JPH0536281Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0536281Y2 JPH0536281Y2 JP1986160363U JP16036386U JPH0536281Y2 JP H0536281 Y2 JPH0536281 Y2 JP H0536281Y2 JP 1986160363 U JP1986160363 U JP 1986160363U JP 16036386 U JP16036386 U JP 16036386U JP H0536281 Y2 JPH0536281 Y2 JP H0536281Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving surface
- photoelectric conversion
- semiconductor film
- surface electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electromechanical Clocks (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は光エネルギを電気エネルギに変換する
光起電力装置に関する。
光起電力装置に関する。
(ロ) 従来の技術
光起電力装置、所謂太陽電池の応用が進展する
に伴ない、単に性能、機能の向上のみならず、デ
ザイン面でも目的に応じた機器にマツチしたもの
が要求されるようになつてきた。特に腕時計のよ
うにデザインが重要な要素となつている機器では
漸新なデザインの太陽電池が要求される。特公昭
58−21827号公報に開示された太陽電池は透光性
支持基板の一方の主面に、薄膜形成プロセスを利
用して受光面電極、半導体膜及び背面電極の積層
体からなる光電変換素子を複数個形成し、それら
複数個の光電変換素子を電気的に直列接続するこ
とによつて単位光電変換素子により得られる複数
倍の電圧を得、一枚の支持基板単独で機器を動作
せしめることができると共に、薄膜状をなすが故
に任意の形状に設計することができ、デザイン的
に有利である。
に伴ない、単に性能、機能の向上のみならず、デ
ザイン面でも目的に応じた機器にマツチしたもの
が要求されるようになつてきた。特に腕時計のよ
うにデザインが重要な要素となつている機器では
漸新なデザインの太陽電池が要求される。特公昭
58−21827号公報に開示された太陽電池は透光性
支持基板の一方の主面に、薄膜形成プロセスを利
用して受光面電極、半導体膜及び背面電極の積層
体からなる光電変換素子を複数個形成し、それら
複数個の光電変換素子を電気的に直列接続するこ
とによつて単位光電変換素子により得られる複数
倍の電圧を得、一枚の支持基板単独で機器を動作
せしめることができると共に、薄膜状をなすが故
に任意の形状に設計することができ、デザイン的
に有利である。
然し乍ら、複数の光電変換領域に跨る半導体膜
は通常マスクを利用した選択形成手法により形成
されているために、その外周縁は形成されつつあ
る半導体材料が回り込んだりしてにじみが発生す
ることがあり輪郭が不鮮明なパターンとなり外観
を損ねていた。
は通常マスクを利用した選択形成手法により形成
されているために、その外周縁は形成されつつあ
る半導体材料が回り込んだりしてにじみが発生す
ることがあり輪郭が不鮮明なパターンとなり外観
を損ねていた。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案は上記半導体膜の外周縁の輪郭が不鮮明
となる点を解決し、薄膜状光電変換素子の持つ利
点を有効に活用してデザイン的に、かつ光電変換
特性の優れた光起電力装置を提供するものであ
る。
となる点を解決し、薄膜状光電変換素子の持つ利
点を有効に活用してデザイン的に、かつ光電変換
特性の優れた光起電力装置を提供するものであ
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案光起電力装置は上記問題点を解決するた
めに、透光性支持基板、該支持基板の一方の主面
に於ける複数の光電変換領域毎に個別に分割配置
された透光性の受光面電極、該受光面電極の外周
縁を囲繞してこれに接すると共に、各光電変換領
域の分離帯を除く上記支持基板の一方の主面を上
記受光面電極と共にほぼ導電的に覆う金属膜、該
金属膜上に外周縁が位置して上記複数の光電変換
領域に跨つて形成された半導体膜、該半導体膜を
挟んで受光面電極と対向する背面電極、を備えた
ことを特徴とする。
めに、透光性支持基板、該支持基板の一方の主面
に於ける複数の光電変換領域毎に個別に分割配置
された透光性の受光面電極、該受光面電極の外周
縁を囲繞してこれに接すると共に、各光電変換領
域の分離帯を除く上記支持基板の一方の主面を上
記受光面電極と共にほぼ導電的に覆う金属膜、該
金属膜上に外周縁が位置して上記複数の光電変換
領域に跨つて形成された半導体膜、該半導体膜を
挟んで受光面電極と対向する背面電極、を備えた
ことを特徴とする。
(ホ) 作用
上記の如く半導体膜は金属膜上に外周縁が位置
して複数の光電変換領域に跨つて形成されること
により、該半導体膜の外周縁は金属膜により可視
的に遮断される。
して複数の光電変換領域に跨つて形成されること
により、該半導体膜の外周縁は金属膜により可視
的に遮断される。
(ヘ) 実施例
第１図乃至第５図は本考案光起電力装置の一実
施例を示し、第１図は光照射側から臨んだ正面
図、第２図は背面図、第３図は第２図に於ける
−′線断面図、第４図は第２図に於ける−
′線断面図、第５図は第２図に於ける−′線
断面図である。これら第１図乃至第５図に於い
て、１はガラス等の絶縁材料からなる透光性支持
基板、２ａ，２ｂ，２ｃは該支持基板１の一方の
主面１ａに於ける複数の光電変換領域Ａ、Ｂ、Ｃ
毎に個別に分配配置された長方形状のSnO2、
ITOの単層或いは積層構造からなる透光性の受光
面電極、３ａ，３ｂ，３ｃは該受光面電極２ａ，
２ｂ，２ｃの外周縁と接し上記支持基板１の一方
の主面１ａを上記受光面電極２ａ，２ｂ，２ｃと
共にほぼ導電的に覆うAl、Ti等の金属膜で、該
金属膜３ａ，３ｂ，３ｃは各光電変換領域Ａ、
Ｂ、Ｃ毎に分離すべく上記受光面電極２ａ，２
ｂ，２ｃの隣接間隔中心に沿つてレーザビームの
照射により僅小幅の分離溝４ab，４bcが形成さ
れている。斯る分離溝４ab，４bcは支持基板１
の一方の長辺に於いて左側の光電変換領域Ｂ、Ｃ
に向つて鉤状に屈曲し、上記金属膜３ａ，３ｂの
延長部分３ab，３bcも形成している。
施例を示し、第１図は光照射側から臨んだ正面
図、第２図は背面図、第３図は第２図に於ける
−′線断面図、第４図は第２図に於ける−
′線断面図、第５図は第２図に於ける−′線
断面図である。これら第１図乃至第５図に於い
て、１はガラス等の絶縁材料からなる透光性支持
基板、２ａ，２ｂ，２ｃは該支持基板１の一方の
主面１ａに於ける複数の光電変換領域Ａ、Ｂ、Ｃ
毎に個別に分配配置された長方形状のSnO2、
ITOの単層或いは積層構造からなる透光性の受光
面電極、３ａ，３ｂ，３ｃは該受光面電極２ａ，
２ｂ，２ｃの外周縁と接し上記支持基板１の一方
の主面１ａを上記受光面電極２ａ，２ｂ，２ｃと
共にほぼ導電的に覆うAl、Ti等の金属膜で、該
金属膜３ａ，３ｂ，３ｃは各光電変換領域Ａ、
Ｂ、Ｃ毎に分離すべく上記受光面電極２ａ，２
ｂ，２ｃの隣接間隔中心に沿つてレーザビームの
照射により僅小幅の分離溝４ab，４bcが形成さ
れている。斯る分離溝４ab，４bcは支持基板１
の一方の長辺に於いて左側の光電変換領域Ｂ、Ｃ
に向つて鉤状に屈曲し、上記金属膜３ａ，３ｂの
延長部分３ab，３bcも形成している。
５は上記受光面電極２ａ，２ｂ，２ｃ上のみな
らずその外周縁５ａが上記金属膜３ａ，３ｂ，３
ｃ上に位置して形成された半導体膜で、従つて該
半導体膜５は複数の光電変換領域Ａ、Ｂ、Ｃに跨
つて一様に設けられているにも拘らず半導体膜５
に外周から上記金属膜３ａ，３ｂ，３ｃが露出し
ている。斯る半導体膜５は、例えばシラン
（SiH4）、ジシラン（Si2H6）、四弗化シリコン
（SiF4）等のシリコン化合物ガスを主原料ガスと
し、メタン（CH4）、エチレン（C2H4）、アセチ
レン（C2H2）等のハイドロカーボンや、アンモ
ニア（NH3）、窒素（N2）、ゲルマン（GeH4）等
を適宜添加したり、またジボラン（B2H6）、ホス
フイン（pH3）等のｐ型、ｎ型決定不純物を混入
せしめた雰囲気中での高周波プラズマ分解が低圧
水銀ランプを使用した光分解により形成され、好
ましくは膜面に平行なpin接合を形成すべく受光
面電極２ａ，２ｂ，２ｃと接する側からボロンド
ーブのアモルフアスシリコンカーバイドのｐ型層
と、ノンドープなアモルフアスシリコンの１型層
と、リンドープのアモルフアスシリコンのｎ型層
の積層体からなつている。
らずその外周縁５ａが上記金属膜３ａ，３ｂ，３
ｃ上に位置して形成された半導体膜で、従つて該
半導体膜５は複数の光電変換領域Ａ、Ｂ、Ｃに跨
つて一様に設けられているにも拘らず半導体膜５
に外周から上記金属膜３ａ，３ｂ，３ｃが露出し
ている。斯る半導体膜５は、例えばシラン
（SiH4）、ジシラン（Si2H6）、四弗化シリコン
（SiF4）等のシリコン化合物ガスを主原料ガスと
し、メタン（CH4）、エチレン（C2H4）、アセチ
レン（C2H2）等のハイドロカーボンや、アンモ
ニア（NH3）、窒素（N2）、ゲルマン（GeH4）等
を適宜添加したり、またジボラン（B2H6）、ホス
フイン（pH3）等のｐ型、ｎ型決定不純物を混入
せしめた雰囲気中での高周波プラズマ分解が低圧
水銀ランプを使用した光分解により形成され、好
ましくは膜面に平行なpin接合を形成すべく受光
面電極２ａ，２ｂ，２ｃと接する側からボロンド
ーブのアモルフアスシリコンカーバイドのｐ型層
と、ノンドープなアモルフアスシリコンの１型層
と、リンドープのアモルフアスシリコンのｎ型層
の積層体からなつている。
６ａ，６ｂ，６ｃは各光電変換領域Ａ、Ｂ、Ｃ
に於いて上記半導体膜５を挟んで受光面電極２
ａ，２ｂ，２ｃと対向するAl、Ag、Al／Ti、
Al／TiAg、ITO／Ag、SnO2／Ag、ITO／Al、
SnO2／Al、ITO／Al／Ti、SnO2／Al／Ti等の
単層或いは積層構造の背面電極で、受光面電極２
ａ，２ｂ，２ｃ、半導体膜５及び背面電極６ａ，
６ｂ，６ｃの積層部分で単位光電変換素子７ａ，
７ｂ，７ｃが構成されている。そして斯る単位光
電変換素子７ａ，７ｂ，７ｃは第２図及び第４図
に示す如く両図に於いて左隣りの単位光電変換素
子７ａ，７ｂの受光面電極２ａ，２ｂと連なる金
属膜３ａ，３ｂの延長部分３ab，３bcと、該延
長部分３ab，３bcに向つて半導体膜５の外周縁
５ｅを越えて延在した背面電極６ｂ，６ｃの延長
部分６ab，６bcとが重畳することによつて互い
に電気的に直列接続されそれらの直列出力は左端
の光電変換素子７ａの背面電極６ａ、延長部分６
a0と島状金属膜３′の積層体からなる一方の出力
端子８１と右端の光電変換素子７ｃの受光面電極
２ｃと連なる金属膜３ｃの延長部分３c0からなる
他方の出力端子８２から導出される。
に於いて上記半導体膜５を挟んで受光面電極２
ａ，２ｂ，２ｃと対向するAl、Ag、Al／Ti、
Al／TiAg、ITO／Ag、SnO2／Ag、ITO／Al、
SnO2／Al、ITO／Al／Ti、SnO2／Al／Ti等の
単層或いは積層構造の背面電極で、受光面電極２
ａ，２ｂ，２ｃ、半導体膜５及び背面電極６ａ，
６ｂ，６ｃの積層部分で単位光電変換素子７ａ，
７ｂ，７ｃが構成されている。そして斯る単位光
電変換素子７ａ，７ｂ，７ｃは第２図及び第４図
に示す如く両図に於いて左隣りの単位光電変換素
子７ａ，７ｂの受光面電極２ａ，２ｂと連なる金
属膜３ａ，３ｂの延長部分３ab，３bcと、該延
長部分３ab，３bcに向つて半導体膜５の外周縁
５ｅを越えて延在した背面電極６ｂ，６ｃの延長
部分６ab，６bcとが重畳することによつて互い
に電気的に直列接続されそれらの直列出力は左端
の光電変換素子７ａの背面電極６ａ、延長部分６
a0と島状金属膜３′の積層体からなる一方の出力
端子８１と右端の光電変換素子７ｃの受光面電極
２ｃと連なる金属膜３ｃの延長部分３c0からなる
他方の出力端子８２から導出される。
而して、本考案の特徴は支持基板１の一方の主
面１ａを透光性の受光面電極２ａ，２ｂ，２ｃと
共に金属膜３ａ，３ｂ，３ｃで実質的に覆い、半
導体膜５の外周縁５ｅを上記金属膜３ａ，３ｂ，
３ｃ上に位置せしめたところにある。即ち、半導
体膜５の外周縁５ｅを金属膜３ａ，３ｂ，３ｃ上
に位置せしめると、第１図に破線で示した如く受
光面を臨んだとき該半導体膜５の外周縁５ｅのほ
ぼ全体は上記金属膜３ａ，３ｂ，３ｃにより可視
的に遮断されることになる。従つて半導体膜５の
外周縁５ｅが不鮮明となつても、外部から見える
ことはなく、また背面電極６ａ，６ｂ，６ｃも遮
断される。
面１ａを透光性の受光面電極２ａ，２ｂ，２ｃと
共に金属膜３ａ，３ｂ，３ｃで実質的に覆い、半
導体膜５の外周縁５ｅを上記金属膜３ａ，３ｂ，
３ｃ上に位置せしめたところにある。即ち、半導
体膜５の外周縁５ｅを金属膜３ａ，３ｂ，３ｃ上
に位置せしめると、第１図に破線で示した如く受
光面を臨んだとき該半導体膜５の外周縁５ｅのほ
ぼ全体は上記金属膜３ａ，３ｂ，３ｃにより可視
的に遮断されることになる。従つて半導体膜５の
外周縁５ｅが不鮮明となつても、外部から見える
ことはなく、また背面電極６ａ，６ｂ，６ｃも遮
断される。
(ト) 考案の効果
本考案は以上の説明から明らかな如く金属膜上
に半導体膜の外周縁が位置して形成されることに
より、該半導体膜の外周縁は金属膜により可視的
に遮断されるので、半導体膜の外周縁ににじみ等
が発生して、輪郭が不鮮明となつても、斯る外周
縁に露出することはなく、従つて、外観不良を回
避し得、薄膜状光電変換素子の持つ利点を有効に
活用してデザイン的に優れた光起電力装置を提供
することができる。
に半導体膜の外周縁が位置して形成されることに
より、該半導体膜の外周縁は金属膜により可視的
に遮断されるので、半導体膜の外周縁ににじみ等
が発生して、輪郭が不鮮明となつても、斯る外周
縁に露出することはなく、従つて、外観不良を回
避し得、薄膜状光電変換素子の持つ利点を有効に
活用してデザイン的に優れた光起電力装置を提供
することができる。
更に、本考案によれば、受光面電極の外周縁と
接する金属膜は、受光面電極の実質的な抵抗を低
減させ、受光面電極による抵抗損失を抑制するこ
とができる。その場合、金属膜は、透光性の受光
面電極の外周縁に接するだけであるので、受光面
電極への光入射を殆ど妨げず、また受光面電極の
主たる受光部は平坦なままであるので、この上に
形成される半導体膜及び背面電極に悪影響を及ぼ
すこともない。従つて、光電変換特性の優れた光
起電力装置を提供することができる。
接する金属膜は、受光面電極の実質的な抵抗を低
減させ、受光面電極による抵抗損失を抑制するこ
とができる。その場合、金属膜は、透光性の受光
面電極の外周縁に接するだけであるので、受光面
電極への光入射を殆ど妨げず、また受光面電極の
主たる受光部は平坦なままであるので、この上に
形成される半導体膜及び背面電極に悪影響を及ぼ
すこともない。従つて、光電変換特性の優れた光
起電力装置を提供することができる。
図は全て本考案光起電力装置の一実施例を示
し、第１図は光照射側から臨んだ正面図、第２図
は背面図、第３図は第２図に於ける−′線断
面図、第４図は第２図に於ける−′線断面図、
第５図は第２図に於ける−′線断面図で、１
は透光性支持基板、２ａ，２ｂ，２ｃは受光面電
極、３ａ，３ｂ，３ｃは金属膜、４ab，４bcは
分離溝、５は半導体膜、６ａ，６ｂ，６ｃは背面
電極、を夫々示している。
し、第１図は光照射側から臨んだ正面図、第２図
は背面図、第３図は第２図に於ける−′線断
面図、第４図は第２図に於ける−′線断面図、
第５図は第２図に於ける−′線断面図で、１
は透光性支持基板、２ａ，２ｂ，２ｃは受光面電
極、３ａ，３ｂ，３ｃは金属膜、４ab，４bcは
分離溝、５は半導体膜、６ａ，６ｂ，６ｃは背面
電極、を夫々示している。
Claims (1)
- 透光性支持基板、該支持基板の一方の主面に於
ける複数の光電変換領域毎に個別に分割配置され
た透光性の受光面電極、該受光面電極の外周縁を
囲繞してこれに接すると共に、各光電変換領域の
分離帯を除く上記支持基板の一方の主面を上記受
光面電極と共にほぼ導電的に覆う金属膜、該金属
膜上に外周縁が位置して上記複数の光電変換領域
に跨つて形成された半導体膜、該半導体膜を挟ん
で受光面電極と対向する背面電極、を備えたこと
を特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160363U JPH0536281Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986160363U JPH0536281Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365254U JPS6365254U (ja) | 1988-04-30 |
| JPH0536281Y2 true JPH0536281Y2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=31085676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986160363U Expired - Lifetime JPH0536281Y2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536281Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167372A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP1986160363U patent/JPH0536281Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365254U (ja) | 1988-04-30 |
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