JPH0538516Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0538516Y2 JPH0538516Y2 JP15286387U JP15286387U JPH0538516Y2 JP H0538516 Y2 JPH0538516 Y2 JP H0538516Y2 JP 15286387 U JP15286387 U JP 15286387U JP 15286387 U JP15286387 U JP 15286387U JP H0538516 Y2 JPH0538516 Y2 JP H0538516Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- cathode
- shadow
- control
- wire diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、グリツド制御マイクロ波管の電子銃
に関し、特にシヤドウグリツドとコントロールグ
リツドのグリツド構造に関する。
に関し、特にシヤドウグリツドとコントロールグ
リツドのグリツド構造に関する。
従来マイクロ波管の変調器は、カソード又はア
ノードに変調電圧を印加する方式がとられていた
が、近年、グリツド制御マイクロ波管が開発さ
れ、小電力のパルス制御が可能なグリツド変調方
式の採用が増加してきている。この種のグリツド
制御マイクロ波管の電子銃はカソードに近接し、
カソードと同じく球面状のシヤドウグリツド及び
シヤドウグリツドから0.3〜0.5mm程度離れた位置
にシヤドウグリツドと線径を同一とした同一形状
のコントロールグリツドを配した構造となつてい
る。コントロールグリツドへの電子ビームの衝突
を防ぐためのシヤドウグリツドは、カソード電位
と同電位となつており、コントロールグリツドに
は、カソード電位に対しプラス数百ボルトのパル
ス変調電圧が印加され、カソードから取り出され
た電子ビームは、このパルス変調電圧により変調
される。
ノードに変調電圧を印加する方式がとられていた
が、近年、グリツド制御マイクロ波管が開発さ
れ、小電力のパルス制御が可能なグリツド変調方
式の採用が増加してきている。この種のグリツド
制御マイクロ波管の電子銃はカソードに近接し、
カソードと同じく球面状のシヤドウグリツド及び
シヤドウグリツドから0.3〜0.5mm程度離れた位置
にシヤドウグリツドと線径を同一とした同一形状
のコントロールグリツドを配した構造となつてい
る。コントロールグリツドへの電子ビームの衝突
を防ぐためのシヤドウグリツドは、カソード電位
と同電位となつており、コントロールグリツドに
は、カソード電位に対しプラス数百ボルトのパル
ス変調電圧が印加され、カソードから取り出され
た電子ビームは、このパルス変調電圧により変調
される。
上述した従来のグリツド構造を拡大して第３図
に示す。２はカソードで、３がシヤドウグリツ
ド、４がコントロールグリツドである。グリツド
線の直下にあたるカソード２の部分は、シヤドウ
グリツド３がコントロールグリツド４からの電界
をしやへいするので、電子放射を行なわず、電子
ビームはすべて各グリツドのビーム通過孔を通過
する。しかし、各グリツドは同一線径であるた
め、カソードからのバリウムやカルシウム等の電
子放射物質はコントロールグリツド４に付着しや
すい。グリツドの温度はカソードに近接している
ので高温になつている。そのため付着した電子放
射物質のために、グリツドエミツシヨンが生じ、
コントロールグリツド４に電流が流れ管球を破壊
するおそれもあつた。
に示す。２はカソードで、３がシヤドウグリツ
ド、４がコントロールグリツドである。グリツド
線の直下にあたるカソード２の部分は、シヤドウ
グリツド３がコントロールグリツド４からの電界
をしやへいするので、電子放射を行なわず、電子
ビームはすべて各グリツドのビーム通過孔を通過
する。しかし、各グリツドは同一線径であるた
め、カソードからのバリウムやカルシウム等の電
子放射物質はコントロールグリツド４に付着しや
すい。グリツドの温度はカソードに近接している
ので高温になつている。そのため付着した電子放
射物質のために、グリツドエミツシヨンが生じ、
コントロールグリツド４に電流が流れ管球を破壊
するおそれもあつた。
本考案の目的は、上記の欠点を除去して、グリ
ツドエミツシヨンのおそれのないグリツド構造を
有する電子銃を提供することにある。
ツドエミツシヨンのおそれのないグリツド構造を
有する電子銃を提供することにある。
本考案の電子銃は、カソード前面に、同形のシ
ヤドウグリツドとコントールグリツドとが順次近
接し、各グリツドのビーム通過孔の中心を合わせ
て対向配置してあつて、前記シヤドウグリツドが
その線径を前記コントールグリツドの線径より大
きくしたグリツド構造を有する。
ヤドウグリツドとコントールグリツドとが順次近
接し、各グリツドのビーム通過孔の中心を合わせ
て対向配置してあつて、前記シヤドウグリツドが
その線径を前記コントールグリツドの線径より大
きくしたグリツド構造を有する。
シヤドウグリツドの線径をコントロールグリツ
ドの線径より僅かに大きくすれば、カソードから
の電子放射物質はシヤドウグリツドに大部分付着
し、コントロールグリツドには付着しない。した
がつて従来問題になつていたコントロールグリツ
ドのグリツドエミツシヨンが生じない。シヤドウ
グリツドはカソード同電位になつているから、電
子放射物質が付着してもグリツド電流は流れな
い。
ドの線径より僅かに大きくすれば、カソードから
の電子放射物質はシヤドウグリツドに大部分付着
し、コントロールグリツドには付着しない。した
がつて従来問題になつていたコントロールグリツ
ドのグリツドエミツシヨンが生じない。シヤドウ
グリツドはカソード同電位になつているから、電
子放射物質が付着してもグリツド電流は流れな
い。
以下に、本考案につき図面を参照しつつ説明す
る。第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図で
ある。第２図は本考案のグリツド構造の拡大図で
ある。第１図において、グリツド制御マイクロ波
管の電子銃１は球面状のカソード２に近接して同
じく球面状のシヤドウグリツド３及びコントロー
ルグリツド４があり、ヒータ５によつて加熱され
てカソード２から電子ビームが、２個のグリツド
３，４のそれぞれ目合せして設けられたビーム通
過孔１０，１１を通り抜け集束電極６および陽極
７で静電集束される。
る。第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図で
ある。第２図は本考案のグリツド構造の拡大図で
ある。第１図において、グリツド制御マイクロ波
管の電子銃１は球面状のカソード２に近接して同
じく球面状のシヤドウグリツド３及びコントロー
ルグリツド４があり、ヒータ５によつて加熱され
てカソード２から電子ビームが、２個のグリツド
３，４のそれぞれ目合せして設けられたビーム通
過孔１０，１１を通り抜け集束電極６および陽極
７で静電集束される。
また、電子ビームのコントロールグリツド４へ
の衝突を防ぐためのシヤドウグリツド３はカソー
ド電位と同電位になつており、コントロールグリ
ツド４は、シヤドウグリツド３と0.3〜0.5mm程度
の間隔で配置され絶縁体９によつてカソード２と
絶縁し、カソード電位に対しプラス数百ボルトの
パルス変調電圧が印加され、このパルス電圧に同
期した電子ビームがカソード２から取り出され
る。
の衝突を防ぐためのシヤドウグリツド３はカソー
ド電位と同電位になつており、コントロールグリ
ツド４は、シヤドウグリツド３と0.3〜0.5mm程度
の間隔で配置され絶縁体９によつてカソード２と
絶縁し、カソード電位に対しプラス数百ボルトの
パルス変調電圧が印加され、このパルス電圧に同
期した電子ビームがカソード２から取り出され
る。
本考案は、第２図の拡大図でわかるように、シ
ヤドウグリツド３の線径をコントロールグリツド
４の線径に対し、わずかに大きくした構造となつ
ている。この構造によりカソード２からの電子放
射物質は、シヤドウグリツド３にさえぎられるた
めコントールグリツド４への付着を防ぐことがで
き、コントールグリツド４からのグリツドエミツ
シヨンを防ぐことができる。シヤドウグリツド３
の線径をあまり大きくすると、カソード２からの
電子放射面積が減少するが、わずかに大きくする
だけで本考案の効果が得られる。
ヤドウグリツド３の線径をコントロールグリツド
４の線径に対し、わずかに大きくした構造となつ
ている。この構造によりカソード２からの電子放
射物質は、シヤドウグリツド３にさえぎられるた
めコントールグリツド４への付着を防ぐことがで
き、コントールグリツド４からのグリツドエミツ
シヨンを防ぐことができる。シヤドウグリツド３
の線径をあまり大きくすると、カソード２からの
電子放射面積が減少するが、わずかに大きくする
だけで本考案の効果が得られる。
以上説明したように、本考案は、グリツド制御
マイクロ波管の電子銃のグリツド構造を、シヤド
ウグリツドの線径をコントロールグリツドの線径
よりもわずかに大きくすることにより、カソード
からの電子放射物質のコントロールグリツドへの
付着を防ぎ、コントロールグリツドからのグリツ
ドエミツシヨンをなくし、安定なマイクロ波管を
得ることを可能にした。
マイクロ波管の電子銃のグリツド構造を、シヤド
ウグリツドの線径をコントロールグリツドの線径
よりもわずかに大きくすることにより、カソード
からの電子放射物質のコントロールグリツドへの
付着を防ぎ、コントロールグリツドからのグリツ
ドエミツシヨンをなくし、安定なマイクロ波管を
得ることを可能にした。
第１図は、本考案のグリツド構造を有する電子
銃の縦断面図、第２図は、本考案のグリツド構造
の拡大図、第３図は、従来のグリツド構造の拡大
図である。 １……電子銃、２……カソード、３……シヤド
ウグリツド、４……コントロールグリツド、６…
…集束電極、９……絶縁体、１０，１１……ビー
ム通過孔。
銃の縦断面図、第２図は、本考案のグリツド構造
の拡大図、第３図は、従来のグリツド構造の拡大
図である。 １……電子銃、２……カソード、３……シヤド
ウグリツド、４……コントロールグリツド、６…
…集束電極、９……絶縁体、１０，１１……ビー
ム通過孔。
Claims (1)
- グリツド制御マイクロ波管の電子銃において、
カソード前面に、同形のシヤドウグリツドとコン
トールグリツドとが順次近接し、各グリツドのビ
ーム通過孔の中心を合わせて対向配置してあつ
て、前記シヤドウグリツドがその線径を前記コン
トールグリツドの線径より大きくしたことを特徴
とするグリツド構造を有する電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15286387U JPH0538516Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15286387U JPH0538516Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0160340U JPH0160340U (ja) | 1989-04-17 |
| JPH0538516Y2 true JPH0538516Y2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=31428177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15286387U Expired - Lifetime JPH0538516Y2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0538516Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2625370B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極とこれを用いたマイクロ波管 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP15286387U patent/JPH0538516Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0160340U (ja) | 1989-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4361781A (en) | Multiple electron beam cathode ray tube | |
| JP2956612B2 (ja) | フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法 | |
| US4506191A (en) | Light source cathode ray tube | |
| JPH044350Y2 (ja) | ||
| JPS6354241U (ja) | ||
| KR100349901B1 (ko) | 칼라 음극선관용 전자총 | |
| JPH044349Y2 (ja) | ||
| US5990603A (en) | Cathode structure with reduced capacitance | |
| JPS6345734Y2 (ja) | ||
| US3334257A (en) | Coaxial cathode-anode electron tube with channel-shaped control grids for the beaming structure | |
| JPS5818211Y2 (ja) | 電子銃 | |
| JPS581956Y2 (ja) | 電子銃 | |
| JP2992902B2 (ja) | 電子線発生装置 | |
| JPH0160448U (ja) | ||
| JP3460536B2 (ja) | 電子銃 | |
| JPH0760637B2 (ja) | 電子銃装置の耐圧処理方法 | |
| KR19990015691A (ko) | 칼라음극선관용 전자총 | |
| JPH0195055U (ja) | ||
| JPS60160547A (ja) | 後段集束型カラ−受像管 | |
| JPH0286042U (ja) | ||
| JPH03106657U (ja) | ||
| JPS6254455U (ja) | ||
| KR20020064433A (ko) | 음극선관용 전자총의 삼극부 구조 | |
| GB1145205A (en) | Improvements in or relating to cathode ray tubes | |
| JPH02146749U (ja) |