JPH054037U - Current detection sensor - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コアやコイルの使用を排除して、簡易で小型
で実用的な電流検知センサを提供する。
【構成】永久磁石１９上に磁気抵抗素子２１と２２を平
行配置し、この真中に被検出電流が流れる導線２３が設
置される。被検出電流が導線２３に流されると、導線２
３の周囲に右ネジの法則に従って磁場が発生するので、
永久磁石１９から発せられた磁場が乱されることにな
る。この磁場の乱れは磁気抵抗素子２１及び２２の電気
抵抗の変化として検出できるため、磁気抵抗素子２１及
び２２の電気抵抗値を検出すれば、導線２３に流れる電
流の方向と大きさとが検出できる。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a simple, compact and practical current detection sensor by eliminating the use of cores and coils. [Structure] Magneto-resistive elements 21 and 22 are arranged in parallel on a permanent magnet 19, and a conducting wire 23 through which a current to be detected flows is installed in the center thereof. When the current to be detected is passed through the lead wire 23, the lead wire 2
Since a magnetic field is generated around 3 according to the right-handed screw law,
The magnetic field emitted from the permanent magnet 19 will be disturbed. Since the disturbance of the magnetic field can be detected as a change in the electric resistance of the magnetoresistive elements 21 and 22, if the electric resistance values of the magnetoresistive elements 21 and 22 are detected, the direction and magnitude of the current flowing through the conductor wire 23 can be detected.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、被検出電流の方向と大きさを検出する電流検知センサの改良に関す るものである。 The present invention relates to an improvement of a current detection sensor that detects the direction and magnitude of a current to be detected.
【０００２】[0002]
近年においては、電流磁気効果を応用して電流の大きさと方向を検出する電流 検知センサ、すなわち磁電変換素子を用いた電流検知センサが作成されてきてい る。磁電変換素子の一種であるホール素子を用いて作成された電流検知センサは この代表的なものであり、このようなホール素子を用いた電流検知センサの一例 が図５に示されている。 In recent years, a current detection sensor that detects the magnitude and direction of a current by applying the current-magnetic effect, that is, a current detection sensor using a magnetoelectric conversion element has been created. A current detection sensor created using a Hall element, which is a type of magnetoelectric conversion element, is representative of this, and an example of a current detection sensor using such a Hall element is shown in FIG.
【０００３】 図５において、図５Ａの外観図に示されているように、この従来装置はコイル 部１１とコア１３と素子基板１５とから構成されており、素子基板１５にはホー ル素子部１７が設けられている。そして、ホール素子部１７には、図５Ｂに示さ れているように、ホール素子１９が設置されており、このホール素子１９から出 力されるホール電圧ＶH を検出することによって、コイル１３から発せられる磁 界の強さが検出されるようになっている。In FIG. 5, as shown in the external view of FIG. 5A, this conventional device is composed of a coil portion 11, a core 13 and an element substrate 15, and the element substrate 15 has a hole element portion. 17 are provided. As shown in FIG. 5B, the hall element unit 17 is provided with the hall element 19, and by detecting the hall voltage V H output from the hall element 19, the hall element 19 is removed from the coil 13. The strength of the magnetic field emitted is detected.
【０００４】 この従来装置においては、コイル部１１に設置されている端子１１ａと端子１ ２ａに被検出電流を供給する電極が接続される。そして、コイル部１１内におい ては、導線がコア１３に巻線されており、端子１１ａから１１ｂに流された被検 出電流は、このコイル部１１において電磁変換されてコア１３の周囲に磁界を形 成する。そして、このようにして発生した磁界は、素子基板１５上のホール素子 部１７のホール素子１９において磁電変換されてホール電圧ＶH となるわけであ る。In this conventional device, an electrode for supplying a current to be detected is connected to the terminal 11a and the terminal 12a installed in the coil portion 11. In the coil portion 11, a conductive wire is wound around the core 13, and the detected current flowing from the terminals 11a to 11b is electromagnetically converted in the coil portion 11 to generate a magnetic field around the core 13. Form. The magnetic field generated in this way is magnetoelectrically converted into the Hall voltage V H in the Hall element 19 of the Hall element section 17 on the element substrate 15.
【０００５】 ここで、ホール素子１９は入力電流端子１９ａと１９ｂとを有しており、この 入力電流端子１９ａと１９ｂに電源からホール電流ＩH が供給される。一方、ホ ール素子１９には出力電圧端子１９ｃ及び１９ｄが設置されており、このホール 素子１９に磁界Ｂが加えられると、その磁界の大きさに追従した大きさのホール 電圧ＶH が出力電圧端子１９ｃ〜１９ｄ間で検出されることになる。また、磁力 線の方向は、ホール電圧ＶH の符号として検出できるので、これによりホール素 子１９、ひいてはホール素子部１７の周囲に形成されている磁場の強弱と磁極と が解析できるようになっている。Here, the hall element 19 has input current terminals 19a and 19b, and the hall current I H is supplied from the power supply to the input current terminals 19a and 19b. On the other hand, the hall element 19 is provided with output voltage terminals 19c and 19d. When a magnetic field B is applied to the hall element 19, a hall voltage V H of a magnitude that follows the magnitude of the magnetic field is output. It will be detected between the voltage terminals 19c to 19d. Further, since the direction of the magnetic force line can be detected as the sign of the Hall voltage V H , the strength and weakness of the magnetic field and the magnetic pole formed around the Hall element 19 and by extension, the Hall element portion 17 can be analyzed. ing.
【０００６】 そして、このホール素子部１７の周囲に形成される磁界の状態は、コイル部１ ７に供給される被検出電流によって決定されるため、ホール素子１９から出力さ れるホール電圧ＶH を検出すれば、コイル部に供給される被検出電流の大きさと 方向が検出できることになる。Since the state of the magnetic field formed around the Hall element section 17 is determined by the detected current supplied to the coil section 17, the Hall voltage V H output from the Hall element 19 is If detected, the magnitude and direction of the detected current supplied to the coil can be detected.
【０００７】[0007]
しかしながら、このように形成された従来装置においては、コイルやコアを設 定しなければいけないために装置が大型化し実用に適さない、コアとして使用で きる素材の種類に限りがある、製造過程においてもコイルの設定やコアの設置が 設計上の問題となるために製造しにくい、また製造後においてもコアやコイルの ために強度や精度があまり良くない、などの問題があった。 However, in the conventional device formed in this way, the size of the device is large and it is not suitable for practical use because it is necessary to set the coil and core, and there are limits to the types of materials that can be used as the core. However, there are problems that it is difficult to manufacture because the setting of the coil and the installation of the core become a design problem, and the strength and accuracy are not so good after the manufacturing because of the core and the coil.
【０００８】 本考案は以上のような課題を鑑みてなされたものであり、その目的はコイルや コアの使用を排除した小型で強度精度共に良い電流検知センサを提供することに ある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a small-sized current detection sensor having good strength accuracy and excluding the use of a coil and a core.
【０００９】[0009]
以上のような課題を解決するために、本考案に係る電流検知センサにおいては 、永久磁石の一方の磁極面側に平行配置される一対の磁気抵抗素子と、前記一対 の磁気抵抗素子の間にを通る平面上に配置された被検出電流が流される導体と、 を含み、前記一対の磁気抵抗素子の電気抵抗を検出することによって、前記導体 中を流れる被検出電流の方向と大きさを検出することを特徴とする。 In order to solve the above problems, in a current detection sensor according to the present invention, a pair of magnetoresistive elements arranged in parallel to one magnetic pole surface side of a permanent magnet is provided between the pair of magnetoresistive elements. A conductor disposed on a plane passing through the conductor through which the detected current flows, and detecting the electric resistance of the pair of magnetoresistive elements to detect the direction and magnitude of the detected current flowing in the conductor. It is characterized by doing.
【００１０】[0010]
以上のように構成される本考案の電流検知センサにおいては、一対の磁気抵抗 素子には、前記永久磁石の一方の磁極面から常に一方向から磁界が加えられるこ ととなる。 In the current detection sensor of the present invention configured as described above, the magnetic field is always applied to the pair of magnetoresistive elements from one magnetic pole surface of the permanent magnet in one direction.
【００１１】 ここで、前記導体に被検出電流が流されると、該導体の周囲に右ネジの法則に したがって磁界が発生する。そして、このようにして発生した磁界は、前記磁気 抵抗素子に対して常に一方向から加えられている磁界を乱すことになる。When a current to be detected is passed through the conductor, a magnetic field is generated around the conductor according to the right-handed screw law. The magnetic field thus generated disturbs the magnetic field applied to the magnetoresistive element from one direction at all times.
【００１２】 そして、この磁界の乱れは前記導体中に流れる被検出電流の大きさと方向に応 じて発生するので、この磁界の乱れに応じて決定される磁気抵抗素子の電気抵抗 値をそれぞれ検出することによって、前記導体中に流れる被検出電流の大きさと 方向を検出することができる。Since the disturbance of the magnetic field is generated according to the magnitude and direction of the detected current flowing in the conductor, the electric resistance value of the magnetoresistive element determined according to the disturbance of the magnetic field is detected. By doing so, the magnitude and direction of the current to be detected flowing in the conductor can be detected.
【００１３】 すなわち、前記一対の磁気抵抗素子の内で、電気抵抗が変化した磁気抵抗素子 を検出することによって、前記導体中を流れる被検出電流の流れの方向を検出す ることができ、一方、電気抵抗が変化した磁気抵抗素子の電気抵抗値を検出する ことによって、前記導体中を流れる被検出電流の大きさを検出することができる 。That is, by detecting a magnetoresistive element whose electric resistance has changed in the pair of magnetoresistive elements, the direction of the flow of the detected current flowing in the conductor can be detected. By detecting the electric resistance value of the magnetoresistive element whose electric resistance has changed, the magnitude of the detected current flowing through the conductor can be detected.
【００１４】[0014]
以下、本考案の好適な一実施例に係る電流検知センサについて、図に基づいて 説明をしていく。 Hereinafter, a current detection sensor according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１５】 図１は、本実施例に係る電流検知センサの検出部の構成を示す外観図である。 この検出部には、永久磁石１９の上に磁気抵抗素子チップ２０が設置されてお り、この磁気抵抗素子チップ２０上には磁気抵抗素子２１と２２とが平行に配置 され、磁気抵抗素子２１には端子２１ａと２１ｂ、磁気抵抗素子２２には端子２ ２ａと２２ｂとがそれぞれ設置されている。そして、上述のように平行配置され た磁気抵抗素子２１と２２の間に、これらの対称軸に沿って導線２３が設置され ている。FIG. 1 is an external view showing the configuration of the detection unit of the current detection sensor according to the present embodiment. In this detection unit, a magnetoresistive element chip 20 is installed on a permanent magnet 19, and magnetoresistive elements 21 and 22 are arranged in parallel on the magnetoresistive element chip 20. Terminals 21a and 21b are installed on the magnetic resistance element 22, and terminals 22a and 22b are installed on the magnetoresistive element 22, respectively. The conductor wire 23 is installed along the axis of symmetry between the magnetoresistive elements 21 and 22 arranged in parallel as described above.
【００１６】 ここで、磁気抵抗素子チップ２０は永久磁石１９上に接着剤等で固定されてお り、磁気抵抗素子チップ２０の表面は絶縁塗膜で覆われている。なお、磁気抵抗 素子チップ２０上の磁気抵抗素子２１及び２２は磁気抵抗素子チップ２０上にフ ォトエッチング等によってパターン形成されるものである。また、実施例におい ては、磁気抵抗素子２１及び２２が永久磁石１９から受ける磁界強度が０．１Ｔ 〜０．３Ｔとなるように、永久磁石１９の強さと、永久磁石１９から磁気抵抗素 子２１及び２２までの距離が設定されている。また、永久磁石１９の磁極面は磁 気抵抗素子チップ２０と同じかまたはそれよりも大きく設定されている。そして 、磁気抵抗素子２１及び２２の間に設置された導線２３は接着剤などで固定され ている。なお、この固定は磁気抵抗素子チップ２０に塗布されている絶縁塗膜で されても良い。The magnetoresistive element chip 20 is fixed on the permanent magnet 19 with an adhesive or the like, and the surface of the magnetoresistive element chip 20 is covered with an insulating coating film. The magnetoresistive elements 21 and 22 on the magnetoresistive element chip 20 are patterned on the magnetoresistive element chip 20 by photoetching or the like. Further, in the embodiment, the strength of the permanent magnet 19 and the magnetoresistive element from the permanent magnet 19 are set so that the magnetic field strength received by the magnetoresistive elements 21 and 22 from the permanent magnet 19 is 0.1T to 0.3T. The distances to 21 and 22 are set. The magnetic pole surface of the permanent magnet 19 is set to be the same as or larger than the magnetic resistance element chip 20. The conducting wire 23 installed between the magnetoresistive elements 21 and 22 is fixed with an adhesive or the like. The fixing may be performed by an insulating coating film applied to the magnetoresistive element chip 20.
【００１７】 次に、本実施例に係る電流検知センサの検出部の動作を図２を基にして説明を していく。このうち、図２（Ａ）は導線２３に被検出電流が流される前の状態を 示したものであり、図２（Ｂ）は導線２３に被検出電流が流された時の状態を示 した動作説明図である。Next, the operation of the detection unit of the current detection sensor according to this embodiment will be described with reference to FIG. Of these, FIG. 2 (A) shows the state before the detected current is passed through the conducting wire 23, and FIG. 2 (B) shows the state when the detected current is passed through the conducting wire 23. FIG.
【００１８】 本実施例においては、永久磁石１９のＮ極が磁気抵抗素子チップ２０側に向け て設置されているため、永久磁石１９から発せられる磁力線の向きは図２中の矢 印３１に示されているように上向きになる。ここで、導線２３に被検出電流が流 されると、図２（Ａ）に示されるように、右ネジの法則に従って導線２３の周囲 に、２点鎖線３３で表されるような磁界が形成されるようになる。In this embodiment, since the N pole of the permanent magnet 19 is installed toward the magnetoresistive element chip 20 side, the direction of the magnetic force line emitted from the permanent magnet 19 is indicated by the arrow 31 in FIG. Be upwards as you are. Here, when a current to be detected is applied to the conductive wire 23, as shown in FIG. 2A, a magnetic field represented by a chain double-dashed line 33 is formed around the conductive wire 23 in accordance with the right-handed screw law. Will be done.
【００１９】 そして、導線２３に被検出電流が例えば紙面の手前から奥の方に流された場合 には、図２Ｂに示されるように、右ネジの法則に従って右回りの磁力線が発生し て永久磁石１９から発せられる磁力線３１を乱すことになる。このときにおいて は、導線２３の周囲に発生した磁界３５によって、磁気抵抗素子２２付近の磁界 の強度が弱められるとともに、磁気抵抗素子２１付近の磁界は強められることと なる。When a current to be detected is passed through the conductive wire 23 from the front to the back of the paper, for example, as shown in FIG. The magnetic force lines 31 emitted from the magnet 19 are disturbed. At this time, the strength of the magnetic field near the magnetoresistive element 22 is weakened and the strength of the magnetic field near the magnetoresistive element 21 is strengthened by the magnetic field 35 generated around the conducting wire 23.
【００２０】 ところで、本実施例において使用される磁気抵抗素子はインジウムアンチモン などの化合物半導体磁気抵抗素子であるので、外部の磁界が強くなればなるほど 電気抵抗が増加する。従って、上述のような例でいけば、導線２３に上述の例の ような方向で被検出電流が流された場合には、磁気抵抗素子２２の電気抵抗が小 さくなると共に磁気抵抗素子２１の電気抵抗が増加する。By the way, since the magnetoresistive element used in this embodiment is a compound semiconductor magnetoresistive element such as indium antimony, the electric resistance increases as the external magnetic field becomes stronger. Therefore, in the case of the above example, when a current to be detected is applied to the conductor wire 23 in the direction as in the above example, the electric resistance of the magnetoresistive element 22 becomes small and the magnetoresistive element 21 becomes smaller. Electric resistance increases.
【００２１】 これを逆にいえば、磁気抵抗素子２１の電気抵抗が増加すると共に磁気抵抗素 子２２の電気抵抗が減少した場合には、上述のように紙面の手前から奥に向って 被検出電流が流れていることになる。しかしながら、磁気抵抗素子２２の電気抵 抗が増加すると共に磁気抵抗素子２１の電気抵抗が減少した場合には、前述とは 逆方向、すなわち紙面の奥から手前に向って被検出電流が流れていることになる 。従って、本実施例においては、電気抵抗が減少した磁気抵抗素子の検出を行え ば、導線２３に流れる被検出電流の方向を検出することができる。このようにし て、永久磁石１９が、磁気抵抗素子２１及び２２の感度を高めるためのバイアス 用磁石の役割をしているのと同時に、これらの磁気抵抗素子に磁極の判別能力を もたせる役割も果しているわけである。Conversely, when the electric resistance of the magnetoresistive element 21 is increased and the electric resistance of the magnetoresistive element 22 is decreased, the detected object is detected from the front side to the back side of the paper surface as described above. The current is flowing. However, when the electric resistance of the magnetoresistive element 22 increases and the electric resistance of the magnetoresistive element 21 decreases, the detected current flows in the opposite direction from the above, that is, from the back of the paper to the front. It will be. Therefore, in the present embodiment, if the magnetoresistive element whose electric resistance is reduced can be detected, the direction of the detected current flowing through the conductor 23 can be detected. In this way, the permanent magnet 19 functions as a bias magnet for increasing the sensitivity of the magnetoresistive elements 21 and 22, and at the same time, plays a role of giving these magnetoresistive elements a magnetic pole discriminating ability. That is why.
【００２２】 ところで、導線２３の周囲に発生する磁界３５の大きさは導線２３中を流れる 被検出電流の大きさに比例し、さらに永久磁石１９から発せられている磁界３１ の乱され度合は、導線２３の周囲に発生する磁界３５の大きさに追従するために 、磁界３１の乱れ度合を検出することによって導線２３を流れる被検出電流の大 きさが検出できることになる。そして、永久磁石１９から発せられる磁界３１の 乱れ度合は磁気抵抗素子２１及び２２の電気抵抗の変化として検出することがで きるので、磁気抵抗素子２１及び２２の電気抵抗を検出すれば、導線２３に流れ る被検出電流の大きさが検出できることとなる。すなわち、磁気抵抗素子２１ま たは２２の電気抵抗の変化が大きければ大きいほど導線２３に流れる被検出電流 の大きさが大きいこととなり、これとは逆に磁気抵抗素子２１または２２の電気 抵抗の変化が小さい場合には導線２３に流れる被検出電流の大きさが小さいとい うことになる。By the way, the magnitude of the magnetic field 35 generated around the conducting wire 23 is proportional to the magnitude of the detected current flowing through the conducting wire 23, and the degree of disturbance of the magnetic field 31 emitted from the permanent magnet 19 is In order to follow the magnitude of the magnetic field 35 generated around the conducting wire 23, the magnitude of the detected current flowing through the conducting wire 23 can be detected by detecting the degree of disturbance of the magnetic field 31. The degree of turbulence of the magnetic field 31 emitted from the permanent magnet 19 can be detected as a change in the electric resistance of the magnetoresistive elements 21 and 22. Therefore, if the electric resistance of the magnetoresistive elements 21 and 22 is detected, the conductor wire 23 The magnitude of the current to be detected flowing in can be detected. That is, the greater the change in the electrical resistance of the magnetoresistive element 21 or 22, the greater the magnitude of the current to be detected flowing through the conductor 23. On the contrary, the electrical resistance of the magnetoresistive element 21 or 22 is increased. When the change is small, it means that the magnitude of the detected current flowing through the conductor 23 is small.
【００２３】 ここで、図３は図１に示されているような検出部を有する電流検出センサの一 実施例の構成を示した図である。Here, FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a current detection sensor having a detection unit as shown in FIG.
【００２４】 本実施例に係る電流検知センサは、図１に示されている検出部が基板４０上に 載置され、導線３０は接点部４２及び４４において、基板４０に半田付け固定さ れている。なお、この場合においては、永久磁石１９の強度に応じて、基板４０ に永久磁石を埋める穴を作るなどして、永久磁石１９と磁気抵抗素子２１及び２ ２の距離を設定することもでき、従って、例えば磁気抵抗素子２１及び２２が永 久磁石１９から受ける磁界強度が０．１Ｔ〜０．３Ｔとなるように調整すること が可能である。In the current detection sensor according to the present embodiment, the detection unit shown in FIG. 1 is placed on the substrate 40, and the conductive wire 30 is soldered and fixed to the substrate 40 at the contact portions 42 and 44. There is. In this case, the distance between the permanent magnet 19 and the magnetoresistive elements 21 and 22 can be set by forming a hole in the substrate 40 to fill the permanent magnet, depending on the strength of the permanent magnet 19. Therefore, for example, it is possible to adjust so that the magnetic field strength that the magnetoresistive elements 21 and 22 receive from the permanent magnet 19 is 0.1T to 0.3T.
【００２５】 図４は、図３に示されているような電流検知センサを用いて電流検知を行う場 合の回路の機能構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration of a circuit when current detection is performed using the current detection sensor as shown in FIG.
【００２６】 この図４に示されているように、本実施例における電流検知センサは定電圧源 ４６に接続されており、さらには電圧計４８が設置されて磁気抵抗素子２２の前 後の電位差が検出できるようになっている。従って、導線２３に流れる被検出電 流Ｉの大きさに比例した電圧変化を電圧計４８で読み取ることができ、被検出電 流Ｉの方向を電圧計４８の±の方向で検出できるようになっている。As shown in FIG. 4, the current detection sensor in this embodiment is connected to a constant voltage source 46, and further, a voltmeter 48 is installed so that the potential difference before and after the magnetoresistive element 22 is set. Can be detected. Therefore, the voltage change proportional to the magnitude of the detected current I flowing through the conductor 23 can be read by the voltmeter 48, and the direction of the detected current I can be detected by the ± directions of the voltmeter 48. ing.
【００２７】 ところで、本実施例においては磁気抵抗素子２１の前後には端子２１ａと２１ ｂが、磁気抵抗素子２２の前後には端子２２ａと２２ｂがそれぞれ設置されてい るために、電圧による検出は磁気抵抗素子２２の前後で行うことも可能であり、 また磁気抵抗素子２１の前後で行うことも可能である。そしてまた、この他にも 磁気抵抗素子２１前後の電圧と磁気抵抗素子２２前後の電圧の差をとって処理な どすることも可能であり、これは本装置が設定される機器において自由に選択す ることが好適である。いずれにしても、４個の出力端子を有しているために、多 くの応用例を設定することが可能である。By the way, in this embodiment, the terminals 21a and 21b are installed before and after the magnetoresistive element 21, and the terminals 22a and 22b are installed before and after the magnetoresistive element 22, respectively. It can be performed before and after the magnetoresistive element 22, and also before and after the magnetoresistive element 21. In addition to this, it is also possible to perform processing by taking the difference between the voltage before and after the magnetoresistive element 21 and the voltage before and after the magnetoresistive element 22, which can be freely selected in the equipment to which this device is set. Is preferred. In any case, since it has four output terminals, it is possible to set many application examples.
【００２８】 なお、本実施例においては、化合物半導体磁気抵抗素子としてインジウムアン チモンを用いたが、使用される化合物半導体はこれに限られるものではなく、ニ ッケルアンチモン，インジウム砒素，ガリウム砒素などのあらゆる化合物半導体 磁気抵抗素子を用いることが可能である。Although indium antimony is used as the compound semiconductor magnetoresistive element in the present embodiment, the compound semiconductor used is not limited to this, and nickel antimony, indium arsenide, gallium arsenide, and the like can be used. A compound semiconductor magnetoresistive element can be used.
【００２９】[0029]
以上のように、本考案に係る電流検知センサにおいては、永久磁石上に磁気抵 抗素子を配し、その磁気抵抗素子上に被検出電流を流す導体を置くという簡単な 構成であるため、小型、軽量、かつ安価に製造できる、という利点がある。 As described above, the current detection sensor according to the present invention has a simple structure in which the magnetic resistance element is arranged on the permanent magnet and the conductor for flowing the detected current is arranged on the magnetic resistance element. It has the advantages of being lightweight and inexpensive to manufacture.
【００３０】 また、永久磁石によるバイアス磁界のために、永久磁石上に平行配置された磁 気抵抗素子の抵抗変化は互いに差動的に変化するので、高感度検出ができるよう になっている。Further, due to the bias magnetic field generated by the permanent magnets, the resistance changes of the magnetic resistance elements arranged in parallel on the permanent magnets change differentially with each other, so that high-sensitivity detection can be performed.
【００３１】 さらに、被検出電流が流される導線を磁気抵抗素子が設置されるチップと同一 チップ上に設定できるので、より容易にセンサの組立を行うことができ、またよ り小型軽量安価なセンサを提供することができるようになっている。これととも に、被検出電流が流される導線と検出を行う磁気抵抗素子を極めて近くに設定す ることができるため、高感度の電流検知センサを提供することが可能となってい る。Further, since the conducting wire through which the current to be detected flows can be set on the same chip as the chip on which the magnetoresistive element is installed, the sensor can be assembled more easily, and the sensor is smaller and lighter and cheaper. To be able to provide. At the same time, the conducting wire through which the current to be detected flows and the magnetoresistive element for detection can be set very close to each other, which makes it possible to provide a highly sensitive current detection sensor.
【図１】本考案の一実施例に係る電流検知センサの検出
部の構成を示した外観図である。FIG. 1 is an external view showing a configuration of a detection unit of a current detection sensor according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の検出部の動作を説明する動作説明図であ
る。FIG. 2 is an operation explanatory diagram illustrating an operation of a detection unit in FIG.
【図３】図１の検出部が設置された電流検知センサの構
成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a current detection sensor in which the detection unit of FIG. 1 is installed.
【図４】本実施例に係る電流検知センサの回路構成を示
すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a circuit configuration of a current detection sensor according to the present embodiment.
【図５】従来の電流検知センサ、すなわちホール素子を
用いた電流検知センサの構成を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional current detection sensor, that is, a current detection sensor using a Hall element.
１９ 永久磁石 ２０ 磁気抵抗素子チップ ２１，２２ 磁気抵抗素子 ２３ 導線（導体） 19 permanent magnet 20 magnetoresistive element chip 21, 22 magnetoresistive element 23 conductor wire (conductor)
Claims (1)
る一対の磁気抵抗素子と、 前記一対の磁気抵抗素子の間を通る平面上に配置された
被検出電流が流される導体と、 を含み、 前記一対の磁気抵抗素子の電気抵抗を検出することによ
って、前記導体中を流れる被検出電流の方向と大きさを
検出することを特徴とする電流検知センサ。Claims for utility model registration: 1. A pair of magnetoresistive elements arranged in parallel to one magnetic pole surface side of a permanent magnet, and a target object arranged on a plane passing between the pair of magnetoresistive elements. A current detection sensor, comprising: a conductor through which a detection current flows; and detecting the electric resistance of the pair of magnetoresistive elements to detect the direction and magnitude of the current to be detected flowing in the conductor. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204991U JP2547169Y2 (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Current detection sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5204991U JP2547169Y2 (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Current detection sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054037U true JPH054037U (en) | 1993-01-22 |
| JP2547169Y2 JP2547169Y2 (en) | 1997-09-10 |
Family
ID=12903963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5204991U Expired - Lifetime JP2547169Y2 (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Current detection sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2547169Y2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10142263A (en) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | Current detecting device |
| JP2008122083A (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Hamamatsu Koden Kk | Current sensor |
| JP2012220237A (en) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Toyota Motor Corp | Current detector |
| JP2015184120A (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | current sensor |
| US11204374B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Current sensor, and manufacturing method for current sensor |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP5204991U patent/JP2547169Y2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10142263A (en) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | Current detecting device |
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| US11204374B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Current sensor, and manufacturing method for current sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2547169Y2 (en) | 1997-09-10 |
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