JPH053896B2 - - Google Patents
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- JPH053896B2 JPH053896B2 JP4120785A JP4120785A JPH053896B2 JP H053896 B2 JPH053896 B2 JP H053896B2 JP 4120785 A JP4120785 A JP 4120785A JP 4120785 A JP4120785 A JP 4120785A JP H053896 B2 JPH053896 B2 JP H053896B2
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- heating element
- support structure
- substrate
- recess
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、温度制御を要する検出装置に好適な
発熱体支持構造に関するものであつて、より詳細
には、発熱体から散逸する輻射熱を発熱体に反射
させて熱の有効利用を図る発熱体支持構造に関す
るものである。本発明の発熱体支持構造は、温度
センサ、湿度センサ、アルコールセンサ、赤外線
センサ、流速流量センサ、音波センサ、真空計
等、温度制御を要するあらゆる機器に適用可能で
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to a heating element support structure suitable for a detection device requiring temperature control, and more specifically to a heating element support structure that reflects radiant heat dissipated from the heating element to the heating element. This invention relates to a heating element support structure that aims to utilize heat effectively. The heating element support structure of the present invention is applicable to any device that requires temperature control, such as a temperature sensor, humidity sensor, alcohol sensor, infrared sensor, flow rate sensor, sonic sensor, vacuum gauge, etc.
従来技術
一般に、例えば金属酸化物半導体を検出センサ
部として用いる検出装置により信頼性の高い検出
性能を得る為には、検出センサ部を迅速且つ均一
に適正温度に加熱することが要求される。この
為、加熱手段としての電熱器を加熱対象物と共に
空中に張り出させて架橋状に設け、発生熱の主に
伝導による散逸を可及的に防止して加熱効率を高
める方法が用いられている。然るに、電池駆動に
適した低消費電力で安定して所望の温度制御効果
を得るには、更に効率の良い加熱方式が要求され
る。Prior Art Generally, in order to obtain highly reliable detection performance from a detection device using, for example, a metal oxide semiconductor as a detection sensor section, it is required to quickly and uniformly heat the detection sensor section to an appropriate temperature. For this reason, a method is used in which an electric heater as a heating means is installed in a bridge-like manner by extending it into the air together with the object to be heated, thereby increasing heating efficiency by preventing dissipation of the generated heat, mainly through conduction, as much as possible. There is. However, in order to stably obtain the desired temperature control effect with low power consumption suitable for battery operation, a more efficient heating method is required.
目 的
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであつ
て、低消費電力で所望の温度制御効果を安定して
得ることのできる発熱体支持構造を提供すること
を目的とする。Purpose The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a heating element support structure that can stably obtain a desired temperature control effect with low power consumption.
構 成
本発明は、上記の目的を達成させるため、発熱
体を空間中に支持すると共に該発熱体からの輻射
熱を該発熱体に反射させる反射面を具有している
ことを特徴としたものである。Configuration In order to achieve the above object, the present invention is characterized by supporting a heating element in a space and having a reflective surface that reflects radiant heat from the heating element to the heating element. be.
以下、本発明の1実施例に基づき具体的に説明
する。第1図は本発明の1実施例としてのガス検
出装置を示した平面図、第2図はその−断面
図である。両図に示される如く、Si、Cu、Ni、
Cr、Al、Mo、W、NiCr及びステンレス等から
成る基板1の本例では略正方形状の表面上に、
Si3N4及びSiO2等から成る絶縁膜2が被着されて
いる。そして、基板1の中央部には、半球状の凹
部空間3が形成されている。この凹部空間3には
電気的絶縁材料から成るブリツジ4が架橋状に設
けられている。即ち、ブリツジ4は、空中に張り
出した架橋構造をなしている。本例のブリツジ4
は、絶縁膜2と同一平面において凹部空間3の球
面3aの中心Oを通過すべく延在せしめられてい
る。 Hereinafter, a specific explanation will be given based on one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view showing a gas detection device as an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof. As shown in both figures, Si, Cu, Ni,
In this example, on the substantially square surface of the substrate 1 made of Cr, Al, Mo, W, NiCr, stainless steel, etc.,
An insulating film 2 made of Si 3 N 4 , SiO 2 , etc. is deposited. A hemispherical recessed space 3 is formed in the center of the substrate 1. A bridge 4 made of an electrically insulating material is provided in this recessed space 3 in the form of a bridge. That is, the bridge 4 has a bridge structure that extends into the air. Bridge 4 in this example
is extended to pass through the center O of the spherical surface 3a of the recessed space 3 on the same plane as the insulating film 2.
以上の如き基板1と絶縁膜2及びブリツジ3か
ら成る基本Bは、次の如くして一体的に容易に形
成することができる。基板1として、アンダーカ
ツトエツチングが容易で高温度(500℃の加熱を
数〜10時間)で変形変質しない材料の例えばSiウ
エハを使用する。先ず、基板1に絶縁膜2を全面
に積層しエツチング処理前の出発物質を形成す
る。次に、この出発物質に公知のNaOHやAPM
(エチレンジアミン、ピロカテコール、水)等の
エツチヤントにより、結晶方位に対してエツチン
グ速度が異なる異方性エツチングを施す。これに
より、第3図で破線で示される如く、ブリツジ部
4を残してその下の部分の基板1がアンダカツト
され多面体状の凹部空間3′aが形成される。こ
の後、等方性エツチングを施こせば、所望の球面
3aが得られる。等方性エツチングは、基板1が
Siであれば、(HF+HNO3)等の公知のエツチヤ
ントにより容易に実施可能である。この場合、基
板1がCu、Ni、Cr、Al、Mo、W、NiCr及びス
テンレス等から成る場合は、等方性エツチングの
みで球面3aを得ることができる。 The basic structure B consisting of the substrate 1, insulating film 2, and bridge 3 as described above can be easily formed integrally in the following manner. As the substrate 1, a material such as a Si wafer is used, which is easy to perform undercut etching and does not undergo deformation or deterioration at high temperatures (heating at 500° C. for several to 10 hours). First, an insulating film 2 is laminated on the entire surface of a substrate 1 to form a starting material before etching. Next, add the known NaOH or APM to this starting material.
Using an etchant such as (ethylenediamine, pyrocatechol, water), anisotropic etching is performed with different etching rates depending on the crystal orientation. As a result, as shown by the broken line in FIG. 3, the portion of the substrate 1 below the bridge portion 4 is undercut to form a polyhedral recessed space 3'a. Thereafter, by performing isotropic etching, the desired spherical surface 3a can be obtained. Isotropic etching is performed when the substrate 1 is
In the case of Si, this can be easily carried out using a known etchant such as (HF+HNO 3 ). In this case, if the substrate 1 is made of Cu, Ni, Cr, Al, Mo, W, NiCr, stainless steel, etc., the spherical surface 3a can be obtained only by isotropic etching.
ブリツジ4上には、一対の検出用リード5a,
5bが各端部をブリツジ4の中央部(球面3aの
中心Oの近傍)で互いに対向させ且つ所定距離離
隔させて配設されており、その対向領域部分に
は、SnO2、Fe2O3、ZnO及びTiO2等の半導体材
料からなるガス検出層6が形成され、ガス検出領
域を画定している。ガス検出層6は検出用リード
5a及び5bの対向端部に夫々接触して設けられ
ており、ガスの吸着によりその抵抗値が変化し、
その変化を検出することによつてガスの検出を行
う。検出用リード5a,5bは互いに反対向ヘブ
リツジ4上を延在しており、基体Bの図中右上角
部と左下角部に絶縁部2を介して設けられている
各電極部7a,7bに夫々接続されている。これ
ら各電極部7a,7bはAu,Au合金等から成る
ボンデイングパツト8a,8bに夫々接続されて
いる。 On the bridge 4, a pair of detection leads 5a,
5b are arranged with their respective ends facing each other at the center of the bridge 4 (near the center O of the spherical surface 3a ) and separated by a predetermined distance . A gas detection layer 6 made of a semiconductor material such as , ZnO and TiO 2 is formed and defines a gas detection region. The gas detection layer 6 is provided in contact with the opposing ends of the detection leads 5a and 5b, and its resistance value changes due to gas adsorption.
Gas is detected by detecting the change. The detection leads 5a and 5b extend in opposite directions on the bridge 4, and are connected to respective electrode portions 7a and 7b provided via the insulating portion 2 at the upper right corner and lower left corner of the base B in the figure. are connected to each other. These electrode portions 7a, 7b are respectively connected to bonding pads 8a, 8b made of Au, Au alloy, or the like.
ブリツジ4上には、一対の検出用リード5a,
5bと並列的に延在させてヒータ9が設けられて
おり、検出用リードの電極7a,7bに隣接した
電極10a,10bに接続されている。これらヒ
ータ用電極10a,10bも、同様にボンデイン
グパツド11a,11bに接続されている。そし
て、ガス検出領域を除いて検出用リード5a,5
bとヒータ9は電気的絶縁性材料から成る被覆層
12で完全に被覆されており、ブリツジ4上にお
いて検出用リード5a,5bとヒータ9とはこの
被覆層12によつて電気的に分離されている。こ
れにより、リード間の漏れ電流は最小とされ、且
つエレクトロマイグレーシヨン等も積極的に防止
することが可能となるので、夫々のリードの寿命
が長くなる。 On the bridge 4, a pair of detection leads 5a,
A heater 9 is provided extending in parallel with 5b, and is connected to electrodes 10a and 10b adjacent to electrodes 7a and 7b of the detection leads. These heater electrodes 10a, 10b are similarly connected to bonding pads 11a, 11b. Then, the detection leads 5a, 5 except for the gas detection area are
b and the heater 9 are completely covered with a coating layer 12 made of an electrically insulating material, and the detection leads 5a, 5b and the heater 9 are electrically isolated on the bridge 4 by this coating layer 12. ing. As a result, leakage current between the leads can be minimized, and electromigration can also be actively prevented, thereby extending the life of each lead.
凹部空間3内に形成された球面3aは、エツチ
ング処理のままでも鏡面をなしているが、本例で
は更に反射効率を上げる為に、底部を除いた領域
にAuから成る反射膜13が被着されている。こ
の反射膜13は、真空蒸着やスパツタリング等の
方法で容易に被着形成できる。この場合、ヒータ
用電極10a,10bや検出用リード電極7a,
7b上にAuボンデイングパツト8a,8b,1
1a,11bを形成する行程と同時に実施すれ
ば、工数も低減され好都合である。尚、Au膜の
パターンは、蒸着マスクやフオトリングラフイ等
の手段で容易に形成できる。 The spherical surface 3a formed in the recessed space 3 has a mirror surface even after the etching process, but in this example, a reflective film 13 made of Au is coated on the area except the bottom in order to further increase the reflection efficiency. has been done. This reflective film 13 can be easily formed by a method such as vacuum deposition or sputtering. In this case, heater electrodes 10a, 10b, detection lead electrodes 7a,
Au bonding pads 8a, 8b, 1 on 7b
It is advantageous to carry out the step at the same time as forming 1a and 11b because the number of steps can be reduced. Note that the pattern of the Au film can be easily formed using a vapor deposition mask, photolithography, or other means.
以上の如く構成されたガス検出装置において
は、ヒータ9に好適には消費電力を低減する為パ
ルス状の電流を印加して発熱させ、ガス検出層6
を適正温度に均一に加熱してその抵抗値を低下さ
せガス検出の精度を向上させる。この場合、ヒー
タ9から発つせられた熱は、ブリツジ4等を介し
てガス検出層6に伝導しその加熱に共せられると
共に、矢印で示される如く、周囲の空気中にも輻
射される。この輻射熱は球面3aに被着された反
射膜13で効率良く反射され、球面3aの中心O
の近傍に集められる。この球面の中心O近傍には
ガス検出層6が配設されているから、その集めら
れた熱がガス検出層6の加熱に供され、更に効率
良くガス検出層6を加熱することができる。従つ
て、少ない消費電力で効率の良い所望の温度制御
を実施でき、信頼度の高いガス検出性能を安定し
て発揮することができる。尚、本例では、凹部空
間3を球面体状に形成したが、これに限らず、同
様に等方性エツチングにより凹部空間3を方物面
体に形成しその焦点近傍に検出用リード6を配設
しても、同様に効率の良い温度制御効果を発揮す
ることができる。 In the gas detection device configured as described above, preferably a pulsed current is applied to the heater 9 to generate heat in order to reduce power consumption, and the gas detection layer 6
uniformly heated to an appropriate temperature to lower its resistance and improve the accuracy of gas detection. In this case, the heat emitted from the heater 9 is conducted to the gas detection layer 6 via the bridge 4 etc. and is heated together with the heat, and is also radiated into the surrounding air as shown by the arrow. This radiant heat is efficiently reflected by the reflective film 13 attached to the spherical surface 3a, and the center O of the spherical surface 3a
are gathered near. Since the gas detection layer 6 is disposed near the center O of this spherical surface, the collected heat is used to heat the gas detection layer 6, and the gas detection layer 6 can be heated more efficiently. Therefore, desired temperature control can be performed efficiently with low power consumption, and highly reliable gas detection performance can be stably exhibited. In this example, the recessed space 3 is formed into a spherical shape, but the present invention is not limited to this. Similarly, the recessed space 3 can be formed into a parallelepiped shape by isotropic etching, and the detection lead 6 is arranged near the focal point. Even if it is installed, the same efficient temperature control effect can be achieved.
次に、本発明の他のいくつかの実施例について
説明する。尚、上記実施例と同一の構成要素につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。 Next, some other embodiments of the present invention will be described. Incidentally, the same components as those in the above embodiment are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.
第4図及びその断面図の第5図に示した実施例
は、基体Bに設ける凹部空間14を多面体状に形
成する一例で、本例では四角錐台を逆にした形状
に形成されている。このような形状の空間14
は、基板1としてSiウエハを使用し、上述した公
知の異方性エツチング処理により容易に形成する
ことができる。この場合、壁面14aにはSi
(111)、底面14bには(100)面を夫々使用すれ
ばよい。又、ヒータ9からの輻射熱を効率良く加
熱すべき対象が配置されているブリツジ4の中央
部Qに集める為には、各部寸法a,b,c,d
を、
a=b、cd
となる様に設定すればよい。そして、その4個の
壁面14aには、同様にAuから成る反射膜15
が被着されている。斯くの如く凹部空間14を多
面体状に形成した場合も、ヒータ9からの散逸輻
射熱を反射膜15で反射させた後加熱対象領域で
ある中央部Qに集め、加熱対象を所望の温度に効
率良く迅速に加熱することができる。 The embodiment shown in FIG. 4 and its cross-sectional view in FIG. . Space 14 shaped like this
can be easily formed by using a Si wafer as the substrate 1 and by the above-mentioned known anisotropic etching process. In this case, the wall surface 14a has Si
(111) and (100) planes may be used for the bottom surface 14b. In addition, in order to efficiently collect the radiant heat from the heater 9 at the center Q of the bridge 4 where the object to be heated is placed, the dimensions of each part are a, b, c, and d.
may be set so that a=b, cd. Then, on the four wall surfaces 14a, a reflective film 15 made of Au is similarly applied.
is covered. Even when the concave space 14 is formed in a polyhedral shape as described above, the dissipated radiant heat from the heater 9 is reflected by the reflective film 15 and then collected in the central part Q, which is the area to be heated, efficiently bringing the heating target to the desired temperature. Can be heated quickly.
第6図に示した実施例は、延在する発熱体自体
の温度分布を効率良く適正温度に均一化する場合
の好適な一例である。このような発熱体支持構造
が要求される機器としては、例えば、接触燃焼式
ガスセンサがあり、これば、ガスの燃焼温度上昇
幅をヒータの抵抗値変化として捉える原理を有す
るものであり、抵抗値の変化する領域がより広い
程大きな信号が得られる。第6図において、ブリ
ツジ4上に延在するヒータ16の下方には、前述
した逆四角錐台状の空間を2個組み合わせた形状
の凹部空間17がSiウエハから成り基体Bに凹設
されている。この場合、全ての壁面17aを
(111)面で形成しているが、第7図の示す如く、
壁面18aを(111)と(211)の2種類の面を使
用して多面体状凹部空間18を形成してもよい。 The embodiment shown in FIG. 6 is a preferred example for uniformizing the temperature distribution of the extending heating element itself to an appropriate temperature efficiently. An example of a device that requires such a heating element support structure is a catalytic combustion type gas sensor. The wider the range of variation, the larger the signal obtained. In FIG. 6, below the heater 16 extending on the bridge 4, there is a concave space 17 formed by combining two of the above-mentioned inverted quadrangular truncated pyramidal spaces, which is made of a Si wafer and is recessed in the base body B. There is. In this case, all the wall surfaces 17a are formed of (111) planes, but as shown in FIG.
The polyhedral recessed space 18 may be formed using two types of wall surfaces 18a, (111) and (211).
以上の如く構成された本実施例においては、ヒ
ータ16に通電して発熱させると、中央部Cが最
高温度の状態となる。然るに、本例では、中央部
Cからの輻射熱が矢印で示される如く凹部壁面1
7a,18bで両端部に反射され、ヒータ両端部
の加熱に利用される。従つて、中央部の過度な温
度上昇が防止されると共にヒータ16全体の温度
分布が効率良く適正温度に均一化される。これに
より、信頼度の高い大きな出力信号が得られると
共に、消費電力が低減され且つ装置の耐久性が向
上される。尚、本例では凹部空間17,18とし
て異方性エツチングによるパターンを形成した
が、これは、等方性エツチングを組み合わせても
可能である。 In this embodiment configured as described above, when the heater 16 is energized to generate heat, the center portion C reaches the highest temperature. However, in this example, the radiant heat from the central portion C reaches the recess wall surface 1 as shown by the arrow.
It is reflected at both ends by 7a and 18b and used for heating both ends of the heater. Therefore, an excessive temperature rise in the central portion is prevented, and the temperature distribution of the entire heater 16 is efficiently uniformized to an appropriate temperature. As a result, a large output signal with high reliability can be obtained, power consumption is reduced, and the durability of the device is improved. In this example, a pattern is formed by anisotropic etching as the recessed spaces 17 and 18, but this can also be done by combining isotropic etching.
第8図とその断面図の第9図に示した実施例に
おいては、ヒータ9から上方に散逸する輻射熱も
加熱対象領域に反射させて利用する。図示される
如く、ブリツジ4の上方に、第一基体19に凹設
された半球状凹部空間3と略同一形状の凹部空間
21が凹設された第二基体20を、各空間3,2
1を整合させて被装する。これにより、ブリツジ
4とこの上に敷設されているヒータ9やガス検出
層6等が、球状のドーム空間S内に収容された構
成となる。尚、ドーム空間S内の温度が過度に上
昇してヒータ9の加熱温度制御効果に支障を来さ
ない様に、適数個の空気貫通部22が本例では第
一基体表面19aに沿つて空間Sの周囲に均等に
設けられている。又、第一基体19と第二基体2
0は例えばIn等から成る装着層23を介して接着
されている。斯くの如く構成された本実施例にお
いては、ヒータ9から上方に散逸する輻射熱をも
ガス検出層6に反射させて利用するから、より効
率の良いガス検出層6に対する加熱効果が得られ
る。尚、本実施例に限らず、組み合わせる凹部空
間は第4図に示される如き多面体状でもよく、第
6図に示される実施例の如く発熱体全体の温度分
布を均一化する場合にも本例のドーム式支持構造
を適用することができる。 In the embodiment shown in FIG. 8 and its sectional view, FIG. 9, the radiant heat dissipated upward from the heater 9 is also utilized by being reflected to the region to be heated. As shown in the figure, above the bridge 4, a second base body 20 is provided, in which a concave space 21 having substantially the same shape as the hemispherical concave space 3 recessed in the first base body 19 is provided.
1 and cover it. As a result, the bridge 4 and the heater 9, gas detection layer 6, etc. placed thereon are housed in the spherical dome space S. In order to prevent the temperature in the dome space S from rising excessively and impeding the heating temperature control effect of the heater 9, an appropriate number of air penetration portions 22 are provided along the first base surface 19a in this example. They are provided evenly around the space S. Moreover, the first base body 19 and the second base body 2
0 is bonded via a mounting layer 23 made of, for example, In or the like. In this embodiment configured as described above, the radiant heat dissipated upward from the heater 9 is also reflected onto the gas detection layer 6 and used, so that a more efficient heating effect on the gas detection layer 6 can be obtained. Note that this embodiment is not limited to this embodiment, and the concave spaces to be combined may have a polyhedral shape as shown in FIG. A dome type support structure can be applied.
効 果
以上、詳述した如く、本発明によれば、発熱体
から散逸する輻射熱をも発熱体に発射させて利用
することにより、利用目的に応じて発熱体の温度
分布を効率良く制御できる。従つて、低消費電力
で用途に応じた効率の良い加熱効果を得ることが
できると共に、発熱体の耐久性を向上することが
できる。尚、本発明は上記の特定の実施例に限定
されるものではなく、本発明の技術的範囲内にお
いて種々の変形が可能であることは勿論である。
例えば、発熱体は電熱ヒータに限らず、化学反応
を利用する発熱体等種々の発熱体に本発明を適用
することができる。Effects As detailed above, according to the present invention, the temperature distribution of the heating element can be efficiently controlled depending on the purpose of use by making the heating element emit and utilize the radiant heat dissipated from the heating element. Therefore, it is possible to obtain an efficient heating effect depending on the application with low power consumption, and it is also possible to improve the durability of the heating element. It should be noted that the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and it goes without saying that various modifications can be made within the technical scope of the present invention.
For example, the heating element is not limited to an electric heater, but the present invention can be applied to various heating elements such as a heating element that utilizes a chemical reaction.
第1図及び第2図は夫々本発明の1実施例を示
した平面図と断面図、第3図は本発明の1実施例
の製造方法を示した説明図、第4図及び第5図は
夫々本発明の1実施例における変形例を示した平
面図と断面図、第6図及び第7図は夫々本発明の
他の実施例とその実施例を示した各説明図、第8
図及び第9図は夫々本発明の更に他の実施例を示
した斜視図と断面図である。
(符号の説明)、1:基板、3,14,17,
18,21:凹部空間、4:ブリツジ、9,1
6:ヒータ。
1 and 2 are a plan view and a sectional view showing one embodiment of the present invention, respectively, FIG. 3 is an explanatory diagram showing a manufacturing method of one embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 6 and 7 are respectively a plan view and a cross-sectional view showing a modified example of one embodiment of the present invention, FIGS.
9 are a perspective view and a sectional view, respectively, showing still another embodiment of the present invention. (Explanation of symbols), 1: Substrate, 3, 14, 17,
18, 21: recess space, 4: bridge, 9, 1
6: Heater.
Claims (1)
けられており、前記基板の少なくとも一部が表面
から凹設されて凹所が形成されており且つ前記絶
縁性表面部分が所定の形状にパターン形成されて
前記凹所の上方において空中に張り出した支持部
を有しており、前記支持部上に発熱体を設けると
共に前記発熱体からの輻射熱を前記発熱体へ反射
させる反射面が前記凹所の少なくとも一部により
画定されていることを特徴とする発熱体支持構
造。 2 特許請求の範囲第1項において、前記凹所は
前記基板の所定の箇所ををエツチングすることに
より形成されたものであることを特徴とする発熱
体支持構造。 3 特許請求の範囲第1項又は第2項において、
前記基板が非絶縁性物質であり、前記基板の表面
上に絶縁層を付着させて前記絶縁性表面部分を設
けたことを特徴とする発熱体支持構造。 4 特許請求の範囲第1項乃至第3項の内のいず
れか1項において、前記凹所の所定の箇所に反射
膜を設けて反射面を画定したことを特徴とする発
熱体支持構造。 5 特許請求の範囲第1項乃至第4項の内のいず
れか1項において、前記凹所が少なくとも部分的
に球状の形状を有しており、前記発熱体が前記球
状形状の実質的に中心位置に位置されていること
を特徴とする発熱体支持構造。 6 特許請求の範囲第1項乃至第5項の内のいず
れか1項において、前記凹所が少なくとも部分的
に平面状の形状を有していることを特徴とする発
熱体支持構造。 7 特許請求の範囲第1項乃至第5項の内のいず
れか1項において、前記発熱体が前記支持体上に
所定の形状にパターン形成された導電性物質から
なるヒータを有しており前記、ヒータに電流を通
電させて発熱させることを特徴とする発熱体支持
構造。 8 特許請求の範囲第1項乃至第7項の内のいず
れか1項において、前記支持体上で前記ヒータに
並設して一対のリードが所定距離互いに離隔して
設けられており、前記一対のリード間に接続して
半導体材料からなるガス検出層が設けられている
ことを特徴とする発熱体支持構造。 9 特許請求の範囲第1項乃至第8項の内のいず
れか1項において、前記基板上に載置して前記発
熱体を上から被覆する被覆部材が設けられてお
り、前記被覆部材も前記発熱体からの輻射熱を前
記発熱体へ反射させる反射面が設けられているこ
とを特徴とする発熱体支持構造。[Scope of Claims] 1. A substrate having at least an insulating surface portion is provided, at least a portion of the substrate is recessed from the surface to form a recess, and the insulating surface portion has a predetermined shape. It has a supporting part formed into a pattern in the shape of and projecting into the air above the recess, and a heating element is provided on the supporting part, and a reflective surface that reflects radiant heat from the heating element to the heating element. is defined by at least a portion of the recess. 2. The heating element support structure according to claim 1, wherein the recess is formed by etching a predetermined portion of the substrate. 3 In claim 1 or 2,
A heating element support structure, wherein the substrate is a non-insulating material, and the insulating surface portion is provided by depositing an insulating layer on the surface of the substrate. 4. A heating element support structure according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a reflective film is provided at a predetermined location of the recess to define a reflective surface. 5. In any one of claims 1 to 4, the recess has an at least partially spherical shape, and the heating element is located substantially at the center of the spherical shape. A heating element support structure characterized in that the heating element support structure is located at a position. 6. The heating element support structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the recess has an at least partially planar shape. 7. In any one of claims 1 to 5, the heating element has a heater made of a conductive material patterned in a predetermined shape on the support, and , a heating element support structure that generates heat by passing a current through the heater. 8. In any one of claims 1 to 7, a pair of leads are provided on the support body in parallel with the heater and spaced apart from each other by a predetermined distance, A heating element support structure characterized in that a gas detection layer made of a semiconductor material is provided connected between the leads of the heating element. 9. In any one of claims 1 to 8, a covering member is provided that is placed on the substrate and covers the heating element from above, and the covering member also covers the heating element. A heating element support structure characterized by being provided with a reflective surface that reflects radiant heat from the heating element to the heating element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120785A JPS61201148A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Structure for supporting heating element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120785A JPS61201148A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Structure for supporting heating element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201148A JPS61201148A (en) | 1986-09-05 |
| JPH053896B2 true JPH053896B2 (en) | 1993-01-18 |
Family
ID=12601961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4120785A Granted JPS61201148A (en) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | Structure for supporting heating element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61201148A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10383177B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Micro heating plate device and sensor having a micro heating plate device |
Families Citing this family (5)
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| DE102017205985A1 (en) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Substrate structure for a gas sensor or an infrared light source |
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-
1985
- 1985-03-04 JP JP4120785A patent/JPS61201148A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10383177B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-08-13 | Robert Bosch Gmbh | Micro heating plate device and sensor having a micro heating plate device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61201148A (en) | 1986-09-05 |
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