JPH0536668A - 半導体基板乾燥方法 - Google Patents
半導体基板乾燥方法Info
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- JPH0536668A JPH0536668A JP3212801A JP21280191A JPH0536668A JP H0536668 A JPH0536668 A JP H0536668A JP 3212801 A JP3212801 A JP 3212801A JP 21280191 A JP21280191 A JP 21280191A JP H0536668 A JPH0536668 A JP H0536668A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アームやキャリア等により支持される基板を液
中から気中に引上げ乾燥する際、基板と支持部材の接触
箇所及びその近傍間隙に液滴が残留し、そのまま乾燥す
ると、その部分がしみになり又液滴中のダストが乾いて
付着する等、基板面の均質性を損ない、乾燥にも長時間
かかる。この問題解決を目的とする。 【構成】請求項１は、基板を支持する複数の支え部が、
気・液界面を通過する前後でそれぞれ一時的に基板から
離れて界面を通過する引上げ法で、請求項２は、複数の
基板支え部を気中の支え部と液中の支え部の２群に分
け、気・液界面を挟んで両群間で基板の授受をし支え部
が界面を通過しない引上げ法である。いずれも液滴を付
着しないで乾燥できる。
中から気中に引上げ乾燥する際、基板と支持部材の接触
箇所及びその近傍間隙に液滴が残留し、そのまま乾燥す
ると、その部分がしみになり又液滴中のダストが乾いて
付着する等、基板面の均質性を損ない、乾燥にも長時間
かかる。この問題解決を目的とする。 【構成】請求項１は、基板を支持する複数の支え部が、
気・液界面を通過する前後でそれぞれ一時的に基板から
離れて界面を通過する引上げ法で、請求項２は、複数の
基板支え部を気中の支え部と液中の支え部の２群に分
け、気・液界面を挟んで両群間で基板の授受をし支え部
が界面を通過しない引上げ法である。いずれも液滴を付
着しないで乾燥できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するもので、特に半導体基板（ウェーハ）を液体中
から気体中に引き上げて乾燥する方法に使用される。
に関するもので、特に半導体基板（ウェーハ）を液体中
から気体中に引き上げて乾燥する方法に使用される。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板を液体中で洗浄または処理す
る場合、基板はピンセットや複数のアームまたはキャリ
ア等の支持部材の支え部に接触支持されて洗浄処理され
る。洗浄、処理された基板を液体槽から気体中に引き上
げ乾燥する際には、一般に半導体基板は前記支え部に接
触した状態で引き上げられる。
る場合、基板はピンセットや複数のアームまたはキャリ
ア等の支持部材の支え部に接触支持されて洗浄処理され
る。洗浄、処理された基板を液体槽から気体中に引き上
げ乾燥する際には、一般に半導体基板は前記支え部に接
触した状態で引き上げられる。
【０００３】例えば図１０のように、半導体基板１００
は、内側支えアーム（内側支持部材）１０１ａ，１０１
ｂ及び外側支えアーム（外側支持部材）１０２ａ，１０
２ｂにより挟持され、液体中に浸漬され、洗浄、処理さ
れる。各アームと基板の接触箇所（支え部）１ａ，１
ｂ，２ａ，２ｂには、基板を支えるため溝がそれぞれ刻
まれており、アームの素材は例えば石英で造られてい
る。
は、内側支えアーム（内側支持部材）１０１ａ，１０１
ｂ及び外側支えアーム（外側支持部材）１０２ａ，１０
２ｂにより挟持され、液体中に浸漬され、洗浄、処理さ
れる。各アームと基板の接触箇所（支え部）１ａ，１
ｂ，２ａ，２ｂには、基板を支えるため溝がそれぞれ刻
まれており、アームの素材は例えば石英で造られてい
る。
【０００４】また図１１に示すように、複数枚の半導体
基板１００は、キャリア２００に収納され、液体中に浸
し、洗浄処理される。符号３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄは、
基板と接触するキャリア２００の支え部で基板を支える
ために溝が刻まれている。処理終了後、基板１００はキ
ャリア２００に入れたまま引き上げられる。
基板１００は、キャリア２００に収納され、液体中に浸
し、洗浄処理される。符号３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄは、
基板と接触するキャリア２００の支え部で基板を支える
ために溝が刻まれている。処理終了後、基板１００はキ
ャリア２００に入れたまま引き上げられる。
【０００５】半導体基板を液体中から気体中に引き上げ
る際、一般に、半導体基板と支持部材の基板支え部（接
触部）との間及びその端面近傍には、液体の表面張力と
毛細管現象等により、液体の残留が生じる。
る際、一般に、半導体基板と支持部材の基板支え部（接
触部）との間及びその端面近傍には、液体の表面張力と
毛細管現象等により、液体の残留が生じる。
【０００６】例えば図１０では、支え部１ａ，１ｂ，２
ａ及び２ｂには半導体基板を支えるための溝が刻まれて
おり、液体中から基板を引き上げるとき基板と溝との接
触箇所を含む間隙１０５（点線の内域）に液体が残る。
また図１１でも同様に、支え部３ａ，３ｂ，３ｃ及び３
ｄをを含むその近傍の間隙に液体残留が生じる。液体残
留は、半導体基板上にしみを発生したり、ダスト付着の
増加にも繋がり、基板面内の均一な乾燥が行なわれな
い。また乾燥時間も遅れる。
ａ及び２ｂには半導体基板を支えるための溝が刻まれて
おり、液体中から基板を引き上げるとき基板と溝との接
触箇所を含む間隙１０５（点線の内域）に液体が残る。
また図１１でも同様に、支え部３ａ，３ｂ，３ｃ及び３
ｄをを含むその近傍の間隙に液体残留が生じる。液体残
留は、半導体基板上にしみを発生したり、ダスト付着の
増加にも繋がり、基板面内の均一な乾燥が行なわれな
い。また乾燥時間も遅れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これまで述べたよう
に、アームやキャリア等の支持部材により支持された半
導体基板を、液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際
し、従来技術では引き上げ時、基板と支持部材との接触
箇所及びその近傍に液体が残留する。液体が残留付着し
た状態で基板を乾燥すると、その部分がしみとして残っ
たり、残留液体中のダストや異物が乾いて付着したり、
基板表面の均質性を損なう。また残留液体が付着した状
態だと、基板乾燥のための時間も長くなる。
に、アームやキャリア等の支持部材により支持された半
導体基板を、液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際
し、従来技術では引き上げ時、基板と支持部材との接触
箇所及びその近傍に液体が残留する。液体が残留付着し
た状態で基板を乾燥すると、その部分がしみとして残っ
たり、残留液体中のダストや異物が乾いて付着したり、
基板表面の均質性を損なう。また残留液体が付着した状
態だと、基板乾燥のための時間も長くなる。
【０００８】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
ので、半導体基板を液体中から気体中に引き上げる際、
基板と支持部材との接触箇所及びその近傍に残留する液
体に起因する半導体基板のしみやダストの付着を防ぐこ
とができ、基板面内の均一な乾燥ができる半導体基板乾
燥方法を提供することを目的とする。
ので、半導体基板を液体中から気体中に引き上げる際、
基板と支持部材との接触箇所及びその近傍に残留する液
体に起因する半導体基板のしみやダストの付着を防ぐこ
とができ、基板面内の均一な乾燥ができる半導体基板乾
燥方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体基板乾燥方法は、基板支持部材により接触支持さ
れる半導体基板を液体中から気体中に引き上げ乾燥する
に際し、基板支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体
と気体との界面を通過するとき該基板と離れた状態で、
該基板を気体中に引き上げることを特徴とするものであ
る。
半導体基板乾燥方法は、基板支持部材により接触支持さ
れる半導体基板を液体中から気体中に引き上げ乾燥する
に際し、基板支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体
と気体との界面を通過するとき該基板と離れた状態で、
該基板を気体中に引き上げることを特徴とするものであ
る。
【００１０】また本発明の請求項２に係る半導体基板乾
燥方法は、基板支持部材により接触支持される半導体基
板を液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際し、基板
支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体と気体との界
面を通過しないで該基板を気体中に引き上げることを特
徴とするものである。
燥方法は、基板支持部材により接触支持される半導体基
板を液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際し、基板
支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体と気体との界
面を通過しないで該基板を気体中に引き上げることを特
徴とするものである。
【００１１】
【作用】半導体基板は、基板支持部材の支え部に接触
（圧接または当接）して支持され、液体中で洗浄または
処理される。一般に基板と支え部（接触部）との間及び
その近傍には間隙が存在し、毛細管現象等により液体が
付着し、この液体は基板を気体中に引き上げる際に自然
流出せずに支え部に残留する。
（圧接または当接）して支持され、液体中で洗浄または
処理される。一般に基板と支え部（接触部）との間及び
その近傍には間隙が存在し、毛細管現象等により液体が
付着し、この液体は基板を気体中に引き上げる際に自然
流出せずに支え部に残留する。
【００１２】本発明の基板乾燥方法では、基板が液体と
気体との境界面を通過して引き上げられる際、基板と支
え部との間に生じる前記液体残留を無くする方法であ
る。
気体との境界面を通過して引き上げられる際、基板と支
え部との間に生じる前記液体残留を無くする方法であ
る。
【００１３】すなわち請求項１記載の方法は、基板に接
触してこれを支持する複数の支え部が、液体・気体界面
を通過する前後で、それぞれ個々に一時的に基板から離
れて前記液体残留が発生しない状態で基板を引き上げ乾
燥することを特徴とするものある。
触してこれを支持する複数の支え部が、液体・気体界面
を通過する前後で、それぞれ個々に一時的に基板から離
れて前記液体残留が発生しない状態で基板を引き上げ乾
燥することを特徴とするものある。
【００１４】また請求項２記載の方法は、基板に接触し
てこれを支持する支え部を、気体中での基板支え部と、
液体中での基板支え部との２つに分ける。基板引き上げ
に際しては、まず液体中の基板支え部を上昇して、基板
のみを液面上に所定の高さ露出させ、次に前記気体中に
露出した基板部分を気体中の基板支え部により基板全体
を気体中に引き上げる方法である。すなわち基板支持部
材の液体中の支え部が液体・気体界面を通過しないよう
にして前記液体残留の発生を無くし、基板を引き上げ乾
燥することを特徴とするものである。
てこれを支持する支え部を、気体中での基板支え部と、
液体中での基板支え部との２つに分ける。基板引き上げ
に際しては、まず液体中の基板支え部を上昇して、基板
のみを液面上に所定の高さ露出させ、次に前記気体中に
露出した基板部分を気体中の基板支え部により基板全体
を気体中に引き上げる方法である。すなわち基板支持部
材の液体中の支え部が液体・気体界面を通過しないよう
にして前記液体残留の発生を無くし、基板を引き上げ乾
燥することを特徴とするものである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１６】図１ないし図６は、本発明の請求項１に係
る半導体基板乾燥方法の一実施例における基板引き上げ
方法を説明する図である。
る半導体基板乾燥方法の一実施例における基板引き上げ
方法を説明する図である。
【００１７】図１において、半導体基板１００は、６本
の基板支持部材（アーム）１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１
２ｂ，１３ａ及び１３ｂにより接触支持され、液体中に
浸漬されている。符号４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，６ａ，
及び６ｂは基板支持部材１１ａないし１３ｂが基板１０
０と接触する箇所（支え部とも呼ぶ）を示す。なお基板
支持部材１１ａないし１３ｂは、図示してないがそれぞ
れの下端部の接触箇所には基板を支えるための溝が刻ま
れており、またそれぞれの支持部材の上部は、自動チャ
ッキング機構に連結される。自動チャッキング機構は付
設する制御手段により制御され、各支持部材に対し、基
板を挟持・解放する開閉動作と、液体への浸漬または引
き上げる昇降動作とを行なわせる。
の基板支持部材（アーム）１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１
２ｂ，１３ａ及び１３ｂにより接触支持され、液体中に
浸漬されている。符号４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，６ａ，
及び６ｂは基板支持部材１１ａないし１３ｂが基板１０
０と接触する箇所（支え部とも呼ぶ）を示す。なお基板
支持部材１１ａないし１３ｂは、図示してないがそれぞ
れの下端部の接触箇所には基板を支えるための溝が刻ま
れており、またそれぞれの支持部材の上部は、自動チャ
ッキング機構に連結される。自動チャッキング機構は付
設する制御手段により制御され、各支持部材に対し、基
板を挟持・解放する開閉動作と、液体への浸漬または引
き上げる昇降動作とを行なわせる。
【００１８】図２は、基板１００が液中から引き上げ開
始され、基板１００と支持部材１１ａ及び１１ｂの接触
箇所４ａ及び４ｂが、液体・気体界面を通過する直前に
おいて、基板から離れた状態を示す。
始され、基板１００と支持部材１１ａ及び１１ｂの接触
箇所４ａ及び４ｂが、液体・気体界面を通過する直前に
おいて、基板から離れた状態を示す。
【００１９】図３は、支持部材１１ａと１１ｂとが開
き、接触箇所４ａ及び４ｂが、基板から離れた状態で、
液体・気体界面を通過した直後の様子を示す。
き、接触箇所４ａ及び４ｂが、基板から離れた状態で、
液体・気体界面を通過した直後の様子を示す。
【００２０】図４は、離れて界面を通過した接触箇所４
ａ及び４ｂが、支持部材１１ａ及び１１ｂが閉じること
により、再び基板に接触し、これを支持した後、次に界
面に近づく接触箇所５ａ及び５ｂが、支持部材１２ａ及
び１２ｂを開くことにより、基板から離れた状態を示
す。
ａ及び４ｂが、支持部材１１ａ及び１１ｂが閉じること
により、再び基板に接触し、これを支持した後、次に界
面に近づく接触箇所５ａ及び５ｂが、支持部材１２ａ及
び１２ｂを開くことにより、基板から離れた状態を示
す。
【００２１】次に基板１００は、図４に示すように支持
部材１１ａ，１１ｂ及び１３ａ，１３ｂにより支持さ
れ、接触箇所５ａ及び５ｂは基板から離れた状態で液体
・気体界面を通過する。図５は、接触箇所５ａ及び５ｂ
が界面通過後再び閉じ、基板１００は支持部材１１ａ，
１１ｂ及び１２ａ，１２ｂにより支持された後、次に界
面に近づく接触箇所６ａ及び６ｂが、支持部材１３ａ，
１３ｂを開くことにより基板１００から離れた状態を示
す。
部材１１ａ，１１ｂ及び１３ａ，１３ｂにより支持さ
れ、接触箇所５ａ及び５ｂは基板から離れた状態で液体
・気体界面を通過する。図５は、接触箇所５ａ及び５ｂ
が界面通過後再び閉じ、基板１００は支持部材１１ａ，
１１ｂ及び１２ａ，１２ｂにより支持された後、次に界
面に近づく接触箇所６ａ及び６ｂが、支持部材１３ａ，
１３ｂを開くことにより基板１００から離れた状態を示
す。
【００２２】図６は、基板１００が、支持部材１１ａ，
１１ｂ及び１２ａ，１２ｂにより引き上げられ、界面通
過後接触箇所６ａ及び６ｂが再び基板に接触し、６本の
支持部材で気体中に基板が支持される状態を示す。
１１ｂ及び１２ａ，１２ｂにより引き上げられ、界面通
過後接触箇所６ａ及び６ｂが再び基板に接触し、６本の
支持部材で気体中に基板が支持される状態を示す。
【００２３】図１ないし図６に示す基板を液体中から気
体中に引き上げる方法によれば、基板に接触してこれを
支持する支持部材の支え部が、液体・気体界面を通過す
る前後で、一時的に基板から離れるので、接触部とその
近傍の間隙の液体残留は発生しない。そのため気体中に
引き上げ後基板面内の均一な乾燥が可能となる。
体中に引き上げる方法によれば、基板に接触してこれを
支持する支持部材の支え部が、液体・気体界面を通過す
る前後で、一時的に基板から離れるので、接触部とその
近傍の間隙の液体残留は発生しない。そのため気体中に
引き上げ後基板面内の均一な乾燥が可能となる。
【００２４】気体中における基板の乾燥時間は、濡れる
液体の種類により相違するが、例えば純水洗浄では水温
を高め、熱風による強制乾燥が望ましいが、本実施例に
おいては、前述の通り、接触部とその近傍間隙に液体残
留がないので、乾燥した清浄空気が溢れるクリーンベン
チ内の自然乾燥で、良好な結果が得られた。
液体の種類により相違するが、例えば純水洗浄では水温
を高め、熱風による強制乾燥が望ましいが、本実施例に
おいては、前述の通り、接触部とその近傍間隙に液体残
留がないので、乾燥した清浄空気が溢れるクリーンベン
チ内の自然乾燥で、良好な結果が得られた。
【００２５】なお上記実施例では６本の支持部材（アー
ム）で６点で接触支える場合について述べたが、これに
限定されない。支持部材の本数が２本以上で半導体基板
を支えられるならば、何本でも差支えないことは勿論で
ある。
ム）で６点で接触支える場合について述べたが、これに
限定されない。支持部材の本数が２本以上で半導体基板
を支えられるならば、何本でも差支えないことは勿論で
ある。
【００２６】次に本発明の請求項２に係る半導体基板乾
燥方法の一実施例について、図７ないし図９を参照して
説明する。図７において、被処理半導体基板１００は、
液体中の基板支持部材２３の支え部２３ａ及び２３ｂの
溝に支えられ、処理槽２０の液体（処理液）２５に浸漬
されている。基板支持ガイド板２４ａ及び２４ｂは、処
理槽内に固定され、基板口径にほぼ等しい間隔で互いに
対向する上下方向の溝を有し、液体中に基板を出し入れ
する際のガイドの作用をする。また基板支持部材２３
は、図示してないが昇降機構に連結され、処理槽２０内
の液体２５中を上下する。
燥方法の一実施例について、図７ないし図９を参照して
説明する。図７において、被処理半導体基板１００は、
液体中の基板支持部材２３の支え部２３ａ及び２３ｂの
溝に支えられ、処理槽２０の液体（処理液）２５に浸漬
されている。基板支持ガイド板２４ａ及び２４ｂは、処
理槽内に固定され、基板口径にほぼ等しい間隔で互いに
対向する上下方向の溝を有し、液体中に基板を出し入れ
する際のガイドの作用をする。また基板支持部材２３
は、図示してないが昇降機構に連結され、処理槽２０内
の液体２５中を上下する。
【００２７】符号２１ａ，２１ｂ，２２ａ及び２２ｂは
気体中における基板支持部材で、図示してないが下端部
の支え部７ａ，７ｂ，８ａ及び８ｂには基板を支えるた
めの溝が刻まれており、またそれぞれの支持部材２１ａ
ないし２２ｂの上部は自動チャッキング機構に連結さ
れ、気体中において基板を挟持解放する開閉動作と昇降
動作を行なう。また上記自動チャッキング機構と前記液
体中の基板支持部材２３に連結する昇降機構とは付設す
る制御手段により、互いに関連して制御される。
気体中における基板支持部材で、図示してないが下端部
の支え部７ａ，７ｂ，８ａ及び８ｂには基板を支えるた
めの溝が刻まれており、またそれぞれの支持部材２１ａ
ないし２２ｂの上部は自動チャッキング機構に連結さ
れ、気体中において基板を挟持解放する開閉動作と昇降
動作を行なう。また上記自動チャッキング機構と前記液
体中の基板支持部材２３に連結する昇降機構とは付設す
る制御手段により、互いに関連して制御される。
【００２８】図８は、図７に示す基板１００を液体中か
ら気体中にに引き上げる過程を示すものである。すなわ
ち液体中の支持部材２３の支え部２３ａ及び２３ｂに支
持された基板１００は、支持部材２３の上昇に伴い、液
体・気体界面を通過し、気体中にその一部を露出する。
基板１００が所定の高さ界面から引き上げられると、支
持部材２３は液体中で上昇を停止し、気体中の基板支持
部材２１ａないし２２ｂは閉じ、基板１００はこの支持
部材の乾燥したそれぞれの支え部７ａないし８ｂにより
接触支持される。
ら気体中にに引き上げる過程を示すものである。すなわ
ち液体中の支持部材２３の支え部２３ａ及び２３ｂに支
持された基板１００は、支持部材２３の上昇に伴い、液
体・気体界面を通過し、気体中にその一部を露出する。
基板１００が所定の高さ界面から引き上げられると、支
持部材２３は液体中で上昇を停止し、気体中の基板支持
部材２１ａないし２２ｂは閉じ、基板１００はこの支持
部材の乾燥したそれぞれの支え部７ａないし８ｂにより
接触支持される。
【００２９】図９は、基板１００が気体中において、支
え部７ａないし８ｂにより支持され、支持部材２１ａな
いし２２ｂの上昇動作により、液体中から気体中に完全
に引き上げられた状態を示す。液体中の基板支持部材２
３は、液面上に露出することなく停止し、待機する。
え部７ａないし８ｂにより支持され、支持部材２１ａな
いし２２ｂの上昇動作により、液体中から気体中に完全
に引き上げられた状態を示す。液体中の基板支持部材２
３は、液面上に露出することなく停止し、待機する。
【００３０】図７ないし図９に示す基板を液体中から気
体中に引き上げる方法によれば、支持部材の基板支え部
を、気体中での基板支え部と液体中での基板支え部とに
分けたので、基板引き上げに際し基板支持部材の液体中
の基板支え部は、液体・気体界面を通過しない。従って
気体中に引き上げられた基板には、接触部とその近傍の
間隙の液体残留は存在せず、基板面内の均一な乾燥が可
能となる。また本実施例における気体中の基板支え部
は、常に気体中にあって乾燥状態にあり、乾燥効果はよ
り良好である。
体中に引き上げる方法によれば、支持部材の基板支え部
を、気体中での基板支え部と液体中での基板支え部とに
分けたので、基板引き上げに際し基板支持部材の液体中
の基板支え部は、液体・気体界面を通過しない。従って
気体中に引き上げられた基板には、接触部とその近傍の
間隙の液体残留は存在せず、基板面内の均一な乾燥が可
能となる。また本実施例における気体中の基板支え部
は、常に気体中にあって乾燥状態にあり、乾燥効果はよ
り良好である。
【００３１】なお前記実施例においては、基板を１枚ず
つ乾燥する場合について説明したが、複数枚の基板を同
時に引き上げ乾燥することも可能で、例えば図７ないし
図９において、気体中の基板支持部材２１ａないし２２
ｂと液体中の基板支持部材２３とを組とし、紙面に垂直
方向に複数組を積層し、それぞれの基板支持部材を一体
化した構造とし、前記同様の引き上げ乾燥動作を行なう
ことで、複数枚の半導体基板を同時に処理することがで
きる。
つ乾燥する場合について説明したが、複数枚の基板を同
時に引き上げ乾燥することも可能で、例えば図７ないし
図９において、気体中の基板支持部材２１ａないし２２
ｂと液体中の基板支持部材２３とを組とし、紙面に垂直
方向に複数組を積層し、それぞれの基板支持部材を一体
化した構造とし、前記同様の引き上げ乾燥動作を行なう
ことで、複数枚の半導体基板を同時に処理することがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】これまで詳述したように、本発明によれ
ば、半導体基板を液体中から気体中に引き上げる際、基
板と支持部材の接触箇所及びその近傍に残留する液体が
無くなり、これにより、従来の残留液体による基板上の
しみやダストの増加を防ぐことができ、基板面内の均一
な乾燥が短時間でできる半導体基板乾燥方法を提供する
ことができた。
ば、半導体基板を液体中から気体中に引き上げる際、基
板と支持部材の接触箇所及びその近傍に残留する液体が
無くなり、これにより、従来の残留液体による基板上の
しみやダストの増加を防ぐことができ、基板面内の均一
な乾燥が短時間でできる半導体基板乾燥方法を提供する
ことができた。
【図１】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の最初（第１）の工程を説明するための模式図で
ある。
実施例の最初（第１）の工程を説明するための模式図で
ある。
【図２】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の第２の工程を説明するための模式図である。
実施例の第２の工程を説明するための模式図である。
【図３】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の第３の工程を説明するための模式図である。
実施例の第３の工程を説明するための模式図である。
【図４】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の第４の工程を説明するための模式図である。
実施例の第４の工程を説明するための模式図である。
【図５】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の第５の工程を説明するための模式図である。
実施例の第５の工程を説明するための模式図である。
【図６】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の最終（第６）工程を説明するための模式図であ
る。
実施例の最終（第６）工程を説明するための模式図であ
る。
【図７】本発明の請求項２に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の最初（第１）の工程を説明するための模式図で
ある。
実施例の最初（第１）の工程を説明するための模式図で
ある。
【図８】本発明の請求項２に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の第２の工程を説明するための模式図である。
実施例の第２の工程を説明するための模式図である。
【図９】本発明の請求項１に係る半導体基板乾燥方法の
実施例の最終（第３）工程を説明するための模式図であ
る。
実施例の最終（第３）工程を説明するための模式図であ
る。
【図１０】半導体基板乾燥方法において基板支持部材に
より基板を支持する第１の従来例を示す模式図である。
より基板を支持する第１の従来例を示す模式図である。
【図１１】半導体基板乾燥方法において基板支持部材に
より基板を支持する第２の従来例を示す模式図である。
より基板を支持する第２の従来例を示す模式図である。
４ａ，４ｂ 接触箇所（支え部）
５ａ，５ｂ 接触箇所（支え部）
６ａ，６ｂ 接触箇所（支え部）
７ａ，７ｂ 気体中の接触箇所（支え部）
８ａ，８ｂ 気体中の接触箇所（支え部）
１１ａ，１１ｂ 基板支持部材
１２ａ，１２ｂ 基板支持部材
１３ａ，１３ｂ 基板支持部材
２１ａ，２１ｂ 気体中の基板支持部材
２２ａ，２２ｂ 気体中の基板支持部材
２３ 液体中の基板支持部材
２３ａ，２３ｂ 液体中の接触箇所（支え部）
１００ 半導体基板
Claims (2)
- 【請求項１】基板支持部材により接触支持される半導体
基板を液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際し、基
板支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体と気体との
界面を通過するとき該基板と離れた状態で、該基板を気
体中に引き上げることを特徴とする半導体基板乾燥方
法。 - 【請求項２】基板支持部材により接触支持される半導体
基板を液体中から気体中に引き上げ乾燥するに際し、基
板支持部材の液体中の前記接触箇所が、液体と気体との
界面を通過しないで該基板を気体中に引き上げることを
特徴とする半導体基板乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212801A JPH0536668A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体基板乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212801A JPH0536668A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体基板乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536668A true JPH0536668A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16628605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212801A Pending JPH0536668A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体基板乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536668A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2022108144A (ja) * | 2021-01-12 | 2022-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 浸漬処理装置 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3212801A patent/JPH0536668A/ja active Pending
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