JPH0543196B2 - - Google Patents
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- JPH0543196B2 JPH0543196B2 JP59260157A JP26015784A JPH0543196B2 JP H0543196 B2 JPH0543196 B2 JP H0543196B2 JP 59260157 A JP59260157 A JP 59260157A JP 26015784 A JP26015784 A JP 26015784A JP H0543196 B2 JPH0543196 B2 JP H0543196B2
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- amorphous
- single crystal
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H10F30/295—Surface barrier or shallow PN junction radiation detectors, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、高純度の単結晶半導体基板とその上
の非晶質半導体層との間に形成されるヘテロ接合
を利用した半導体放射線検出器の製造方法に関す
る。
の非晶質半導体層との間に形成されるヘテロ接合
を利用した半導体放射線検出器の製造方法に関す
る。
半導体内の空乏層への放射線の入射により生ず
るキヤリアによつて放射線を検出する検出器の空
乏層形成の手段として、例えば高純度単結晶シリ
コン基板とその上に被着された非晶質シリコン膜
との間に形成されるヘテロ結合を利用した半導体
放射線検出器は、既に特開昭59−22716号および
特開昭60−47471号により開示されている。この
検出器は、第２図の構造に示すように単結晶シリ
コン基板１の一表面および側面に非晶質シリコン
層２が被着されており、両面に設けた金属電極３
および４の間に電圧を印加して半導体単結晶１中
に空乏層５を広げ、この空乏層中へ放射線を入射
させ電子一正孔対を生じさせて信号を検出するも
のであつた。
るキヤリアによつて放射線を検出する検出器の空
乏層形成の手段として、例えば高純度単結晶シリ
コン基板とその上に被着された非晶質シリコン膜
との間に形成されるヘテロ結合を利用した半導体
放射線検出器は、既に特開昭59−22716号および
特開昭60−47471号により開示されている。この
検出器は、第２図の構造に示すように単結晶シリ
コン基板１の一表面および側面に非晶質シリコン
層２が被着されており、両面に設けた金属電極３
および４の間に電圧を印加して半導体単結晶１中
に空乏層５を広げ、この空乏層中へ放射線を入射
させ電子一正孔対を生じさせて信号を検出するも
のであつた。
しかし上記のような検出器においては、特にシ
リコン単結晶１および非晶質シリコン層２が高比
抵抗の場合には、金属電極３，４と単結晶シリコ
ンおよびシリコンとの界面に生ずるシヨツトキー
障壁での電圧降下が大きく生ずるため、本来の非
晶質シリコンと単結晶シリコンのヘテロ接合への
印加電圧が十分に印加されず、その結果十分に結
晶シリコン中に空乏層が広がらないという欠点を
有していた。また、そのシヨツトキー障壁部分
が、半導体放射線検出器として信号を取り出す際
にノイズの発生源となるため好ましいものではな
いという欠点も併有していた。 第３図は第２図に示した半導体放射線検出器に
おけるエネルギ分布を示し、下方に第２図に記入
された符号によつて各部の位置を示す。またEF
はフエルミレベルエネルギ、Ｃ、Ｂは、コンダク
シヨンバンド、Ｖ、Ｂはバレンスバンドをそれぞ
れ示す。第３図において金属電極４と単結晶シリ
コン１との接合部２１および非晶質シリコン２と
金属電極３との結合部２３にシヨツトキー障壁が
生じており、単結晶シリコン１と非晶質シリコン
２との界面にヘテロ接合２２が存在する。シヨツ
トキー障壁は半導体と金属との仕事関数のエネル
ギ差に原因するものでこのエネルギ差を小さくす
ることでシヨツトキー障壁を小さくすることが出
来ることは公知の技術である。またこのシヨツト
キー障壁を小さくするために、すなわちオーミツ
ク・コンタクトを形成するために、ｐ型半導体基
体ではp+層を形成しその上に金属電極を形成す
る方法、またはｎ型半導体基体ではn+層を形成
してその上に金属電極を形成する方法が現在の半
導体プロセスで広く用いられている技術である。
しかし、現在用いられているp+層、n+層形成技
術はすなわち、オーミツク・コンタクト形成技術
は1000℃以上の熱拡散法や、800℃以上の後処理
を必要とするイオン打込法などである。これ等の
方法はいずれも800℃以上の高温プロセスを含ん
でいることから、従来の低抵抗シリコンではほと
んど問題にならないが、高純度シリコン基体を用
いる半導体放射線検出器では適するプロセスでは
ない。その理由は、高純度シリコン基体を高温に
晒すことにより、シリコン基体自身に熱的欠陥を
与え、その結果ライフタイムが減少し素子の電気
的特性を著しく劣化させてしまう欠点があるから
である。 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであ
つて、高純度半導体単結晶の一表面に非晶質半導
体層を被着し、半導体単結晶および非晶質半導体
層のそれぞれの表面に金属電極を有する既出願の
半導体放射線検出器の電極と半導体との界面にシ
ヨツトキー障壁の生ずるのを防止し、しかも単結
晶半導体基板を高温に晒して熱的欠点を生ずるこ
とのない製造方法を提供することを目的とする。
リコン単結晶１および非晶質シリコン層２が高比
抵抗の場合には、金属電極３，４と単結晶シリコ
ンおよびシリコンとの界面に生ずるシヨツトキー
障壁での電圧降下が大きく生ずるため、本来の非
晶質シリコンと単結晶シリコンのヘテロ接合への
印加電圧が十分に印加されず、その結果十分に結
晶シリコン中に空乏層が広がらないという欠点を
有していた。また、そのシヨツトキー障壁部分
が、半導体放射線検出器として信号を取り出す際
にノイズの発生源となるため好ましいものではな
いという欠点も併有していた。 第３図は第２図に示した半導体放射線検出器に
おけるエネルギ分布を示し、下方に第２図に記入
された符号によつて各部の位置を示す。またEF
はフエルミレベルエネルギ、Ｃ、Ｂは、コンダク
シヨンバンド、Ｖ、Ｂはバレンスバンドをそれぞ
れ示す。第３図において金属電極４と単結晶シリ
コン１との接合部２１および非晶質シリコン２と
金属電極３との結合部２３にシヨツトキー障壁が
生じており、単結晶シリコン１と非晶質シリコン
２との界面にヘテロ接合２２が存在する。シヨツ
トキー障壁は半導体と金属との仕事関数のエネル
ギ差に原因するものでこのエネルギ差を小さくす
ることでシヨツトキー障壁を小さくすることが出
来ることは公知の技術である。またこのシヨツト
キー障壁を小さくするために、すなわちオーミツ
ク・コンタクトを形成するために、ｐ型半導体基
体ではp+層を形成しその上に金属電極を形成す
る方法、またはｎ型半導体基体ではn+層を形成
してその上に金属電極を形成する方法が現在の半
導体プロセスで広く用いられている技術である。
しかし、現在用いられているp+層、n+層形成技
術はすなわち、オーミツク・コンタクト形成技術
は1000℃以上の熱拡散法や、800℃以上の後処理
を必要とするイオン打込法などである。これ等の
方法はいずれも800℃以上の高温プロセスを含ん
でいることから、従来の低抵抗シリコンではほと
んど問題にならないが、高純度シリコン基体を用
いる半導体放射線検出器では適するプロセスでは
ない。その理由は、高純度シリコン基体を高温に
晒すことにより、シリコン基体自身に熱的欠陥を
与え、その結果ライフタイムが減少し素子の電気
的特性を著しく劣化させてしまう欠点があるから
である。 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであ
つて、高純度半導体単結晶の一表面に非晶質半導
体層を被着し、半導体単結晶および非晶質半導体
層のそれぞれの表面に金属電極を有する既出願の
半導体放射線検出器の電極と半導体との界面にシ
ヨツトキー障壁の生ずるのを防止し、しかも単結
晶半導体基板を高温に晒して熱的欠点を生ずるこ
とのない製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本願の第１発明に
おいては、一導電形（例えばｐ型）の高純度単結
晶半導体基板の一主面に逆導電形（例えば弱いｎ
型）で高比抵抗の非晶質半導体層を被着し、前記
の一主面に対向する半導体基板の他の主面に不純
物金属、例えばアルミニウム、の膜を形成し、不
活性ガスプラズマ中で他の主面から半導体基板へ
不純物金属を侵入させて半導体基板と同一導電形
で不純物濃度の高い（p+型の）表面層を形成し、
この表面層上に不純物金属（アルミニウム）から
なる電極を設ける、こととする。 また、本願の第２発明においては、一導電形の
（例えばｐ型の）高純度単結晶半導体基板の一主
面に逆導電形（例えば弱いｎ型）で高比抵抗の非
晶質半導体層を被着し、この非晶質半導体層上に
不純物金属、例えばアンチモンを含む金、の膜を
形成し、不活性ガスプラズマ中で非晶質半導体層
の表面からこの非晶質半導体層へ不純物金属を侵
入させて非晶質半導体層と同一導電形で不純物濃
度の高い（n+型の）表面層を形成し、この表面
層上に不純物金属（金−アンチモン）からなる電
極を設ける、こととする。
おいては、一導電形（例えばｐ型）の高純度単結
晶半導体基板の一主面に逆導電形（例えば弱いｎ
型）で高比抵抗の非晶質半導体層を被着し、前記
の一主面に対向する半導体基板の他の主面に不純
物金属、例えばアルミニウム、の膜を形成し、不
活性ガスプラズマ中で他の主面から半導体基板へ
不純物金属を侵入させて半導体基板と同一導電形
で不純物濃度の高い（p+型の）表面層を形成し、
この表面層上に不純物金属（アルミニウム）から
なる電極を設ける、こととする。 また、本願の第２発明においては、一導電形の
（例えばｐ型の）高純度単結晶半導体基板の一主
面に逆導電形（例えば弱いｎ型）で高比抵抗の非
晶質半導体層を被着し、この非晶質半導体層上に
不純物金属、例えばアンチモンを含む金、の膜を
形成し、不活性ガスプラズマ中で非晶質半導体層
の表面からこの非晶質半導体層へ不純物金属を侵
入させて非晶質半導体層と同一導電形で不純物濃
度の高い（n+型の）表面層を形成し、この表面
層上に不純物金属（金−アンチモン）からなる電
極を設ける、こととする。
第１発明の上記技術手段により、半導体基板に
熱的欠陥を生ずることなく、半導体基板と金属電
極の界面におけるシヨツトキー障壁が低減し、半
導体基板と金属電極の接触がオーム接触に近づ
く。 また第２発明の上記技術手段により、半導体基
板に熱的欠陥を生ずることなく、非晶質半導体層
と金属電極の界面におけるシヨツトキー障壁が低
減し、非晶質半導体層と金属電極の接触がオーム
接触に近づく。
熱的欠陥を生ずることなく、半導体基板と金属電
極の界面におけるシヨツトキー障壁が低減し、半
導体基板と金属電極の接触がオーム接触に近づ
く。 また第２発明の上記技術手段により、半導体基
板に熱的欠陥を生ずることなく、非晶質半導体層
と金属電極の界面におけるシヨツトキー障壁が低
減し、非晶質半導体層と金属電極の接触がオーム
接触に近づく。
第１図ａ〜ｅに本願第１発明の実施例の工程の
大部分を示す。第１図ａに示す比抵抗10kΩcm以
上でｐ型の高純度シリコン単結晶基板１の上表面
に公知のプラズマCVD法によりモノシランガス
から弱いｎ型を示すアンドープ非晶質シリコン層
２を被着させるｂ。次に非晶質シリコン層２の表
面に金属電極３としてアルミニウムを蒸着する
ｃ。なお、この金属電極３を設ける工程ｃを後に
第４図により説明する低温プラズマ処理工程の後
にまわして、工程ｂから以下に記載の工程ｄに進
んでもよい。次に基板１を上下反転してｄ、上表
面に0.01〜0.1μｍの厚さのアルミニウム膜６を真
空蒸着法で形成するｅ。このような工程を経た素
子１０を第４図に示す装置の反応槽１１の中に入
れ、アルミニウム膜６を上にして下部電極板１２
の上に載置する。第４図の装置はそのほかに上部
電極板１３、直流電圧電源１４、排気系１５、排
気量調整用バルブ１６、真空計１７、下部電極板
加熱用ヒータ１８、ヒータ用電源１９を備え、さ
らに反応槽１１に不活性ガスボンベ３１が減圧弁
３２、ガス流量調節器３３、ガス流量計３４を介
して接続されている。第４図の装置を用いて次の
条件でプラズマを発生させ、アルミニウム膜６か
らアルミニウムをシリコン単結晶中に侵入させ
る。 (1) 基板（下部電極板）温度：300℃ (2) 真空度：0.1〜0.5Torr (3) 印加電圧：直流400〜1000V (4) 使用不活性ガス：アルゴン 以下アルミニウムの侵入過程について説明す
る。まず第１図ｅに示した素子１０を載置する下
部電極板１２をモータ１８を用いて300℃に加熱
しておく。この状態で排気系１５を用いて
10-7Torr以下の高真空にした後、排気量調整バ
ルブ１６とガス流量調整バルブ３３を用いて反応
槽１１内のアルゴン圧力を0.1〜0.5Torrに保つ。
ここで電極板１２，１３間に電源１４を用いて
400〜1000Vの直流電圧を印加する。これにより
反応槽内電極間にグロー放電が生じ、この結果下
部電極板上部には極めて電界の強いクルツクス暗
部が形成される。第５図は第４図の素子１０付近
の拡大図である。ここで、イオン化したアルゴン
３５が陰極電極１２に向かつて加速され、アルミ
ニウム６に衝突する作用によりシリコン単結晶１
中へアルミニウムが侵入し、族元素であるアル
ミニウムはアクセプタとして働くため、p+層６
１を形成するものと考えられる。またアルミニウ
ム膜６表面に衝突したアルゴンイオン３５は、ア
ルミニウム膜６からアルミニウムを撥ね飛ばすよ
うに作用することも十分に考えられる。 このようにしてp+層６１を形成した後、再度
アルミニウムを真空蒸着法により該p+層表面に
被着せしめ電極４とする。このようにして得られ
た半導体放射線検出器は、電極４とシリコン基板
１の界面のシヨツトキー障壁のみが減少しただけ
であるが、それでも印加電圧のほとんどを、単結
晶シリコンと非晶質シリコンのヘテロ接合部分に
印加しうるため、十分に結晶シリコン中に空乏層
を広げることが可能であるばかりでなく、従来シ
ヨツトキー障壁で発生していたノイズも抑制し得
ることにより、直接金属電極を形成した半導体放
射線検出基と比較してγ線およびβ線検出効率は
それぞれ15％、12％の向上が見られた。 次に本願第２発明の実施例として、第３図に符
号２３で示したシヨツトキー障壁、すなわち非晶
質シリコンと金属電極の間のシヨツトキー障壁を
減少させたものについて述べる。第６図において
は第１図と同様の工程で被着比工程10kΩcm以上、
ｐ型単結晶基板１の上にアンドープ非晶質シリコ
ン層２を被着させた後ａ，ｂ、第６図ｃに示すよ
うに非晶質シリコン層２の表面にアンチモン１〜
10％を含む金の膜７を真空蒸着する。 次いで上述の実施例と同様に第４図に示す装置
を用いてアルゴンプラズマにより非晶質シリコン
層２の中にアンチモンを含んだ金を侵入させる。
この結果非晶質シリコン表面層はアンチモンの添
加によりn+層となり、金属−n+層−弱ｎ型非晶
質シリコンの接合が形成され、シヨツトキー障壁
が低減される。この後さらに金−アンチモン膜７
の上に金蒸着をして電極３を形成する。しかし金
−アンチモン膜を厚くしてそのまま一方の電極と
して用いてもよい。このようにして作製した半導
体放射線検出器は、その電極３と非晶質シリコン
層２の界面のシヨツトキー障壁のみが減少しただ
けであるが、それでも非晶質シリコン層の上に直
接アルミニウム電極を設けた検出器と比較してγ
線およびβ線検出効率はそれぞれ５％、７％の向
上が見られた。 この実施例では非晶質シリコン層２をアンドー
プ非晶質シリコンによつて形成しているが、適応
した不純物をドーピングしてｎ型を強めた場合、
あるいはｎ型シリコン単結晶上にｐ型非晶質シリ
コン層を被着した場合にも、本発明により低温プ
ラズマプロセスによりそれぞれn+層あるいはp+
層を非晶質シリコン表面層に形成することも有効
である。
大部分を示す。第１図ａに示す比抵抗10kΩcm以
上でｐ型の高純度シリコン単結晶基板１の上表面
に公知のプラズマCVD法によりモノシランガス
から弱いｎ型を示すアンドープ非晶質シリコン層
２を被着させるｂ。次に非晶質シリコン層２の表
面に金属電極３としてアルミニウムを蒸着する
ｃ。なお、この金属電極３を設ける工程ｃを後に
第４図により説明する低温プラズマ処理工程の後
にまわして、工程ｂから以下に記載の工程ｄに進
んでもよい。次に基板１を上下反転してｄ、上表
面に0.01〜0.1μｍの厚さのアルミニウム膜６を真
空蒸着法で形成するｅ。このような工程を経た素
子１０を第４図に示す装置の反応槽１１の中に入
れ、アルミニウム膜６を上にして下部電極板１２
の上に載置する。第４図の装置はそのほかに上部
電極板１３、直流電圧電源１４、排気系１５、排
気量調整用バルブ１６、真空計１７、下部電極板
加熱用ヒータ１８、ヒータ用電源１９を備え、さ
らに反応槽１１に不活性ガスボンベ３１が減圧弁
３２、ガス流量調節器３３、ガス流量計３４を介
して接続されている。第４図の装置を用いて次の
条件でプラズマを発生させ、アルミニウム膜６か
らアルミニウムをシリコン単結晶中に侵入させ
る。 (1) 基板（下部電極板）温度：300℃ (2) 真空度：0.1〜0.5Torr (3) 印加電圧：直流400〜1000V (4) 使用不活性ガス：アルゴン 以下アルミニウムの侵入過程について説明す
る。まず第１図ｅに示した素子１０を載置する下
部電極板１２をモータ１８を用いて300℃に加熱
しておく。この状態で排気系１５を用いて
10-7Torr以下の高真空にした後、排気量調整バ
ルブ１６とガス流量調整バルブ３３を用いて反応
槽１１内のアルゴン圧力を0.1〜0.5Torrに保つ。
ここで電極板１２，１３間に電源１４を用いて
400〜1000Vの直流電圧を印加する。これにより
反応槽内電極間にグロー放電が生じ、この結果下
部電極板上部には極めて電界の強いクルツクス暗
部が形成される。第５図は第４図の素子１０付近
の拡大図である。ここで、イオン化したアルゴン
３５が陰極電極１２に向かつて加速され、アルミ
ニウム６に衝突する作用によりシリコン単結晶１
中へアルミニウムが侵入し、族元素であるアル
ミニウムはアクセプタとして働くため、p+層６
１を形成するものと考えられる。またアルミニウ
ム膜６表面に衝突したアルゴンイオン３５は、ア
ルミニウム膜６からアルミニウムを撥ね飛ばすよ
うに作用することも十分に考えられる。 このようにしてp+層６１を形成した後、再度
アルミニウムを真空蒸着法により該p+層表面に
被着せしめ電極４とする。このようにして得られ
た半導体放射線検出器は、電極４とシリコン基板
１の界面のシヨツトキー障壁のみが減少しただけ
であるが、それでも印加電圧のほとんどを、単結
晶シリコンと非晶質シリコンのヘテロ接合部分に
印加しうるため、十分に結晶シリコン中に空乏層
を広げることが可能であるばかりでなく、従来シ
ヨツトキー障壁で発生していたノイズも抑制し得
ることにより、直接金属電極を形成した半導体放
射線検出基と比較してγ線およびβ線検出効率は
それぞれ15％、12％の向上が見られた。 次に本願第２発明の実施例として、第３図に符
号２３で示したシヨツトキー障壁、すなわち非晶
質シリコンと金属電極の間のシヨツトキー障壁を
減少させたものについて述べる。第６図において
は第１図と同様の工程で被着比工程10kΩcm以上、
ｐ型単結晶基板１の上にアンドープ非晶質シリコ
ン層２を被着させた後ａ，ｂ、第６図ｃに示すよ
うに非晶質シリコン層２の表面にアンチモン１〜
10％を含む金の膜７を真空蒸着する。 次いで上述の実施例と同様に第４図に示す装置
を用いてアルゴンプラズマにより非晶質シリコン
層２の中にアンチモンを含んだ金を侵入させる。
この結果非晶質シリコン表面層はアンチモンの添
加によりn+層となり、金属−n+層−弱ｎ型非晶
質シリコンの接合が形成され、シヨツトキー障壁
が低減される。この後さらに金−アンチモン膜７
の上に金蒸着をして電極３を形成する。しかし金
−アンチモン膜を厚くしてそのまま一方の電極と
して用いてもよい。このようにして作製した半導
体放射線検出器は、その電極３と非晶質シリコン
層２の界面のシヨツトキー障壁のみが減少しただ
けであるが、それでも非晶質シリコン層の上に直
接アルミニウム電極を設けた検出器と比較してγ
線およびβ線検出効率はそれぞれ５％、７％の向
上が見られた。 この実施例では非晶質シリコン層２をアンドー
プ非晶質シリコンによつて形成しているが、適応
した不純物をドーピングしてｎ型を強めた場合、
あるいはｎ型シリコン単結晶上にｐ型非晶質シリ
コン層を被着した場合にも、本発明により低温プ
ラズマプロセスによりそれぞれn+層あるいはp+
層を非晶質シリコン表面層に形成することも有効
である。
以上説明したように、単結晶半導体と非晶質半
導体とのヘテロ接合に基づく空乏層への放射線の
入射により生ずる電気信号を利用した放射線検出
器の、単結晶および非晶質半導体に設ける電極と
の界面におけるシヨツトキー障壁を低減し、オー
ム接触に近づけるため、単結晶半導体基板あるい
は非晶質半導体層へ低温で生成されるプラズマの
エネルギで金属を侵入させて単結晶半導体基板表
面部あるいは非晶質半導体層の表面部にそれぞれ
高濃度不純物層を形成することにより、高純度の
半導体単結晶に対する高温処理の悪影響を避け、
短い処理時間、簡便な装置により低い費用で半導
体放射線検出器の検出効率を向上できる。
導体とのヘテロ接合に基づく空乏層への放射線の
入射により生ずる電気信号を利用した放射線検出
器の、単結晶および非晶質半導体に設ける電極と
の界面におけるシヨツトキー障壁を低減し、オー
ム接触に近づけるため、単結晶半導体基板あるい
は非晶質半導体層へ低温で生成されるプラズマの
エネルギで金属を侵入させて単結晶半導体基板表
面部あるいは非晶質半導体層の表面部にそれぞれ
高濃度不純物層を形成することにより、高純度の
半導体単結晶に対する高温処理の悪影響を避け、
短い処理時間、簡便な装置により低い費用で半導
体放射線検出器の検出効率を向上できる。
第１図は本願第１発明の実施例の工程の一部を
示す断面図、第２図は本発明の対象である半導体
放射線検出器の断面図、第３図はそのエネルギ準
位図、第４は本願第１および第２発明の低温プラ
ズマ処理工程に用いられるプラズマ発生装置の一
例の構成説明図、第５図は第４図の装置の一部の
拡大断面図、第６図は本願第２発明の実施例の工
程の一部を順次示す断面図である。 １：ｐ型単結晶シリコン板、２：非晶質シリコ
ン層、３，４：金属電極、６：アルミニウム膜、
６１：p+層、７：金−アンチモン膜、１０：素
子、１１：反応槽、１２，１３：電極板、１５：
排気系、３１：不活性ガスボンベ。
示す断面図、第２図は本発明の対象である半導体
放射線検出器の断面図、第３図はそのエネルギ準
位図、第４は本願第１および第２発明の低温プラ
ズマ処理工程に用いられるプラズマ発生装置の一
例の構成説明図、第５図は第４図の装置の一部の
拡大断面図、第６図は本願第２発明の実施例の工
程の一部を順次示す断面図である。 １：ｐ型単結晶シリコン板、２：非晶質シリコ
ン層、３，４：金属電極、６：アルミニウム膜、
６１：p+層、７：金−アンチモン膜、１０：素
子、１１：反応槽、１２，１３：電極板、１５：
排気系、３１：不活性ガスボンベ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一導電形の高純度単結晶半導体基板の一主面
に逆導電形で高比抵抗の非晶質半導体層を被着
し、前記一主面に対向する前記半導体基板の他の
主面に不純物金属の膜を形成し、不活性ガスプラ
ズマ中で前記他の主面から前記半導体基板へ前記
不純物金属を侵入させて前記半導体基板と同一導
電形で不純物濃度の高い表面層を形成し、この表
面層上に前記不純物金属からなる電極を設ける、
ことを特徴とする半導体放射線検出器の製造方
法。 ２ 高純度単結晶半導体器板がｐ型シリコン基板
であり、不純物金属がアルミニウムであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
放射線検出器の製造方法。 ３ 一導電形の高純度単結晶半導体基板の一主面
に逆導電形で高比抵抗の非晶質半導体層を被着
し、この非晶質半導体層上に不純物金属の膜を形
成し、不活性ガスプラズマ中で前記非晶質半導体
層の表面からこの非晶質半導体層へ前記不純物金
属を侵入させて前記非晶質半導体層と同一導電形
で不純物濃度の高い表面層を形成し、この表面層
上に前記不純物金属からなる電極を設ける、こと
を特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。 ４ 非晶質半導体層が弱いｎ型の非晶質シリコン
層であり、不純物金属がアンチモンを含んだ金で
あることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
載の半導体放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260157A JPS61137373A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260157A JPS61137373A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137373A JPS61137373A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0543196B2 true JPH0543196B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=17344105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260157A Granted JPS61137373A (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137373A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3678162B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2005-08-03 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出装置 |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP59260157A patent/JPS61137373A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61137373A (ja) | 1986-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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