JPH0542636Y2 - - Google Patents
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- JPH0542636Y2 JPH0542636Y2 JP1987182182U JP18218287U JPH0542636Y2 JP H0542636 Y2 JPH0542636 Y2 JP H0542636Y2 JP 1987182182 U JP1987182182 U JP 1987182182U JP 18218287 U JP18218287 U JP 18218287U JP H0542636 Y2 JPH0542636 Y2 JP H0542636Y2
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- npn transistor
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 32
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はインバータ回路用の定電圧発生回路に
係り、エレクトロルミネセンス素子(以下EL素
子という)を負荷とするインバータ回路に定電圧
を供給するインバータ回路用の定電圧発生回路に
関する。
係り、エレクトロルミネセンス素子(以下EL素
子という)を負荷とするインバータ回路に定電圧
を供給するインバータ回路用の定電圧発生回路に
関する。
従来の技術
第6図は従来より知られているエレクトロルミ
ネセンス素子(EL素子)13に交流電力を供給
するインバータ回路12と、このインバータ回路
12に定電圧を供給するとともにEL素子13の
明るさを調節し得る定電圧発生回路11とを併せ
た回路図を示す。
ネセンス素子(EL素子)13に交流電力を供給
するインバータ回路12と、このインバータ回路
12に定電圧を供給するとともにEL素子13の
明るさを調節し得る定電圧発生回路11とを併せ
た回路図を示す。
EL素子13は電界発光現象を利用した発光素
子であつて従来より表示装置などに応用されてお
り、その輝度は通常の使用状態においては近似的
に加えられる電圧とその周波数に比例すると考え
られる。一般にEL素子13に対しては、第7図
に示すように容量Ceqと抵抗Reqを並列に接続し
た等価回路を考えることができ、EL素子13を
長時間使用することによつて徐々に容量Ceqの容
量が減少すると共に抵抗Reqが増大する。又この
EL素子13は、同電圧、同周波数の交流を加え
続けた場合であつてもその輝度は次第に低下する
ことが知られている。
子であつて従来より表示装置などに応用されてお
り、その輝度は通常の使用状態においては近似的
に加えられる電圧とその周波数に比例すると考え
られる。一般にEL素子13に対しては、第7図
に示すように容量Ceqと抵抗Reqを並列に接続し
た等価回路を考えることができ、EL素子13を
長時間使用することによつて徐々に容量Ceqの容
量が減少すると共に抵抗Reqが増大する。又この
EL素子13は、同電圧、同周波数の交流を加え
続けた場合であつてもその輝度は次第に低下する
ことが知られている。
インバータ回路12は、ノード11aに加えら
れる直流入力を、発振によつて交流出力に変換し
このEL素子13に供給するための回路である。
この回路の発振周波数は、主に並列共振回路を構
成するトランスT1の巻線L1とEL素子13の等価
的な容量Ceqによつて決定され、発振が継続され
る。
れる直流入力を、発振によつて交流出力に変換し
このEL素子13に供給するための回路である。
この回路の発振周波数は、主に並列共振回路を構
成するトランスT1の巻線L1とEL素子13の等価
的な容量Ceqによつて決定され、発振が継続され
る。
定電圧発生部11はベースに加えられる信号に
よつて出力電圧を変化させることができるトラン
ジスタTr4からなる電圧制御部111、ツエナー
ダイオードZ1と抵抗R13とからなり上記トランジ
スタTr4の出力電圧の変化を検出する検出部11
2、抵抗R11及び可変抵抗R12によつてトランジス
タTr2のベースに基準電圧を供給する基準電圧発
生部113、更にトランジスタTr2,Tr3を差動形
に接続しツエナーダイオードZ1のアノードと抵抗
R11及び可変抵抗R12の接続点の電位を比較しそ
の差に応じた信号をトランジスタTr4のベースに
供給する比較部114とから構成される。
よつて出力電圧を変化させることができるトラン
ジスタTr4からなる電圧制御部111、ツエナー
ダイオードZ1と抵抗R13とからなり上記トランジ
スタTr4の出力電圧の変化を検出する検出部11
2、抵抗R11及び可変抵抗R12によつてトランジス
タTr2のベースに基準電圧を供給する基準電圧発
生部113、更にトランジスタTr2,Tr3を差動形
に接続しツエナーダイオードZ1のアノードと抵抗
R11及び可変抵抗R12の接続点の電位を比較しそ
の差に応じた信号をトランジスタTr4のベースに
供給する比較部114とから構成される。
なお抵抗R12は可変抵抗となつておりこの抵抗
値を変化させることによりノード11aの電位を
変化させることができ、これによつてEL素子1
3の輝度を調節することができる。
値を変化させることによりノード11aの電位を
変化させることができ、これによつてEL素子1
3の輝度を調節することができる。
考案が解決しようとする問題点
第6図の回路の端子14にスイツチ手段により
電源を投入すると、端子14に入来する直流電圧
は急激に立ち上がるので、この瞬間に定電圧発生
部11、インバータ回路12を介してEL素子1
3には等価的に高い周波数の電圧が供給される。
一方上述のようにEL素子13は近似的に、加え
られる電圧及び周波数に比例した輝度で発光する
という特性を有するため、EL素子13はこの電
源投入時に一時的に必要以上の明るさとなりすぎ
るという問題点があつた。
電源を投入すると、端子14に入来する直流電圧
は急激に立ち上がるので、この瞬間に定電圧発生
部11、インバータ回路12を介してEL素子1
3には等価的に高い周波数の電圧が供給される。
一方上述のようにEL素子13は近似的に、加え
られる電圧及び周波数に比例した輝度で発光する
という特性を有するため、EL素子13はこの電
源投入時に一時的に必要以上の明るさとなりすぎ
るという問題点があつた。
本考案は上記の点に鑑みなされたものであり、
電源投入後にインバータ回路の負荷として接続さ
れたEL素子が一時的に明るくなり過ぎることを
防止するインバータ回路用の定電圧発生回路を提
供することを目的とする。
電源投入後にインバータ回路の負荷として接続さ
れたEL素子が一時的に明るくなり過ぎることを
防止するインバータ回路用の定電圧発生回路を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
第1図は本考案の原理ブロツク図を示す。本考
案になる定電圧発生回路は出力電圧を変化させる
ことができる電圧制御部1と、電圧制御部1の出
力電圧を検出する検出部2と、内部にコンデンサ
Cdを設け所定の遅延時間の後に基準電圧を発生
する遅延時間発生部3と、検出部2が検出した検
出電圧と上記基準電圧とを比較しその差に応じて
発生する出力信号によつて電圧制御部1の出力電
圧を変化させる比較部4とを有し、エレクトロル
ミネセンス素子5を負荷とするインバータ回路6
に定電圧を供給する構成とし、端子7への電源投
入時から遅延時間発生部3よりの基準電圧発生ま
での期間を遅延させる構成とする。
案になる定電圧発生回路は出力電圧を変化させる
ことができる電圧制御部1と、電圧制御部1の出
力電圧を検出する検出部2と、内部にコンデンサ
Cdを設け所定の遅延時間の後に基準電圧を発生
する遅延時間発生部3と、検出部2が検出した検
出電圧と上記基準電圧とを比較しその差に応じて
発生する出力信号によつて電圧制御部1の出力電
圧を変化させる比較部4とを有し、エレクトロル
ミネセンス素子5を負荷とするインバータ回路6
に定電圧を供給する構成とし、端子7への電源投
入時から遅延時間発生部3よりの基準電圧発生ま
での期間を遅延させる構成とする。
作 用
端子7への電源投入前は、コンデンサCdには
電荷が充電されていない。電源投入後コンデンサ
Cdは徐々に充電され、遅延時間発生部3が比較
部4に供給する出力電圧も定常状態に達するまで
徐々に上昇する。したがつて、電圧制御部1の出
力電圧もゆるかに上昇することとなり、インバー
タ回路6の発振振幅も急激に大きくなることはな
い。
電荷が充電されていない。電源投入後コンデンサ
Cdは徐々に充電され、遅延時間発生部3が比較
部4に供給する出力電圧も定常状態に達するまで
徐々に上昇する。したがつて、電圧制御部1の出
力電圧もゆるかに上昇することとなり、インバー
タ回路6の発振振幅も急激に大きくなることはな
い。
このため、インバータ回路6の負荷として接続
されたEL素子5も不都合がない程度の所定の期
間経過後に通常の輝度に達する。
されたEL素子5も不都合がない程度の所定の期
間経過後に通常の輝度に達する。
実施例
第2図は本考案の一実施例の回路図を示す。同
図において、8は起動及び発振停止保護回路、1
乃至4によつて構成される回路は本考案の主要部
となる定電圧発生回路、6はインバータ回路、9
は負荷オープン対策回路である。ここで定電圧発
生回路を構成する1乃至4の回路は第1図の原理
図中の対応する部分と同一の符号を付した。
図において、8は起動及び発振停止保護回路、1
乃至4によつて構成される回路は本考案の主要部
となる定電圧発生回路、6はインバータ回路、9
は負荷オープン対策回路である。ここで定電圧発
生回路を構成する1乃至4の回路は第1図の原理
図中の対応する部分と同一の符号を付した。
起動及び発振停止保護回路8は、抵抗R10とツ
エナーダイオードZ4のカソードの接続点にダイオ
ードD2のアノードが接続され、ダイオードD2の
カソードにはダイオードD1のカソード及び他端
を接地されたコンデンサC5が接続された構成と
なつている。このダイオードD2のカソードが接
続された接続点をノード8aとする。
エナーダイオードZ4のカソードの接続点にダイオ
ードD2のアノードが接続され、ダイオードD2の
カソードにはダイオードD1のカソード及び他端
を接地されたコンデンサC5が接続された構成と
なつている。このダイオードD2のカソードが接
続された接続点をノード8aとする。
ノード8aは抵抗R9を介してNPNトランジス
タQ3のベースに接続されており、NPNトランジ
スタQ3のエミツタはツエナーダイオードZ2及び
NPNトランジスタQ5のコレクタに接続されてお
り、この接続点をノード2aとする。又NPNト
ランジスタQ3のベースはNPNトランジスタQ4の
コレクタに接続されている。
タQ3のベースに接続されており、NPNトランジ
スタQ3のエミツタはツエナーダイオードZ2及び
NPNトランジスタQ5のコレクタに接続されてお
り、この接続点をノード2aとする。又NPNト
ランジスタQ3のベースはNPNトランジスタQ4の
コレクタに接続されている。
ツエナーダイオードZ2のアノードは、他端が接
地された抵抗R5及びNPNトランジスタQ4のベー
スに接続されており、NPNトランジスタQ4,Q5
は互いのエミツタが接続された差動形の誤差増幅
器を構成している。NPNトランジスタQ5のコレ
クタ(ノード2a)とベース間は抵抗R8が接続
され、NPNトランジスタQ5のベースとエミツタ
間は抵抗R7と可変抵抗Rxが直列に接続されてい
ると同時に、コンデンサC9,Cd,ツエナーダイ
オードZ3が並列に接続されている。
地された抵抗R5及びNPNトランジスタQ4のベー
スに接続されており、NPNトランジスタQ4,Q5
は互いのエミツタが接続された差動形の誤差増幅
器を構成している。NPNトランジスタQ5のコレ
クタ(ノード2a)とベース間は抵抗R8が接続
され、NPNトランジスタQ5のベースとエミツタ
間は抵抗R7と可変抵抗Rxが直列に接続されてい
ると同時に、コンデンサC9,Cd,ツエナーダイ
オードZ3が並列に接続されている。
ノード2aからはインバータ回路6内に設けら
れたトランスPTの端子P2に接続され、端子P2の
他端P1はNPNトランジスタQ1のコレクタに接続
されている。NPNトランジスタQ1のコレクタ−
ベース間、ベース−エミツタ間は夫々抵抗R1,
R2によつて接続され、同時にこのベースからは
コンデンサC2,抵抗R3を介してトランスPTの2
次側の端子P3に接続されている。
れたトランスPTの端子P2に接続され、端子P2の
他端P1はNPNトランジスタQ1のコレクタに接続
されている。NPNトランジスタQ1のコレクタ−
ベース間、ベース−エミツタ間は夫々抵抗R1,
R2によつて接続され、同時にこのベースからは
コンデンサC2,抵抗R3を介してトランスPTの2
次側の端子P3に接続されている。
負荷オープン対策回路9はNPNトランジスタ
Q2のコレクタがNPNトランジスタQ1のベースへ
接続されているとともにツエナーダイオードZ1の
アノードがNPNトランジスタQ1のベースに、カ
ソードがNPNトランジスタQ1のコレクタに接続
されている。又、ツエナーダイオードZ1のアノー
ドは並列に接続されたコンデンサC3と抵抗R4を
介してNPNトランジスタQ4のエミツタに接続さ
れている。
Q2のコレクタがNPNトランジスタQ1のベースへ
接続されているとともにツエナーダイオードZ1の
アノードがNPNトランジスタQ1のベースに、カ
ソードがNPNトランジスタQ1のコレクタに接続
されている。又、ツエナーダイオードZ1のアノー
ドは並列に接続されたコンデンサC3と抵抗R4を
介してNPNトランジスタQ4のエミツタに接続さ
れている。
トランスPTの2次側はコイルL1を介して端子
P4と端子P6にエレクトロルミネセンス素子(EL
素子)5が接続されており、端子P5からは起動
及び発振停止保護回路8中のダイオードD1のア
ノードに帰還されている。
P4と端子P6にエレクトロルミネセンス素子(EL
素子)5が接続されており、端子P5からは起動
及び発振停止保護回路8中のダイオードD1のア
ノードに帰還されている。
入力端子10には6乃至16ボルトの広範囲な
直流電源電圧を加えることが可能であり、ダイオ
ードD3は入力端子5に接続される電源の逆接続
対策用である。ツエナーダイオードZ4はその両端
に、後述するインバータ回路6が発振を開始する
のに必要最少限のレベルの電圧を発生するものが
選定されている。
直流電源電圧を加えることが可能であり、ダイオ
ードD3は入力端子5に接続される電源の逆接続
対策用である。ツエナーダイオードZ4はその両端
に、後述するインバータ回路6が発振を開始する
のに必要最少限のレベルの電圧を発生するものが
選定されている。
ツエナーダイオードZ2,抵抗R5は第1図の検
出部2となり、抵抗R8,R7,可変抵抗Rx及びコ
ンデンサCdは第1図の遅延時間発生部3を構成
する。又コンデンサC9はコンデンサCdに比べて
容量が充分に小さくコンデンサCdの動作に対し
本質的に影響は与えない。
出部2となり、抵抗R8,R7,可変抵抗Rx及びコ
ンデンサCdは第1図の遅延時間発生部3を構成
する。又コンデンサC9はコンデンサCdに比べて
容量が充分に小さくコンデンサCdの動作に対し
本質的に影響は与えない。
NPNトランジスタQ4,Q5は互いにエミツタ同
志が接続された差動型の誤差増幅器となつてお
り、抵抗R6とともに比較部4を構成する。ツエ
ナーダイオードZ3はNPNトランジスタQ3のベー
ス電位が高くなり過ぎてEL素子5が明るくなり
過ぎることを防止するためのものである。
志が接続された差動型の誤差増幅器となつてお
り、抵抗R6とともに比較部4を構成する。ツエ
ナーダイオードZ3はNPNトランジスタQ3のベー
ス電位が高くなり過ぎてEL素子5が明るくなり
過ぎることを防止するためのものである。
次に本実施例の動作について説明する。電源投
入により入力端子10に直流電圧が入力される
と、抵抗R10,ダイオードD2,抵抗R9,NPNト
ランジスタQ3の順に通電されてNPNトランジス
タQ3がオンとなり、ノード2aに電圧が発生す
る。この初期状態ではコンデンサCdは帯電され
ておらず、NPNトランジスタQ5のベース電位は
略ゼロに等しくオフ状態となつている。一方、
NPNトランジスタQ4のベースにはノード2aの
電位からツエナーダイオードZ2のツエナー電圧を
差し引いたレベルの電圧が加わつてオンとなるた
めコレクタ電流が流れ、これによつてNPNトラ
ンジスタQ3のベース電流が減少する。従つてノ
ード2aの電位の増加は抑えられ、約2V程度と
なる。
入により入力端子10に直流電圧が入力される
と、抵抗R10,ダイオードD2,抵抗R9,NPNト
ランジスタQ3の順に通電されてNPNトランジス
タQ3がオンとなり、ノード2aに電圧が発生す
る。この初期状態ではコンデンサCdは帯電され
ておらず、NPNトランジスタQ5のベース電位は
略ゼロに等しくオフ状態となつている。一方、
NPNトランジスタQ4のベースにはノード2aの
電位からツエナーダイオードZ2のツエナー電圧を
差し引いたレベルの電圧が加わつてオンとなるた
めコレクタ電流が流れ、これによつてNPNトラ
ンジスタQ3のベース電流が減少する。従つてノ
ード2aの電位の増加は抑えられ、約2V程度と
なる。
これと並行して、抵抗R8を介してコンデンサ
Cdが徐々に充電されNPNトランジスタQ5のベー
ス電位がある一定値以上に上昇するとNPNトラ
ンジスタQ5がオンとなるためNPNトランジスタ
Q4のコレクタ電流は減少し、この減少分がNPN
トランジスタQ3のベースに流れ込む。これに合
わせてインバータ回路6内のコンデンサC2も
徐々に充電され、NPNトランジスタQ1のベース
電位が上昇し、NPNトランジスタQ1がオンとな
ることによりインバータ回路6は発振を開始す
る。
Cdが徐々に充電されNPNトランジスタQ5のベー
ス電位がある一定値以上に上昇するとNPNトラ
ンジスタQ5がオンとなるためNPNトランジスタ
Q4のコレクタ電流は減少し、この減少分がNPN
トランジスタQ3のベースに流れ込む。これに合
わせてインバータ回路6内のコンデンサC2も
徐々に充電され、NPNトランジスタQ1のベース
電位が上昇し、NPNトランジスタQ1がオンとな
ることによりインバータ回路6は発振を開始す
る。
インバータ回路6による発振が開始するとEL
素子5が発光すると同時に、トランスPTの端子
P5より出力電圧が起動及び発振停止保護回路8
へ帰還される。この帰還された電圧はダイオード
D1,コンデンサC5によつて検波・整流され、ダ
イオードD2のカソード側に印加され、ツエナー
ダイオードZ4の両端間電圧に加えられるため
NPNトランジスタQ3のベース電位が上昇する。
この結果NPNトランジスタQ1がオンとなること
によつて低下するノード2aの電位は上昇し、イ
ンバータ回路6の発振は徐々に強められ、ノード
8aの電位も上昇する。これと並行してコンデン
サCdの充電も更に進み、NPNトランジスタQ4,
Q5による差動回路が平衡状態に達して回路全体
は安定な動作状態となる。
素子5が発光すると同時に、トランスPTの端子
P5より出力電圧が起動及び発振停止保護回路8
へ帰還される。この帰還された電圧はダイオード
D1,コンデンサC5によつて検波・整流され、ダ
イオードD2のカソード側に印加され、ツエナー
ダイオードZ4の両端間電圧に加えられるため
NPNトランジスタQ3のベース電位が上昇する。
この結果NPNトランジスタQ1がオンとなること
によつて低下するノード2aの電位は上昇し、イ
ンバータ回路6の発振は徐々に強められ、ノード
8aの電位も上昇する。これと並行してコンデン
サCdの充電も更に進み、NPNトランジスタQ4,
Q5による差動回路が平衡状態に達して回路全体
は安定な動作状態となる。
このように基準電圧発生部3にコンデンサCd
を設け電源投入後に基準電圧が徐々に上昇する構
成としたことにより、従来回路のように電源投入
直後にインバータ回路に電圧が加わり、これがト
ランスを介してEL素子5に等価的に急峻な(す
なわち高い周波数の)電圧を加えて過度の発光を
生じるということはない。もつともこのコンデン
サCdによる発光開始の遅れは人間の日常感覚で
はほとんど知覚できない程度のものであり、これ
に伴う不都合はない。
を設け電源投入後に基準電圧が徐々に上昇する構
成としたことにより、従来回路のように電源投入
直後にインバータ回路に電圧が加わり、これがト
ランスを介してEL素子5に等価的に急峻な(す
なわち高い周波数の)電圧を加えて過度の発光を
生じるということはない。もつともこのコンデン
サCdによる発光開始の遅れは人間の日常感覚で
はほとんど知覚できない程度のものであり、これ
に伴う不都合はない。
更に1乃至4の回路から構成される定電圧発生
回路は、可変抵抗Rxを変化させることによりノ
ード2aの電位を変化させ、それによつてEL素
子5の明るさを調節できるとともにノード2aの
電位をRxで決められた一定値に保つ。ここで簡
単のため可変抵抗Rxをゼロとし、ノード2aの
電位が所定の値より上昇したとすると、この電位
の上昇分はNPNトランジスタQ5に対しては、こ
の上昇分が抵抗R8,R7によつて分割されてベー
スに加わる。一方、NPNトランジスタQ4に対し
ては、この電位の上昇分はそのままベースに加え
られることとなるため、NPNトランジスタQ4の
ベース電位はNPNトランジスタQ5のベース電位
より高くなり、NPNトランジスタQ4のコレクタ
電流が増加することによつて、NPNトランジス
タQ3のベース電流は減少する。これによりNPN
トランジスタQ4のベース電位はQ5のベース電位
と同電位になるまで低下する。
回路は、可変抵抗Rxを変化させることによりノ
ード2aの電位を変化させ、それによつてEL素
子5の明るさを調節できるとともにノード2aの
電位をRxで決められた一定値に保つ。ここで簡
単のため可変抵抗Rxをゼロとし、ノード2aの
電位が所定の値より上昇したとすると、この電位
の上昇分はNPNトランジスタQ5に対しては、こ
の上昇分が抵抗R8,R7によつて分割されてベー
スに加わる。一方、NPNトランジスタQ4に対し
ては、この電位の上昇分はそのままベースに加え
られることとなるため、NPNトランジスタQ4の
ベース電位はNPNトランジスタQ5のベース電位
より高くなり、NPNトランジスタQ4のコレクタ
電流が増加することによつて、NPNトランジス
タQ3のベース電流は減少する。これによりNPN
トランジスタQ4のベース電位はQ5のベース電位
と同電位になるまで低下する。
逆にノード2aの電位が所定の値よりも低くな
つた場合には、NPNトランジスタQ5のベース電
位はNPNトランジスタQ4のベース電位より高く
なり、NPNトランジスタQ4のベース電位はQ5の
ベース電位と同電位となるまで上昇する。このよ
うに1乃至4の回路により構成される定電圧発生
回路は、外部からの影響に対してノード2aの電
位を常に一定とするよう動作する。なお、ノード
2aの電位は可変抵抗Rxによつて可変であり、
ノード2aの電位の変化によつてインバータ回路
6の発振振幅が変化するため、EL素子5の輝度
を調節することができる。
つた場合には、NPNトランジスタQ5のベース電
位はNPNトランジスタQ4のベース電位より高く
なり、NPNトランジスタQ4のベース電位はQ5の
ベース電位と同電位となるまで上昇する。このよ
うに1乃至4の回路により構成される定電圧発生
回路は、外部からの影響に対してノード2aの電
位を常に一定とするよう動作する。なお、ノード
2aの電位は可変抵抗Rxによつて可変であり、
ノード2aの電位の変化によつてインバータ回路
6の発振振幅が変化するため、EL素子5の輝度
を調節することができる。
負荷オープン対策回路9は、負荷として接続さ
れていたEL素子5の動作中に何らかの理由によ
り外れ、負荷がオープン状態となつた時のトラン
スPT,NPNトランジスタQ1等の発熱及び破壊
を防止するための回路である。EL素子5が正常
に接続された状態でのNPNトランジスタQ1のコ
レクタ電流Ic及びコレクタ電圧Vcを示すと第3
図のようになる。同図に示すようにコレクタ電流
Icが流れる期間aの大部分はコレクタ電圧Vcは
略ゼロであり、従つて、コレクタ電流Icとコレク
タ電圧Vcの積に比例するコレクタ損失は小さく、
コレクタ損失によるトランスPT,NPNトランジ
スタQ1の発熱はそれほど問題とはならない。
れていたEL素子5の動作中に何らかの理由によ
り外れ、負荷がオープン状態となつた時のトラン
スPT,NPNトランジスタQ1等の発熱及び破壊
を防止するための回路である。EL素子5が正常
に接続された状態でのNPNトランジスタQ1のコ
レクタ電流Ic及びコレクタ電圧Vcを示すと第3
図のようになる。同図に示すようにコレクタ電流
Icが流れる期間aの大部分はコレクタ電圧Vcは
略ゼロであり、従つて、コレクタ電流Icとコレク
タ電圧Vcの積に比例するコレクタ損失は小さく、
コレクタ損失によるトランスPT,NPNトランジ
スタQ1の発熱はそれほど問題とはならない。
しかし、負荷オープン対策回路9はない状態で
負荷として接続されていたEL素子5が外れると、
EL素子5が持つ抵抗成分と、容量成分によるエ
ネルギーロスがなくなるため、トランスPTの端
子P5よりの正帰還は過大となり、インバータ回
路3は著しい過発振の状態となる。又、EL素子
5が外れることにより、トランスPTの浮遊容量
による発振が起こり、NPNトランジスタQ1のコ
レクタ電流Icの位相とコレクタ電圧Vcの位相の
相関関係はなくなる。このため過大なコレクタ損
失が発生し、トランスPT,NPNトランジスタ
Q1が発熱すると共に、トランジスタQ1が破壊す
る危険性も生じる。
負荷として接続されていたEL素子5が外れると、
EL素子5が持つ抵抗成分と、容量成分によるエ
ネルギーロスがなくなるため、トランスPTの端
子P5よりの正帰還は過大となり、インバータ回
路3は著しい過発振の状態となる。又、EL素子
5が外れることにより、トランスPTの浮遊容量
による発振が起こり、NPNトランジスタQ1のコ
レクタ電流Icの位相とコレクタ電圧Vcの位相の
相関関係はなくなる。このため過大なコレクタ損
失が発生し、トランスPT,NPNトランジスタ
Q1が発熱すると共に、トランジスタQ1が破壊す
る危険性も生じる。
第2図に示す負荷オープン対策回路9はNPN
トランジスタQ2のベースとNPNトランジスタQ1
のコレクタとの間にツエナーダイオードZ1を接続
し、ツエナーダイオードZ1によりNPNトランジ
スタQ1のコレクタ電圧の上限値を定める構成と
されている。動作中に何らかの理由で、EL素子
5が外れ、負荷がオープン状態となり、NPNト
ランジスタQ1のコレクタ電圧が所定の値以上に
高くなろうとするツエナーダイオードZ1がオンと
なり電流が流れ、コンデンサC3を充電し、これ
と略同時にNPNトランジスタQ2をオンとする。
これによつてNPNトランジスタQ1のベース電位
が低下して、NPNトランジスタQ1はカツト・オ
フ状態となる。この時、同時にコンデンサC2も
放電し、更にコンデンサC3もそれまでに帯電し
ていた分の電荷が放電してNPNトランジスタQ2
もオフとなる。
トランジスタQ2のベースとNPNトランジスタQ1
のコレクタとの間にツエナーダイオードZ1を接続
し、ツエナーダイオードZ1によりNPNトランジ
スタQ1のコレクタ電圧の上限値を定める構成と
されている。動作中に何らかの理由で、EL素子
5が外れ、負荷がオープン状態となり、NPNト
ランジスタQ1のコレクタ電圧が所定の値以上に
高くなろうとするツエナーダイオードZ1がオンと
なり電流が流れ、コンデンサC3を充電し、これ
と略同時にNPNトランジスタQ2をオンとする。
これによつてNPNトランジスタQ1のベース電位
が低下して、NPNトランジスタQ1はカツト・オ
フ状態となる。この時、同時にコンデンサC2も
放電し、更にコンデンサC3もそれまでに帯電し
ていた分の電荷が放電してNPNトランジスタQ2
もオフとなる。
その後のNPNトランジスタQ1のコレクタ電圧
の状態を第4図に示す。t1において負荷がオープ
ンとなりNPNトランジスタQ2がオフとなつた時
点t2からコンデンサC2の充電が開始され、このコ
ンデンサC2の充電が行なわれている期間(t2から
t3まで)は発振は行なわれない。t3においてコン
デンサC2の充電が完了すると、再びNPNトラン
ジスタQ1はオンとなつて不要発振を開始し、そ
の振幅が徐々に大きくなる。しかし、この振幅が
t4で前記ツエナーダイオードZ1で決まる所定レベ
ルの電圧になると、ツエナーダイオードZ1に電流
が流れ、上記と同様にNPNトランジスタQ1はカ
ツト・オフ状態となり、以後このような動作が繰
り返されることとなる。
の状態を第4図に示す。t1において負荷がオープ
ンとなりNPNトランジスタQ2がオフとなつた時
点t2からコンデンサC2の充電が開始され、このコ
ンデンサC2の充電が行なわれている期間(t2から
t3まで)は発振は行なわれない。t3においてコン
デンサC2の充電が完了すると、再びNPNトラン
ジスタQ1はオンとなつて不要発振を開始し、そ
の振幅が徐々に大きくなる。しかし、この振幅が
t4で前記ツエナーダイオードZ1で決まる所定レベ
ルの電圧になると、ツエナーダイオードZ1に電流
が流れ、上記と同様にNPNトランジスタQ1はカ
ツト・オフ状態となり、以後このような動作が繰
り返されることとなる。
このように間欠的に不要な発振が起こり、その
他の大部分の期間はNPNトランジスタQ1がオフ
状態となつているため、負荷がオープン状態とな
つた場合であつても、そのために生じる不要発振
による発熱はほとんど起こらない。またこの状態
でEL素子5を再び接続すれば、正常な状態での
動作が再開されるため、一般のユーザーであつて
も簡単に元の状態へ復帰させられるという利点が
ある。
他の大部分の期間はNPNトランジスタQ1がオフ
状態となつているため、負荷がオープン状態とな
つた場合であつても、そのために生じる不要発振
による発熱はほとんど起こらない。またこの状態
でEL素子5を再び接続すれば、正常な状態での
動作が再開されるため、一般のユーザーであつて
も簡単に元の状態へ復帰させられるという利点が
ある。
次に発振停止保護動作につき説明する。通常の
EL素子点灯用電源は、負荷がシヨートしたりあ
るいはインバータ回路に部品異常があると発振停
止状態となるが、発振用の素子には発振状態と同
様の電圧が加わつているため発振用のトランジス
タQ1が加熱状態となる。そこで本実施例では、
第2図の起動及び発振停止保護回路8中、ツエナ
ーダイオードZ4によつてインバータ回路6が発振
を開始するのに必要最少限の電圧を少し越えた値
に設定し、この電圧によつてインバータ回路6が
発振を開始し、トランスPTの端子P5からその発
振電圧をダイオードD1により検波しコンデンサ
C5により平滑化して、ダイオードD2のカソード
側に正帰還させる構成とした。この構成により、
発振によつて発生した電圧が更に新たな発振を行
なわせるための電圧となり、ノード2aが可変抵
抗Rxによつて設定される電位になるまで発振が
成長することとなる。
EL素子点灯用電源は、負荷がシヨートしたりあ
るいはインバータ回路に部品異常があると発振停
止状態となるが、発振用の素子には発振状態と同
様の電圧が加わつているため発振用のトランジス
タQ1が加熱状態となる。そこで本実施例では、
第2図の起動及び発振停止保護回路8中、ツエナ
ーダイオードZ4によつてインバータ回路6が発振
を開始するのに必要最少限の電圧を少し越えた値
に設定し、この電圧によつてインバータ回路6が
発振を開始し、トランスPTの端子P5からその発
振電圧をダイオードD1により検波しコンデンサ
C5により平滑化して、ダイオードD2のカソード
側に正帰還させる構成とした。この構成により、
発振によつて発生した電圧が更に新たな発振を行
なわせるための電圧となり、ノード2aが可変抵
抗Rxによつて設定される電位になるまで発振が
成長することとなる。
EL素子5が点灯中に、負荷のシヨートなどに
よつてインバータ回路6の発振が停止したとする
と、トランスPTの端子P5から起動及び発振停止
保護回路8へ正帰還する電圧は発生しなくなり、
従つてノード8aの電位はツエナーダイオードZ4
によつて設定される最低電位の状態となる。
よつてインバータ回路6の発振が停止したとする
と、トランスPTの端子P5から起動及び発振停止
保護回路8へ正帰還する電圧は発生しなくなり、
従つてノード8aの電位はツエナーダイオードZ4
によつて設定される最低電位の状態となる。
第5図に発振状態にある負荷を時刻u1において
シヨートし、発振を停止させた場合のNPNトラ
ンジスタQ1のコレクタ電流Icとコレクタ電圧Vc
の変化の様子を示す。同図より時刻u2以降は、コ
レクタ電流Ic、コレクタ電圧Vc共に発振状態で
の平均値(破線で示す)よりかなり低い一定値に
落ち着くことがわかる。したがつて、この場合に
はコレクタ損失は発振中よりもさらに低減される
こととなり、NPNトランジスタQ1,Q3などが発
熱することはない。
シヨートし、発振を停止させた場合のNPNトラ
ンジスタQ1のコレクタ電流Icとコレクタ電圧Vc
の変化の様子を示す。同図より時刻u2以降は、コ
レクタ電流Ic、コレクタ電圧Vc共に発振状態で
の平均値(破線で示す)よりかなり低い一定値に
落ち着くことがわかる。したがつて、この場合に
はコレクタ損失は発振中よりもさらに低減される
こととなり、NPNトランジスタQ1,Q3などが発
熱することはない。
考案の効果
上述の如く、本考案によれば、電源投入直後に
EL素子の輝度を不都合がない程度に遅延させて
から通常の輝度に達するようにしたため、従来の
ように電源投入直後に急激に輝度を増して良好な
表示を妨げることがないという特長を有する。
EL素子の輝度を不都合がない程度に遅延させて
から通常の輝度に達するようにしたため、従来の
ように電源投入直後に急激に輝度を増して良好な
表示を妨げることがないという特長を有する。
第1図は本考案の原理ブロツク図、第2図は本
考案の一実施例の回路図、第3図はインバータ回
路のトランジスタの動作状態を示す図、第4図は
オープン対策保護回路の動作説明図、第5図は起
動及び発振停止保護回路の動作説明図、第6図は
従来回路の回路図、第7図はEL素子の等価回路
図である。 1……電圧制御部、2……検出部、3……遅延
時間発生部、4……比較部、5……EL素子、6
……インバータ回路、Cd……コンデンサ。
考案の一実施例の回路図、第3図はインバータ回
路のトランジスタの動作状態を示す図、第4図は
オープン対策保護回路の動作説明図、第5図は起
動及び発振停止保護回路の動作説明図、第6図は
従来回路の回路図、第7図はEL素子の等価回路
図である。 1……電圧制御部、2……検出部、3……遅延
時間発生部、4……比較部、5……EL素子、6
……インバータ回路、Cd……コンデンサ。
Claims (1)
- 出力電圧を変化させることができる電圧制御部
と、該電圧制御部の出力電圧を検出する検出部
と、基準電圧を発生する基準電圧発生部と、該検
出部が検出した検出電圧と該基準電圧発生部が発
生した基準電圧とを比較しその差に応じて発生す
る出力信号によつて該電圧制御部の出力電圧を変
化させる比較部とを有し、エレクトロルミネセン
ス素子を負荷とするインバータ回路に定電圧を供
給するインバータ回路用の定電圧発生回路におい
て、該基準電圧発生部にコンデンサを設けて遅延
時間発生部とし、電源投入時から該遅延時間発生
部による基準電圧発生までの期間を遅延させる構
成としたインバータ回路用の定電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987182182U JPH0542636Y2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987182182U JPH0542636Y2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0186196U JPH0186196U (ja) | 1989-06-07 |
| JPH0542636Y2 true JPH0542636Y2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=31473634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987182182U Expired - Lifetime JPH0542636Y2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0542636Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP1987182182U patent/JPH0542636Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0186196U (ja) | 1989-06-07 |
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