JPH0535848B2 - - Google Patents
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- JPH0535848B2 JPH0535848B2 JP61262460A JP26246086A JPH0535848B2 JP H0535848 B2 JPH0535848 B2 JP H0535848B2 JP 61262460 A JP61262460 A JP 61262460A JP 26246086 A JP26246086 A JP 26246086A JP H0535848 B2 JPH0535848 B2 JP H0535848B2
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3622—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix
- G09G3/3629—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix using liquid crystals having memory effects, e.g. ferroelectric liquid crystals
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- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
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- G—PHYSICS
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、強誘電性液晶素子の様な電界方向に
応じてコントラストを識別することができる光学
変調装置に関する。
応じてコントラストを識別することができる光学
変調装置に関する。
強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏
光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Clark）およびラガー
ウオル（Lagerwall）により提案されている（特
開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号明
細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温
度域において、カイラルスメクチツクＣ相
（SmC*）またはＨ相（SmH*）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれか
を取り、且つ電界の印加のないときはその状態を
維持する性質、すなわち、双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速な
らびに記憶型の表示素子としての広い利用が期待
されている。
光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Clark）およびラガー
ウオル（Lagerwall）により提案されている（特
開昭56−107216号公報、米国特許第4367924号明
細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温
度域において、カイラルスメクチツクＣ相
（SmC*）またはＨ相（SmH*）を有し、この状
態において、加えられる電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれか
を取り、且つ電界の印加のないときはその状態を
維持する性質、すなわち、双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速な
らびに記憶型の表示素子としての広い利用が期待
されている。
前述した強誘電性液晶素子は、例えば英国公開
明細書第2141279号公報に開示された駆動法によ
つて、画素情報の書込みがなされている。前述の
公開公報によれば、強誘電性液晶素子に組込まれ
た走査線を順次選択し、第１位相で選択された走
査線上の全又は所定数の画素に該画素の光学状態
が一方の光学状態（例えば、“光透過状態（白）”
とする）となる一方極性電圧を印加し、第２位相
で選択された走査線上の全又は所定数の画素のう
ち、選択された画素に、該画素の光学状態が他方
の光学状態（例えば、“光遮断状態（黒）”とす
る）となる他方極性の電圧を印加することによつ
て線順次走査書込みが行われる。
明細書第2141279号公報に開示された駆動法によ
つて、画素情報の書込みがなされている。前述の
公開公報によれば、強誘電性液晶素子に組込まれ
た走査線を順次選択し、第１位相で選択された走
査線上の全又は所定数の画素に該画素の光学状態
が一方の光学状態（例えば、“光透過状態（白）”
とする）となる一方極性電圧を印加し、第２位相
で選択された走査線上の全又は所定数の画素のう
ち、選択された画素に、該画素の光学状態が他方
の光学状態（例えば、“光遮断状態（黒）”とす
る）となる他方極性の電圧を印加することによつ
て線順次走査書込みが行われる。
一般に、強誘電性液晶素子は、クラークらが発
表した様な双安定状態を形成することが難かし
く、単安定状態を形成する傾向が強い。このた
め、強誘電性液晶素子を用いた表示パネルに前述
の駆動法により静止画像を形成した後、電圧を解
除することによつて静止画像を表示する場合で
は、この静止画像が消失してしまう問題があつ
た。
表した様な双安定状態を形成することが難かし
く、単安定状態を形成する傾向が強い。このた
め、強誘電性液晶素子を用いた表示パネルに前述
の駆動法により静止画像を形成した後、電圧を解
除することによつて静止画像を表示する場合で
は、この静止画像が消失してしまう問題があつ
た。
そこで、前述の問題点を解決するためには、走
査線に順次走査信号を順次印加する所定期間（例
えば、１フイールド又は１フレーム）を周期的に
逐次繰返すことによつて線順次書込みを行う駆動
方式（リフレツシユ駆動方式という）の適用が可
能である。つまり、強誘電性液晶パネルに静止画
像を書込むに当つて、静止画像を生じる情報信号
を逐次周期的に繰返し印加することによつて、安
定な静止画像を表示することができる。
査線に順次走査信号を順次印加する所定期間（例
えば、１フイールド又は１フレーム）を周期的に
逐次繰返すことによつて線順次書込みを行う駆動
方式（リフレツシユ駆動方式という）の適用が可
能である。つまり、強誘電性液晶パネルに静止画
像を書込むに当つて、静止画像を生じる情報信号
を逐次周期的に繰返し印加することによつて、安
定な静止画像を表示することができる。
しかしながら、この様なリフレツシユ駆動方式
で、前述した第１位相（１ラインクリヤ位相）と
第２位相（書込み位相）での駆動電圧を強誘電性
液晶パネルに印加すると一方極性の実効的なバイ
アス電圧が液晶材料に印加され、このために液晶
材料に劣化を生じさせたり、表示パネルとしての
スイツチング特性を悪化させていた。又、このバ
イイアス電圧を小さくした場合では、駆動回路に
不必要に高い電圧が必要となり、駆動回路のコス
トが高くなる問題点があつた。
で、前述した第１位相（１ラインクリヤ位相）と
第２位相（書込み位相）での駆動電圧を強誘電性
液晶パネルに印加すると一方極性の実効的なバイ
アス電圧が液晶材料に印加され、このために液晶
材料に劣化を生じさせたり、表示パネルとしての
スイツチング特性を悪化させていた。又、このバ
イイアス電圧を小さくした場合では、駆動回路に
不必要に高い電圧が必要となり、駆動回路のコス
トが高くなる問題点があつた。
従つて、本発明は、前述の問題点を解決した光
学変調素子、特に強誘電性液晶素子の様な電界方
向に応じてコントラストを識別することができる
光学変調装置を提供することにある。
学変調素子、特に強誘電性液晶素子の様な電界方
向に応じてコントラストを識別することができる
光学変調装置を提供することにある。
「本発明は、
ａ 複数の走査電極で構成した走査電極群と複数
の信号電極で構成した信号電極群とで形成し、
各交差部を画素としたマトリクス電極、及び閾
値電圧を越えた異なる極性の電圧の印加に応じ
て異なる配向状態を生じる光学変調物質を備え
た光学変調素子。
の信号電極で構成した信号電極群とで形成し、
各交差部を画素としたマトリクス電極、及び閾
値電圧を越えた異なる極性の電圧の印加に応じ
て異なる配向状態を生じる光学変調物質を備え
た光学変調素子。
ｂ 前相と後相とを有する走査選択期間に亘つて
走査電極が走査選択されるように走査選択信号
を順次、走査電極群に印加し、該前相の期間が
該後相の期間より長く設定され、且つ該前相が
走査非選択電極への印加電圧を基準にして一方
極性の電圧信号で定められ、該後相が他方極性
の電圧信号で定られた第１の電圧印加手段、な
らびに、 ｃ 前記走査選択期間の前相と同期して、走査選
択された走査電極と前記信号電極との交差部
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた一方
極性電圧が同時に印加されるように、該信号電
極群に同時に走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、電圧0と他方極性電圧とからなる電
圧信号、または電圧０と一方極性電圧とからな
る電圧信号が印加され、続く後相と同期して、
該走査選択された走査電極上の選択された画素
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた他方
極性電圧が選択的に印加されるように、選択さ
れた信号電極に走査非選択電極への印加電圧を
基準にして一方極性の電圧信号を印加し、残り
の画素に、光学変調物質の閾値電圧を越えない
電圧が印加されるように、残りの信号電極に走
査非選択電極への印加電圧を基準にして、他方
極性の電圧信号を印加する第２の電圧印加手
段、 を有する点に特徴がある。」 〔実施例〕 第１図と第２図は、本発明で用いた駆動法の波
形図である。又、第３図は、本発明で用いたマト
リクス電極を配置した強誘電性液晶パネル３１の
平面図である。第３図のパネル３１には、走査線
３２とデータ線３３とが互いに交差して配線さ
れ、その交差部の走査線３２とデータ線３３との
間には強誘電性液晶が配置されている。又、第３
図中、３４は走査回路、３５は走査側駆動電圧発
生回路、３６は信号側駆動電圧発生回路、３７は
ラインメモリー、３８はシフトレジスタを表わし
ている。
走査電極が走査選択されるように走査選択信号
を順次、走査電極群に印加し、該前相の期間が
該後相の期間より長く設定され、且つ該前相が
走査非選択電極への印加電圧を基準にして一方
極性の電圧信号で定められ、該後相が他方極性
の電圧信号で定られた第１の電圧印加手段、な
らびに、 ｃ 前記走査選択期間の前相と同期して、走査選
択された走査電極と前記信号電極との交差部
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた一方
極性電圧が同時に印加されるように、該信号電
極群に同時に走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、電圧0と他方極性電圧とからなる電
圧信号、または電圧０と一方極性電圧とからな
る電圧信号が印加され、続く後相と同期して、
該走査選択された走査電極上の選択された画素
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた他方
極性電圧が選択的に印加されるように、選択さ
れた信号電極に走査非選択電極への印加電圧を
基準にして一方極性の電圧信号を印加し、残り
の画素に、光学変調物質の閾値電圧を越えない
電圧が印加されるように、残りの信号電極に走
査非選択電極への印加電圧を基準にして、他方
極性の電圧信号を印加する第２の電圧印加手
段、 を有する点に特徴がある。」 〔実施例〕 第１図と第２図は、本発明で用いた駆動法の波
形図である。又、第３図は、本発明で用いたマト
リクス電極を配置した強誘電性液晶パネル３１の
平面図である。第３図のパネル３１には、走査線
３２とデータ線３３とが互いに交差して配線さ
れ、その交差部の走査線３２とデータ線３３との
間には強誘電性液晶が配置されている。又、第３
図中、３４は走査回路、３５は走査側駆動電圧発
生回路、３６は信号側駆動電圧発生回路、３７は
ラインメモリー、３８はシフトレジスタを表わし
ている。
第１図Ａ中のSSは選択された走査線に印加する
選択走査波形を、SNは選択されていない非選択
走査波形を、ISは選択されたデータ線に印加する
選択情報波形（黒）を、INは選択されていないデ
ータ線に印加する非選択情報信号（白）を表わし
ている。又、図中（IS−SS）と（IN−SS）は選択
された走査線上の画素に印加する電圧波形で、電
圧（IS−SS）が印加された画素は黒の表示状態を
とり、電圧（IN−SS）が印加された画素は白の表
示状態をとる。
選択走査波形を、SNは選択されていない非選択
走査波形を、ISは選択されたデータ線に印加する
選択情報波形（黒）を、INは選択されていないデ
ータ線に印加する非選択情報信号（白）を表わし
ている。又、図中（IS−SS）と（IN−SS）は選択
された走査線上の画素に印加する電圧波形で、電
圧（IS−SS）が印加された画素は黒の表示状態を
とり、電圧（IN−SS）が印加された画素は白の表
示状態をとる。
第１図Ｂは第１図Ａに示す駆動波形で第３図に
示す表示を行つたときの時系列波形である。
示す表示を行つたときの時系列波形である。
第１図に示す駆動例では、選択された走査線上
の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間
Δtが書込み位相t2の時間に相当し、１ラインクリ
ヤt1位相の時間が2Δtに設定されている。この際、
本発明では、１ラインクリヤ位相t1の好ましい時
間を2Δt〜10Δtに設定することが可能であるが、
特に図示する如く１ラインクリヤ位相t1の時間を
2Δtに設定するのが適している。又、第１図に示
す駆動例では１ラインクリヤ位相t1で画素（IN−
SS）に印加される電圧VRの最大振巾V1 R（＝｜−VS
｜）と最小印加時間Δtを基準にした飽和閾値
Vsatとの間でV1 R＜｜Vsat｜の関係を有してお
り、好ましくは最小印加時間Δtを基準にした反
転閾値Vthとの間でV1 R≦｜Vth｜、特に1/3｜
Vsat｜≦V1 R≦｜Vth｜の関係を有している。さ
らに、第１図に示す駆動例では、電圧V2 Bの最大
振巾｜VS2＋V1｜とVS1の最大振巾が絶対値で最
小印加時間Δtを基準にした飽和閾値Vsat以上に
設定され、又電圧V1 Bの最大振巾｜V1｜が絶対値
で最小印加時間Δtを基準にした反転閾値Vthを越
えない値に設定される。
の画素に印加される単一極性電圧の最小印加時間
Δtが書込み位相t2の時間に相当し、１ラインクリ
ヤt1位相の時間が2Δtに設定されている。この際、
本発明では、１ラインクリヤ位相t1の好ましい時
間を2Δt〜10Δtに設定することが可能であるが、
特に図示する如く１ラインクリヤ位相t1の時間を
2Δtに設定するのが適している。又、第１図に示
す駆動例では１ラインクリヤ位相t1で画素（IN−
SS）に印加される電圧VRの最大振巾V1 R（＝｜−VS
｜）と最小印加時間Δtを基準にした飽和閾値
Vsatとの間でV1 R＜｜Vsat｜の関係を有してお
り、好ましくは最小印加時間Δtを基準にした反
転閾値Vthとの間でV1 R≦｜Vth｜、特に1/3｜
Vsat｜≦V1 R≦｜Vth｜の関係を有している。さ
らに、第１図に示す駆動例では、電圧V2 Bの最大
振巾｜VS2＋V1｜とVS1の最大振巾が絶対値で最
小印加時間Δtを基準にした飽和閾値Vsat以上に
設定され、又電圧V1 Bの最大振巾｜V1｜が絶対値
で最小印加時間Δtを基準にした反転閾値Vthを越
えない値に設定される。
第１図に示す駆動例では選択された走査線に印
加する走査選択信号は、VS1と−VS2の電圧に設
定した交流電圧（正極性と負極性は、選択されな
い走査線の電位を基準にした）で、｜VS1｜＝3/2
｜−VS2｜に設定されているが本発明では｜VS1
｜≧｜−VS2｜とすることができる。従つて、本
発明では、１ラインクリヤ位相T1で画素（IN−
SS）に印加される電圧VRの最大振巾V1 Rは、書込
み位相t2で印加される電圧V1 Bの最大振巾｜V1｜
の２倍以上又は３倍以上、好ましくは２倍又は３
倍に設定され、又１ラインクリヤ位相t1で画素
（IS−SS）に印加される電圧VRの最大振巾V2 Rは、
書込み位相t2で印加される電圧V2 Bの最大振巾｜
VS2＋V2｜と等しいか又はそれ以上の振巾に設定
することができる。又、本発明では、電圧V2 Bの
最大振巾を電圧V1 Bの最大振巾の２倍以上、又は
３倍以上、好ましくは２倍又は３倍に設定するこ
とができる。
加する走査選択信号は、VS1と−VS2の電圧に設
定した交流電圧（正極性と負極性は、選択されな
い走査線の電位を基準にした）で、｜VS1｜＝3/2
｜−VS2｜に設定されているが本発明では｜VS1
｜≧｜−VS2｜とすることができる。従つて、本
発明では、１ラインクリヤ位相T1で画素（IN−
SS）に印加される電圧VRの最大振巾V1 Rは、書込
み位相t2で印加される電圧V1 Bの最大振巾｜V1｜
の２倍以上又は３倍以上、好ましくは２倍又は３
倍に設定され、又１ラインクリヤ位相t1で画素
（IS−SS）に印加される電圧VRの最大振巾V2 Rは、
書込み位相t2で印加される電圧V2 Bの最大振巾｜
VS2＋V2｜と等しいか又はそれ以上の振巾に設定
することができる。又、本発明では、電圧V2 Bの
最大振巾を電圧V1 Bの最大振巾の２倍以上、又は
３倍以上、好ましくは２倍又は３倍に設定するこ
とができる。
本発明の好ましい具体例では、前述した第１図
に示す駆動波形で走査線毎に順次書込むステツプ
（このステツプの期間を１フレーム又は１フイー
ルドとする）を周期的に逐次繰返すことによつ
て、静止画又は動画を表示することができる。
に示す駆動波形で走査線毎に順次書込むステツプ
（このステツプの期間を１フレーム又は１フイー
ルドとする）を周期的に逐次繰返すことによつ
て、静止画又は動画を表示することができる。
本発明の駆動法では１ラインクリヤ位相t1で画
素（IN−SS）に印加される電圧VRは、その電圧印
加時間を最小印加時間Δtを越えた時間（第１図
及び第２図では2Δt）とした時に強誘電性液晶の
飽和閾値Vsatを越える様に設定されている。第
６図は、飽和閾値Vsat及び反転閾値Vthの電圧印
加時間依存性を示す特性図である。第６図中の６
１は、反転閾値Vthの特性曲線で、６２は飽和閾
値Vsatの特性曲線を明らかにしている。
素（IN−SS）に印加される電圧VRは、その電圧印
加時間を最小印加時間Δtを越えた時間（第１図
及び第２図では2Δt）とした時に強誘電性液晶の
飽和閾値Vsatを越える様に設定されている。第
６図は、飽和閾値Vsat及び反転閾値Vthの電圧印
加時間依存性を示す特性図である。第６図中の６
１は、反転閾値Vthの特性曲線で、６２は飽和閾
値Vsatの特性曲線を明らかにしている。
尚、本明細書に記載の「反転閾値Vth」は、一
方の光学状態下にある画素に他方の光学状態を生
じる電圧を印加した時、画素の光学率（透過率又
は遮光率）が印加電圧の上昇に応じて急激な変化
を開始した時の電圧であつて、第４図中に電圧
Vthによつて表わされる。又、「飽和閾値Vsat」
は、前述の印加電圧の上昇に応じた光学率の変化
が飽和した時の電圧であつて、第４図中の電圧
Vsatによつて表わされる。第５図は、印加電圧
の上昇に応じた画素内の強誘電性液晶の配向状態
を模式的に示したもので、第５図ａは第４図中の
電圧ａ、第５図ｂは第４図中の電圧ｂ、第５図ｃ
は第４図中の電圧ｃ、第５図ｄは第４図中の電圧
ｄ、第５図ｅは第４図中の飽和閾値電圧Vsatに
それぞれ対応している。第５図ａ〜ｅによれば、
印加電圧の上昇に応じて白のドメイン５２に部分
的に生じている黒のドメイン５１の面積が増大す
ることが明らかにされている。
方の光学状態下にある画素に他方の光学状態を生
じる電圧を印加した時、画素の光学率（透過率又
は遮光率）が印加電圧の上昇に応じて急激な変化
を開始した時の電圧であつて、第４図中に電圧
Vthによつて表わされる。又、「飽和閾値Vsat」
は、前述の印加電圧の上昇に応じた光学率の変化
が飽和した時の電圧であつて、第４図中の電圧
Vsatによつて表わされる。第５図は、印加電圧
の上昇に応じた画素内の強誘電性液晶の配向状態
を模式的に示したもので、第５図ａは第４図中の
電圧ａ、第５図ｂは第４図中の電圧ｂ、第５図ｃ
は第４図中の電圧ｃ、第５図ｄは第４図中の電圧
ｄ、第５図ｅは第４図中の飽和閾値電圧Vsatに
それぞれ対応している。第５図ａ〜ｅによれば、
印加電圧の上昇に応じて白のドメイン５２に部分
的に生じている黒のドメイン５１の面積が増大す
ることが明らかにされている。
第２図は、本発明の別の駆動例を表わしてい
る。第２図に示す駆動例では、選択された走査線
に印加する走査選択信号SSは、VSと−VSの電圧
に設定した交流電圧（正極性と負極性は、選択さ
れない走査線の電位を基準にした）で、その振巾
を等しくした電圧を用いており、データ線から印
加する電圧V1（−V1）との間で｜VS｜＝２｜V1
｜の値になる様にそれぞれの振巾を設定してい
る。
る。第２図に示す駆動例では、選択された走査線
に印加する走査選択信号SSは、VSと−VSの電圧
に設定した交流電圧（正極性と負極性は、選択さ
れない走査線の電位を基準にした）で、その振巾
を等しくした電圧を用いており、データ線から印
加する電圧V1（−V1）との間で｜VS｜＝２｜V1
｜の値になる様にそれぞれの振巾を設定してい
る。
又、第２図に示す駆動法では、１ラインクリヤ
位相t1で画素（IN−SS）に印加される電圧VRは、
その電圧印加時間を最小印加時間Δtの２倍の時
間に設定した時に強誘電性液晶の飽和閾値Vsat
を越える様に設定されているが、この電圧VRで
は波高値−VSと−VS＋V1＝−V1が異なつてお
り、且つそれぞれの波高値は最小印加時間Δtを
基準にした飽和閾値Vsatより小さく設定されて
いる。このため、第２図に示す駆動例では、画素
に印加される一方極性の実効的なバイアス成分を
を低い値に抑えることができ、さらに走査選択信
号SSで用いた電圧VS（−VS）を小さい電圧とする
ことが可能であるため、走査側駆動回路の耐圧依
存性を低下させることができる。
位相t1で画素（IN−SS）に印加される電圧VRは、
その電圧印加時間を最小印加時間Δtの２倍の時
間に設定した時に強誘電性液晶の飽和閾値Vsat
を越える様に設定されているが、この電圧VRで
は波高値−VSと−VS＋V1＝−V1が異なつてお
り、且つそれぞれの波高値は最小印加時間Δtを
基準にした飽和閾値Vsatより小さく設定されて
いる。このため、第２図に示す駆動例では、画素
に印加される一方極性の実効的なバイアス成分を
を低い値に抑えることができ、さらに走査選択信
号SSで用いた電圧VS（−VS）を小さい電圧とする
ことが可能であるため、走査側駆動回路の耐圧依
存性を低下させることができる。
ところで、例えばテレビ画像のように逐一変化
するような画像を表示する場合には、下述する強
誘電性液晶素子の如く記憶型の素子であつても、
前述したリフレツシユ駆動を行う必要がある。リ
フレツシユ駆動の場合には、液晶材料の劣化や素
子特性の悪化等を考慮すると、極力実効的バイア
ス電圧が小さいことが望ましい。
するような画像を表示する場合には、下述する強
誘電性液晶素子の如く記憶型の素子であつても、
前述したリフレツシユ駆動を行う必要がある。リ
フレツシユ駆動の場合には、液晶材料の劣化や素
子特性の悪化等を考慮すると、極力実効的バイア
ス電圧が小さいことが望ましい。
本発明者等の実験によれば、リフレツシユ駆動
の場合では１ラインクリヤ位相t1で印加される電
圧VR（画素（IN−SS）に印加される電圧VR）と書
込み位相t2で印加される電圧V2 Bが必ずしも最小印
加時間Δtを基準にした飽和閾値Vsat以上である
必要がないことが見い出された。即ち、リフレツ
シユ駆動において、各フレーム又は各フイールド
毎に同一位相の走査選択信号が繰り返し印加され
る場合には、電圧VR（画素（IN−SS）に印加され
る電圧VR）とV2 Bが最小印加時間Δtを基準にした
反転閾値Vth以上であれば十分であることが判明
した。従つて、本発明ではリフレツシユ駆動の場
合では、走査選択信号SSの電圧VS又はVS1が絶対
値で最小印加時間Δtを基準にした反転閾値Vth以
下であつてもよいことになる。この際、｜VS｜又
は｜−VS1｜は、最大振巾V1 Rに相当している。特
に、本発明では、前述した様に V1 R≧1/3｜Vsat｜は（Vsatは最小印加時間Δt
を基準にした飽和閾値である）に設定するのが好
ましい。
の場合では１ラインクリヤ位相t1で印加される電
圧VR（画素（IN−SS）に印加される電圧VR）と書
込み位相t2で印加される電圧V2 Bが必ずしも最小印
加時間Δtを基準にした飽和閾値Vsat以上である
必要がないことが見い出された。即ち、リフレツ
シユ駆動において、各フレーム又は各フイールド
毎に同一位相の走査選択信号が繰り返し印加され
る場合には、電圧VR（画素（IN−SS）に印加され
る電圧VR）とV2 Bが最小印加時間Δtを基準にした
反転閾値Vth以上であれば十分であることが判明
した。従つて、本発明ではリフレツシユ駆動の場
合では、走査選択信号SSの電圧VS又はVS1が絶対
値で最小印加時間Δtを基準にした反転閾値Vth以
下であつてもよいことになる。この際、｜VS｜又
は｜−VS1｜は、最大振巾V1 Rに相当している。特
に、本発明では、前述した様に V1 R≧1/3｜Vsat｜は（Vsatは最小印加時間Δt
を基準にした飽和閾値である）に設定するのが好
ましい。
尚、第４図〜第６図に示す図面は、液晶材料と
してエステル系の混合液晶であるチツソ社製
「CS1014」（商品名）を用いた1μmギヤツプの液
晶セルである。又、液晶セル内には配向制御膜と
してラビング処理したポリビニルアルコール膜が
使用された。この液晶材料の相転移は以下のとお
りであつた。
してエステル系の混合液晶であるチツソ社製
「CS1014」（商品名）を用いた1μmギヤツプの液
晶セルである。又、液晶セル内には配向制御膜と
してラビング処理したポリビニルアルコール膜が
使用された。この液晶材料の相転移は以下のとお
りであつた。
結晶−21℃
→
SmC*−54.4℃
→
SmA−69.1℃
→
Ch−80.5℃
→
Iso
SmC*；カイラルスメクチツクＣ相
SmA；スメクチツクＡ相
Ch；コレステリツク相
Iso；等方相
又、第１図及び第２図に示す駆動例で用いた電
圧としては、V1 S＝15V、−V2 S＝−10V、｜±V1｜
＝5V、｜±VS｜＝10Vであつたが、この電圧を使
用したリフレツシユ駆動及びメリメモリー駆動
（１フレーム期間で書込み後、印加電圧を解除し
たメモリー状態とした）で、良好な静止画の表示
が得られた。
圧としては、V1 S＝15V、−V2 S＝−10V、｜±V1｜
＝5V、｜±VS｜＝10Vであつたが、この電圧を使
用したリフレツシユ駆動及びメリメモリー駆動
（１フレーム期間で書込み後、印加電圧を解除し
たメモリー状態とした）で、良好な静止画の表示
が得られた。
本発明の駆動法で用いる光学変調物質として
は、少なくとも２つの安定状態をもつもの、特に
加えられる電界に応じて第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態とのいずれかを取る、すな
わち電界に対する双安定状態を有する物質、特に
このような性質を有する液晶、が用いられる。
は、少なくとも２つの安定状態をもつもの、特に
加えられる電界に応じて第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態とのいずれかを取る、すな
わち電界に対する双安定状態を有する物質、特に
このような性質を有する液晶、が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性
を有する液晶としては、強誘電性を有するカイラ
ルスメクチツク液晶が最も好ましく、そのうちカ
イラルスメクチツクＣ相（SmC*）、又Ｈ相
（SmH*）の液晶が適している。この強誘電性液
晶については、“ル・ジユルナール・ド・フイジ
ツク・ルーテル”（“Le Journal dephysiove
letter”）36巻（Ｌ−69）、1975年の「フエロエレ
クトリツク・リキツド・クリスタルス」
（Ferroelectric Liquid Crystals」）；“アプライ
ド・フイジツクス・レターズ”（Applied
Physics Letters”）36巻（11号）1980年の「サブ
ミクロン・セカンド・バイステイブル・エレクト
ロオプテイツク・スイツチング・イン・リキツ
ド・クリスタル」（Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid
Crystals」）；“固体物理16（141）1981「液晶」等
に
記載されており、本発明ではこれらに開示された
強誘電性液晶を用いることができる。
を有する液晶としては、強誘電性を有するカイラ
ルスメクチツク液晶が最も好ましく、そのうちカ
イラルスメクチツクＣ相（SmC*）、又Ｈ相
（SmH*）の液晶が適している。この強誘電性液
晶については、“ル・ジユルナール・ド・フイジ
ツク・ルーテル”（“Le Journal dephysiove
letter”）36巻（Ｌ−69）、1975年の「フエロエレ
クトリツク・リキツド・クリスタルス」
（Ferroelectric Liquid Crystals」）；“アプライ
ド・フイジツクス・レターズ”（Applied
Physics Letters”）36巻（11号）1980年の「サブ
ミクロン・セカンド・バイステイブル・エレクト
ロオプテイツク・スイツチング・イン・リキツ
ド・クリスタル」（Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid
Crystals」）；“固体物理16（141）1981「液晶」等
に
記載されており、本発明ではこれらに開示された
強誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電
性液晶化合物の例としては、デシロキシベンジリ
デン−P′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−P′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメー
ト（HOBACPC）および４−ｏ−（２−メチル）
−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
（MBRA8）等が挙げられる。
性液晶化合物の例としては、デシロキシベンジリ
デン−P′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−P′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメー
ト（HOBACPC）および４−ｏ−（２−メチル）
−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
（MBRA8）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、
液晶化合物が、SmC*相又はSmH*相となるよう
な温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒ
ーターが埋め込まれた銅ブロツク等により支持す
ることができる。
液晶化合物が、SmC*相又はSmH*相となるよう
な温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒ
ーターが埋め込まれた銅ブロツク等により支持す
ることができる。
又、本発明では前述のSmC*，SmH*の他にカ
イラルスメクチツクＦ相、Ｉ相、Ｊ相、Ｇ相やＫ
相で現われる強誘電性液晶を用いることも可能で
ある。
イラルスメクチツクＦ相、Ｉ相、Ｊ相、Ｇ相やＫ
相で現われる強誘電性液晶を用いることも可能で
ある。
第７図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。７１ａと７１ｂは、In2O3，
SnO2やITO（インジウム−テイン−オキサイド）
等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層７２がガラス面に垂直
になるよう配向したSmC*相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線７３が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子７３は、その分子に直交した
方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）７４を有してい
る。基板７１ａと７１ｂ上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子７３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）７４は
すべて電界方向に向くよう、液晶分子７３の配向
方向を変えることができる。液晶分子７３は細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の上
下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合（例えば1μ）には、第８図に示すように
電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん
構造は、ほどけ、その双極子モーメントPa又は
Pbは上向き８４ａ又は下向き８４ｂのどちらか
の状態をとる。このようなセルに第８図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEb
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ea又はEbの電界ベクトルに対して上向き８４ａ
又は、下向き８４ｂと向きを変え、それに応じて
液晶分子は第１の安定状態８３ａかあるいは第２
の安定状態８３ｂの何れか一方に配向する。
いたものである。７１ａと７１ｂは、In2O3，
SnO2やITO（インジウム−テイン−オキサイド）
等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）で
あり、その間に液晶分子層７２がガラス面に垂直
になるよう配向したSmC*相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線７３が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子７３は、その分子に直交した
方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）７４を有してい
る。基板７１ａと７１ｂ上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子７３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）７４は
すべて電界方向に向くよう、液晶分子７３の配向
方向を変えることができる。液晶分子７３は細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従つて例えばガラス面の上
下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理
解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合（例えば1μ）には、第８図に示すように
電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん
構造は、ほどけ、その双極子モーメントPa又は
Pbは上向き８４ａ又は下向き８４ｂのどちらか
の状態をとる。このようなセルに第８図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEb
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ea又はEbの電界ベクトルに対して上向き８４ａ
又は、下向き８４ｂと向きを変え、それに応じて
液晶分子は第１の安定状態８３ａかあるいは第２
の安定状態８３ｂの何れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として
用いることの利点は２つある。第１に、応答速度
が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安
定状態を有することである。第２の点を例えば第
８図によつて説明すると、電界Eaを印加すると
液晶分子は第１の安定状態８３ａに配向するが、
この状態は電界を切つても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態８３ｂに配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切つてもこの状態に留つてい
る。又、与える電界Eaが一定の閾値を越えない
限り、それぞれの配向状態にやはり維持されてい
る。このような応答速度の速さと、双安定性が有
効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に1μ
〜5μが適している。
用いることの利点は２つある。第１に、応答速度
が極めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安
定状態を有することである。第２の点を例えば第
８図によつて説明すると、電界Eaを印加すると
液晶分子は第１の安定状態８３ａに配向するが、
この状態は電界を切つても安定である。又、逆向
きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態８３ｂに配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切つてもこの状態に留つてい
る。又、与える電界Eaが一定の閾値を越えない
限り、それぞれの配向状態にやはり維持されてい
る。このような応答速度の速さと、双安定性が有
効に実現されるには、セルとしては出来るだけ薄
い方が好ましく、一般的には0.5μ〜20μ、特に1μ
〜5μが適している。
発明の効果
以上説明したように、本発明によれば前述した
クロストークのない駆動が可能になるとともに、
バイアス電圧を減少させ、リフレツシユ動作に適
した駆動を行うことがきる。
クロストークのない駆動が可能になるとともに、
バイアス電圧を減少させ、リフレツシユ動作に適
した駆動を行うことがきる。
第１図Ａ及び第２図Ａは本発明で用いた駆動波
形の波形図で、第１図Ｂ及び第２図Ｂはそれを用
いた時の時系列駆動波形図である。第３図は、本
発明で用いた強誘電性液晶装置の平面図である。
第４図は画素に電圧を印加した時の透過光量特性
を表わした特性図で、第５図はその時のドメイン
状態を模式的に表わした説明図で、第６図は強誘
電性液晶画素の反転閾値と飽和閾値に対する印加
電圧と印加時間依存性を表わした特性図である。
第７図と第８図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わした斜視図である。
形の波形図で、第１図Ｂ及び第２図Ｂはそれを用
いた時の時系列駆動波形図である。第３図は、本
発明で用いた強誘電性液晶装置の平面図である。
第４図は画素に電圧を印加した時の透過光量特性
を表わした特性図で、第５図はその時のドメイン
状態を模式的に表わした説明図で、第６図は強誘
電性液晶画素の反転閾値と飽和閾値に対する印加
電圧と印加時間依存性を表わした特性図である。
第７図と第８図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わした斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ 複数の走査電極で構成した走査電極群と
複数の信号電極で構成した信号電極群とで形成
し、各交差部を画素としたマトリクス電極、及
び閾値電圧を越えた異なる極性の電圧の印加に
応じて異なる配向状態を生じる光学変調物質を
備えた光学変調素子、 ｂ 前相と後相とを有する走査選択期間に亘つて
走査電極が走査選択されるように走査選択信号
を順次、走査電極群に印加し、該前相の期間が
該後相の期間より長く設定され、且つ該前相が
走査非選択電極への印加電圧を基準にして一方
極性の電圧信号で定められ、該後相が他方極性
の電圧信号で定められた第１の電圧印加手段、
ならびに、 ｃ 前記走査選択期間の前相と同期して、走査選
択された走査電極と前記信号電極との交差部
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた一方
極性電圧が同時に印加されるように、該信号電
極群に同時に走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、電圧Ｏと他方極性電圧とからなる電
圧信号、または電圧Ｏと一方極性電圧とからな
る電圧信号が印加され、続く後相と同期して、
該走査選択された走査電極上の選択された画素
に、前記光学変調物質の閾値電圧を越えた他方
極性電圧が選択的に印加されるように、選択さ
れた信号電極に走査非選択電極への印加電圧を
基準にして一方極性の電圧信号を印加し、残り
の画素に、光学変調物質の閾値電圧を越えない
電圧が印加されるように、残りの信号電極に走
査非選択電極への印加電圧を基準にして、他方
極性の電圧信号を印加する第２の電圧印加手
段、 を有する光学変調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262460A JPS63116128A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 光学変調装置 |
| US07/116,244 US4927243A (en) | 1986-11-04 | 1987-11-03 | Method and apparatus for driving optical modulation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262460A JPS63116128A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 光学変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116128A JPS63116128A (ja) | 1988-05-20 |
| JPH0535848B2 true JPH0535848B2 (ja) | 1993-05-27 |
Family
ID=17376092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262460A Granted JPS63116128A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 光学変調装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4927243A (ja) |
| JP (1) | JPS63116128A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2185614B (en) * | 1985-12-25 | 1990-04-18 | Canon Kk | Optical modulation device |
| US5255110A (en) * | 1985-12-25 | 1993-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| JPH01304966A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2651204B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1997-09-10 | キヤノン株式会社 | 液晶装置の駆動法 |
| JP2592958B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1997-03-19 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| US5774104A (en) * | 1990-09-11 | 1998-06-30 | Northern Telecom Limited | Co-ordinate addressing of liquid crystal cells |
| GB2249653B (en) * | 1990-10-01 | 1994-09-07 | Marconi Gec Ltd | Ferroelectric liquid crystal devices |
| US6271817B1 (en) | 1991-03-20 | 2001-08-07 | Seiko Epson Corporation | Method of driving liquid crystal display device that reduces afterimages |
| US5844538A (en) * | 1993-12-28 | 1998-12-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix-type image display apparatus controlling writing of display data with respect to picture elements |
| US6392620B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a full-color display |
| JP5948007B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2016-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | 分光センサー及び分光フィルター |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| JPS6015624A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 液晶プリンタの駆動方法 |
| GB2146473B (en) * | 1983-09-10 | 1987-03-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Addressing liquid crystal displays |
| GB2149176B (en) * | 1983-10-26 | 1988-07-13 | Stc Plc | Addressing liquid crystal displays |
| US4715688A (en) * | 1984-07-04 | 1987-12-29 | Seiko Instruments Inc. | Ferroelectric liquid crystal display device having an A.C. holding voltage |
| US4697887A (en) * | 1984-04-28 | 1987-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| US4701026A (en) * | 1984-06-11 | 1987-10-20 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Method and circuits for driving a liquid crystal display device |
| JPS6152630A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-15 | Hitachi Ltd | 液晶素子の駆動方法 |
| JPS6194027A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
| GB2173336B (en) * | 1985-04-03 | 1988-04-27 | Stc Plc | Addressing liquid crystal cells |
| GB2173337B (en) * | 1985-04-03 | 1989-01-11 | Stc Plc | Addressing liquid crystal cells |
| JPS61243430A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-29 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| GB2185614B (en) * | 1985-12-25 | 1990-04-18 | Canon Kk | Optical modulation device |
| US4770502A (en) * | 1986-01-10 | 1988-09-13 | Hitachi, Ltd. | Ferroelectric liquid crystal matrix driving apparatus and method |
| JP2505756B2 (ja) * | 1986-07-22 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 光学変調素子の駆動法 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262460A patent/JPS63116128A/ja active Granted
-
1987
- 1987-11-03 US US07/116,244 patent/US4927243A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4927243A (en) | 1990-05-22 |
| JPS63116128A (ja) | 1988-05-20 |
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