JPH0540593Y2 - - Google Patents

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JPH0540593Y2
JPH0540593Y2 JP1986147331U JP14733186U JPH0540593Y2 JP H0540593 Y2 JPH0540593 Y2 JP H0540593Y2 JP 1986147331 U JP1986147331 U JP 1986147331U JP 14733186 U JP14733186 U JP 14733186U JP H0540593 Y2 JPH0540593 Y2 JP H0540593Y2
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light
photoelectric switch
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detection distance
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Description

【考案の詳細な説明】 〔技術分野〕 この考案は反射型光電スイツチに関する。[Detailed explanation of the idea] 〔Technical field〕 This invention relates to a reflective photoelectric switch.

〔背景技術〕[Background technology]

反射型光電スイツチは、発光ダイオードなどの
発光素子から投光された光が、被検知物体で反射
され、この反射光を受光素子で受けて、被検知物
体の存在を検知する。
In a reflective photoelectric switch, light emitted from a light emitting element such as a light emitting diode is reflected by an object to be detected, and this reflected light is received by a light receiving element to detect the presence of the object to be detected.

このような反射型光電スイツチの中に、スイツ
チからみた被検知物体の位置が所定内の距離範囲
(検知可能領域)にあるときにのみ被検知物体の
検知が行われる反射型の光電スイツチがある。こ
の検知可能領域は、通常、距離によつて変わる反
射光の強さを基準にして設定されている。
Among these reflective photoelectric switches, there is a reflective photoelectric switch that detects the detected object only when the position of the detected object as seen from the switch is within a predetermined distance range (detectable area). . This detectable area is usually set based on the intensity of reflected light that changes depending on distance.

ところが、反射型光電スイツチでは、被検知物
体の表面の反射率が違うと、投光の強さが同じで
あつても、反射光の強さが違つてくる。そのた
め、前記した検知可能領域を設定できる反射型光
電スイツチの場合、反射率の低い被検知物体で
は、被検知物体が検知可能領域にあつても、受光
素子から出る受光信号が弱過ぎので、被検知物体
が検知可能領域よりも遠くに存在すると判断され
ることがある。逆に、反射率の高い被検知物体
は、受光信号が強過ぎるために、検知可能領域よ
りも遠くにあるのに検知可能領域内に存在すると
判断されることがある。
However, in a reflective photoelectric switch, if the reflectance of the surface of the object to be detected differs, even if the intensity of the projected light is the same, the intensity of the reflected light will differ. Therefore, in the case of a reflective photoelectric switch that can set a detectable area as described above, if a detected object has a low reflectance, even if the detected object is in the detectable area, the light reception signal output from the light receiving element will be too weak. It may be determined that the detected object exists further away than the detectable area. Conversely, a detected object with a high reflectance may be determined to exist within the detectable area even though it is farther away than the detectable area because the received light signal is too strong.

このような、被検知物体の表面の反射率の違い
による誤作動を防ぐために、次に説明するような
反射型光電スイツチが考えられた。
In order to prevent such malfunctions due to differences in the reflectance of the surface of the detected object, a reflective photoelectric switch as described below was devised.

すなわち、被検知物体から反射される光を受け
て2系列の受光信号を出す受光手段と、この2系
列の受光信号の比を算出する算出手段を備えてい
て、この算出手段の出力信号によつて、被検知物
体の検知を行うようにしたものである。
That is, it includes a light receiving means that receives light reflected from the object to be detected and outputs two series of light reception signals, and a calculation means that calculates the ratio of the two series of light reception signals. Accordingly, the object to be detected is detected.

この算出手段を備えた反射型光電スイツチで
は、被検知物体の位置が同じであれば、被検知物
体の反射率が異なつていても、2系列の受光信号
の比、すなわち算出手段から出る出力信号は同じ
になる。そのため、被検知物体が同一の距離にあ
れば、反射率の如何にかかわらず、正確に検知が
できるという利点がある。
In a reflective photoelectric switch equipped with this calculating means, if the position of the detected object is the same, even if the reflectance of the detected object is different, the ratio of the two series of received light signals, that is, the output output from the calculating means. The signals will be the same. Therefore, there is an advantage that if the object to be detected is at the same distance, it can be accurately detected regardless of the reflectance.

第5図は、検知可能領域内における被検知物体
の位置と、2系列の受光信号の関係を表したグラ
フである。図の右側にいくほどスイツチからみて
遠い位置となる。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the position of the object to be detected within the detectable area and the two series of received light signals. The farther you go to the right in the diagram, the further away you are from the switch.

曲線A,A′は、一方の系列、すなわちチヤン
ネル1の受光信号をあらわし、曲線B,B′は、
他方の系列、すなわちチヤンネル2の受光信号を
あらわしている。実線の曲線A,Bは、高反射率
の被検知物体(例えば、白紙)の場合の受光信号
を示しており、受光信号量は高くなつている。破
線の曲線A′,B′は、低反射率(例えば、黒紙)
の被検知物体の場合の受光信号を示しており、受
光信号量が、前記曲線A,Bに比べて、全体的に
小さくなつている また、チヤンネル1の受光信号は、距離が遠く
なるに従つて信号量が高くなるような特性を示
し、チヤンネル2の受光信号は、距離が遠くなる
に従つて信号量が小さくなるような特性を示して
いる。このようなチヤンネル毎の受光特性は、受
光素子の特性や受光素子に接続される受光回路の
構成により設定される。
Curves A and A' represent the received light signals of one series, that is, channel 1, and curves B and B' are
It represents the received light signal of the other series, ie, channel 2. Solid curves A and B indicate light reception signals when the object to be detected has a high reflectance (for example, a blank sheet of paper), and the amount of light reception signals is high. Broken curves A′ and B′ are for low reflectance (for example, black paper)
This shows the received light signal in the case of the detected object, and the amount of the received light signal is smaller overall compared to curves A and B. Also, the received light signal of channel 1 changes as the distance increases. The received light signal of channel 2 exhibits a characteristic in which the signal amount decreases as the distance increases. Such light-receiving characteristics for each channel are set based on the characteristics of the light-receiving element and the configuration of the light-receiving circuit connected to the light-receiving element.

したがつて、被検知物体を同じ位置においた場
合は、被検知物体の反射率が違つても、チヤンネ
ル1の受光信号量と、チヤンネル2の受光信号量
との比、すなわち、算出手段からの出力信号は同
じになり、前記したように、反射率の如何にかか
わらず、正確な検知ができるようになるのであ
る。
Therefore, when the objects to be detected are placed at the same position, even if the reflectance of the objects to be detected is different, the ratio between the amount of received light signals of channel 1 and the amount of received light signals of channel 2, that is, the calculation means The output signal will be the same, and as described above, accurate detection will be possible regardless of the reflectance.

ところが、反射率の低い被検知物体の場合、光
電スイツチからの距離が、一定以上に遠くなる
と、反射光量が少なくなり過ぎて、曲線B′にみ
るように、チヤンネル2の最低受光信号量E0
下回つてしまう。
However, in the case of a detected object with low reflectance, when the distance from the photoelectric switch exceeds a certain value, the amount of reflected light becomes too small, and as shown by curve B', the minimum received signal amount of channel 2 E 0 It will drop below.

最低受光信号量E0を下回る範囲では、正確な
受光信号は得られないから、前記したチヤンネル
1の受光信号量とチヤンネル2の受光信号量との
比も、不正確な値となり、算出手段からの出力信
号をもとにして、被検知物体を検知することが出
来なくなる。
Since an accurate received light signal cannot be obtained in the range below the minimum received light signal amount E 0 , the ratio between the received light signal amount of channel 1 and the received light signal amount of channel 2 will also be an inaccurate value, and the calculation means will It becomes impossible to detect the object to be detected based on the output signal of.

つまり、上記したような構造の反射型光電スイ
ツチでは、反射率の低い被検知物体に対しては、
検知可能領域内にあつても、光電スイツチからの
距離があまり遠くなつてしまうと、検知できなく
なる。言い換えると、低反射率被検知物体の最大
検出距離l0が存在するのである。
In other words, with the reflection type photoelectric switch having the structure described above, when detecting objects with low reflectivity,
Even if it is within the detectable area, if the distance from the photoelectric switch becomes too far, it will not be able to be detected. In other words, there is a maximum detection distance l 0 of a low reflectance detected object.

このような検討の結果、従来、2系列の受光信
号の比を用いる構造の反射型光電スイツチは、被
検知物体の反射率の違いには全く影響を受けず、
常に正確な検知ができると考えられていたのであ
るが、実際には、最大検出距離を超えた位置にあ
る低反射率検知物体は検知できず、反射率により
検知性能に影響が生じることが判つた。
As a result of these studies, we found that the conventional reflective photoelectric switch, which uses the ratio of two series of received light signals, is completely unaffected by the difference in reflectance of the detected object.
It was thought that accurate detection could be performed at all times, but in reality it was found that objects with low reflectivity located beyond the maximum detection distance could not be detected, and that the reflectance affected detection performance. Ivy.

前記した最低受光信号量E0は、受光素子や回
路の特性によつて決まるが、このような特性は、
製造加工条件などにより微妙に変化するので、低
反射率被検知物体の最大検出距離l0も、製造され
た光電スイツチ毎に違つてくる可能性がある。
The above-mentioned minimum received light signal amount E 0 is determined by the characteristics of the light receiving element and circuit, but such characteristics are
Since it changes slightly depending on manufacturing processing conditions, etc., the maximum detection distance l 0 of a low reflectance object to be detected may also differ depending on the photoelectric switch manufactured.

しかし、同じ機種の光電スイツチ同士では、前
記最大検出距離l0を、製造段階で、一定に揃えて
おくのが望ましい。また、同時に使用する複数の
光電スイツチ同士でも、最大検出距離l0を揃えて
おいたほうがよい。さらに、使用目的や要求性能
に合わせて、使用段階で、最大検出距離l0を変え
たい場合も出てくる。
However, for photoelectric switches of the same model, it is desirable to keep the maximum detection distance l 0 constant at the manufacturing stage. Furthermore, it is better to have the same maximum detection distance l 0 even for a plurality of photoelectric switches used at the same time. Furthermore, it may be necessary to change the maximum detection distance l 0 during the use stage depending on the purpose of use and required performance.

このような場合、例えば、前記チヤンネル2に
おける増幅器の増幅率を変えれば、受光信号の強
さを変えることができ、最大検出距離l0を調整す
ることが可能である。しかしながら、チヤンネル
2の増幅率を変えてしまうと、受光信号の比すな
わち算出手段の出力信号を変えないためには、チ
ヤンネル1の増幅率も合わせて変えないといけな
い。チヤンネル1の増幅率を変えないのであれ
ば、算出手段を再調整して出力信号が変わらない
ようにしなければならない。何れにしても、複雑
で手間のかかる作業が必要となる。しかも、この
ような調整を可能にするのに必要な回路の構成も
複雑となるなど、およそ実用的ではない。さら
に、受光信号の増幅率を上げると、ノイズも増幅
されてしまうという不都合もある。
In such a case, for example, by changing the amplification factor of the amplifier in channel 2, the strength of the received light signal can be changed, and the maximum detection distance l 0 can be adjusted. However, if the amplification factor of channel 2 is changed, the amplification factor of channel 1 must also be changed in order not to change the ratio of the received light signal, that is, the output signal of the calculation means. If the amplification factor of channel 1 is not changed, the calculation means must be readjusted so that the output signal does not change. In either case, complicated and time-consuming work is required. Furthermore, the configuration of the circuit required to make such adjustment becomes complicated, making it impractical. Furthermore, when the amplification factor of the received light signal is increased, there is also the disadvantage that noise is also amplified.

その他にも、最大検出距離l0を調整するための
手段や装置は考えられるが、実用的に使用できる
には、適切な調整が行えるだけでなく、調整作業
や回路構成が簡単であることや調整範囲が安定し
ていることなども求められる。
Other means and devices for adjusting the maximum detection distance l 0 are conceivable, but for practical use they must not only be able to make appropriate adjustments, but also have simple adjustment work and circuit configuration. It is also required that the adjustment range be stable.

〔考案の目的〕[Purpose of invention]

この考案は、上記の事情に鑑み、前記したよう
な2系列の受光信号の比を算出手段で算出した出
力信号を用いることによつて、被検知物体の反射
率の違いにかかわらず、正確な検知が行えるよう
になつた反射型光電スイツチにおいて、低反射率
の被検知物体に対する最大検出距離l0を、適切に
調整できるとともに、調整作業や回路構成が簡単
で調整範囲も安定している反射型光電スイツチを
提供することを目的としている。
In view of the above-mentioned circumstances, this device uses an output signal calculated by a calculation means to calculate the ratio of the two series of received light signals as described above, thereby achieving accurate detection regardless of the difference in reflectance of the detected object. Reflective photoelectric switches, which are now capable of detection, can appropriately adjust the maximum detection distance l0 for objects with low reflectance, and are simple in adjustment work and circuit configuration, and have a stable adjustment range. The purpose is to provide a type photoelectric switch.

〔考案の開示〕[Disclosure of invention]

この考案は、前記目的を達成するため、検知可
能領域に光を照射する投光手段と、この検知可能
領域に存在する被検知物体で反射された光を受け
て2系列の受光信号を出力する受光手段を備えて
いるとともに、前記2系列の受光信号の比を算出
する算出手段をも備えていて、この算出手段の出
力信号によつて前記被検知物体の検知がなされる
反射型光電スイツチにおいて、低反射率被検知物
体の最大検出距離を調整する手段を備えており、
この最大検出距離調整手段として、前記投光手段
では、前記発光ダイオードがコレクタ側に接続さ
れ抵抗素子がエミツタ側に接続されベース側より
点灯制御信号が入力されるトランジスタが設けら
れているとともに、前記発光ダイオードに流れる
電流量を単独で調整するための可変抵抗器が前記
トランジスタのエミツタ側またはベース側に配設
されており、かつ、光電スイツチ表面に前記可変
抵抗器の調整用ツマミが配設されていることを特
徴とする反射型光電スイツチを要旨とする。
In order to achieve the above-mentioned purpose, this device includes a light projection means that irradiates light onto a detectable area, and outputs two series of light reception signals upon receiving the light reflected by the object to be detected existing in the detectable area. In a reflective photoelectric switch, the reflective photoelectric switch is provided with a light receiving means and also has a calculating means for calculating the ratio of the two series of light receiving signals, and the object to be detected is detected based on the output signal of the calculating means. , is equipped with a means to adjust the maximum detection distance of low reflectance detected objects,
As the maximum detection distance adjusting means, the light emitting means is provided with a transistor in which the light emitting diode is connected to the collector side, the resistor element is connected to the emitter side, and a lighting control signal is input from the base side, and A variable resistor for independently adjusting the amount of current flowing through the light emitting diode is disposed on the emitter side or base side of the transistor, and a knob for adjusting the variable resistor is disposed on the surface of the photoelectric switch. This article focuses on a reflective photoelectric switch that is characterized by:

以下、この考案に係る反射型光電スイツチを、
その一例をあらわす図面を参照しながら詳しく説
明する。
The reflective photoelectric switch according to this invention will be described below.
A detailed explanation will be given with reference to drawings showing an example thereof.

第2図は、この考案にかかる反射型光電スイツ
チの一例の電気系ブロツク図をあらわしたもので
ある。
FIG. 2 shows an electrical system block diagram of an example of the reflective photoelectric switch according to this invention.

パルス発生回路1は、連続的なパルス信号を出
力している。ドライブ回路2は、パルス信号を受
けて、受光ダイオード3を発光駆動する。発光ダ
イオード3から出た光は、被検知物体で反射され
て受光素子4,5で光電変換された後、増幅回路
6,7で増幅されて、2系列の受光信号として出
力される。つまり、受光素子4,5と増幅回路
6,7で、2系列の受光信号を出力する受光手段
を構成しているのである。算出回路(算出手段)
8は、この2系列の受光信号の比を算出する。信
号処理回路9は、算出回路8から送られてくる出
力信号を判別し、被検知物体有りと判別すると、
出力回路10へ検知信号を与える。一方、前記パ
ルス信号は、信号処理回路9へも送られていて、
投光がなされているときにのみ判別動作がされる
ようになつている。検知信号は、通常3〜5回つ
づけて被検知物体有りの判定がなされたときに出
されるようになつている。
The pulse generation circuit 1 outputs a continuous pulse signal. The drive circuit 2 receives the pulse signal and drives the light receiving diode 3 to emit light. The light emitted from the light emitting diode 3 is reflected by the object to be detected, photoelectrically converted by the light receiving elements 4 and 5, and then amplified by the amplifier circuits 6 and 7 and output as two series of light receiving signals. In other words, the light receiving elements 4 and 5 and the amplifier circuits 6 and 7 constitute a light receiving means that outputs two series of light receiving signals. Calculation circuit (calculation means)
8 calculates the ratio of the two series of received light signals. The signal processing circuit 9 determines the output signal sent from the calculation circuit 8, and when it determines that there is an object to be detected,
A detection signal is given to the output circuit 10. On the other hand, the pulse signal is also sent to the signal processing circuit 9,
The discrimination operation is performed only when light is being projected. The detection signal is normally output when it is determined that the object to be detected is present three to five times in a row.

第1図aは、ドライブ回路2と、光源である発
光ダイオード3の具体的回路構成例をあらわした
ものである。
FIG. 1a shows a specific example of the circuit configuration of the drive circuit 2 and the light emitting diode 3 which is a light source.

パルス信号は、トランジスタQ1のベースに入
力される。パルス入力期間中、トランジスタQ1
が導通するので、発光ダイオード3に電流が流れ
る。そして、可変抵抗器VR1の抵抗値を変化さ
せると、発光ダイオード3を流れる電流が変わる
ので、発光強度(光量)が調節できる。上記回路
構成から判るように、可変抵抗器VR1の抵抗値
を変化させても、他の回路には影響を与えないの
で、発光強度のみを単独で調節することができ
る。なお、この回路では、トランジスタQ1のエ
ミツタ側に接続される抵抗と可変抵抗が兼用され
た形となつている。
The pulse signal is input to the base of transistor Q1. During the pulse input period, transistor Q1
is conductive, so a current flows through the light emitting diode 3. Then, by changing the resistance value of the variable resistor VR1, the current flowing through the light emitting diode 3 changes, so the light emission intensity (light amount) can be adjusted. As can be seen from the above circuit configuration, changing the resistance value of the variable resistor VR1 does not affect other circuits, so only the light emission intensity can be adjusted independently. In this circuit, the resistor connected to the emitter side of the transistor Q1 is also used as a variable resistor.

第1図bは、他の回路構成をあらわしたもので
ある。可変抵抗器VR2の抵抗値を変化させる
と、抵抗R1にかかるパルス電圧が変わるので、
パルス入力期間中、トランジスタQ2が導通した
ときの発光ダイオード3の電流量を変えることが
できる。この場合も、他の回路には影響を与える
ことなく、発光ダイオード3の発光強度(光量)
が単独で調節できる。
FIG. 1b shows another circuit configuration. If you change the resistance value of variable resistor VR2, the pulse voltage applied to resistor R1 will change, so
During the pulse input period, the amount of current flowing through the light emitting diode 3 when the transistor Q2 is turned on can be changed. In this case as well, the light emitting intensity (light amount) of the light emitting diode 3 can be adjusted without affecting other circuits.
can be adjusted independently.

また、発光強度の調整が可能な第1図a,bの
回路は、発光ダイオード3が、トランジスタのコ
レクタ側に接続されていて、点灯制御信号がベー
ス側より入力されるとともに、電流量調整用の可
変抵抗器が、前記トランジスタのエミツタ側また
はベース側に配設されており、電流量はエミツタ
側ないしベース側で決定され、発光ダイオードの
あるコレクタ側には事実上関係しないため、光量
調整範囲が、発光ダイオードの順方向電圧降下
VFのバラツキに影響されない。その結果、光量
調整範囲で決まる物体検知距離の調整範囲が、非
常に安定することになる。
In addition, in the circuits shown in FIGS. 1a and 1b, in which the light emission intensity can be adjusted, the light emitting diode 3 is connected to the collector side of the transistor, and the lighting control signal is input from the base side, and the light emitting diode 3 is connected to the collector side of the transistor. A variable resistor is placed on the emitter side or the base side of the transistor, and the amount of current is determined on the emitter side or base side, and is virtually unrelated to the collector side where the light emitting diode is located, so the light intensity adjustment range is limited. is the forward voltage drop of the light emitting diode
Not affected by VF variations. As a result, the object detection distance adjustment range determined by the light amount adjustment range becomes extremely stable.

このように、発光素子3の発光強度が変わる
と、チヤンネル2から出力される受光信号の強さ
も変わるので、第4図にみるように、低反射率の
被検知物体に対する最大検出距離を、l1,l2、あ
るいは、l3というように,自由に調整できること
になる。
In this way, when the emission intensity of the light emitting element 3 changes, the intensity of the light reception signal output from the channel 2 also changes, so as shown in Figure 4, the maximum detection distance for a detected object with low reflectance is 1 , l 2 , or l 3 , which can be adjusted freely.

逆に、複数の光電スイツチで、光源(発光ダイ
オード)発光強度にバラツキがあると、最大検出
距離が、l1,l2、あるいは、l3とバラツクことに
なるが、各光電スイツチの可変抵抗器を調整すれ
ば、最大検出距離を、たとえばl1に統一すること
ができる。
Conversely, if there are variations in the light emission intensity of the light source (light emitting diode) among multiple photoelectric switches, the maximum detection distance will vary as l 1 , l 2 , or l 3 , but the variable resistance of each photoelectric switch By adjusting the detector, the maximum detection distance can be unified to, for example, l 1 .

このように、可変抵抗器を調整して、発光強度
を変えると、受光信号の強さが変わるので、受光
信号の強さによつて検知に影響の出る光電スイツ
チでは正確な検知ができない。そのため、このよ
うな光電スイツチでは、発光強度を変えるのに合
わせて、受光回路の感度を調整したりする必要が
ある。
In this way, when the variable resistor is adjusted to change the emission intensity, the strength of the light reception signal changes, so a photoelectric switch whose detection is affected by the strength of the light reception signal cannot perform accurate detection. Therefore, in such a photoelectric switch, it is necessary to adjust the sensitivity of the light receiving circuit in accordance with changing the emission intensity.

しかし、この考案の場合、2系列の受光信号の
比をとるので、それぞれの受光信号の強さには全
く影響を受けない。発光強度が変わつても、算出
手段からの信号量は変わらないのであり、受光回
路などの再調整は不要である。したがつて、製造
工程時であれ、使用中であれ、簡単に前記最大検
出距離を調整することができる。この最大検出距
離の調整を実現するために必要な回路構成も、可
変抵抗器を1個追加する程度で良く、極めて簡単
である。
However, in the case of this invention, since the ratio of the two series of received light signals is taken, it is not affected at all by the strength of each received light signal. Even if the light emission intensity changes, the signal amount from the calculation means does not change, and there is no need to readjust the light receiving circuit or the like. Therefore, the maximum detection distance can be easily adjusted whether during the manufacturing process or during use. The circuit configuration required to realize this adjustment of the maximum detection distance is extremely simple, requiring only one additional variable resistor.

可変抵抗器の調整は、第3図にみるように、光
電スイツチのケース外面20aに、可変抵抗器
VR1の調整ツマミ22を設けておくと、使用中
に調整するときなどには便利である。
To adjust the variable resistor, as shown in Figure 3, attach the variable resistor to the outer surface 20a of the photoelectric switch case.
Providing an adjustment knob 22 for VR1 is convenient for making adjustments during use.

調整の作業は、つぎのようにすればよい。ま
ず、検知する必要がある様々な反射率の被検知物
体のうち、最も低反射率の物体すなわち低反射率
被検知物体を、最大検出距離として設定したい位
置におく。光電スイツチを作動させて、動作表示
ランプや報知手段の状態や動きを見ながら、ツマ
ミ22を回し、被検知物体が確実に検知できる状
態に調整すればよい。
The adjustment work can be done as follows. First, among objects with various reflectances that need to be detected, the object with the lowest reflectance, that is, the object with the lowest reflectance, is placed at a position desired to be set as the maximum detection distance. What is necessary is to operate the photoelectric switch and turn the knob 22 while observing the status and movement of the operation indicator lamp and the notification means to adjust the state so that the object to be detected can be reliably detected.

この考案は、上記実施例に限定されない。可変
抵抗器は、連続的に抵抗値が変化するものだけで
なく、機械的スイツチや電子スイツチが用いられ
ていて、段階的に抵抗値が変化するものであつて
もよい。
This invention is not limited to the above embodiments. The variable resistor is not limited to one in which the resistance value changes continuously, but may also be one in which a mechanical switch or an electronic switch is used and the resistance value changes in steps.

2系列の受光信号を得るための二つの受光素子
4,5としては、1個の一次元光位置検出素子
(PSD素子)を使うようにしても良いし、二つの
受光ダイオードを用いてもよい。
As the two light-receiving elements 4 and 5 for obtaining two series of light-receiving signals, one one-dimensional optical position detection element (PSD element) may be used, or two light-receiving diodes may be used. .

受光素子に、例えば、PSD素子が使われてい
て、得られる2系列の受光信号が、第5図にみる
ような差動的に変わるような特性を有する場合に
は、検知可能領域内の位置に応じて、算出回路か
らの出力量が変化する。そのため、算出回路から
の出力量がある範囲にある場合だけ、検知信号が
得られるようにしておけば、検知可能領域内にお
いて、より狭い一定範囲の被検知物体のみを検知
するようにすることもできる。
For example, if a PSD element is used as the light-receiving element and the two series of light-receiving signals obtained have characteristics that vary differentially as shown in Figure 5, the position within the detectable area The amount of output from the calculation circuit changes depending on. Therefore, if the detection signal is obtained only when the output from the calculation circuit is within a certain range, it is possible to detect only objects within a narrower fixed range within the detectable area. can.

反射型光電スイツチのタイプも、通常、限定反
射型や領域反射型と呼ばれるものなどがあり、特
に限定されない。
The type of reflective photoelectric switch is also not particularly limited, and there are usually those called limited reflection type and area reflection type.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

この考案にかかる反射型光電スイツチは、以上
に述べた構成であるため、下記の効果を奏するこ
とが出来る。
Since the reflective photoelectric switch according to this invention has the configuration described above, it can achieve the following effects.

効果(1) 低反射率被検知物体の最大検出距離を調
整できるため、前記した2系列の受光信号の比
を用いて、反射率の違いによる誤作動を解消し
た光電スイツチの性能を、より向上させること
ができる。
Effects (1) Since the maximum detection distance for objects with low reflectivity can be adjusted, the performance of photoelectric switches that eliminate malfunctions due to differences in reflectance can be further improved by using the ratio of the two series of received light signals mentioned above. can be done.

これは、この考案の前提技術である、2系列の
受光信号の比を用いる反射型光電スイツチでは、
前記したように、低反射率被検知物体の最大検出
距離にバラツキがあり、この点で、検知が不正確
になる可能性があつた。
This is because the reflective photoelectric switch that uses the ratio of two series of received light signals, which is the underlying technology of this invention,
As described above, there are variations in the maximum detection distance of low reflectance detection objects, and in this respect, there is a possibility that detection may become inaccurate.

しかし、この考案では、調整スイツチを調節す
るだけで、低反射率被検知物体の最大検出距離を
調整することができるので、光電スイツチ毎の最
大検出距離の違いを無くしたり、目的に応じて、
最大検出距離を設定し直したりすることが可能に
なる。
However, with this invention, the maximum detection distance for low-reflectance objects can be adjusted simply by adjusting the adjustment switch, so it is possible to eliminate the difference in maximum detection distance between photoelectric switches, and to
It becomes possible to reset the maximum detection distance.

その結果、前記した2系列の受光信号の比を用
いること、および、低反射率被検知物体の最大検
出距離を調整できるようにしておくことの、ふた
つの技術を組み合わせることによつて、反射率の
違いによる検知性能への影響を、より確実に無く
すことができ、光電スイツチの性能をさらに向上
させることが可能になる。
As a result, by combining the two techniques of using the ratio of the two series of light reception signals mentioned above and being able to adjust the maximum detection distance of a low reflectance detected object, it is possible to improve the reflectance. It is possible to more reliably eliminate the influence of differences in detection performance on detection performance, making it possible to further improve the performance of the photoelectric switch.

効果(2) 低反射率被検知物体の最大検出距離を変
更するための発光ダイオードの光量調整操作が
容易に行える。
Effect (2) The light intensity adjustment operation of the light emitting diode can be easily performed to change the maximum detection distance of a low reflectance detected object.

これは、光電スイツチ表面に可変抵抗器の調整
ツマミが配設されているからであり、ユーザーサ
イドでも簡単に調整操作が可能となる。
This is because the adjustment knob for the variable resistor is provided on the surface of the photoelectric switch, allowing easy adjustment on the user's side.

効果(3) 最大検出距離の調整範囲が安定してい
る。
Effect (3) The adjustment range of maximum detection distance is stable.

これは、最大検出距離の調整範囲を決める発光
ダイオードの光量調整範囲が、発光ダイオードの
順方向電圧降下VFのバラツキに影響されないか
らである。
This is because the light intensity adjustment range of the light emitting diode, which determines the adjustment range of the maximum detection distance, is not affected by variations in the forward voltage drop V F of the light emitting diode.

発光ダイオードは、トランジスタのコレクタ側
に接続されていて、点灯制御信号がベース側より
入力されるとともに、電流量調整用の可変抵抗器
が前記トランジスタのエミツタ側またはベース側
に配設されており、電流量はエミツタ側ないしベ
ース側で決定され、発光ダイオードのあるコレク
タ側には事実上関係しないため、光量調整範囲が
発光ダイオードのVFのバラツキに影響されない
のである。
The light emitting diode is connected to the collector side of the transistor, a lighting control signal is input from the base side, and a variable resistor for adjusting the amount of current is arranged on the emitter side or the base side of the transistor, The amount of current is determined on the emitter side or the base side and is virtually unrelated to the collector side where the light emitting diode is located, so the light amount adjustment range is not affected by variations in VF of the light emitting diode.

効果(4) 最大検出距離の調整回路が、非常に簡単
である。
Effect (4) The maximum detection distance adjustment circuit is very simple.

これは、前記した2系列の受光信号の比を用い
る反射型光電スイツチの回路に対して、最大検出
距離の調整を行う可変抵抗器を追加することと、
それに伴つて他の素子の配置を適当に行う程度の
ことで、事足りるからである。
This is achieved by adding a variable resistor to adjust the maximum detection distance to the reflective photoelectric switch circuit that uses the ratio of the two series of received light signals, and
This is because it is sufficient to appropriately arrange other elements accordingly.

効果(5) 低反射率被検知物体の最大検出距離の適
切な調整が行える。
Effect (5) Appropriate adjustment of the maximum detection distance for objects with low reflectivity can be made.

これは、発光ダイオードの光量を決めるトラン
ジスタの電流量が、可変抵抗により単独で調整す
ることが出来るからである。もしも、発光ダイオ
ードの光量の変更が単独で行えず、例えば、光量
変更が検知可能領域の変更に連動するようだと、
最大検出距離が変更できても、その結果、検出所
望領域外の物体までも検知してしまうようにな
る、という不都合が起こるのである。
This is because the amount of current flowing through the transistor, which determines the amount of light from the light emitting diode, can be adjusted independently using a variable resistor. If the light intensity of the light emitting diode cannot be changed independently, for example, if the light intensity change is linked to a change in the detectable area,
Even if the maximum detection distance can be changed, this results in the inconvenience that even objects outside the desired detection area will be detected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a,bは、それぞれ、この考案にかかる
反射型光電スイツチにおける発光素子と駆動回路
の具体的構成例をあらわす回路図、第2図は、こ
の考案にかかる反射型光電スイツチの一例におけ
る電気系ブロツク図、第3図は、この光電スイツ
チの外観斜視図、第4図は、光源の発光強度を変
えたときの、最大検出距離の移動状態を説明する
ための線図、第5図は、検知領域内における被検
知物体の位置と、2系列の受光信号量の関係をあ
らわした線図である。 3……発光ダイオード、4,5……受光素子、
6,7……増幅回路、8……算出回路、VR1,
VR2……可変抵抗器。
Figures 1a and b are circuit diagrams showing specific configuration examples of a light emitting element and a drive circuit in a reflective photoelectric switch according to this invention, respectively, and Figure 2 is a circuit diagram of an example of a reflective photoelectric switch according to this invention. An electrical system block diagram, Fig. 3 is a perspective view of the exterior of this photoelectric switch, Fig. 4 is a line diagram for explaining the state of movement of the maximum detection distance when the emission intensity of the light source is changed, and Fig. 5 2 is a diagram showing the relationship between the position of the object to be detected within the detection area and the amount of received light signals of two series. 3... Light emitting diode, 4, 5... Light receiving element,
6, 7...Amplification circuit, 8...Calculation circuit, VR1,
VR2...variable resistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 検知可能領域に光を照射する投光手段と、この
検知可能領域に存在する被検知物体で反射された
光を受けて2系列の受光信号を出力する受光手段
を備えているとともに、前記2系列の受光信号の
比を算出する算出手段をも備えていて、この算出
手段の出力信号によつて前記被検知物体の検知が
なされるようになつている反射型光電スイツチに
おいて、低反射率被検知物体の最大検出距離を調
整する手段を備えており、この最大検出距離調整
手段として、前記投光手段では、前記発光ダイオ
ードがコレクタ側に接続され抵抗素子がエミツタ
側に接続されベース側より点灯制御信号が入力さ
れるトランジスタが設けられているとともに、前
記発光ダイオードに流れる電流量を単独で調整す
るための可変抵抗器が前記トランジスタのエミツ
タ側またはベース側に配設されており、かつ、光
電スイツチ表面に前記可変抵抗器の調整用ツマミ
が配設されていることを特徴とする反射型光電ス
イツチ。
The light projecting means for irradiating light onto a detectable area, and the light receiving means for receiving the light reflected by the object to be detected existing in the detectable area and outputting two series of light reception signals, and the two series In a reflection type photoelectric switch, which also includes calculation means for calculating the ratio of received light signals, and the detection object is detected based on the output signal of the calculation means, A means for adjusting a maximum detection distance of an object is provided, and as the maximum detection distance adjustment means, in the light projecting means, the light emitting diode is connected to the collector side, the resistor element is connected to the emitter side, and lighting is controlled from the base side. A transistor to which a signal is input is provided, a variable resistor for independently adjusting the amount of current flowing through the light emitting diode is provided on the emitter side or base side of the transistor, and a photoelectric switch is provided. A reflective photoelectric switch characterized in that a knob for adjusting the variable resistor is disposed on the surface thereof.
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