JPH0541349A - 荷電粒子露光装置とその調整方法 - Google Patents
荷電粒子露光装置とその調整方法Info
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- JPH0541349A JPH0541349A JP3196936A JP19693691A JPH0541349A JP H0541349 A JPH0541349 A JP H0541349A JP 3196936 A JP3196936 A JP 3196936A JP 19693691 A JP19693691 A JP 19693691A JP H0541349 A JPH0541349 A JP H0541349A
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- Japan
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- charged particle
- particle beam
- stage
- electron beam
- deflection electrode
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビームやイオンビーム等によって微細パ
ターンを形成する荷電粒子露光装置に関し、露光条件の
設定に際してステージを移動させる必要のない荷電粒子
露光装置とその調整方法の提供を目的とする。 【構成】 照射される荷電粒子ビームの電流値をステー
ジ８上に設けられたファラデーカップ93で検出し、荷電
粒子ビームが収束する位置をステージ８上に設けられた
マークパターン91で検出する露光装置であって、偏向電
極65が荷電粒子ビームを偏向させることが可能な領域内
のステージ８上に、マークパターン91とファラデーカッ
プ93が設けられてなるように構成する。
ターンを形成する荷電粒子露光装置に関し、露光条件の
設定に際してステージを移動させる必要のない荷電粒子
露光装置とその調整方法の提供を目的とする。 【構成】 照射される荷電粒子ビームの電流値をステー
ジ８上に設けられたファラデーカップ93で検出し、荷電
粒子ビームが収束する位置をステージ８上に設けられた
マークパターン91で検出する露光装置であって、偏向電
極65が荷電粒子ビームを偏向させることが可能な領域内
のステージ８上に、マークパターン91とファラデーカッ
プ93が設けられてなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビームやイオンビー
ム等によって微細パターンを形成する荷電粒子露光装置
に係り、特に露光に先立って行われる調整作業の時間短
縮が可能な荷電粒子露光装置とその調整方法に関する。
ム等によって微細パターンを形成する荷電粒子露光装置
に係り、特に露光に先立って行われる調整作業の時間短
縮が可能な荷電粒子露光装置とその調整方法に関する。
【０００２】半導体集積回路素子の微細パターンを形成
する方法として長年フォトリソグラフィが利用されてき
たが、半導体集積回路素子の高集積度化が進展するに伴
って微細パターンを形成する方法として、光の代わりに
電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを利用す
る新しい露光方法が脚光をあびている。
する方法として長年フォトリソグラフィが利用されてき
たが、半導体集積回路素子の高集積度化が進展するに伴
って微細パターンを形成する方法として、光の代わりに
電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを利用す
る新しい露光方法が脚光をあびている。
【０００３】しかるに現在実用化されている電子ビーム
露光装置の主流は矩形パターンを繋ぎ微細パターンを形
成する方式であり、例えば描画されるパターンの線幅を
細くするために基本となる矩形パターンを小さくする
と、単位面積当たり露光ショット数が増加してスループ
ット、即ち露光装置の処理能力が低下する。
露光装置の主流は矩形パターンを繋ぎ微細パターンを形
成する方式であり、例えば描画されるパターンの線幅を
細くするために基本となる矩形パターンを小さくする
と、単位面積当たり露光ショット数が増加してスループ
ット、即ち露光装置の処理能力が低下する。
【０００４】そこで電子ビームの通過領域中に繰り返し
使用される複数の基本パターンを具えたブロックマスク
を設け、ブロックマスクの複数の基本パターンの中から
任意の基本パターンを選択して繋ぎ合わせることによ
り、所望する微細パターンを短時間で形成できるブロッ
ク露光方式といわれる方法の実用化が検討されている。
使用される複数の基本パターンを具えたブロックマスク
を設け、ブロックマスクの複数の基本パターンの中から
任意の基本パターンを選択して繋ぎ合わせることによ
り、所望する微細パターンを短時間で形成できるブロッ
ク露光方式といわれる方法の実用化が検討されている。
【０００５】
【従来の技術】図２は電子ビーム露光装置の構成を示す
模式図、図３はブロックマスクの一例を示す図、図４は
従来の電子ビーム露光装置の主要部を示す模式図であ
る。
模式図、図３はブロックマスクの一例を示す図、図４は
従来の電子ビーム露光装置の主要部を示す模式図であ
る。
【０００６】ブロック露光方式により所望の微細パター
ンを形成する電子ビーム露光装置は図２に示す如く、電
子ビーム１を放出する電子銃２、電子ビーム１の断面を
整形する電子ビーム整形部３、基本パターンを選択する
基本パターン選択部４、および試料５の面に微細パター
ンを描画するビーム照射部６で構成されている。
ンを形成する電子ビーム露光装置は図２に示す如く、電
子ビーム１を放出する電子銃２、電子ビーム１の断面を
整形する電子ビーム整形部３、基本パターンを選択する
基本パターン選択部４、および試料５の面に微細パター
ンを描画するビーム照射部６で構成されている。
【０００７】電子ビーム整形部３は電子銃２から放出さ
れ広がった電子ビーム１を平行にする電子レンズ31と、
電子レンズ31によって平行にされた電子ビーム１の断面
を矩形に整形する矩形開孔板32と、矩形開孔板32によっ
て整形された電子ビーム１を再び収束させる電子レンズ
33とで構成されている。
れ広がった電子ビーム１を平行にする電子レンズ31と、
電子レンズ31によって平行にされた電子ビーム１の断面
を矩形に整形する矩形開孔板32と、矩形開孔板32によっ
て整形された電子ビーム１を再び収束させる電子レンズ
33とで構成されている。
【０００８】また基本パターン選択部４は予め複数の基
本パターンが形成されてなるブロックマスク41と、基本
パターンから任意のパターンを選択する第１ブロック偏
向電極42および第２ブロック偏向電極43を有し、第２ブ
ロック偏向電極43はブロックマスク41の前後に配した偏
向電極43ａ、43ｂ、43ｃ、43ｄで構成されている。
本パターンが形成されてなるブロックマスク41と、基本
パターンから任意のパターンを選択する第１ブロック偏
向電極42および第２ブロック偏向電極43を有し、第２ブ
ロック偏向電極43はブロックマスク41の前後に配した偏
向電極43ａ、43ｂ、43ｃ、43ｄで構成されている。
【０００９】ブロックマスク41は図３(a) に示す如く形
状の異なる複数の基本パターン47ａ、47ｂ、47ｃ、47ｄ
を有し、かかる基本パターンは図３(b) に示す如く中央
に板厚の極く薄い領域を有するSi等の半導体や金属から
なる基板46に、エッチング技術等を利用して複数の各種
形状の貫通穴を設けることによって形成されている。
状の異なる複数の基本パターン47ａ、47ｂ、47ｃ、47ｄ
を有し、かかる基本パターンは図３(b) に示す如く中央
に板厚の極く薄い領域を有するSi等の半導体や金属から
なる基板46に、エッチング技術等を利用して複数の各種
形状の貫通穴を設けることによって形成されている。
【００１０】基本パターン選択部４は第１ブロック偏向
電極42および第２ブロック偏向電極43の他にブロックマ
スク41の前に電子レンズ44を有し、電子レンズ44の作用
で平行になった電子ビーム１の断面形状は基本パターン
通り整形され、更にブロックマスク41の後に設けられた
電子レンズ45の作用で元のビーム軸上に戻される。
電極42および第２ブロック偏向電極43の他にブロックマ
スク41の前に電子レンズ44を有し、電子レンズ44の作用
で平行になった電子ビーム１の断面形状は基本パターン
通り整形され、更にブロックマスク41の後に設けられた
電子レンズ45の作用で元のビーム軸上に戻される。
【００１１】なお図において第２ブロック偏向電極43ｃ
と43ｄの間に設けられたブランキング電極48は、第１ブ
ロック偏向電極42および第２ブロック偏向電極43とは異
なり基本パターンの選択に関係なく、露光に際して電子
ビーム１を通過または遮断する光学カメラにおけるシャ
ッターに相当する電極である。
と43ｄの間に設けられたブランキング電極48は、第１ブ
ロック偏向電極42および第２ブロック偏向電極43とは異
なり基本パターンの選択に関係なく、露光に際して電子
ビーム１を通過または遮断する光学カメラにおけるシャ
ッターに相当する電極である。
【００１２】更にビーム照射部６は選択された基本パタ
ーンを縮小する電子レンズ61、円形開孔板62および電子
レンズ63と、基本パターンにより断面が整形された電子
ビーム１を試料５の面上に収束させる電子レンズ64と、
収束させたた電子ビーム１を試料５の面の所定の領域内
に偏向させる露光偏向電極65とで構成されている。
ーンを縮小する電子レンズ61、円形開孔板62および電子
レンズ63と、基本パターンにより断面が整形された電子
ビーム１を試料５の面上に収束させる電子レンズ64と、
収束させたた電子ビーム１を試料５の面の所定の領域内
に偏向させる露光偏向電極65とで構成されている。
【００１３】かかる電子ビーム露光装置を制御する制御
装置７は信号バス71を介してＣＰＵ等に接続された露光
制御部72と、第１ブロック偏向電極42を駆動するＤＡコ
ンバータ73および増幅器74と、第２ブロック偏向電極43
を駆動するＤＡコンバータ75および増幅器76と、ブラン
キング電極48を駆動する増幅器77と、露光偏向電極65を
駆動するＤＡコンバータ78および増幅器79を具えてい
る。
装置７は信号バス71を介してＣＰＵ等に接続された露光
制御部72と、第１ブロック偏向電極42を駆動するＤＡコ
ンバータ73および増幅器74と、第２ブロック偏向電極43
を駆動するＤＡコンバータ75および増幅器76と、ブラン
キング電極48を駆動する増幅器77と、露光偏向電極65を
駆動するＤＡコンバータ78および増幅器79を具えてい
る。
【００１４】繰り返し使用される基本パターンの少ない
微細パターンを形成する際はブロック露光方式の特長を
発揮できないが、例えばＤＲＡＭ（dynamic random acc
essmemory）等では露光面積の殆どが基本パターンの繰
り返しであり、単位面積当たり露光ショット数が減少し
てスループットを大幅に増大させることができる。
微細パターンを形成する際はブロック露光方式の特長を
発揮できないが、例えばＤＲＡＭ（dynamic random acc
essmemory）等では露光面積の殆どが基本パターンの繰
り返しであり、単位面積当たり露光ショット数が減少し
てスループットを大幅に増大させることができる。
【００１５】以下図４により従来の電子ビーム露光装置
におけるビーム照射部６を更に詳細に説明する。試料５
はＸＹ方向に移動自在なステージ８に載置されステージ
８にはマークパターン81が刻まれている。電子レンズ64
の下に例えばフォトダイオード等からなる反射電子検出
器82が設けられており、反射電子のマークパターン81に
よる変化を検知することによって電子ビーム１が収束す
る位置を検出できる。
におけるビーム照射部６を更に詳細に説明する。試料５
はＸＹ方向に移動自在なステージ８に載置されステージ
８にはマークパターン81が刻まれている。電子レンズ64
の下に例えばフォトダイオード等からなる反射電子検出
器82が設けられており、反射電子のマークパターン81に
よる変化を検知することによって電子ビーム１が収束す
る位置を検出できる。
【００１６】またステージ８のマークパターン81から離
れた位置にファラデーカップ83が設けられている。ファ
ラデーカップ83は絶縁体84によってステージ８から絶縁
され上部が開口した円筒状導体85を有し、円筒状導体85
から接地側に流れる電流を電流計86で検知することによ
り入射された電子ビーム１の電流値を検出できる。
れた位置にファラデーカップ83が設けられている。ファ
ラデーカップ83は絶縁体84によってステージ８から絶縁
され上部が開口した円筒状導体85を有し、円筒状導体85
から接地側に流れる電流を電流計86で検知することによ
り入射された電子ビーム１の電流値を検出できる。
【００１７】上記のブロック露光方式により微細パター
ンを形成する電子ビーム露光装置では、電子ビームを本
来のビーム軸から大きく偏向させて基本パターンを選択
したあと再び本来のビーム軸に戻しており、露光された
基本パターンの位置ずれや電子ビームに陰りが生じやす
いという問題がある。そこで露光に先立ってマークパタ
ーン81による基本パターンの位置ずれ検出や、ファラデ
ーカップ83による電子ビーム１の電流値検出を繰り返し
行うことによって、基本パターンの位置ずれや電子ビー
ムの陰りを生じることのない最適の露光条件を設定する
必要がある。
ンを形成する電子ビーム露光装置では、電子ビームを本
来のビーム軸から大きく偏向させて基本パターンを選択
したあと再び本来のビーム軸に戻しており、露光された
基本パターンの位置ずれや電子ビームに陰りが生じやす
いという問題がある。そこで露光に先立ってマークパタ
ーン81による基本パターンの位置ずれ検出や、ファラデ
ーカップ83による電子ビーム１の電流値検出を繰り返し
行うことによって、基本パターンの位置ずれや電子ビー
ムの陰りを生じることのない最適の露光条件を設定する
必要がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子ビ
ーム露光装置ではマークパターンとファラデーカップが
ステージ上の離れた位置に設けられており、基本パター
ンの位置ずれと電子ビームの陰りを繰り返し検出するに
はその都度ステージを移動させる必要がある。その移動
距離にもよるがステージの移動・静定には１回当たり通
常約 100msの時間を必要とし、各基本パターンを露光す
る都度ステージの移動・静定を繰り返し行うことによっ
て多くの時間が浪費される。その結果、単位面積当たり
露光ショット数を減らしてもスループットが増加しない
という問題があった。
ーム露光装置ではマークパターンとファラデーカップが
ステージ上の離れた位置に設けられており、基本パター
ンの位置ずれと電子ビームの陰りを繰り返し検出するに
はその都度ステージを移動させる必要がある。その移動
距離にもよるがステージの移動・静定には１回当たり通
常約 100msの時間を必要とし、各基本パターンを露光す
る都度ステージの移動・静定を繰り返し行うことによっ
て多くの時間が浪費される。その結果、単位面積当たり
露光ショット数を減らしてもスループットが増加しない
という問題があった。
【００１９】本発明の目的は露光条件の設定に際してス
テージを移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその
調整方法を提供することにある。
テージを移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその
調整方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になる荷電
粒子露光装置の主要部を示す模式図である。なお全図を
通し同じ対象物は同一記号で表している。
粒子露光装置の主要部を示す模式図である。なお全図を
通し同じ対象物は同一記号で表している。
【００２１】上記課題は少なくともステージ８上に載置
された試料５の面に荷電粒子ビームを収束せしめる電子
レンズ64と、収束せしめた荷電粒子ビームを試料５面の
所定の領域内に偏向せしめる偏向電極65を有し、且つ、
照射される荷電粒子ビームの電流値をステージ８上に設
けられたファラデーカップ93で検出し、荷電粒子ビーム
が収束する位置をステージ８上に設けられたマークパタ
ーン91で検出する露光装置であって、偏向電極65が荷電
粒子ビームを偏向させることが可能な領域内のステージ
８上に、マークパターン91とファラデーカップ93が設け
られてなる本発明の荷電粒子露光装置によって達成され
る。
された試料５の面に荷電粒子ビームを収束せしめる電子
レンズ64と、収束せしめた荷電粒子ビームを試料５面の
所定の領域内に偏向せしめる偏向電極65を有し、且つ、
照射される荷電粒子ビームの電流値をステージ８上に設
けられたファラデーカップ93で検出し、荷電粒子ビーム
が収束する位置をステージ８上に設けられたマークパタ
ーン91で検出する露光装置であって、偏向電極65が荷電
粒子ビームを偏向させることが可能な領域内のステージ
８上に、マークパターン91とファラデーカップ93が設け
られてなる本発明の荷電粒子露光装置によって達成され
る。
【００２２】
【作用】図１において偏向電極が荷電粒子ビームを偏向
させることが可能な領域内のステージ上に、電流検出用
のファラデーカップと位置検出用のマークパターンが設
けられてなる本発明の荷電粒子露光装置は、荷電粒子ビ
ームを偏向させることで電流値の検出と位置の検出を交
互に行うことができる。
させることが可能な領域内のステージ上に、電流検出用
のファラデーカップと位置検出用のマークパターンが設
けられてなる本発明の荷電粒子露光装置は、荷電粒子ビ
ームを偏向させることで電流値の検出と位置の検出を交
互に行うことができる。
【００２３】即ち、露光条件の設定に際してステージを
移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその調整方法
を実現することができる。その結果調整時におけるステ
ージの移動が無くなってスループットを大幅に増大させ
ることが可能になる。
移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその調整方法
を実現することができる。その結果調整時におけるステ
ージの移動が無くなってスループットを大幅に増大させ
ることが可能になる。
【００２４】
【実施例】以下図１により本発明の実施例を詳細に説明
する。マークパターン91は幅が数μm 以下、ファラデー
カップ93は内径が２mm程度であるがステージを移動せず
位置と電流値を検出するには、マークパターン91とファ
ラデーカップ93を偏向電極65が電子ビームを偏向させる
領域（±１〜２mm程度）内に設置する必要がある。
する。マークパターン91は幅が数μm 以下、ファラデー
カップ93は内径が２mm程度であるがステージを移動せず
位置と電流値を検出するには、マークパターン91とファ
ラデーカップ93を偏向電極65が電子ビームを偏向させる
領域（±１〜２mm程度）内に設置する必要がある。
【００２５】図においてステージ８に植設されたファラ
デーカップ93は円筒状導体95と絶縁体94からなり、上部
が開口し内径に比べて深さの大きい円筒状導体95は数マ
イクロアンペア程度の電流を検出可能な電流計96を介し
て接地され、更に例えばセラミック等からなる絶縁体94
によって周囲がステージ８から絶縁されている。
デーカップ93は円筒状導体95と絶縁体94からなり、上部
が開口し内径に比べて深さの大きい円筒状導体95は数マ
イクロアンペア程度の電流を検出可能な電流計96を介し
て接地され、更に例えばセラミック等からなる絶縁体94
によって周囲がステージ８から絶縁されている。
【００２６】またマークパターン91を具えた電子反射素
子97は電流が導通可能なよう円筒状導体95の上縁に装着
されている。内径が２mm程度の円筒状導体95に装着する
ため電子反射素子97は極めて小さくする必要があり、例
えばシリコン等からなる基板98にマークパターン91を形
成し蒸着等によって金属皮膜99を生成している。
子97は電流が導通可能なよう円筒状導体95の上縁に装着
されている。内径が２mm程度の円筒状導体95に装着する
ため電子反射素子97は極めて小さくする必要があり、例
えばシリコン等からなる基板98にマークパターン91を形
成し蒸着等によって金属皮膜99を生成している。
【００２７】例えば偏向電極65によって偏向されていな
い電子ビーム１を電子反射素子97に入射させると、電子
反射素子97において反射された電子は電子レンズ64の下
に設けられた反射電子検出器82によって拾われ、マーク
パターン91による反射電子の変化を検知することによっ
て電子ビーム１が収束する位置を検出できる。
い電子ビーム１を電子反射素子97に入射させると、電子
反射素子97において反射された電子は電子レンズ64の下
に設けられた反射電子検出器82によって拾われ、マーク
パターン91による反射電子の変化を検知することによっ
て電子ビーム１が収束する位置を検出できる。
【００２８】電子反射素子97はファラデーカップ93を構
成する円筒状導体95の上縁に装着されており、電子反射
素子97上のマークパターン91とファラデーカップ93は偏
向電極65が電子ビームを偏向させる領域内にある。した
がって偏向電極65を用いて電子ビーム１を偏向すること
によって電子ビーム１の電流値を検出できる。
成する円筒状導体95の上縁に装着されており、電子反射
素子97上のマークパターン91とファラデーカップ93は偏
向電極65が電子ビームを偏向させる領域内にある。した
がって偏向電極65を用いて電子ビーム１を偏向すること
によって電子ビーム１の電流値を検出できる。
【００２９】なお電子ビーム１が収束する位置を検出す
るに際して偏向されていない電子ビーム１の代わりに、
偏向電極65によって所定の方向に偏向された電子ビーム
１を電子反射素子97に入射せしめ、電流値の検出に際し
て偏向電極65によって反対側に偏向された電子ビーム１
を円筒状導体95に入射させてもよい。
るに際して偏向されていない電子ビーム１の代わりに、
偏向電極65によって所定の方向に偏向された電子ビーム
１を電子反射素子97に入射せしめ、電流値の検出に際し
て偏向電極65によって反対側に偏向された電子ビーム１
を円筒状導体95に入射させてもよい。
【００３０】このように偏向電極が荷電粒子ビームを偏
向させることが可能な領域内のステージ上に、電流検出
用のファラデーカップと位置検出用のマークパターンが
設けられてなる本発明の荷電粒子露光装置は、荷電粒子
ビームを偏向させることで電流値の検出と位置の検出を
交互に行うことができる。
向させることが可能な領域内のステージ上に、電流検出
用のファラデーカップと位置検出用のマークパターンが
設けられてなる本発明の荷電粒子露光装置は、荷電粒子
ビームを偏向させることで電流値の検出と位置の検出を
交互に行うことができる。
【００３１】即ち、露光条件の設定に際してステージを
移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその調整方法
を実現することができる。その結果、調整時におけるス
テージの移動が無くなってスループットを大幅に増大さ
せることが可能になる。
移動させる必要のない荷電粒子露光装置とその調整方法
を実現することができる。その結果、調整時におけるス
テージの移動が無くなってスループットを大幅に増大さ
せることが可能になる。
【００３２】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば露光条件の設
定に際してステージを移動させる必要のない荷電粒子露
光装置とその調整方法を提供することができる。
定に際してステージを移動させる必要のない荷電粒子露
光装置とその調整方法を提供することができる。
【図１】 本発明になる荷電粒子露光装置の主要部を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】 電子ビーム露光装置の構成を示す模式図であ
る。
る。
【図３】 ブロックマスクの一例を示す図である。
【図４】 従来の電子ビーム露光装置の主要部を示す模
式図である。
式図である。
１ 電子ビーム ５ 試料 ８ ステージ 64 電子レンズ 65 偏向電極 82 反射電子検出器 91 マークパターン 93 ファラデーカップ 94 絶縁体 95 円筒状導体 96 電流計 97 電子反射素子 98 基板 99 金属皮膜
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくともステージ(8) 上に載置された
試料(5) の面に荷電粒子ビームを収束せしめる電子レン
ズ(64)と、収束せしめた該荷電粒子ビームを該試料(5)
面の所定の領域内に偏向せしめる偏向電極(65)を有し、 且つ、照射される該荷電粒子ビームの電流値を該ステー
ジ(8) 上に設けられたファラデーカップ(93)で検出し、
該荷電粒子ビームが収束する位置を該ステージ(8) 上に
設けられたマークパターン(91)で検出する露光装置であ
って、 該偏向電極(65)が該荷電粒子ビームを偏向させることが
可能な領域内の該ステージ(8) 上に、該マークパターン
(91)と該ファラデーカップ(93)が設けられてなることを
特徴とする荷電粒子露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の荷電粒子露光装置におい
て荷電粒子ビームの収束位置を検出するに当たり、偏向
電極(65)によって偏向されていない荷電粒子ビームをマ
ークパターン(91)に入射せしめ、 且つ、該荷電粒子ビームの電流値を検出するに当たりス
テージ(8) を移動させることなく、該偏向電極(65)によ
って偏向された該荷電粒子ビームをファラデーカップ(9
3)に入射させることを特徴とする調整方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の荷電粒子露光装置におい
て荷電粒子ビームの収束位置を検出するに当たり、偏向
電極(65)によって偏向された荷電粒子ビームをマークパ
ターン(91)に入射せしめ、 且つ、該荷電粒子ビームの電流値を検出するに当たりス
テージ(8) を移動させることなく、該偏向電極(65)によ
って偏向された該荷電粒子ビームをファラデーカップ(9
3)に入射させることを特徴とする調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196936A JPH0541349A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 荷電粒子露光装置とその調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196936A JPH0541349A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 荷電粒子露光装置とその調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541349A true JPH0541349A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16366121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3196936A Withdrawn JPH0541349A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 荷電粒子露光装置とその調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541349A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115430A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
| JP2011071116A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
| US20140098380A1 (en) * | 2002-08-02 | 2014-04-10 | Paul E. Fischione | Method for Preparing Specimens for Microscopy |
| CN113270306A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-17 | 中国科学院电工研究所 | 一种具有选择功能的法拉第杯装置 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP3196936A patent/JPH0541349A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115430A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
| US20140098380A1 (en) * | 2002-08-02 | 2014-04-10 | Paul E. Fischione | Method for Preparing Specimens for Microscopy |
| JP2011071116A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Asml Netherlands Bv | 放射検出器 |
| JP2014212353A (ja) * | 2009-09-24 | 2014-11-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射検出器 |
| CN113270306A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-17 | 中国科学院电工研究所 | 一种具有选择功能的法拉第杯装置 |
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