つの導体の間に
電位差がある場合、それら導体間のギヤツプの大
きさによつて指数的に変化するトンネル抵抗に基
いている。この制御機構は1982年発行のアプライ
ド・フイジツクス・レター（Applied Physics
Letter）におけるG.バイニング、H.ローラー、C.
ガーバー及びE.ワイベルによるスキヤニング・ト
ンネリング・マイクロスコープ（Scanning
Tunneling Microscope）と記事の要部となつて
いる。
従つて、本発明は磁気記憶装置における移動記
録媒体の表面上の磁気ヘツドの浮動高を制御する
ための装置を提供するものである。その磁気ヘツ
ドは記録媒体上のトラツクをランダム・アクセス
するように支持されている。この装置は、ヘツド
が記録媒体に面する部分にトンネル電極を有しそ
してそのトンネル電極及び記録媒体の表面が導電
性であつて、電源に接続されていること及びトン
ネル電極と媒体表面との間に流れるトンネル電流
を測定し、そのトンネル電流の所定値からの変位
から得られた信号を磁気ヘツドの支持機構におけ
る位置づけ装置の入力に供給する手段が設けられ
ることを特徴とする。
Ｅ 実施例 本発明は磁気テープ又はドラムのような可動記
憶装置にも適用し得るけれども、説明の便宜上、
記録媒体は回転磁気デイスクより成るものと仮定
する。一定のそして非常にわずかな浮動高の問題
は非磁性記憶装置、即ち光学的記憶装置において
も生ずる。本発明はこれらの装置にも同様に適用
可能である。
トンネル距離調整されたヘツド・デイスク・ア
センブリの設計は、スキヤニング・トンネリン
グ・マイクロスコープ（STM）のために開発さ
れた技術を利用する。それは高いデータ速度、即
ち10Mビツト／秒以上、を必要とするという点で
STMとは異なる。これは浮動高の変動に関して
は緩い要件により補償される。後者はトンネル距
離よりもずつと大きくてよく、最大3nｍである。
その結果、最大の位置調整周波数は後述のように
ビツト速度以下、例えば30KHz、に保持可能であ
る。
サンプルのトポグラフイ（topography）が主
要な関心事であるスキヤニング・トンネリング・
マイクロスコープとは違つて、データ記憶装置に
印加されるトンネル距離調整は、表面の凹凸或い
はその装置内の振動に起因したヘツド・記憶媒体
の距離変動を、それらの最初の状態に関係なく、
修正しなければならない。
トンネル調整されたヘツド・記録媒体（例えば
デイスク）アセンブリの主要構成要素が第１図に
示される。アクチユエータ１は軸４のまわりを回
転するデイスク３に関して半径方向にアーム２を
動かすよう付勢される。アーム２は粗接近装置６
及び細密接近装置７より成る２段の距離制御機構
５を保持する。細密接近装置７に取付けられた変
換器即ち磁気ヘツド８は、説明の便宜上、通常の
設計であるが縮小されたサイズの磁気ヘツドより
成るものと仮定する。このようなヘツドはコイル
を巻かれた磁化可能なコアより成り、そのコアは
適当な大きさのギヤツプを持ちそしてそのギヤツ
プは磁気デイスク３上のトラツクに面している。
通常のデイスク記憶装置におけるように、アクチ
ユエータ１は磁気ヘツド８をデイスク３上のトラ
ツクと半径方向に整列させるようアーム２を延ば
したり或いは引込めたりすべく作動される。
粗接近装置６はヘツド８を動作位置即ちデイス
ク３の表面から200〜500nｍの範囲内へ下げる。
これはヘツドが空気分子のクツシヨン上を浮動さ
せられるという通常の空気力学的手段によつて達
成可能なヘツド・デイスク間隔の大きさの程度に
対応するものであり、その場合その空気分子のク
ツシヨンはデイスクが回転する時にヘツドの前面
に向けて移動しそしてヘツドをデイスク面からほ
ぼ一定の距離に保持するに十分な浮揚力を与え
る。
細密接近装置７はヘツド８を3nｍ程度の所定
動作距離まで更に下げさせる。その動作中、細密
接近装置７はヘツド８に与えられるトラツクに沿
つてデイスク３の表面が有する輪郭とほぼ一致し
てヘツドを上下に動かすことによつてヘツドの浮
動高を或る範囲内に制御する。細密接近装置７
は、複数のステージによつて表面の凹凸に対する
対応をうまく最適化できるのであれば、そのよう
な複数のステージより成るものでもよい。
ヘツド・デイスク間隔を約3nｍの距離に制御
するために、ヘツド８は第２図に概略的に示され
るようにトンネル電極９を備えている。ヘツド８
の磁気コアの磁極端１０，１１は、トンネル電極
９とほぼ同一平面になつている。磁極端１０，１
１のわずかなくぼみは、安全上の理由による程度
のものである。磁極端１０，１１の間のギヤツプ
１２は通常の常磁性材で満たされており、磁気ヘ
ツド８全体は電極９を有する本体１４から適当な
誘電体１５によつて分離されている。デイスク３
の表面１６が矢印１７の方向にヘツドの下を通つ
て移動する時、最初に表面１６の凹凸を知るのは
トンネル電極９である。その電極９と関連した制
御電極は表面１６の特性に応答して本体・ヘツ
ド・アセンブリをほとんど瞬間的に持ち上げ又は
下げていつも所定の浮動高を維持し、一様な書込
み及び読取りを保証しそしてヘツドの衝突を防い
でいる。
スキヤニング・トンネリング・マイクロスコー
プで使用されるトンネル電極は、通常は非常に薄
く先端の鋭い針状のものであつて、その先端にお
ける曲率の半径ができるだけ小さく作られたもの
であるけれども、本発明を適用する場合わずかに
傾いた傾斜を有するトンネル電極を使うことが好
ましいことがわかつた。先端を面取りした電極が
好ましい理由を、第３図を参照して説明する。
電極９はわずかに丸められた先端を有する平ら
なくさびの形をしている。電極９の表面は滑らか
であると考えてよく、原子的大きさの微小な先端
が存在するがこの関係ではあまり重要ではない。
その電極の材料は腐食と摩耗に対して安定したも
のが選択される。それは適当な良導電体でなけれ
ばならない。金・ビスマス合金及びガラス質カー
ボンによつて良好な結果が得られた。大きいトン
ネル距離を可能にするためには、電極材料は非常
に小さい仕事関数しか持つべきでない。或る有機
又は酸化物固着層によつて小さい仕事関数が達成
可能である。それらは第３図に示されてない。電
極・ヘツド・アセンブリ全体（第２図）は薄膜技
術で製造可能である。
磁気デイスク３はこの分野では周知のキヤリア
媒体に磁化可能材を分散させた薄い層１８を有す
る。その層１８はトンネル距離調整によつて与え
られた高記録密度の能力を小さいビツト・サイズ
が利用するのを可能にする。デイスク３の直径は
50〜80nｍでよい。デイスクは毎分約30回転で回
転する。デイスク表面は非常に小さい仕事関係を
持つた安定した非腐食性の導電薄膜でもつてカバ
ーされている。例えば、5nｍ以下の厚さの金の
薄膜は導電性を与えるが、磁化可能な材料の層１
８の磁気記録特性に影響を与えるものではない。
デイスク３の回転は、例えば、標準の光学的品質
である２〜5μｍの範囲で約20nｍまで研磨するこ
とによつて平滑にされる。
前記のように平らな場合でもなおデイスク３の
表面１６は平らな領域２０、なだらかな波形の領
域２１、穴２２及び突起２３より成る。
電極９が第３図のように平らな領域２０上にあ
る場合、デイスク３の表面１６からの距離は電極
の先端２４で最も短かくなり、そしてその先端２
４は破線により示されたトンネル電流の源とな
る。
なだらかな波形の領域２１上では、最短距離の
場所、従つてトンネル電流の源は電極９の傾斜及
び形によつてわずかな距離だけ先端２４から変位
する。
穴２２上では、トンネル電流はまず電極９がポ
イント２５を通過している間にそれが持つていた
値で安定したままであり、然る後、穴２２の傾斜
及び幅に依存して電極９がその穴２２へ落ち込ん
でいる間、ポイント２６と関連した値までジヤン
プする。この動作は実験的に確認された。
突起２３が接近すると、トンネル電流の源の場
所はその突起の縁２７にロツクする。このトンネ
ル電流のロツクは、デイスク面１６上の傾き角が
電極９の先端角を越えた時に生ずる。
破線２８は、すべての慣性効果を無視した場合
の、即ちデイスクが非常にゆつくりと回転した時
のその回転デイスクの座標におけるトンネル電極
９の経路を表わす。線２８は機械的な「ねじれ
率」の制限の拘束によつて、表面１６の形状を表
示するものである。先端角よりも大きい傾斜は、
穴２２及び突起２３の近くで表わされた傾斜面に
よつて置換される。
動作状態の下では、デイスク３の速い運動は、
衝突を避けるためには、凹凸部に接近した時に急
激に後退するという動作も必要である。この位置
制御装置は、突起２３と電極９の側壁との間の距
離hzが動作トンネル距離dtに等しくなつた時のト
ンネル電流の突然の増加によつてその突起の接近
を認識する。そこでトンネル電極は、突起がその
電極９を通過している間hzが安全限界Hsよりも
小さくならないように、素早く引込まなければな
らない。
突起２３の認識に応答して、電極の各ユニツト
７，８，９，１４全体は、計算の便宜上一定であ
ると仮定した加速度ｂでもつて引込み始める。ｈ
(t)が時間を関数とした浮動高である場合、次のよ
うになる。
ｈ(t)＝ｂ／２・t2 ｂの値は浮動高が安全限界、即ち1nｍ、より
も小さくならないという条件によつて影響され
る。３の安全係数の場合、いつもｈ(t)は少くとも
3nｍでなければならない。これはｂ＝6nｍ／s2い
う一定の加速度を導く。ｂを細密接近装置７の最
大応答周波数fnax及び最大振幅anaxに関連づける
と、 ｂ＝4π2anax・fnax 2 となり、最大加速度bnaxは次のように得られる。
bnax＝β2・Vd 2／2dt−ds 但し、βは電極９のくさび部分の角度、Vdは
デイスク３の速度、dsは前述の安全限界である。
これらの等式から、 fnax＝βVd／2π・2anax（dt−ds） となり、fnaxをビツト速度Nbと比較すると次のよ
うになる。
fnax Nb＝β／2π・Lb／2anax（dt−ds） 但しLbはデイスク３上のビツト長である。
密接近装置７の可能な実施態様はカンチレバー
に装着された圧電「ビモルフ」又は「ベンダ」素
子である。
米国のピエゾエレクトリツク・プロダクツ社か
ら販売されているＧ−1195という0.5mmの厚さの
ベンダはfnax＝239KHz／Lb 2〔mm〕及びanax＝
1.32nｍ／Ｖ・Ub・Lb 2〔mm〕を有する。Lb＝1.6mm
の長さのベンダで且つ50ボルトの動作電圧の場
合、これらの値はfnax＝90KHz及びanax＝175nｍ
が得られる。これらの値と10Mビツト／Ｓのビツ
ト速度を最後の式に入れると、約2゜のβ即ち製造
し易いかなり平らなトンネル電極を必要とする。
圧電効果は数百キロヘルツまで応答するほど十
分に速いことが知られている。更に、180ボルト
までの電圧上昇が可能である。約200nｍの振幅
anaxはよく研磨された面における凹凸の予定の高
さに関しても満足すべきものである。
第１図に戻ると、粗接近装置６は読取り又は書
込み動作の始め及び終りで及び実際の浮動高が細
密接近装置７の動作範囲外にずれている時に作動
される。接近のために、ヘツド８は大きい距離で
開始するものと考えられ、トンネリングが生ずる
まで粗接近装置６及び細密接近装置７の両方によ
つて徐々に下げられる。そこで粗接近装置６は固
定される（この実施例では、トンネル距離誤差信
号の低周波部分に従つてゆつくりした制御運動を
続ける）。粗接近装置６は次の３つの良好な実施
例の１つを取り得る。
(a) 受動的な空気力学的スライダ 第５図は粗接近装置６が通常のデイスク記憶
装置におけるようにサブマイクロメータ距離で
空気クツシヨン上を浮動する状態を示す。細密
接近装置７は大きな動的範囲を与えるために２
つのステージ２８，２９を持つことが好まし
い。
(b) 活動的な空気力学的スライダ 第６図では、粗接近装置６はその装置の本体
の形によつて空気クツシヨンの厚みの積極的な
調整を可能にする空気力学的ウイング３０を備
えたスライダとして設計される。この設計はシ
リコンを使つた微小機械的技術を実施するのに
適している。
(c) 圧電式ステツパ変換器 第７図は変換器６の概略を示すもので、1984
年発行のIBMテクニカル・デイスクロジヤ・
ブリテイン第26巻、第10A号、第4898ページに
開示された変換器を簡単にしたものでよい。ク
ランプ３２乃至３５を持つた支持体３１はそれ
らクランプにより形成されたチヤネル内に滑動
素子３６を保持している。滑動素子３６は圧電
結晶より成り、それにヘツド８を保持した細密
接近装置７が取付けられる。クランプ３２乃至
３５は滑動素子３６が延びたり或いは縮んだり
する時に対（３２と３３、３４と３５）となつ
て作動され或いは解放される。第７図に従つた
設計は真空動作に適しているが、第５図及び第
６図の設計は使用されない。
細密接近装置７はヘツド８の位置づけを１ナノ
メートルの範囲内で完成しなければならず、デイ
スク面における波形、ヘツド・デイスク・アセン
ブリの振動、温度及び圧力のゆつくりした変動等
に起因した浮動高の変動を最小にしなければなら
ない。圧電位置づけ装置は十分に小さく、精度よ
く作られ且つ操作が簡単なので最も適している。
細密接近装置７の設計は前述のように動力学及び
応答の振幅の結果として生ずる。良好な実施例は
シリコン・ウエハから処理された微小機械的構造
を利用する。この技術はヨーロツパ特許出願
85102554.4号に開示されている。
第８図は１対のカンチレバー装着の圧電バイモ
ルフ３８，３９が粗接近装置６の本体に取付けら
れて成る細密接近装置７の実施例を示す。バイモ
ルフ３８，３９の自由部分の長さLbは1.6mmであ
る。第１の曲げモードは最小の弾性共振であつて
前述のように90KHzで生ずる。偏向感度は3.5n
ｍ／Ｖであつて、50ボルトの動作電圧における
175nｍの最高偏向振幅を与える。２つのバイモ
ルフ３８，３９は任意の時点で逆のモーメントを
発生するよう逆極性になつており、その結果、細
密接近装置７の反動のない動作を生ずる。下側の
バイモルフ３９はその端部にヘツド８を保持す
る。
第９図及び第１０図に示されるように、ヘツド
８は薄膜技術で設計可能である。それの主要部は
平らなトンネル電極９及び磁極端１０，１１であ
る。トンネル接点４０は誘電体１５、巻線４２、
前部磁性層４３によつて後部磁性層４１から絶縁
されている。磁性層４１，４３及びそれらの間の
常磁性層１３と巻線４２は薄膜磁気ヘツドを形成
する。その寸法はデイスク３上の減小したビツ
ト・サイズと対応して小さくされる。
ヘツドを形成する部品はそのアセンブリに必要
な固さを与えるマトリクス４４内に組込まれる。
本体１４の斜めになつた肩４５、トンネル電極
９、磁極端１０，１１を含む下側面は2nｍ以下
の範囲で平らでなければならない。肩４５の傾き
は少くともAnax／β（Anax＝最大の突起の高さ）、
即ち≧2μｍの距離にわたつて延びてなければな
らない。トンネル電極９の傾斜した側壁は完全に
平らである必要はないが、安全距離即ち1nｍ以
内では滑らかでなければならない。トンネル電極
を円筒形にすることは角柱形又は屋根形にするよ
りも好ましい。それは角がないのでより良い滑ら
かさがあるためである。
ヘツドの上部部分４６は電気的接続及び信号処
理のために確保されている。
第１１図に示されたヘツドの好適な実施例で
は、そのヘツドの下部表面はそれが前方面（回転
するデイスクで到達する凹凸に関して）上に持つ
ている傾斜と同じ傾斜βを後方面上に与えられ
る。これは、ヘツドが凹凸上を浮動した後のトン
ネル接触の損失を防ぐために有利であることがわ
かつた。従つて、それは表面衝突を生じさせるよ
うな矯正のし過ぎを防止する。
ヘツドの動作特性の改良、即ち応答時間のかな
りの短縮が、本体１４の肩部４５における電位が
段階的に印加される場合可能である。第１１図は
この原理が前方肩部４５及び後方肩部４７の両方
に適用されることを示している。漸増する値の３
つの相異なる電位（例えば、0.2V、0.4V、10V）
が、トンネル電極９を含む最も内側の部分４８に
最低の電位を及びトンネル電極から最も遠い部分
５０に最高の電位を印加されるよう、それら肩部
４５及び４７の３つの部分４８〜５０に与えられ
る。
トンネル効果を動作的に維持するにはもつと低
い電位で十分であるけれども、トンネル電極９か
ら最も遠い部分５０における高い電位は、それら
を電界放出モードで動作させる。このモードは
20nｍ以上の距離で有効であり、従つて接近する
凹凸の認識を、トンネル電位の印加だけよりもず
つと最速で行うのを可能にする。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を利用し得る磁気ヘツド及びそ
の距離制御機構の概略図、第２図はトンネル電
極・変換器アセンブリの概略断面図、第３図は生
じ得る種々なタイプの凹凸を示す記録媒体の断面
図、第４図は磁気ヘツドの浮動高及び凹凸の高さ
の間の関係を示すための図、第５図乃至第７図は
距離制御機構の種々の実施例を示す図、第８図は
細密接近装置の実施例を示す図、第９図は薄膜技
術によるヘツド・トンネル電極アセンブリの好適
な実施例の断面図、第１０図はヘツド・アセンブ
リにおける変換器部分の拡大断面図、第１１図は
段階的電位を持つた第１０図の変換器を示す図で
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 移動する記録媒体上のトラツクをランダム・
    アクセスするように磁気ヘツドが空気力学式スラ
    イダ上に支持された磁気記憶装置において該記録
    媒体上の該磁気ヘツドの浮動高を制御するための
    装置であつて、 前記記録媒体を被覆する導電性薄膜と、 前記記録媒体に面する前記スライダの表面上に
    設けられたトンネル電極と、 前記トンネル電極及び前記導電性薄膜に接続さ
    れた電源と、 前記トンネル電極と前記導電性薄膜との間に流
    れるトンネル電流を測定するとともに、 該測定されたトンネル電流と前記磁気ヘツドの
    所定の浮動高に対応する所定のトンネル電流値と
    の間の変位を検知する手段と、 前記検知されたトンネル電流の変位に応答し
    て、前記磁気ヘツドを所定の浮動高に維持するよ
    うに前記磁気ヘツド及び前記トンネル電極を支持
    する前記スライダを前記記録媒体の表面に対し垂
    直方向に上下させる接近手段と、 を備えたことを特徴とする磁気ヘツドの浮動高制
    御装置。 ２ 前記トンネル電極が丸められた先端を有する
    ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の
    浮動高制御装置。
JP61274265A 1985-11-19 1986-11-19 磁気ヘツドの浮動高制御装置 Granted JPS62125521A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
EP85114668A EP0227845B1 (en) 1985-11-19 1985-11-19 Method and apparatus for controlling the flying height of the head in a magnetic storage unit
EP85114668.8 1985-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62125521A JPS62125521A (ja) 1987-06-06
JPH0534748B2 true JPH0534748B2 (ja) 1993-05-24

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ID=8193892

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Country Status (7)

Country Link
US (1) US4853810A (ja)
EP (1) EP0227845B1 (ja)
JP (1) JPS62125521A (ja)
BR (1) BR8605250A (ja)
CA (1) CA1290054C (ja)
DE (1) DE3578017D1 (ja)
ES (1) ES2003495A6 (ja)

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