JPH0536730A - Vapor phase epitaxial growth equipment - Google Patents
Vapor phase epitaxial growth equipmentInfo
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- JPH0536730A JPH0536730A JP18231291A JP18231291A JPH0536730A JP H0536730 A JPH0536730 A JP H0536730A JP 18231291 A JP18231291 A JP 18231291A JP 18231291 A JP18231291 A JP 18231291A JP H0536730 A JPH0536730 A JP H0536730A
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- gas
- raw material
- reaction vessel
- pressure
- material gas
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相エピタキシャル成長装置に関し、エピタ
キシャル結晶の厚さ方向に沿って安定した組成の結晶が
得られる装置の提供を目的とする。
【構成】 原料ガス配管１を多数に分岐し、該分岐した
分岐ガス配管のうちで、一本の分岐ガス配管は反応容器
６に接続せずにパージ用ガス配管2-n と成し、他方の分
岐ガス配管は反応容器６と接続し、該分岐ガス配管の各
々に流量センサとコンダクタンスバルブを有する質量流
量制御装置5-1,5-2,5-3 …を備え、該原料ガス配管より
分岐ガス配管を通じて一種類、または複数種類の混合ガ
スの原料ガスを反応容器内に導入し、該反応容器内に導
入した原料ガスを加熱分解して、該容器内に設置された
基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、
前記質量流量制御装置のコンダクタンスバルブの一次側
の原料ガスの圧力を検知する検知手段と、該検知手段で
検知した検知情報に基づき圧力を制御する圧力制御手段
を備え、該圧力制御手段により質量流量制御装置のコン
ダクタンスバルブに流れる一次側の原料ガスの圧力を制
御するようにして構成する。
(57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a vapor phase epitaxial growth apparatus that can obtain a crystal having a stable composition along the thickness direction of an epitaxial crystal. [Structure] The raw material gas pipe 1 is branched into a large number, and among the branched gas pipes, one branch gas pipe is not connected to the reaction vessel 6 but constitutes a purging gas pipe 2-n, and the other. Is connected to the reaction vessel 6, and each of the branch gas pipes is equipped with a mass flow controller 5-1, 5-2, 5-3 having a flow sensor and a conductance valve. The raw material gas of one kind or a mixed gas of a plurality of kinds is introduced into the reaction vessel through the branch gas pipe, the raw material gas introduced into the reaction vessel is decomposed by heat, and epitaxially formed on the substrate installed in the vessel. In the equipment for growing crystals,
The mass flow rate control device comprises a detection means for detecting the pressure of the raw material gas on the primary side of the conductance valve, and a pressure control means for controlling the pressure based on the detection information detected by the detection means. The pressure of the raw material gas on the primary side flowing through the conductance valve of the control device is controlled.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は気相エピタキシャル成長
装置に関する。赤外線検知素子の形成材料として水銀・
カドミウム・テルル（HgCdTe）の化合物半導体結晶が用
いられており、この化合物半導体結晶を成長する場合、
反応容器内にカドミウムテルル（CdTe）のようなエピタ
キシャル成長用基板を設置する。そして該反応容器内に
水素ガスに担持された水銀、ジメチルカドミウムおよび
ジエチルテルル等の原料ガスを導入し、該基板を加熱す
ることで前記原料ガスを加熱分解して基板上にエピタキ
シャル結晶を気相成長している。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a vapor phase epitaxial growth apparatus. Mercury as a material for forming infrared detectors
A compound semiconductor crystal of cadmium tellurium (HgCdTe) is used, and when growing this compound semiconductor crystal,
An epitaxial growth substrate such as cadmium tellurium (CdTe) is placed in the reaction vessel. Then, a raw material gas such as mercury, dimethylcadmium and diethyl tellurium supported on hydrogen gas is introduced into the reaction vessel, and the substrate is heated to thermally decompose the raw material gas to form an epitaxial crystal in a vapor phase on the substrate. Growing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、このような気相成長装置として図
２に示すように、水素ガスに担持された水銀、ジメチル
カドミウムおよびジエチルテルル等の原料ガスの混合ガ
スを導入する原料ガス配管１を複数本に分岐し、この各
々の分岐ガス配管2-1,2-2,2-3…の各々に流量センサ3-
1,3-2,3-3 …と、コンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-3 …
とを備える。そしてこの流量センサ3-1,3-2,3-3 …で得
られた検知信号に応じてコンダクタンスバルブ4-1,4-2,
4-3 …の開閉度を調節する制御回路( 図示せず)を設
け、この流量センサ3-1,3-2,3-3 …、コンダクタンスバ
ルブ4-1,4-2,4-3 …、制御回路で構成される質量流量制
御装置5-1,5-2,5-3 …を備えている。2. Description of the Related Art Conventionally, as such a vapor phase growth apparatus, as shown in FIG. 2, a raw material gas pipe 1 for introducing a mixed gas of raw material gases such as mercury, dimethyl cadmium and diethyl tellurium carried in hydrogen gas has been used. Branch into a plurality of lines, and each of the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 ... Flow sensor 3-
1,3-2,3-3 ... and conductance valves 4-1,4-2,4-3 ...
With. Then, according to the detection signals obtained by the flow rate sensors 3-1, 3-2, 3-3 ... Conductance valves 4-1, 4-2,
A control circuit (not shown) for adjusting the opening / closing degree of 4-3 ... is provided, and the flow rate sensors 3-1, 3-2, 3-3 ..., Conductance valves 4-1, 4-2, 4-3 ... , Mass flow rate control devices 5-1, 5-2, 5-3 ...
【０００３】上記した質量流量制御装置5-1,5-2,5-3 …
は、本出願人が以前に特開平1-318361号に於いて出願し
ており、流量センサ3-1,3-2,3-3 …は、多数の細孔を有
し、サファイア板より形成された層流素子を有する。こ
の層流素子内を流れて毛細管に到達した原料ガスが、そ
の毛細管に設置した温度感知センサの抵抗値の変化でガ
スの質量流量を検知され、その検知情報に基づいて制御
回路を作動させて、コンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-3
…の開閉度を調節するようにしたものである。The above mass flow rate control devices 5-1, 5-2, 5-3 ...
Has been previously filed by the applicant in Japanese Patent Laid-Open No. 1-318361, and the flow rate sensors 3-1, 3-2, 3-3 ... With a laminar flow element. The raw material gas flowing through the laminar flow element and reaching the capillary tube detects the mass flow rate of the gas due to the change in the resistance value of the temperature sensor installed in the capillary tube, and activates the control circuit based on the detected information. , Conductance valve 4-1,4-2,4-3
The degree of opening and closing of ... is adjusted.
【０００４】更に分岐配管2-1,2-2,2-3 …のうち、一本
の分岐配管2-n は流量センサ3-n 、コンダクタンスバル
ブ4-n を備え、この分岐配管2-n は反応容器６に接続さ
れずに原料ガスを外部に放出するパージ用ガス配管とな
っている。Further, among the branch pipes 2-1, 2-2, 2-3, one branch pipe 2-n is equipped with a flow sensor 3-n and a conductance valve 4-n, and this branch pipe 2-n Is a gas pipe for purging that releases the source gas to the outside without being connected to the reaction vessel 6.
【０００５】そしてこのパージ用ガス配管2-n に、流量
センサ3-n とコンダクタンスバルブ4-n を設け、このコ
ンダクタンスバルブ4-n の開閉度は、固定状態にして一
定の原料ガスが、反応容器6 内に導入されずに外部へ排
出されるようにしている。A flow sensor 3-n and a conductance valve 4-n are provided in the purging gas pipe 2-n, and the open / close degree of the conductance valve 4-n is fixed so that a constant source gas reacts. It is designed to be discharged to the outside without being introduced into the container 6.
【０００６】そしてこのパージ用ガス配管2-n に流れる
原料ガスの流量を調節することで、反応容器６内に分流
して導入される原料ガス流量の分流比が大きく取れるよ
うにした原料ガスの分流方法を、本出願人は以前に特開
平2-229412号に於いて提案している。By adjusting the flow rate of the raw material gas flowing through the purging gas pipe 2-n, the raw material gas can be divided into the reaction vessel 6 and the flow rate of the raw material gas can be increased. The present applicant has previously proposed a diversion method in Japanese Patent Laid-Open No. 2-229412.
【０００７】そして反応容器６内に導入された分岐ガス
配管2-1,2-2,2-3 …を通じて原料ガスを、ガス供給ノズ
ル7-1,7-2,7-3 …より基板設置台８上のエピタキシャル
成長用の基板９に供給している。Then, the raw material gas is introduced through the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 ... Introduced into the reaction vessel 6 and the substrate is installed from the gas supply nozzles 7-1, 7-2, 7-3. It is supplied to the substrate 9 for epitaxial growth on the table 8.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の気相
成長装置に於いて、分岐ガス配管2-1,2-2,2-3 …に設け
た質量流量制御装置5-1,5-2,5-3 …のコンダクタンスバ
ルブ4-1,4-2,4-3 …に流れるガスの一次側の原料ガス圧
力の調節は行っておらず、そのため、この一次側の原料
ガス圧力に変動を生じると、質量流量制御装置のコンダ
クタンスバルブ4-1,4-2,4-3 …に流れる原料ガスの圧力
が変動する。By the way, in the conventional vapor phase growth apparatus, the mass flow controllers 5-1 and 5-2 provided in the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 ... , 5-3… conductance valves 4-1, 4-2, 4-3… do not adjust the pressure of the raw material gas on the primary side of the gas. When it occurs, the pressure of the raw material gas flowing through the conductance valves 4-1, 4-2, 4-3, ... Of the mass flow controller fluctuates.
【０００９】そしてその圧力変動が激しい場合には、そ
の圧力変動が該コンダクタンスバルブのガス流入圧力の
動作範囲から外れるような不都合を生じ、動作不能とな
る問題がある。If the pressure fluctuation is severe, there is a problem that the pressure fluctuation deviates from the operating range of the gas inflow pressure of the conductance valve, and the operation becomes impossible.
【００１０】そのため、分岐ガス配管2-1,2-2,2-3 …に
設けた質量流量制御装置5-1,5-2,5-3 …が正常に動作せ
ず、原料ガスが所定の流量で反応容器6 内に導入されな
い問題が生じる。Therefore, the mass flow rate control devices 5-1, 5-2, 5-3, ... Provided in the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 ... There is a problem that it is not introduced into the reaction container 6 at the flow rate of.
【００１１】そのため、気相エピタキシャル成長の途中
で原料ガスのガス流量が安定して反応容器内に流入しな
いので、形成されたエピタキシャル結晶の厚さ方向のHg
1-x Cdx Te結晶のx 値( 組成値) が変動する問題があ
る。Therefore, during the vapor phase epitaxial growth, the gas flow rate of the source gas is stable and does not flow into the reaction vessel, so that the Hg in the thickness direction of the formed epitaxial crystal is increased.
There is a problem that the x value (composition value) of 1-x Cd x Te crystals fluctuates.
【００１２】本発明は上記した問題点を解決し、前記分
岐した原料ガス配管に設けられた質量流量制御装置が安
定して動作するような気相成長装置の提供を目的とす
る。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a vapor phase growth apparatus in which the mass flow rate control device provided in the branched source gas pipe operates stably.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、原料ガス配管を多数に分岐し、該分岐した分岐ガス
配管の内、一本の分岐ガス配管は反応容器に接続せずに
パージ用ガス配管と成し、他方の分岐ガス配管は反応容
器と接続し、該分岐ガス配管の各々に流量センサとコン
ダクタンスバルブを備えた質量流量制御装置を備え、該
原料ガス配管より分岐ガス配管を通じて一種類、または
複数種類のガスを混合した原料ガスを反応容器内に導入
し、該反応容器内に導入した原料ガスを加熱分解して、
該容器内に設置された基板上にエピタキシャル結晶を成
長する装置に於いて、前記質量流量制御装置のコンダク
タンスバルブの一次側の原料ガスの圧力を制御する圧力
制御装置を備え、該圧力制御装置により質量流量制御装
置のコンダクタンスバルブに流れる一次側の原料ガスの
圧力を制御するようにしたことを特徴とするものであ
る。In the vapor phase growth apparatus of the present invention, a raw material gas pipe is branched into a large number, and one of the branched gas pipes is not connected to a reaction vessel. A gas flow pipe for purging, the other branch gas pipe is connected to a reaction vessel, and each of the branch gas pipes is equipped with a mass flow controller equipped with a flow rate sensor and a conductance valve. Through one kind, or a raw material gas mixed with a plurality of kinds of gas is introduced into the reaction vessel, the raw material gas introduced into the reaction vessel is decomposed by heating,
In an apparatus for growing an epitaxial crystal on a substrate installed in the container, a pressure control device for controlling the pressure of the raw material gas on the primary side of the conductance valve of the mass flow control device is provided, and the pressure control device is used. The pressure of the raw material gas on the primary side flowing through the conductance valve of the mass flow controller is controlled.
【００１４】[0014]
【作用】本発明の装置は分岐した原料ガス配管に設けた
質量流量制御装置のコンダクタンスバルブに流れる原料
ガスの、該コンダクタンスバルブに流入されない以前の
原料ガスの一次側の圧力を圧力制御装置で、前記コンダ
ククタンスバルブが作動可能な範囲の圧力内に納めるよ
うにする。In the apparatus of the present invention, the pressure on the primary side of the raw material gas flowing through the conductance valve of the mass flow controller provided in the branched raw material gas pipe before the raw material gas has not flowed into the conductance valve is controlled by the pressure control device. The conductance valve should be placed within a pressure range within which it can operate.
【００１５】すると質量流量制御装置が安定して動作す
るので、原料ガスの反応容器内に流入される原料ガスの
流量が安定するので、厚さ方向にx 値(組成値) の安定
したHg1-x Cdx Teのエピタキシャル結晶が得られる。Then, since the mass flow controller operates stably, the flow rate of the raw material gas flowing into the reaction vessel of the raw material gas becomes stable, so that the Hg 1 having a stable x value (composition value) in the thickness direction is obtained. An epitaxial crystal of -x Cd x Te is obtained.
【００１６】また原料ガス配管の内、一本の分岐ガス配
管を反応容器に接続されずに外部へ放出されるように
し、この分岐ガス配管に備えたコンダクタンスバルブの
開閉度を半固定にして、分岐したガス配管に備えられた
質量流量制御装置のコンダクタンスバルブに流入される
原料ガスの一次側の圧力を制御するようにする。する
と、前記分岐したガス配管に備えられた質量流量制御装
置に於いては、コンダクタンスバルブに流入される原料
ガスの一次側の圧力は調節されているので、質量流量制
御装置のコンダクタンスバルブの動作可能な圧力の範囲
となる。Of the raw material gas pipes, one branch gas pipe is discharged to the outside without being connected to the reaction vessel, and the degree of opening and closing of the conductance valve provided in this branch gas pipe is semi-fixed, The pressure on the primary side of the raw material gas flowing into the conductance valve of the mass flow controller provided in the branched gas pipe is controlled. Then, in the mass flow controller provided in the branched gas pipe, the pressure on the primary side of the raw material gas flowing into the conductance valve is adjusted, so that the conductance valve of the mass flow controller can operate. It will be a range of pressure.
【００１７】そのため、反応容器の接続されている分岐
ガス配管のガス流量を制御すれば、反応容器内に流入さ
れる原料ガスのガス流量が容易に安定して制御できる。Therefore, by controlling the gas flow rate of the branch gas pipe connected to the reaction vessel, the gas flow rate of the raw material gas flowing into the reaction vessel can be easily and stably controlled.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１は本発明の装置の説明図である。図
示するように水素ガスに担持された水銀、ジメチルカド
ミウムおよびジエチルテルルガスの混合ガスよりなる原
料ガスを導入するための原料ガス配管１が、複数本に分
岐されて分岐され、その分岐ガス配管2-1,2-2,2-3 …
は反応容器６内に接続し、パージ用ガス配管となる分岐
ガス配管2-n は、反応容器６に接続されていない。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view of the device of the present invention. As shown in the figure, a raw material gas pipe 1 for introducing a raw material gas composed of a mixed gas of mercury, dimethyl cadmium and diethyl tellurium gas supported on hydrogen gas is branched into a plurality of branched gas pipes 2 -1,2-2,2-3 ...
Is connected to the inside of the reaction container 6, and the branch gas pipe 2-n serving as a purging gas pipe is not connected to the reaction container 6.
【００１９】そして反応容器６に接続されている分岐ガ
ス配管2-1,2-2,2-3 の各々は、流量センサ3-1,3-2,3-3
… とコンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-3 … が設置さ
れ、この流量センサ3-1,3-2,3-3 …で検知した検知信号
に応じて、コンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-3 …の開閉
度を調節させる制御回路を備えた質量流量制御装置5-1,
5-2,5-3 …を備えている。Each of the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 connected to the reaction vessel 6 has a flow rate sensor 3-1, 3-2, 3-3.
... and conductance valves 4-1, 4-2, 4-3 ... are installed, and the conductance valves 4-1, 4-3, 4-3, ... are installed according to the detection signals detected by the flow rate sensors 3-1, 3-2, 3-3. 4-2, 4-3 Mass flow controller 5-1 equipped with a control circuit for adjusting the degree of opening and closing
It has 5-2, 5-3 ...
【００２０】またパージ用ガス配管となる分岐ガス配管
2-n にも、流量センサ3-n とコンダクタンスバルブ4-n
が設置され、このコンダクタンスバルブ4-n は、パージ
用ガス配管2-n より更にガス流入側の原料ガス配管1 に
備えられた圧力センサ11でその原料ガス配管1 に於ける
ガス圧力を検知される。そしてこの圧力センサ11で検知
されたガス圧力を所定の圧力となるように制御する圧力
制御装置12によって前記したコンダクンスバルブ4-n の
開閉度の制御を行うことで、各分岐ガス配管2-1,2-2,2-
3 …に設置されているコンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-
3 …の一次側の圧力を制御するようにしている。A branch gas pipe serving as a purging gas pipe
2-n, flow sensor 3-n and conductance valve 4-n
This conductance valve 4-n detects the gas pressure in the raw material gas pipe 1 by the pressure sensor 11 provided in the raw material gas pipe 1 further on the gas inflow side than the purge gas pipe 2-n. It And by controlling the degree of opening and closing of the conductance valve 4-n by the pressure control device 12 that controls the gas pressure detected by the pressure sensor 11 to a predetermined pressure, each branch gas pipe 2- 1,2-2,2-
Conductance valves 4-1, 4-2, 4-installed at 3…
3 ... The pressure on the primary side is controlled.
【００２１】このようにすれば、各分岐ガス配管2-1,2-
2,2-3 …に備えられたコンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-
3 …に流れる一次側のガス圧力が所定の範囲内に制御さ
れているで、コンダクタンスバルブ4-1,4-2,4-3 …が動
作不良に陥ることが無くなり、質量流量制御装置5-1,5-
2,5-3 …で高精度に分岐ガス配管2-1,2-2,2-3 …内に流
れる原料ガスの流量が安定して制御される。In this way, each branch gas pipe 2-1,2-
Conductance valves 4-1,4-2,4-provided in 2,2-3 ...
Since the gas pressure on the primary side flowing through 3 ... Is controlled within a predetermined range, the conductance valves 4-1, 4-2, 4-3 .. 1,5-
The flow rate of the raw material gas flowing in the branch gas pipes 2-1, 2-2, 2-3 ... is stably controlled with high accuracy by 2, 5-3.
【００２２】そしてこの原料ガスが、ガス供給ノズル7-
1,7-2,7-3…を通じて基板設置台８上のエピタキシャル
成長用の基板9 に供給されるので、厚さ方向に沿って均
一なx 値( 組成値) を有するHg1-x Cdx Teのエピタキシ
ャル結晶が得られる効果がある。This source gas is supplied to the gas supply nozzle 7-
Since it is supplied to the substrate 9 for epitaxial growth on the substrate mounting table 8 through 1,7-2,7-3 ..., Hg 1-x Cd x having a uniform x value (composition value) along the thickness direction. It has the effect of obtaining a Te epitaxial crystal.
【００２３】なお、本実施例では複数種類の原料ガスの
混合ガスを反応容器内に導入する場合に付いて述べた
が、シリコンのエピタキシャル結晶を形成する場合のよ
うに単一の原料ガスを用いる場合にも適用できるのは無
論である。In this embodiment, the case where a mixed gas of a plurality of kinds of raw material gases is introduced into the reaction vessel has been described, but a single raw material gas is used as in the case of forming an epitaxial crystal of silicon. Of course, it can be applied in some cases.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の気相成長装
置によれば、分岐ガス配管より反応容器内に流入する原
料ガスの流量が安定して供給されるので、組成(x値) の
安定したHg1-x Cdx Teのエピタキシャル結晶が形成され
る効果がある。As described above, according to the vapor phase growth apparatus of the present invention, since the flow rate of the raw material gas flowing into the reaction vessel from the branch gas pipe is stably supplied, the composition (x value) Has the effect of forming stable Hg 1-x Cd x Te epitaxial crystals.
【図１】 本発明の装置の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a device of the present invention.
【図２】 従来の装置の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional device.
1 原料ガス配管 2-1,2-2,2-3… 分岐ガス配管 3-1,3-2,3-3… 流量センサ 4-1,4-2,4-3… コンダクタンスバルブ 5-1,5-2,5-3… 質量流量制御装置 6 反応容器 7-1,7-2,7-3… ガス供給ノズル 8 基板設置台 9 基板 11 圧力センサ 12 圧力制御装置 1 Raw material gas piping 2-1,2-2,2-3… Branch gas piping 3-1,3-2,3-3… Flow rate sensor 4-1,4-2,4-3… Conductance valve 5-1 , 5-2,5-3… Mass flow controller 6 Reaction vessel 7-1, 7-2, 7-3… Gas supply nozzle 8 Substrate installation table 9 Substrate 11 Pressure sensor 12 Pressure controller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西野 弘師 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Nishino 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited
Claims (1)
岐した分岐ガス配管(2-1,2-2,2-3…) のうちで、一本の
分岐ガス配管(2-1,2-2,2-3…) は反応容器(6) に接続せ
ずにパージ用ガス配管(2-n) と成し、他方の分岐ガス配
管(2-1,2-2,2-3…) は反応容器(6) と接続し、該分岐ガ
ス配管(2-1,2-2,2-3…) の各々に流量センサ(3-1,3-2,3
-3…) とコンダクタンスバルブ(4-1,4-2,4-3…) を備え
た質量流量制御装置(5-1,5-2,5-3…) を備え、 該原料ガス配管(1) より分岐ガス配管(2-1,2-2,2-3…)
を通じて一種類、または複数種類の混合ガスの原料ガス
を反応容器(6) 内に導入し、該反応容器(6) 内に導入し
た原料ガスを加熱分解して、該容器(6) 内に設置された
基板(9) 上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於い
て、 前記質量流量制御装置(5-1,5-2,5-3…) のコンダクタン
スバルブ(4-1,4-2,4-3…) の一次側の原料ガスの圧力を
検知する検知手段(11)と該検知手段で検知した検知情報
に基づき圧力を制御する圧力制御手段(12)を備え、該圧
力制御手段(12)により質量流量制御装置(5-1,5-2,5-3
…) のコンダクタンスバルブ(4-1,4-2,4-3…) に流れる
一次側の原料ガスの圧力を制御するようにしたことを特
徴とする気相エピタキシャル成長装置。1. A raw gas pipe (1) is branched into a large number, and one of the branched gas pipes (2-1, 2-2, 2-3 ...) Is branched into a single branched gas pipe (2- 1,2-2,2-3 ...) is not connected to the reaction vessel (6) but is connected to the purge gas pipe (2-n) and the other branch gas pipe (2-1,2-2,2) -3 ...) is connected to the reaction vessel (6), and flow sensor (3-1,3-2,3) is connected to each of the branch gas pipes (2-1,2-2,2-3 ...).
-3 ...) and a mass flow controller (5-1, 5-2, 5-3 ...) equipped with conductance valves (4-1, 4-2, 4-3 ...) 1) Branch gas piping (2-1, 2-2, 2-3 ...)
The raw material gas of one kind or a mixed gas of a plurality of kinds is introduced into the reaction vessel (6) through In the apparatus for growing an epitaxial crystal on the prepared substrate (9), the conductance valve (4-1,4-2,4) of the mass flow controller (5-1,5-2,5-3 ...) is used. -3 ...) detecting means (11) for detecting the pressure of the raw material gas on the primary side and pressure control means (12) for controlling the pressure based on the detection information detected by the detecting means. ) To the mass flow controller (5-1, 5-2, 5-3
The vapor phase epitaxial growth apparatus characterized in that the pressure of the raw material gas on the primary side flowing through the conductance valves (4-1, 4-2, 4-3 ...) of () is controlled.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18231291A JPH0536730A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Vapor phase epitaxial growth equipment |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18231291A JPH0536730A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Vapor phase epitaxial growth equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536730A true JPH0536730A (en) | 1993-02-12 |
Family
ID=16116103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18231291A Withdrawn JPH0536730A (en) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Vapor phase epitaxial growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536730A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004327582A (en) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Horiba Stec Co Ltd | Thin film deposition equipment |
| US6896737B1 (en) * | 2000-08-28 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery device for improved deposition of dielectric material |
| CN116200727A (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | Ozone supply system, substrate processing apparatus, and ozone supply method |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18231291A patent/JPH0536730A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896737B1 (en) * | 2000-08-28 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery device for improved deposition of dielectric material |
| US7271096B2 (en) | 2000-08-28 | 2007-09-18 | Micron Technology, Inc. | Method for improved deposition of dielectric material |
| JP2004327582A (en) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Horiba Stec Co Ltd | Thin film deposition equipment |
| CN116200727A (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | Ozone supply system, substrate processing apparatus, and ozone supply method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |