JPH0542148B2 - - Google Patents
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- JPH0542148B2 JPH0542148B2 JP62033004A JP3300487A JPH0542148B2 JP H0542148 B2 JPH0542148 B2 JP H0542148B2 JP 62033004 A JP62033004 A JP 62033004A JP 3300487 A JP3300487 A JP 3300487A JP H0542148 B2 JPH0542148 B2 JP H0542148B2
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- laser
- semiconductor laser
- scanning device
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/295—Analog deflection from or in an optical waveguide structure]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/4075—Beam steering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ走査装置に関し、特に
光学偏向機能を半導体レーザ装置に一体に組込ん
だ電気光学式光ビーム走査装置に関するものであ
る。
光学偏向機能を半導体レーザ装置に一体に組込ん
だ電気光学式光ビーム走査装置に関するものであ
る。
［従来の技術］
ヘテロ構造注入型レーザと光学偏向領域とが同
一基板上に一体化された光ビーム走査装置とし
て、モノリシツク型レーザ走査装置（特開昭57−
79921）がある。
一基板上に一体化された光ビーム走査装置とし
て、モノリシツク型レーザ走査装置（特開昭57−
79921）がある。
この装置においてはビーム幅の広いレーザ光を
導波路上でその位相を制御することによつて、レ
ーザ光を偏向させ高い走査解像度を得るものであ
る。
導波路上でその位相を制御することによつて、レ
ーザ光を偏向させ高い走査解像度を得るものであ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の走査装置では、ビーム幅が
広いことからレーザ光の位相を制御するためには
相当多数の電極を独立に準備しかつ制度良く制御
する必要があるが、この制御は非常に困難で複雑
であつた。
広いことからレーザ光の位相を制御するためには
相当多数の電極を独立に準備しかつ制度良く制御
する必要があるが、この制御は非常に困難で複雑
であつた。
この発明はかかる問題点を解決するためになさ
れたもので、半導体レーザと光学偏向領域とを同
一基板上に一体化した簡便な偏向構造とを有する
半導体レーザ走査装置を提供することを目的とす
る。
れたもので、半導体レーザと光学偏向領域とを同
一基板上に一体化した簡便な偏向構造とを有する
半導体レーザ走査装置を提供することを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザ走査装置は、光学
偏向機能を一体に有した半導体レーザ走査装置で
あつて、レーザ光を発振するレーザ発振領域と、
発振されたレーザ光を偏向する光学偏向領域とを
備え、レーザ発振領域と光学偏向領域とは同一平
面上で一体的に形成され、光学偏向領域は境界領
域によつて形成され、かつ発振されたレーザ光が
斜めに入射する傾斜面を少なくとも有し、さら
に、光学偏向領域に対してレーザ発振領域に印加
される方向とは逆方向の電界を印加することがで
きる印加手段を備え、印加される電界の大きさに
よつて、光学偏向領域の屈折率が変化するもので
ある。
偏向機能を一体に有した半導体レーザ走査装置で
あつて、レーザ光を発振するレーザ発振領域と、
発振されたレーザ光を偏向する光学偏向領域とを
備え、レーザ発振領域と光学偏向領域とは同一平
面上で一体的に形成され、光学偏向領域は境界領
域によつて形成され、かつ発振されたレーザ光が
斜めに入射する傾斜面を少なくとも有し、さら
に、光学偏向領域に対してレーザ発振領域に印加
される方向とは逆方向の電界を印加することがで
きる印加手段を備え、印加される電界の大きさに
よつて、光学偏向領域の屈折率が変化するもので
ある。
［作用］
この発明においては、レーザ発振領域と光学偏
向領域とが同一平面上で一体的に形成され、発振
されたレーザ光がその屈折率が可変とされる光学
偏向領域の傾斜面に斜めに入射される。
向領域とが同一平面上で一体的に形成され、発振
されたレーザ光がその屈折率が可変とされる光学
偏向領域の傾斜面に斜めに入射される。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、第２図はその形成途中の電流阻止層の平面図
である。
り、第２図はその形成途中の電流阻止層の平面図
である。
図において、ｎ−GaAs基板１の上にMOCVD
（有機金属気相成長）法またはMBE（分子線エピ
タキシヤル成長）法等の結晶成長法によつて、厚
さ0.5μｍのｎ−GaAsバツフア層２、厚さ1.4μｍ
のｎ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層３、厚さ130Åの
GaAs井戸層と厚さ50ÅのGa0.6Al0.4Asバリア層
とからなる多層量子井戸の活性層４、厚さ0.3μｍ
のｐ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層５および厚さ0.5μ
ｍのｎ−GaAs電流阻止層６を順次形成する。
（有機金属気相成長）法またはMBE（分子線エピ
タキシヤル成長）法等の結晶成長法によつて、厚
さ0.5μｍのｎ−GaAsバツフア層２、厚さ1.4μｍ
のｎ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層３、厚さ130Åの
GaAs井戸層と厚さ50ÅのGa0.6Al0.4Asバリア層
とからなる多層量子井戸の活性層４、厚さ0.3μｍ
のｐ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層５および厚さ0.5μ
ｍのｎ−GaAs電流阻止層６を順次形成する。
次にフオトリソグラフイ技術によつて半導体レ
ーザアレイ１１になる部分のｎ−GaAs電流阻止
層６を第２図に示す形状になるように部分的に除
去し、光学偏向領域１３を含む光ガイド領域１５
となるべき領域においては電流阻止層６をすべて
除去する。この除去に際しては、NH3：H2O2：
H2Ｏ＝１：15：144（重量比）のエツチング液を
用いることによつてｎ−GaAs層を選択的に除去
することができる。
ーザアレイ１１になる部分のｎ−GaAs電流阻止
層６を第２図に示す形状になるように部分的に除
去し、光学偏向領域１３を含む光ガイド領域１５
となるべき領域においては電流阻止層６をすべて
除去する。この除去に際しては、NH3：H2O2：
H2Ｏ＝１：15：144（重量比）のエツチング液を
用いることによつてｎ−GaAs層を選択的に除去
することができる。
さらに、MOCVD法によつて第２図の状態の
上に厚さ1.2μｍのｐ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層７
および厚さ1.0μｍのｐ−GaAsキヤツプ層８を順
次エピタキシヤル成長させる。次に光学偏向領域
１３を形成するために境界領域１６をプロトン注
入による高抵抗化を用いて導波路層である活性層
４を貫通するように形成する。
上に厚さ1.2μｍのｐ−Ga0.5Al0.5Asクラツド層７
および厚さ1.0μｍのｐ−GaAsキヤツプ層８を順
次エピタキシヤル成長させる。次に光学偏向領域
１３を形成するために境界領域１６をプロトン注
入による高抵抗化を用いて導波路層である活性層
４を貫通するように形成する。
なお、この境界領域１６の形成は、符号５，
７，８がｐ型電導層の場合においてはＳ（硫黄）
の選択拡散によるｎ型電導層の形成、また同じく
符号５，７，８がｎ型電導層の場合においては
Zn（亜鉛）の選択拡散によるｐ型電導層の形成に
よつても可能である。
７，８がｐ型電導層の場合においてはＳ（硫黄）
の選択拡散によるｎ型電導層の形成、また同じく
符号５，７，８がｎ型電導層の場合においては
Zn（亜鉛）の選択拡散によるｐ型電導層の形成に
よつても可能である。
境界領域１６の形成後、ｎ−GaAs基板１を
100μｍ程度に研磨、洗浄した後その表面とｐ−
GaAsキヤツプ８層の表面とにそれぞれｎ型オー
ミツク電極９およびｐ型オーミツク電極１０を形
成する。
100μｍ程度に研磨、洗浄した後その表面とｐ−
GaAsキヤツプ８層の表面とにそれぞれｎ型オー
ミツク電極９およびｐ型オーミツク電極１０を形
成する。
さらに、半導体レーザアレイ阻止１１の一方の共
振面１２と光学偏向領域１３とを含む光ガイド領
域１５のレーザ光入射面１４を多層レジスト膜を
マスクとして塩素ガスを用いた反応性イオンエツ
チング法を用いて形成するが、半導体レーザアレ
イ１１から発振するレーザ光を効率良く光学偏向
領域１３に結合するために、共振面１２およびレ
ーザ光入射面１４は１〜2μｍ幅のエツチング幅
によつて形成する。
振面１２と光学偏向領域１３とを含む光ガイド領
域１５のレーザ光入射面１４を多層レジスト膜を
マスクとして塩素ガスを用いた反応性イオンエツ
チング法を用いて形成するが、半導体レーザアレ
イ１１から発振するレーザ光を効率良く光学偏向
領域１３に結合するために、共振面１２およびレ
ーザ光入射面１４は１〜2μｍ幅のエツチング幅
によつて形成する。
最後に、半導体レーザアレイ１１の共振器長は
約250μｍになるように、他方光学偏向領域１３
の長さが250μｍになるようにそれぞれ劈開を行
ない、走査装置を完成する。
約250μｍになるように、他方光学偏向領域１３
の長さが250μｍになるようにそれぞれ劈開を行
ない、走査装置を完成する。
以下、この発明の走査装置の動作を説明する。
半導体レーザアレイ１１はｎ−GaAs電流阻止
層６によつて活性層４に注入される電流通路が形
成され、一方、ｎ−GaAs電流阻止層６による光
の吸収によつて第２図のごとく半導体レーザアレ
イ部１７にＹ分岐導波路が形成される。したがつ
てこのＹ分岐導波路構造を有する半導体レーザア
レイは各導波路の位相が同位相となる0°位相モー
ドの単峰ビームとしてレーザ光を発振する。
層６によつて活性層４に注入される電流通路が形
成され、一方、ｎ−GaAs電流阻止層６による光
の吸収によつて第２図のごとく半導体レーザアレ
イ部１７にＹ分岐導波路が形成される。したがつ
てこのＹ分岐導波路構造を有する半導体レーザア
レイは各導波路の位相が同位相となる0°位相モー
ドの単峰ビームとしてレーザ光を発振する。
この実施例では第２図において導波路部幅Ｗは
3μｍ、ピツチＰは5μｍとし、導波路数は片側12
本、他方側を11本としている（図面上は表示の便
宜上導波路数の本数は減らして図示している）。
3μｍ、ピツチＰは5μｍとし、導波路数は片側12
本、他方側を11本としている（図面上は表示の便
宜上導波路数の本数は減らして図示している）。
第３図はこのときのレーザ光発振の光出力−電
流特性を示した図表である。
流特性を示した図表である。
図において横軸に半導体レーザアレイ部に印加
される駆動電流をとり、縦軸に発振されるレーザ
光の光出力をとつておりレーザ光発振のしきい値
350ｍＡが示されている。
される駆動電流をとり、縦軸に発振されるレーザ
光の光出力をとつておりレーザ光発振のしきい値
350ｍＡが示されている。
第４図はこの発明の一実施例のレーザ光出力の
遠視野像を示した図表である。
遠視野像を示した図表である。
図において、横軸にレーザの活性層に平行方向
の遠視野像の幅を示す角度をとり、縦軸にレーザ
光の光強度がとられている。レーザ出力100ｍＷ
時での光強度が示されており、その結果遠視野像
の半値全幅が0.9°である狭い放射ビームとなつて
いることが理解される。
の遠視野像の幅を示す角度をとり、縦軸にレーザ
光の光強度がとられている。レーザ出力100ｍＷ
時での光強度が示されており、その結果遠視野像
の半値全幅が0.9°である狭い放射ビームとなつて
いることが理解される。
第５図はこの発明の一実施例の光学偏向領域に
おける電界強度と屈折率変化量との関係を示した
図表である。
おける電界強度と屈折率変化量との関係を示した
図表である。
図において、横軸に光学偏向領域の多層量子井
戸構造よりなる活性層に印加される電界強度をと
り、縦軸に活性層の屈折率変化量がとられており
実線はλl（発振波長）＜励起子による吸収波長の場
合を示し、破線はλl（発振波長）＞励起子による吸
収波長の場合を示している。
戸構造よりなる活性層に印加される電界強度をと
り、縦軸に活性層の屈折率変化量がとられており
実線はλl（発振波長）＜励起子による吸収波長の場
合を示し、破線はλl（発振波長）＞励起子による吸
収波長の場合を示している。
この結果活性層に逆バイアス電圧を印加して高
電界とすると、その屈折率が大きく増加または減
少するがこの増減は入射光すなわちレーザ光の発
振波長と励起子による吸収波長との関係に依存す
ることがわかる。
電界とすると、その屈折率が大きく増加または減
少するがこの増減は入射光すなわちレーザ光の発
振波長と励起子による吸収波長との関係に依存す
ることがわかる。
一般的には、多層量子井戸構造を活性層とした
半導体レーザの通常の発振波長に対しては破線で
示されるごとく印加電界にほぼ比例して屈折率が
増加する。たとえば１×105Ｖ／cm2の電界強度を
印加するときの活性層の屈折率の変化は約４％に
なる。
半導体レーザの通常の発振波長に対しては破線で
示されるごとく印加電界にほぼ比例して屈折率が
増加する。たとえば１×105Ｖ／cm2の電界強度を
印加するときの活性層の屈折率の変化は約４％に
なる。
第６図はこの発明の一実施例における光学偏向
領域にレーザ光が入射したときの偏向状態を示し
た図である。
領域にレーザ光が入射したときの偏向状態を示し
た図である。
図において光学偏向領域１３の入射面１９と反
射面２０（レーザ光入射面１４に平行）の角度を
αとし、光ガイド領域１５の屈折率をn1、光学偏
向領域１３の屈折率をn2、空気の屈折率をn0＝１
とする。またレーザ光１８と各々の面とのなす角
度として入射面１９において入射角をθ1、出射角
をθ2、出射面２０において入射角をθ3、出射角を
θ4、レーザ光出射面において入射角をθ4、出射角
をθ5、とするとスネルの法則から次式が成立す
る。
射面２０（レーザ光入射面１４に平行）の角度を
αとし、光ガイド領域１５の屈折率をn1、光学偏
向領域１３の屈折率をn2、空気の屈折率をn0＝１
とする。またレーザ光１８と各々の面とのなす角
度として入射面１９において入射角をθ1、出射角
をθ2、出射面２０において入射角をθ3、出射角を
θ4、レーザ光出射面において入射角をθ4、出射角
をθ5、とするとスネルの法則から次式が成立す
る。
n1sinθ1＝n2sinθ2
n2sinθ3＝n1sinθ4
n1sinθ4＝n0sinθ5
ここで、θ1＝α，θ3＝α−θ2であるので
sinα√2 2−2 1 2−ｎ，cosα・sinα
＝n0sinθ3 が得られる。n2＝n1＋Δn1，n0＝１とすると sinθ5＝n1sinα（√（１＋1 1）2−2
−cosα） となる。
＝n0sinθ3 が得られる。n2＝n1＋Δn1，n0＝１とすると sinθ5＝n1sinα（√（１＋1 1）2−2
−cosα） となる。
第７図はこのθ5とΔn1／n1との関係をαをパラ
メータとして示した図表である。
メータとして示した図表である。
図において横軸にΔn1／n1をとり、縦軸に出射
角θ5をとつており、たとえばαが60°の場合＋４
％の屈折率変化で約12％の偏向角が得られること
を示している。
角θ5をとつており、たとえばαが60°の場合＋４
％の屈折率変化で約12％の偏向角が得られること
を示している。
第８図は第７図と似ているが、光学偏向領域に
電界を印加したときその屈折率が減少するときの
θ5とΔn1／n1との関係をαをパラメータとして示
した図表である。これは、第５図においてλl（発
振波長）＜励起子による吸収波長のとき生じるの
で具体的には半導体レーザアレイの共振器長を短
くしたり、活性層をより薄くすることで発振波長
を短波長化することによつて達成できる。
電界を印加したときその屈折率が減少するときの
θ5とΔn1／n1との関係をαをパラメータとして示
した図表である。これは、第５図においてλl（発
振波長）＜励起子による吸収波長のとき生じるの
で具体的には半導体レーザアレイの共振器長を短
くしたり、活性層をより薄くすることで発振波長
を短波長化することによつて達成できる。
第９図はこの発明の他の実施例を示す平面図で
ある。
ある。
図において、境界領域１６に囲まれた光学偏向
領域１３が２組存在する以外第１図の構成と同様
である。光学偏向領域１３は２組直列に形成され
ているのでどちらか一方の光学偏向領域に電界を
印加することによつて右側または左側へどちらの
方向へも出射レーザ光を偏向することができ、結
果として偏向角を大きくすることができる。
領域１３が２組存在する以外第１図の構成と同様
である。光学偏向領域１３は２組直列に形成され
ているのでどちらか一方の光学偏向領域に電界を
印加することによつて右側または左側へどちらの
方向へも出射レーザ光を偏向することができ、結
果として偏向角を大きくすることができる。
第２図にて示した半導体レーザアレイを用いて
αを60°とした第９図に示す構成のレーザ走査装
置において、出射レーザ光の半値全幅0.9°の狭い
ビームを左右にそれぞれ12°偏向することが確認
された。
αを60°とした第９図に示す構成のレーザ走査装
置において、出射レーザ光の半値全幅0.9°の狭い
ビームを左右にそれぞれ12°偏向することが確認
された。
なお、上記実施例では半導体レーザとして
GaAlAs−GaAs系を用いているがInP−
InGaAsP系等、他の材料を用いても同様の効果
を奏する。
GaAlAs−GaAs系を用いているがInP−
InGaAsP系等、他の材料を用いても同様の効果
を奏する。
また、上記実施例ではレーザ光発振手段はＹ分
岐導波路を使用しているが、これにはこだわらず
他の発振手段を用いても同様の偏向効果を奏する
ことは言うまでもない。
岐導波路を使用しているが、これにはこだわらず
他の発振手段を用いても同様の偏向効果を奏する
ことは言うまでもない。
さらに、上記実施例では光学偏向領域を１組ま
たは２組としているが３組以上であつてもまたそ
の組合わせ方向についてもこだわらない。
たは２組としているが３組以上であつてもまたそ
の組合わせ方向についてもこだわらない。
［発明の効果］
この発明は上記説明したとおり、レーザ発振領
域と光学偏向領域とが同一平面上で一体的に形成
されるので、コンパクトなレーザ走査装置とな
り、また光学偏向領域に対して逆方向の電界の印
加によつてその屈折率が可変とされるので、簡易
なレーザ光の偏向制御が可能となる。
域と光学偏向領域とが同一平面上で一体的に形成
されるので、コンパクトなレーザ走査装置とな
り、また光学偏向領域に対して逆方向の電界の印
加によつてその屈折率が可変とされるので、簡易
なレーザ光の偏向制御が可能となる。
第１図〜第８図はすべてこの発明の一実施例を
示すものであり、第９図はの発明の他の実施例を
示すものである。 第１図は走査装置の斜視図、第２図はその形成途
中の電流阻止層の平面図、第３図はレーザ発振の
光出力−電流特性を示した図表、第４図はレーザ
光出力の遠視野像を示した図表、第５図は光学偏
向領域における電界強度と屈折率変化量との関係
を示した図表、第６図は光学偏向領域に入射した
レーザ光の偏向状態を示した図、第７図、第８図
は第６図におけるθ5とΔn1（＝n2−n1）n1との関係
をαをパラメータとして示した図表、第９図は光
学偏向領域を２組備えた走査装置の平面図であ
る。 図においは、１はｎ−GaAs基板、４は活性
層、６はｎ−GaAs電流阻止層、９はｎ型オーミ
ツク電極、１０はｐ型オーミツク電極、１１は半
導体レーザアレイ、１２は共振面、１３は光学偏
向領域、１７は半導体レーザアレイ部、１８はレ
ーザ光、１９は入射面である。なお、各図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
示すものであり、第９図はの発明の他の実施例を
示すものである。 第１図は走査装置の斜視図、第２図はその形成途
中の電流阻止層の平面図、第３図はレーザ発振の
光出力−電流特性を示した図表、第４図はレーザ
光出力の遠視野像を示した図表、第５図は光学偏
向領域における電界強度と屈折率変化量との関係
を示した図表、第６図は光学偏向領域に入射した
レーザ光の偏向状態を示した図、第７図、第８図
は第６図におけるθ5とΔn1（＝n2−n1）n1との関係
をαをパラメータとして示した図表、第９図は光
学偏向領域を２組備えた走査装置の平面図であ
る。 図においは、１はｎ−GaAs基板、４は活性
層、６はｎ−GaAs電流阻止層、９はｎ型オーミ
ツク電極、１０はｐ型オーミツク電極、１１は半
導体レーザアレイ、１２は共振面、１３は光学偏
向領域、１７は半導体レーザアレイ部、１８はレ
ーザ光、１９は入射面である。なお、各図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学偏向機能を一体に有した半導体レーザ走
査装置であつて、 レーザ光を発振するレーザ発振領域と、 前記発振されたレーザ光を偏向する光学偏向領
域とを備え、 前記レーザ発振領域と前記光学偏向領域とは同
一平面上で一体的に形成され、前記光学偏向領域
は境界領域によつて形成され、かつ前記発振され
たレーザ光が斜めに入射する傾斜面を少なくとも
有し、さらに、 前記光学偏向領域に対して、前記レーザ発振領
域に印加される方向とは逆方向の電界を印加する
ことができる印加手段を備え、 印加される前記電界の大きさによつて、前記光
学偏向領域の屈折率が変化する、半導体レーザ走
査装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP62033004A JPS63199480A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザ走査装置 |
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| US07/156,263 US4939737A (en) | 1987-02-16 | 1988-02-16 | Scanning apparatus with refracting area of variable refractive index |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033004A JPS63199480A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザ走査装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPS63199480A JPS63199480A (ja) | 1988-08-17 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033004A Granted JPS63199480A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザ走査装置 |
Country Status (3)
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|---|---|
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