JPH0536509B2 - - Google Patents
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- JPH0536509B2 JPH0536509B2 JP59234239A JP23423984A JPH0536509B2 JP H0536509 B2 JPH0536509 B2 JP H0536509B2 JP 59234239 A JP59234239 A JP 59234239A JP 23423984 A JP23423984 A JP 23423984A JP H0536509 B2 JPH0536509 B2 JP H0536509B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching solution
- electrolytic cell
- regenerated
- liquid
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エツチング液に含まれているエツチ
ング剤を再酸化するためにアンモニアと酸素が供
給され、かつエツチングされた金属の少なくとも
一部を回収するためにエツチング液を電解槽を流
過させて行うアンモニア性エツチング液を再生す
るための方法に関する。
ング剤を再酸化するためにアンモニアと酸素が供
給され、かつエツチングされた金属の少なくとも
一部を回収するためにエツチング液を電解槽を流
過させて行うアンモニア性エツチング液を再生す
るための方法に関する。
また本発明は、エツチング室から取出され、再
生されるエツチング液にアンモニアと酸素を供給
するための装置にエツチング液を供給するための
供給部と再生されたエツチング液をエツチング室
に戻すための、上記装置に接続された戻し部並び
にエツチング液の一部分のための供給部に接続さ
れたエツチング剤導管が開口している電解槽とを
備えた、上記の方法を実施するための装置にも関
する。
生されるエツチング液にアンモニアと酸素を供給
するための装置にエツチング液を供給するための
供給部と再生されたエツチング液をエツチング室
に戻すための、上記装置に接続された戻し部並び
にエツチング液の一部分のための供給部に接続さ
れたエツチング剤導管が開口している電解槽とを
備えた、上記の方法を実施するための装置にも関
する。
アルカリ性エツチング剤は、金属物品のエツチ
ング、特に“印刷回路”の名称でも知られている
導体板の製造用に、なかんずくエツチングされる
べき導体板が酸性エツチング剤に対して抵抗性で
ない金属部材、例えば鉛、スズまたはニツケルか
ら成る部材である場合に、使用される。金属エツ
チングの終つた後のアルカリ性エツチング液の再
酸化は、酸素または空気の存在下にアンモニアガ
スおよび／または塩化アンモニウムの添加のもと
に行われる。
ング、特に“印刷回路”の名称でも知られている
導体板の製造用に、なかんずくエツチングされる
べき導体板が酸性エツチング剤に対して抵抗性で
ない金属部材、例えば鉛、スズまたはニツケルか
ら成る部材である場合に、使用される。金属エツ
チングの終つた後のアルカリ性エツチング液の再
酸化は、酸素または空気の存在下にアンモニアガ
スおよび／または塩化アンモニウムの添加のもと
に行われる。
ドイツ連邦共和国公開特許第3031567号公報か
ら、エツチング自体を、しかもまたエツチング液
の再酸化をも促進し、したがつて有毒に残存溶液
を生じる化学的な酸化剤の添加を節減させる触媒
粒子をエツチング液内に懸濁することが知られて
いる。この公知の方法にあつては、エツチングさ
れた金属は電解槽内で析出される。これに加え
て、硫酸アンモニアを含んでいるエツチング液の
一部分が電解槽を流過させられる。析出された金
属は電解槽の陰極側に析出し、陽極側には酸素が
生じる。金属イオンが僅少となつたエツチング液
はエツチング室に戻される。
ら、エツチング自体を、しかもまたエツチング液
の再酸化をも促進し、したがつて有毒に残存溶液
を生じる化学的な酸化剤の添加を節減させる触媒
粒子をエツチング液内に懸濁することが知られて
いる。この公知の方法にあつては、エツチングさ
れた金属は電解槽内で析出される。これに加え
て、硫酸アンモニアを含んでいるエツチング液の
一部分が電解槽を流過させられる。析出された金
属は電解槽の陰極側に析出し、陽極側には酸素が
生じる。金属イオンが僅少となつたエツチング液
はエツチング室に戻される。
電解槽内で析出し得る金属の量は再生されるべ
きエツチング液の金属含有量に依存して調節され
る。エツチング液内の金属含有量は最低値を下廻
つてはならない。この場合、調節の遅滞は可能な
限り僅かであるように努めなければならない。貧
化されたエツチング液をエツチング室或いはエツ
チング室に流れる再生されたエツチング液内に導
入した場合、調節遅滞は場所およびエツチング室
と再生装置間の場所的な距離も依存する。再生装
置に接続している多数のエツチング室も調整を左
右する。
きエツチング液の金属含有量に依存して調節され
る。エツチング液内の金属含有量は最低値を下廻
つてはならない。この場合、調節の遅滞は可能な
限り僅かであるように努めなければならない。貧
化されたエツチング液をエツチング室或いはエツ
チング室に流れる再生されたエツチング液内に導
入した場合、調節遅滞は場所およびエツチング室
と再生装置間の場所的な距離も依存する。再生装
置に接続している多数のエツチング室も調整を左
右する。
本発明は互いは、エツチング液内の金属濃度の
へんたに即時に対応しかつ再生装置およびエツチ
ング室の設置にあつて場所的な所与の条件に依存
することなく可能な調整が行われる、エツチング
液を再生するための方法を提供することである。
へんたに即時に対応しかつ再生装置およびエツチ
ング室の設置にあつて場所的な所与の条件に依存
することなく可能な調整が行われる、エツチング
液を再生するための方法を提供することである。
上記の課題は冒頭記載した様式の方法にあつて
本発明により特許請求の範囲第１項に記載の構成
によつて解決される。
本発明により特許請求の範囲第１項に記載の構成
によつて解決される。
電解槽から取出された金属イオンが貧化された
エツチング液はエツチング室から流出する再生す
べきエツチング液内に直接導入される。したがつ
て、エツチング液中の金属イオンの濃度を測定す
る装置により極めて短い時間に貧化されたエツチ
ング液の混合によつて達せられるエツチング液中
の金属成分の実際値を検出することができる。し
たがつて調整区間の死時間は著しく短縮される。
エツチング液はエツチング室から流出する再生す
べきエツチング液内に直接導入される。したがつ
て、エツチング液中の金属イオンの濃度を測定す
る装置により極めて短い時間に貧化されたエツチ
ング液の混合によつて達せられるエツチング液中
の金属成分の実際値を検出することができる。し
たがつて調整区間の死時間は著しく短縮される。
本発明による方法を実施するための装置は特許
請求の範囲第２項に記載されている。この装置
は、エツチング室から取出され、再生されるエツ
チング液にアンモニアと酵素を供給するための装
置にエツチング液を供給するための供給部と再生
されたエツチング液をエツチング室に戻すため
の、上記装置に接続された戻し部並びにエツチン
グ液の一部分のための供給部に接続されたエツチ
ング剤導管が開口している電解槽とを備えてい
る。エツチング液は酵素の供給下に再生される。
再生すべきエツチング液のための供給部に接続さ
れているエツチング剤導管内をエツチング液の一
部分がエツチングされた金属の析出のため電解液
槽へと流れる。再生装置とエツチング室との設置
位置に依存しない調整を短時間の調整遅滞で達す
るため、電解槽に金属イオンが貧化されたエツチ
ング液のため取出し導管が接続されており、この
取出し導管は再生すべきエツチング液の供給部に
通じている。
請求の範囲第２項に記載されている。この装置
は、エツチング室から取出され、再生されるエツ
チング液にアンモニアと酵素を供給するための装
置にエツチング液を供給するための供給部と再生
されたエツチング液をエツチング室に戻すため
の、上記装置に接続された戻し部並びにエツチン
グ液の一部分のための供給部に接続されたエツチ
ング剤導管が開口している電解槽とを備えてい
る。エツチング液は酵素の供給下に再生される。
再生すべきエツチング液のための供給部に接続さ
れているエツチング剤導管内をエツチング液の一
部分がエツチングされた金属の析出のため電解液
槽へと流れる。再生装置とエツチング室との設置
位置に依存しない調整を短時間の調整遅滞で達す
るため、電解槽に金属イオンが貧化されたエツチ
ング液のため取出し導管が接続されており、この
取出し導管は再生すべきエツチング液の供給部に
通じている。
特許請求の範囲第３項による本発明の他の構成
により、電解槽における取出し導管は電解液のた
めの溢流部に接続されている。したがつて金属イ
オンが貧化されたエツチング液は再生されるべき
エツチング液が電解槽内に流入した直後この電解
槽から導出され、再生すべきエツチング液と混合
される。これにより、調整区間の死時間が更に短
縮される。取出し導管は補集容器に開口してお
り、この捕集容器内にエツチング室から導出され
る再生すべきエツチング剤が連通している管系を
介して流入する。したがつてエツチング室と捕集
容器は常に同じエツチング液水準を有し、エツチ
ング液をエツチング室から再生装置へと移流させ
るための付加的な送り装置ユニツトを設けなくと
もよい。
により、電解槽における取出し導管は電解液のた
めの溢流部に接続されている。したがつて金属イ
オンが貧化されたエツチング液は再生されるべき
エツチング液が電解槽内に流入した直後この電解
槽から導出され、再生すべきエツチング液と混合
される。これにより、調整区間の死時間が更に短
縮される。取出し導管は補集容器に開口してお
り、この捕集容器内にエツチング室から導出され
る再生すべきエツチング剤が連通している管系を
介して流入する。したがつてエツチング室と捕集
容器は常に同じエツチング液水準を有し、エツチ
ング液をエツチング室から再生装置へと移流させ
るための付加的な送り装置ユニツトを設けなくと
もよい。
極めてコンパクトな配設と再生装置の簡単な構
成は特許請求の範囲第５項による特徴によつて達
せられる。この構成により、エツチング液のため
の捕集容器、電解槽および送り装置ユニツト並び
に酸素供給部は共通のケーシング内に設けられて
おり、このケーシングは供給部と戻し部とを介し
てのみエツチング室と接続されているに過ぎな
い。
成は特許請求の範囲第５項による特徴によつて達
せられる。この構成により、エツチング液のため
の捕集容器、電解槽および送り装置ユニツト並び
に酸素供給部は共通のケーシング内に設けられて
おり、このケーシングは供給部と戻し部とを介し
てのみエツチング室と接続されているに過ぎな
い。
以下に添付図面に図示した実施例につき本発明
を詳説する。
を詳説する。
図面において、洗滌器２を備えたエツチング室
１に接続されている。再生装置が概略図示されて
いる。硫酸アンモニウムを銅テトラミン錯塩との
結合の形でエツチング剤として含んでいる再生す
べきエツチング液はエツチング室１から供給導管
３を経て捕集容器４内に流入する。この捕集容器
は連通している管系を介してエツチング室に接続
されている。この実施例にあつては、供給部３内
のエツチング液は結合管内を自然の落差でもつて
エツチング室１から捕集容器４内に流入する。捕
集容器４から、再生すべきエツチング液はポンプ
５により圧力導管６を介して管接続部７へと導か
れる。この管接続部から出発してエツチング剤導
管８が電解槽９へと通じている。エツチング剤導
管８内に挿入された流量調節装置１０は電解槽９
に流入するエツチング液の割合を決定する。
１に接続されている。再生装置が概略図示されて
いる。硫酸アンモニウムを銅テトラミン錯塩との
結合の形でエツチング剤として含んでいる再生す
べきエツチング液はエツチング室１から供給導管
３を経て捕集容器４内に流入する。この捕集容器
は連通している管系を介してエツチング室に接続
されている。この実施例にあつては、供給部３内
のエツチング液は結合管内を自然の落差でもつて
エツチング室１から捕集容器４内に流入する。捕
集容器４から、再生すべきエツチング液はポンプ
５により圧力導管６を介して管接続部７へと導か
れる。この管接続部から出発してエツチング剤導
管８が電解槽９へと通じている。エツチング剤導
管８内に挿入された流量調節装置１０は電解槽９
に流入するエツチング液の割合を決定する。
管接続部７には更に液体噴射ポンプ１２へ通じ
ている結合導管１１が接続されている。この液体
噴射ポンプ１２により、戻り部１３内をエツチン
グ室内に還流するエツチング液を再酸化するため
酸素が導入される。液体噴射ポンプの吸込み接続
管１４にはガス導管１５が接続されており、この
ガス導管は電解槽９内で電解液の上方のガス室内
に開口しており、酸素を供給される。この酸素は
陽極１７において金属が析出する際電解槽９の陰
極１６において形成される。液体噴射ポンプ１２
の作業剤としてはポンプ５から圧力導管６を介し
て結合導管１１内に送られるエツチング液が役立
つ。
ている結合導管１１が接続されている。この液体
噴射ポンプ１２により、戻り部１３内をエツチン
グ室内に還流するエツチング液を再酸化するため
酸素が導入される。液体噴射ポンプの吸込み接続
管１４にはガス導管１５が接続されており、この
ガス導管は電解槽９内で電解液の上方のガス室内
に開口しており、酸素を供給される。この酸素は
陽極１７において金属が析出する際電解槽９の陰
極１６において形成される。液体噴射ポンプ１２
の作業剤としてはポンプ５から圧力導管６を介し
て結合導管１１内に送られるエツチング液が役立
つ。
ガス導管１５内には、アンモニアを供給するた
めアンモニア導管１８が通じており、このアンモ
ニア導管は遮断装置１９により開閉可能なアンモ
ニアのための貯蔵容器２０に接続されている。し
たがつて、液体噴射ポンプ１２から、エツチング
液のPH−値を調節するため、電解槽から吸引され
たかつ酸素を含むガスと共に新鮮なアンモニアが
エツチング液内に導入可能である。遮断装置１９
はこの目的のためエツチング剤導管８内に挿入さ
れている測定電極を有するPH−値−測定装置２１
と作用結合している。PH−値が所定の許容限界値
を下廻つた場合、遮断装置１９は開かれ、エツチ
ング液内にアンモニアが導入される。PH−値測定
装置は遮断装置１９を電気的な制御ユニツトを介
して作動させる。
めアンモニア導管１８が通じており、このアンモ
ニア導管は遮断装置１９により開閉可能なアンモ
ニアのための貯蔵容器２０に接続されている。し
たがつて、液体噴射ポンプ１２から、エツチング
液のPH−値を調節するため、電解槽から吸引され
たかつ酸素を含むガスと共に新鮮なアンモニアが
エツチング液内に導入可能である。遮断装置１９
はこの目的のためエツチング剤導管８内に挿入さ
れている測定電極を有するPH−値−測定装置２１
と作用結合している。PH−値が所定の許容限界値
を下廻つた場合、遮断装置１９は開かれ、エツチ
ング液内にアンモニアが導入される。PH−値測定
装置は遮断装置１９を電気的な制御ユニツトを介
して作動させる。
液体噴射ポンプ１２のて手前において、エツチ
ング液の捕集容器４器内への流出部に通じている
圧力除荷導管２２が開口している。
ング液の捕集容器４器内への流出部に通じている
圧力除荷導管２２が開口している。
エツチング導管８内には、流過量調節装置１０
とPH−値−測定装置２１以外に金属イオン濃度を
測定するための装置２３が設けられている。エツ
チング液内の金属イオン濃度は電解槽の作業様式
を決定する。この目的のためこの装置２３はエツ
チング剤導管８の端部に挿入されておりかつ磁石
によつて制御される三路弁２４と作用結合されて
おり、この三路弁には一方ではエツチング剤導管
８の電解槽９に通じている端部片８′が接続され
ており、他方では捕集容器４に開口してる迂回導
管２５が接続されている。三路弁２４は電解槽９
方向に開いている。エツチング液の金属イオン濃
度が所定の値を下廻つた際、三路弁２４が切換え
られる。その際エツチング液はこの迂回導管２５
を介して流去する。電解槽は遮断される。
とPH−値−測定装置２１以外に金属イオン濃度を
測定するための装置２３が設けられている。エツ
チング液内の金属イオン濃度は電解槽の作業様式
を決定する。この目的のためこの装置２３はエツ
チング剤導管８の端部に挿入されておりかつ磁石
によつて制御される三路弁２４と作用結合されて
おり、この三路弁には一方ではエツチング剤導管
８の電解槽９に通じている端部片８′が接続され
ており、他方では捕集容器４に開口してる迂回導
管２５が接続されている。三路弁２４は電解槽９
方向に開いている。エツチング液の金属イオン濃
度が所定の値を下廻つた際、三路弁２４が切換え
られる。その際エツチング液はこの迂回導管２５
を介して流去する。電解槽は遮断される。
電解槽の出口から電解液溢流部２６が金属イオ
ンを貧化されたエツチング液を取出し導管２７を
介して捕集容器４に案内する。ここで貧化された
エツチング液は捕集容器内で再生されるべきエツ
チング液と混合され、こうしてその金属イオン濃
度が低減される。
ンを貧化されたエツチング液を取出し導管２７を
介して捕集容器４に案内する。ここで貧化された
エツチング液は捕集容器内で再生されるべきエツ
チング液と混合され、こうしてその金属イオン濃
度が低減される。
再生すべきエツチング液は捕集容器４からポン
プ５で吸引され、エツチング剤導管８内を流過量
測定装置１０とPH−値−測定装置１２を経て装置
２３に送られ、この装置はエツチング液内の低減
された金属イオン濃度に応動する。
プ５で吸引され、エツチング剤導管８内を流過量
測定装置１０とPH−値−測定装置１２を経て装置
２３に送られ、この装置はエツチング液内の低減
された金属イオン濃度に応動する。
更に、電解槽９の下方には流出容器２８が設け
られている。この流出容器は電解槽お空らにする
働きをし、電磁弁３０により遮断可能な流出口２
９を介して電解槽９の底部に接続されている。エ
ツチング液は第二の溢流部３１を経ても電解槽９
内で循環させるためには溶剤ポンプ３２が働く。
この溶剤ポンプは、その吸込み導管３３でもつ
て、エツチング液が溢流部３１を経て流入する流
出容器２８内に浸漬しており、エツチング液をフ
イルタ３４を介してその圧力導管３５を通して電
解槽内に戻す。エツチング液は、この実施例で
は、陽極１７との間で電解槽内に流入する。電解
槽が遮断された後、エツチング液は電磁弁が開か
れることにより流出容器２８内に空けられる電解
槽を新めて作動させる以前に、エツチング液は溶
剤ポンプ３２により流出容器から電解槽内に戻さ
れる。
られている。この流出容器は電解槽お空らにする
働きをし、電磁弁３０により遮断可能な流出口２
９を介して電解槽９の底部に接続されている。エ
ツチング液は第二の溢流部３１を経ても電解槽９
内で循環させるためには溶剤ポンプ３２が働く。
この溶剤ポンプは、その吸込み導管３３でもつ
て、エツチング液が溢流部３１を経て流入する流
出容器２８内に浸漬しており、エツチング液をフ
イルタ３４を介してその圧力導管３５を通して電
解槽内に戻す。エツチング液は、この実施例で
は、陽極１７との間で電解槽内に流入する。電解
槽が遮断された後、エツチング液は電磁弁が開か
れることにより流出容器２８内に空けられる電解
槽を新めて作動させる以前に、エツチング液は溶
剤ポンプ３２により流出容器から電解槽内に戻さ
れる。
銅をエツチングするためこの実施例では硫酸ア
ンモニウムおよび銅テトラミン錯塩を含んでいる
エツチング液が使用される。エツチング室と再生
装置との間で150のエツチング液が循環して案
内される。新鮮なエツチング液は１当り150
の硫酸アンモニウムおよび50ｇの銅を含んでい
る。エツチング室内ではPH−値９に調節されたエ
ツチングは50℃の温度でエツチングすべき工作物
にノズルを使用して噴霧される。銅積層をもつて
導体板がエツチングされる。エツチング速度はこ
の場合１分当り30μｍの銅表面盛付けの値であ
る。
ンモニウムおよび銅テトラミン錯塩を含んでいる
エツチング液が使用される。エツチング室と再生
装置との間で150のエツチング液が循環して案
内される。新鮮なエツチング液は１当り150
の硫酸アンモニウムおよび50ｇの銅を含んでい
る。エツチング室内ではPH−値９に調節されたエ
ツチングは50℃の温度でエツチングすべき工作物
にノズルを使用して噴霧される。銅積層をもつて
導体板がエツチングされる。エツチング速度はこ
の場合１分当り30μｍの銅表面盛付けの値であ
る。
再生装置内に取付けられた電解槽は600ｇCu／
ｈの析出率を有している。電解槽は860Aの直流
で働く。これは860cm2の電極表面積にあつて
10A／ｄm2の電流密度に相当する。金属が陰極に
おいて析出するのでエツチング液は電解槽を流過
する際20ｇCu／だけ貧化される。
ｈの析出率を有している。電解槽は860Aの直流
で働く。これは860cm2の電極表面積にあつて
10A／ｄm2の電流密度に相当する。金属が陰極に
おいて析出するのでエツチング液は電解槽を流過
する際20ｇCu／だけ貧化される。
再生装置内でエツチング液はアンモニアを添加
されることにより基準値としてのPH−値９に調節
されることにより偉人値としてのPH−値９に調節
される。流量調節装置は１時間当りエツチング液
30の基準値の場合２／ｈの調節差で働く。エ
ツチング液内で装置２３により金属含有量を測定
した際、53ｇCu／の銅濃度が測定された場合、
三路弁の相応する位置においてエツチング液が銅
濃度が50ｇCu／に低下されるまで電解槽に導
かれる。この値で三路弁２４が切換えられ、電解
槽が遮断される。電解槽内で金属イオンが貧化さ
れたエツチング液は捕集容器内に戻される。調節
区間のための短い死時間が生じる。
されることにより基準値としてのPH−値９に調節
されることにより偉人値としてのPH−値９に調節
される。流量調節装置は１時間当りエツチング液
30の基準値の場合２／ｈの調節差で働く。エ
ツチング液内で装置２３により金属含有量を測定
した際、53ｇCu／の銅濃度が測定された場合、
三路弁の相応する位置においてエツチング液が銅
濃度が50ｇCu／に低下されるまで電解槽に導
かれる。この値で三路弁２４が切換えられ、電解
槽が遮断される。電解槽内で金属イオンが貧化さ
れたエツチング液は捕集容器内に戻される。調節
区間のための短い死時間が生じる。
八時間の作業時間経過中に5.5Kgの銅が陰極に
析出する。この析出した銅の量は、電解槽を通る
流れに関して、理論的に析出可能な銅の量の67％
に相当する。
析出する。この析出した銅の量は、電解槽を通る
流れに関して、理論的に析出可能な銅の量の67％
に相当する。
再生装置の図面に略示した各部はこの実施例の
場合一つのケーシング内に設けられている。即ち
このケーシングは捕集容器４、電解槽９およびエ
ツチング液のための送り装置ユニツトおよび酸素
供給部とを有している。この送り装置ユニツトに
は再生すべきエツチング剤を送るためのポンプ
５、酸素およびアンモニアを含んでいるガスをエ
ツチング溶液内に装入するための液体噴射ポンプ
１２並びに電解層９内の電解液としての組成とし
てエツチング液を循環させるための溶剤ポンプ３
２とを備えている。
場合一つのケーシング内に設けられている。即ち
このケーシングは捕集容器４、電解槽９およびエ
ツチング液のための送り装置ユニツトおよび酸素
供給部とを有している。この送り装置ユニツトに
は再生すべきエツチング剤を送るためのポンプ
５、酸素およびアンモニアを含んでいるガスをエ
ツチング溶液内に装入するための液体噴射ポンプ
１２並びに電解層９内の電解液としての組成とし
てエツチング液を循環させるための溶剤ポンプ３
２とを備えている。
その上ケーシングは流過量調節装置１０、PH−
値−測定装置２１並びに金属イオン濃度を測定す
るための装置２３を備えている。電解槽の下方に
は、――ケーシング内で捕集容器４の傍らに設け
られて――電解液のための流出容器２８が存在し
ている。再生装置は部分はケーシング内に場所を
とらないように設けられている。ケーシングはエ
ツチング室に供給部３と、戻り部１３のみを介し
て接続される。エツチング室の再生装置との間の
場所的な間隔は再生装置の正常な運転には何等の
重要ではない。
値−測定装置２１並びに金属イオン濃度を測定す
るための装置２３を備えている。電解槽の下方に
は、――ケーシング内で捕集容器４の傍らに設け
られて――電解液のための流出容器２８が存在し
ている。再生装置は部分はケーシング内に場所を
とらないように設けられている。ケーシングはエ
ツチング室に供給部３と、戻り部１３のみを介し
て接続される。エツチング室の再生装置との間の
場所的な間隔は再生装置の正常な運転には何等の
重要ではない。
図面は本発明による再生方法を実施するための
再生プラントの回路図。 図中符号は、３……供給部、９……電解槽、２
７……取出し導管。
再生プラントの回路図。 図中符号は、３……供給部、９……電解槽、２
７……取出し導管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エツチング液に含まれているエツチング剤を
再酸化するためにアンモニアと酸素が供給され、
かつエツチングされた金属の少なくとも一部を回
収するためにエツチング液を電解槽を流過させて
行うアンモニア性エツチング液を再生するための
方法において、電解槽内で金属イオンが貧化され
たエツチング液を再生すべきエツチング液内に導
入することを特徴とする、上記方法。 ２ エツチング室から取出され、再生されるエツ
チング液にアンモニアと酸素を供給するための装
置にエツチング液を供給するための供給部と再生
されたエツチング液をエツチング室に戻すため
の、上記装置に接続された戻し部並びにエツチン
グ液の一部分のための供給部に接続されたエツチ
ング剤導管が開口している電解槽とを備えた、ア
ンモニア性エツチング液を再生するための装置に
おいて、電解槽９に金属イオンが貧化されたエツ
チング液のための取去り導管２７が接続されてお
り、この取り去り導管が再生すべきエツチング液
の供給部３に導かれていることを特徴とする上記
装置。 ３ 取去り導管２７が電解槽９と電解液溢流部２
６に接続している、前記特許請求の範囲第２項に
記載の装置。 ４ 取去り導管２７が、エツチング室１から導出
され再生されるべきエツチング液が連通している
管系を介して流入する捕集容器４に開口してい
る、前記特許請求の範囲第２項或いは第３項に記
載の装置。 ５ 捕集容器４、電解槽９およびエツチング液の
ための送り装置ユニツト５，１２，２３およびエ
ツチング液のための供給部３および戻し部１３と
を介してエツチング室１に接続されている一つの
ケーシングの内部に設けられている、特許請求の
範囲第２項から第４項までのうちのいずれか一つ
に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3340342.2 | 1983-11-08 | ||
| DE19833340342 DE3340342A1 (de) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Verfahren und anlage zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116789A JPS60116789A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0536509B2 true JPH0536509B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=6213744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59234239A Granted JPS60116789A (ja) | 1983-11-08 | 1984-11-08 | アンモニア性エツチング液を再生するための方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4557811A (ja) |
| EP (1) | EP0144742B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60116789A (ja) |
| DE (2) | DE3340342A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3429902A1 (de) * | 1984-08-14 | 1986-02-27 | Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg | Verfahren zum aetzen von kupferfilmen auf leiterplatten unter elektrolytischer rueckgewinnung von kupfer aus der aetzloesung |
| US4784785A (en) * | 1987-12-29 | 1988-11-15 | Macdermid, Incorporated | Copper etchant compositions |
| DE3839651A1 (de) * | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Hoellmueller Hans | Anlage zum aetzen von gegenstaenden |
| CA2029444A1 (en) * | 1990-03-21 | 1991-09-22 | Raymond A. Letize | System and process for etching with and regenerating, alkaline ammoniacal etchant solution |
| DE4014429A1 (de) * | 1990-05-05 | 1991-11-07 | Hoechst Ag | Verfahren zur regelung des durchsatzes bei der elektrochemischen regeneration von chromschwefelsaeure |
| US5248398A (en) * | 1990-11-16 | 1993-09-28 | Macdermid, Incorporated | Process for direct electrolytic regeneration of chloride-based ammoniacal copper etchant bath |
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| US5417818A (en) * | 1993-11-24 | 1995-05-23 | Elo-Chem Atztechnik Gmbh | Process for the accelerated etching and refining of metals in ammoniacal etching systems |
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| US7404904B2 (en) * | 2001-10-02 | 2008-07-29 | Melvin Stanley | Method and apparatus to clean particulate matter from a toxic fluid |
| KR100964543B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2010-06-21 | 주식회사 하이소닉 | 소형 카메라모듈용 커버 및 그 제조방법 및 이를 장착한 소형 카메라모듈 |
| CN120569515A (zh) * | 2023-01-13 | 2025-08-29 | 叶涛 | 一种电解辅助碱性氯化铜氨蚀刻工作液氧化再生的方法及其设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2964453A (en) * | 1957-10-28 | 1960-12-13 | Bell Telephone Labor Inc | Etching bath for copper and regeneration thereof |
| US3772105A (en) * | 1970-07-24 | 1973-11-13 | Shipley Co | Continuous etching process |
| US3705061A (en) * | 1971-03-19 | 1972-12-05 | Southern California Chem Co In | Continuous redox process for dissolving copper |
| BE789944A (fr) * | 1971-10-12 | 1973-02-01 | Shipley Co | Regeneration d'une solution usagee d'attaque du cuivre |
| DE2216269A1 (de) * | 1972-04-05 | 1973-10-18 | Hoellmueller Maschbau H | Verfahren zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen |
| DE2521282C2 (de) * | 1975-05-13 | 1977-03-03 | Siemens Ag | Prozessteueranlage zum selbsttaetigen analysieren und auffrischen von galvanischen baedern |
| JPS5617429A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-19 | Noriyuki Yoshida | Inputting method for character and symbol to computer system with video interface |
| DE3031567A1 (de) * | 1980-08-21 | 1982-04-29 | Elochem Ätztechnik GmbH, 7758 Meersburg | Verfahren zum regenerieren einer ammoniakalischen aetzloesung |
| CS218296B1 (en) * | 1980-10-30 | 1983-02-25 | Antonin Stehlik | Method of continuous regeneration of the iron trichloride solution |
-
1983
- 1983-11-08 DE DE19833340342 patent/DE3340342A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-11-02 EP EP84113228A patent/EP0144742B1/de not_active Expired
- 1984-11-02 DE DE8484113228T patent/DE3464768D1/de not_active Expired
- 1984-11-07 US US06/669,312 patent/US4557811A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-08 JP JP59234239A patent/JPS60116789A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0144742A1 (de) | 1985-06-19 |
| JPS60116789A (ja) | 1985-06-24 |
| EP0144742B1 (de) | 1987-07-15 |
| US4557811A (en) | 1985-12-10 |
| DE3464768D1 (en) | 1987-08-20 |
| DE3340342A1 (de) | 1985-05-15 |
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