JPH0537274A - 弾性表面波フイルタの製造方法 - Google Patents
弾性表面波フイルタの製造方法Info
- Publication number
- JPH0537274A JPH0537274A JP18773091A JP18773091A JPH0537274A JP H0537274 A JPH0537274 A JP H0537274A JP 18773091 A JP18773091 A JP 18773091A JP 18773091 A JP18773091 A JP 18773091A JP H0537274 A JPH0537274 A JP H0537274A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor pattern
- aluminum
- aluminum oxide
- acoustic wave
- electron beam
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は微小導体パターンを精度良く形成でき
るとともに製造プロセス中の塵付着を防止することによ
り、製造歩留りの良い弾性表面波フィルタの製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】電子ビーム照射により酸化アルミニウムを原子
レベルでアルミニウムに変化させることにより、微小導
体パターンを精度良く形成する。その上に酸化アルミニ
ウム膜を蒸着してから再度電子ビームを照射することに
より、酸化アルミニウムをアルミニウムに変化させ、所
定厚さ所定形状の導体パターン２０を形成する。その上
にパッシベーションとしての酸化アルミニウム膜２２を
形成してから、ボンディングパッド部をイオンガンでエ
ッチングすることにより、金属アルミニウム１８を露出
させ、基板を装置中から取り出してダイシングすること
によりＳＡＷフィルタを製造する。
るとともに製造プロセス中の塵付着を防止することによ
り、製造歩留りの良い弾性表面波フィルタの製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】電子ビーム照射により酸化アルミニウムを原子
レベルでアルミニウムに変化させることにより、微小導
体パターンを精度良く形成する。その上に酸化アルミニ
ウム膜を蒸着してから再度電子ビームを照射することに
より、酸化アルミニウムをアルミニウムに変化させ、所
定厚さ所定形状の導体パターン２０を形成する。その上
にパッシベーションとしての酸化アルミニウム膜２２を
形成してから、ボンディングパッド部をイオンガンでエ
ッチングすることにより、金属アルミニウム１８を露出
させ、基板を装置中から取り出してダイシングすること
によりＳＡＷフィルタを製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は伝送装置のタイミング波
抽出用フィルタ等に用いられる弾性表面波フィルタの製
造方法に関する。
抽出用フィルタ等に用いられる弾性表面波フィルタの製
造方法に関する。
【０００２】弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）は
例えば高速伝送装置におけるタイミング波抽出用フィル
タやバンドパスフィルタとして用いられる。この種のＳ
ＡＷフィルタは、弾性表面波を伝搬する圧電結晶からな
る基板と、この基板上に形成された電気−弾性表面波の
エネルギ変換を行うための電極とを備えて構成される。
例えば高速伝送装置におけるタイミング波抽出用フィル
タやバンドパスフィルタとして用いられる。この種のＳ
ＡＷフィルタは、弾性表面波を伝搬する圧電結晶からな
る基板と、この基板上に形成された電気−弾性表面波の
エネルギ変換を行うための電極とを備えて構成される。
【０００３】基板上への電極の形成は、通常、フォトリ
ソグラフィ法を適用したパターン形成技術によって行わ
れ、その微細化の程度は直接的に適用可能な周波数範囲
を決定する。即ち、高周波帯用のＳＡＷフィルタを製造
するためには、電極について微細なパターン形成技術が
要求される。
ソグラフィ法を適用したパターン形成技術によって行わ
れ、その微細化の程度は直接的に適用可能な周波数範囲
を決定する。即ち、高周波帯用のＳＡＷフィルタを製造
するためには、電極について微細なパターン形成技術が
要求される。
【０００４】
【従来の技術】従来のＳＡＷフィルタは、数μｍレベル
のパターン幅、パターン間隙及び厚さであったため、一
般的にフォトリソグラフィ法で導体形成を行っている。
しかし、適用周波数がより高くなるにつれて電極パター
ンの幅、パターン間隙をより小さく形成し、その厚さも
より薄く形成する必要があり、従来の製造方法で採用し
たフォトリソグラフィ法では対応が困難になってきてい
る。
のパターン幅、パターン間隙及び厚さであったため、一
般的にフォトリソグラフィ法で導体形成を行っている。
しかし、適用周波数がより高くなるにつれて電極パター
ンの幅、パターン間隙をより小さく形成し、その厚さも
より薄く形成する必要があり、従来の製造方法で採用し
たフォトリソグラフィ法では対応が困難になってきてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、より
小さい導体パターン幅、パターン間隙及びより薄い導体
を形成するためには従来採用していたフォトリソグラフ
ィ法では限界がある。また従来採用しているフォトリソ
グラフィ法ではハンドリング、エッチング等色々の製造
ステップ中で微小な塵が付着し、不良品が発生しやすい
といった問題がある。
小さい導体パターン幅、パターン間隙及びより薄い導体
を形成するためには従来採用していたフォトリソグラフ
ィ法では限界がある。また従来採用しているフォトリソ
グラフィ法ではハンドリング、エッチング等色々の製造
ステップ中で微小な塵が付着し、不良品が発生しやすい
といった問題がある。
【０００６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、微小導体パターン
を精度良く形成できるとともに、製造プロセス中の塵付
着を防止して歩留りの高い弾性表面波フィルタの製造方
法を提供することである。
のであり、その目的とするところは、微小導体パターン
を精度良く形成できるとともに、製造プロセス中の塵付
着を防止して歩留りの高い弾性表面波フィルタの製造方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は電子ビーム照射
により酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を原子レベルで
金属アルミニウムに変化させることにより精度良く微小
導体パターンを形成することを特徴とする。
により酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）を原子レベルで
金属アルミニウムに変化させることにより精度良く微小
導体パターンを形成することを特徴とする。
【０００８】即ち本発明によると、（ａ）少なくともそ
の表面にＡｌ2 Ｏ3 膜の形成された基板表面に互いに離
間した一対のＡｌの導体パターンを形成し、（ｂ）該導
体パターンのポンディングパッド部にＡｌを厚付形成
し、（ｃ）電子ビームを照射して所定領域のＡｌ2 Ｏ3
をＡｌに変換し、（ｄ）表面上にＡｌ2 Ｏ3 を均一の厚
さに蒸着し、（ｅ）前記ステップ（ｃ）と（ｄ）を複数
回繰り返して所定厚さ及び所定形状のＡｌの導体パター
ンを形成し、（ｆ）その上にパッシベーションとしての
Ａｌ2 Ｏ3 膜を蒸着し、（ｇ）ボンディングパッド部の
Ａｌ2 Ｏ3 膜をエッチングにより除去して金属Ａｌを露
出させ、（ｈ）ダイシングにより所定形状に切り出すと
ともに予め形成した前記一対のＡｌの導体パターンを除
去することを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法
が提供される。
の表面にＡｌ2 Ｏ3 膜の形成された基板表面に互いに離
間した一対のＡｌの導体パターンを形成し、（ｂ）該導
体パターンのポンディングパッド部にＡｌを厚付形成
し、（ｃ）電子ビームを照射して所定領域のＡｌ2 Ｏ3
をＡｌに変換し、（ｄ）表面上にＡｌ2 Ｏ3 を均一の厚
さに蒸着し、（ｅ）前記ステップ（ｃ）と（ｄ）を複数
回繰り返して所定厚さ及び所定形状のＡｌの導体パター
ンを形成し、（ｆ）その上にパッシベーションとしての
Ａｌ2 Ｏ3 膜を蒸着し、（ｇ）ボンディングパッド部の
Ａｌ2 Ｏ3 膜をエッチングにより除去して金属Ａｌを露
出させ、（ｈ）ダイシングにより所定形状に切り出すと
ともに予め形成した前記一対のＡｌの導体パターンを除
去することを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法
が提供される。
【０００９】
【作用】本発明は電子ビーム照射により酸化アルミニウ
ムを原子レベルで金属アルミニウムに変化させて導体パ
ターンを形成するため、サブミクロンレベルの微小導体
パターンを精度良く形成可能である。また導体パターン
の形成からパッシベーションまで一貫して超高真空中で
作業を行うため、塵等の付着を防止して製造歩留りを向
上することができる。
ムを原子レベルで金属アルミニウムに変化させて導体パ
ターンを形成するため、サブミクロンレベルの微小導体
パターンを精度良く形成可能である。また導体パターン
の形成からパッシベーションまで一貫して超高真空中で
作業を行うため、塵等の付着を防止して製造歩留りを向
上することができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明実施例の製造プロセスを図面を参
照して詳細に説明する。まずＡｌ 2 Ｏ3 基板１０の表面
に鏡面加工を施し、図１（ａ）に示すように互いに平行
に離間した一対のアルミニウムからなる導体パターン１
２，１４を形成する。このとき、各導体パターン１２，
１４に接続されたポンディングパッド部１６も同時に形
成する。導体パターン１２，１４の厚さは数百オングス
トロームから数千オングストロームが適当である。
照して詳細に説明する。まずＡｌ 2 Ｏ3 基板１０の表面
に鏡面加工を施し、図１（ａ）に示すように互いに平行
に離間した一対のアルミニウムからなる導体パターン１
２，１４を形成する。このとき、各導体パターン１２，
１４に接続されたポンディングパッド部１６も同時に形
成する。導体パターン１２，１４の厚さは数百オングス
トロームから数千オングストロームが適当である。
【００１１】次いで、（ｂ）に示すようにボンディング
パッド部１６にアルミニウム１８を概略１μｍの厚さで
形成する。次いで、ホルダに基板１０を装着し、該ホル
ダを電子ビーム、イオンガン、ＳＥＤ検知器（２次電子
検知器）、ＡＥＳ検知器（オージェ電子検知器）、蒸着
器を備えた装置にセットし、装置内を超高真空に吸引す
る。
パッド部１６にアルミニウム１８を概略１μｍの厚さで
形成する。次いで、ホルダに基板１０を装着し、該ホル
ダを電子ビーム、イオンガン、ＳＥＤ検知器（２次電子
検知器）、ＡＥＳ検知器（オージェ電子検知器）、蒸着
器を備えた装置にセットし、装置内を超高真空に吸引す
る。
【００１２】次いで、図２（ｃ）に示すようにＳＥＤ検
知器でＡｌ2 Ｏ3 基板１０表面をモニタしながら電子ビ
ームを基板表面に照射し、Ａｌ2 Ｏ3 を金属Ａｌに変換
し、導体パターンを形成する。このとき照射された電子
ビームにより発生するオージェ電子のエネルギ値をＡＥ
Ｓ検知器でモニタすることにより導体形成状態を確認す
る。
知器でＡｌ2 Ｏ3 基板１０表面をモニタしながら電子ビ
ームを基板表面に照射し、Ａｌ2 Ｏ3 を金属Ａｌに変換
し、導体パターンを形成する。このとき照射された電子
ビームにより発生するオージェ電子のエネルギ値をＡＥ
Ｓ検知器でモニタすることにより導体形成状態を確認す
る。
【００１３】電子ビームをスキャンすることにより所定
幅所定形状の導体パターンの形成が終了したなら、その
上に図２（ｄ）に示すように概略１〜２０オングストロ
ーム程度の厚さのＡｌ2 Ｏ3 を均一の厚さに蒸着する。
前記ステップ（ｃ）と（ｄ）を複数回繰り返し、図２
（ｅ）に示すような所定の厚さのアルミニウムからなる
導体パターン２０を形成する。
幅所定形状の導体パターンの形成が終了したなら、その
上に図２（ｄ）に示すように概略１〜２０オングストロ
ーム程度の厚さのＡｌ2 Ｏ3 を均一の厚さに蒸着する。
前記ステップ（ｃ）と（ｄ）を複数回繰り返し、図２
（ｅ）に示すような所定の厚さのアルミニウムからなる
導体パターン２０を形成する。
【００１４】次いで、図３（ｆ）に示すようにパッシベ
ーションとしてのＡｌ2 Ｏ3 膜２２を一様に形成してか
ら、図３（ｇ）に示すようにボンディングパッド部１６
をイオンガスでエッチングして金属アルミニウム１８を
露出させる。次いで、基板１０を装置より取り出し、ダ
イシングにより所定形状に切り出すとともに予め形成し
た一対のアルミニウムの導体パターン１２，１４を除去
して、図３（ｈ）に示すようなＳＡＷフィルタが完成す
る。
ーションとしてのＡｌ2 Ｏ3 膜２２を一様に形成してか
ら、図３（ｇ）に示すようにボンディングパッド部１６
をイオンガスでエッチングして金属アルミニウム１８を
露出させる。次いで、基板１０を装置より取り出し、ダ
イシングにより所定形状に切り出すとともに予め形成し
た一対のアルミニウムの導体パターン１２，１４を除去
して、図３（ｈ）に示すようなＳＡＷフィルタが完成す
る。
【００１５】上述した実施例では、Ａｌ2 Ｏ3 基板１０
上に導体パターンを形成するようにしているが、本発明
はＡｌ2 Ｏ3 基板に限定されるものではなく、その表面
上にＡｌ2 Ｏ3 膜の形成された基板を用いることができ
る。
上に導体パターンを形成するようにしているが、本発明
はＡｌ2 Ｏ3 基板に限定されるものではなく、その表面
上にＡｌ2 Ｏ3 膜の形成された基板を用いることができ
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明は電子ビーム照射により酸化アル
ミニウムを原子レベルでアルミニウムに変化させること
により導体パターンを形成するので微小導体パターンを
精度良く形成することができ、高周波用のＳＡＷフィル
タを製造できるという効果を奏する。また、導体パター
ン形成からパッシベーションまで一貫して超高真空中で
作業を行うため、塵等が付着することがなく製造歩留り
を向上することができる。
ミニウムを原子レベルでアルミニウムに変化させること
により導体パターンを形成するので微小導体パターンを
精度良く形成することができ、高周波用のＳＡＷフィル
タを製造できるという効果を奏する。また、導体パター
ン形成からパッシベーションまで一貫して超高真空中で
作業を行うため、塵等が付着することがなく製造歩留り
を向上することができる。
【図１】本発明実施例の製造プロセスを示す図である。
【図２】図１のステップに続く本発明実施例の製造プロ
セスを示す図である。
セスを示す図である。
【図３】図２のステップに続く本発明実施例の製造プロ
セスを示す図である。
セスを示す図である。
１０ Ａｌ2 Ｏ3 基板 １２，１４ 導体パターン １６ ホンディングパッド部 １８ 厚付アルミニウム ２０ 導体パターン ２２ Ａｌ2 Ｏ3 膜（パッシベーション）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （ａ）少なくともその表面にＡｌ2 Ｏ3
膜の形成された基板(10)表面に互いに離間した一対のＡ
ｌの導体パターン(12,14) を形成し、 （ｂ）該導体パターン(12,14) のポンディングパッド部
(16)にＡｌ(18)を厚付形成し、 （ｃ）電子ビームを照射して所定領域のＡｌ2 Ｏ3 をＡ
ｌに変換し、 （ｄ）表面上にＡｌ2 Ｏ3 を均一の厚さに蒸着し、 （ｅ）前記ステップ（ｃ）と（ｄ）を複数回繰り返して
所定厚さ及び所定形状のＡｌの導体パターン(20)を形成
し、 （ｆ）その上にパッシベーションとしてのＡｌ2 Ｏ3 膜
(22)を蒸着し、 （ｇ）ボンディングパッド部(16)のＡｌ2 Ｏ3 膜(22)を
エッチングにより除去して金属Ａｌ(18)を露出させ、 （ｈ）ダイシングにより所定形状に切り出すとともに予
め形成した前記一対のＡｌの導体パターン(12,14) を除
去する、 ことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18773091A JPH0537274A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 弾性表面波フイルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18773091A JPH0537274A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 弾性表面波フイルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537274A true JPH0537274A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16211181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18773091A Withdrawn JPH0537274A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 弾性表面波フイルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537274A (ja) |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18773091A patent/JPH0537274A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |