JPH0543386A - 単結晶引き上げ方法 - Google Patents
単結晶引き上げ方法Info
- Publication number
- JPH0543386A JPH0543386A JP15865391A JP15865391A JPH0543386A JP H0543386 A JPH0543386 A JP H0543386A JP 15865391 A JP15865391 A JP 15865391A JP 15865391 A JP15865391 A JP 15865391A JP H0543386 A JPH0543386 A JP H0543386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- heater temperature
- pulling
- diameter
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体素材多結晶を溶融させるるつぼと、該
るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の
溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ
具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とか
らなる単結晶引き上げ装置を用い、引き上げ速度を操作
することなく、ヒータ発熱量またはヒータ温度のみを操
作することにより、あらかじめ設定された形状寸法の単
結晶を引き上げる単結晶引き上げ方法。 【効果】 単結晶引き上げ速度が一定のもとで、あらか
じめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げることがで
きるとともに、熱歪みによる欠陥が少なく、不純物析出
量が安定した高品質の単結晶を得ることが可能となる。
るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の
溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ
具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とか
らなる単結晶引き上げ装置を用い、引き上げ速度を操作
することなく、ヒータ発熱量またはヒータ温度のみを操
作することにより、あらかじめ設定された形状寸法の単
結晶を引き上げる単結晶引き上げ方法。 【効果】 単結晶引き上げ速度が一定のもとで、あらか
じめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げることがで
きるとともに、熱歪みによる欠陥が少なく、不純物析出
量が安定した高品質の単結晶を得ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶引き上げ方法、よ
り詳しくは半導体素材多結晶を溶融させるるつぼと、該
るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の
溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ
具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とか
らなる単結晶引き上げ装置を用いて単結晶の直径を制御
する単結晶引き上げ方法に関する。
り詳しくは半導体素材多結晶を溶融させるるつぼと、該
るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつぼ内の
溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引き上げ
具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手段とか
らなる単結晶引き上げ装置を用いて単結晶の直径を制御
する単結晶引き上げ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な単結晶引き上げ装置の制御系を
図３に基づいて説明する。図中１１はるつぼを示してお
り、るつぼ１１の周囲にはヒータ１２が配設され、るつ
ぼ１１の上方には単結晶１３を成長させながら引き上げ
る引き上げ具１４が配設されている。そしてるつぼ１１
の回転速度、ヒータ１２の温度、単結晶１３の直径、引
き上げ具１４の引き上げ速度がそれぞれ計算機１５によ
って制御されている。
図３に基づいて説明する。図中１１はるつぼを示してお
り、るつぼ１１の周囲にはヒータ１２が配設され、るつ
ぼ１１の上方には単結晶１３を成長させながら引き上げ
る引き上げ具１４が配設されている。そしてるつぼ１１
の回転速度、ヒータ１２の温度、単結晶１３の直径、引
き上げ具１４の引き上げ速度がそれぞれ計算機１５によ
って制御されている。
【０００３】従来より単結晶引き上げ装置１０におい
て、単結晶１３の直径を制御する操作量として単結晶引
き上げ速度、ヒータ温度及びるつぼ１１の回転速度があ
る。このうち特に単結晶引き上げ速度は単結晶１３の直
径への応答が早いため、操作量とするのに適している。
一方、ヒータ温度は単結晶１３の直径への応答が遅く、
ヒータ温度変更から直径が変化し始めるまでの間に直径
変化が現れない無駄時間が存在するため、単独の操作量
とするのは困難とされていた。従って、単結晶１３の直
径を一時的に単結晶引き上げ速度で制御し、基準の引き
上げ速度から実際の単結晶引き上げ速度の平均的偏差を
なくすようにヒータ温度を修正する単純フィードバック
制御による単結晶引き上げ方法が採用されていた（特公
昭５１−５９９３号公報）。
て、単結晶１３の直径を制御する操作量として単結晶引
き上げ速度、ヒータ温度及びるつぼ１１の回転速度があ
る。このうち特に単結晶引き上げ速度は単結晶１３の直
径への応答が早いため、操作量とするのに適している。
一方、ヒータ温度は単結晶１３の直径への応答が遅く、
ヒータ温度変更から直径が変化し始めるまでの間に直径
変化が現れない無駄時間が存在するため、単独の操作量
とするのは困難とされていた。従って、単結晶１３の直
径を一時的に単結晶引き上げ速度で制御し、基準の引き
上げ速度から実際の単結晶引き上げ速度の平均的偏差を
なくすようにヒータ温度を修正する単純フィードバック
制御による単結晶引き上げ方法が採用されていた（特公
昭５１−５９９３号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した引き上げ速度
を操作量とする単結晶１３の引き上げ方法において、単
結晶引き上げ速度操作量に対する単結晶直径の応答は早
く、単結晶直径の制御性は良いが、単結晶引き上げ速度
を変動させるために単結晶１３の凝固界面と溶融液表面
との距離が変動して界面に流入する熱量が変動し、熱歪
みが発生して欠陥ができやすくなるとった問題や、単結
晶引き上げ速度を変化させることで冷却フード（図３中
１６）中での結晶の冷却温度が変動し、熱歪み等による
欠陥の種が発生する等の課題があった。
を操作量とする単結晶１３の引き上げ方法において、単
結晶引き上げ速度操作量に対する単結晶直径の応答は早
く、単結晶直径の制御性は良いが、単結晶引き上げ速度
を変動させるために単結晶１３の凝固界面と溶融液表面
との距離が変動して界面に流入する熱量が変動し、熱歪
みが発生して欠陥ができやすくなるとった問題や、単結
晶引き上げ速度を変化させることで冷却フード（図３中
１６）中での結晶の冷却温度が変動し、熱歪み等による
欠陥の種が発生する等の課題があった。
【０００５】また、単結晶引き上げ速度は絶えず変化し
ており、これを迅速にヒータ温度で補償することはかえ
って大きな外乱となるため、一般には上記したようにあ
る時間の平均単結晶引き上げ速度をもとに補償を行って
いたが、これにヒータ温度の応答の遅れがあいまって十
分な補償が行えず、引き上げ速度の目標からのずれが大
きい場合があった。それ故、すでに引き上げ冷却中の単
結晶１３部分の熱処理時間が変動するために不純物（シ
リコンの場合は主として酸素）析出量が変動し、単結晶
１３の品質に大きな問題が生じるという課題があった。
ており、これを迅速にヒータ温度で補償することはかえ
って大きな外乱となるため、一般には上記したようにあ
る時間の平均単結晶引き上げ速度をもとに補償を行って
いたが、これにヒータ温度の応答の遅れがあいまって十
分な補償が行えず、引き上げ速度の目標からのずれが大
きい場合があった。それ故、すでに引き上げ冷却中の単
結晶１３部分の熱処理時間が変動するために不純物（シ
リコンの場合は主として酸素）析出量が変動し、単結晶
１３の品質に大きな問題が生じるという課題があった。
【０００６】従って、集積度の高いメガビット以上の超
ＬＳＩ用の基板としてこの単結晶１３を用いた場合、Ｌ
ＳＩの製品歩留が低下するという課題もあった。
ＬＳＩ用の基板としてこの単結晶１３を用いた場合、Ｌ
ＳＩの製品歩留が低下するという課題もあった。
【０００７】一方、ヒータ温度のみで制御しようとした
場合、ヒータ温度の応答は遅く無駄時間も存在し、従来
の現状の結晶径と目標径の偏差をもとに操作量を変更す
る単純フィードバック制御では最悪の場合、るつぼ１１
の溶融液温度が低下しすぎて溶融液が凝固したり、逆に
溶融液温度が上がりすぎて単結晶１３が溶融液からちぎ
れてしまうという課題があった。
場合、ヒータ温度の応答は遅く無駄時間も存在し、従来
の現状の結晶径と目標径の偏差をもとに操作量を変更す
る単純フィードバック制御では最悪の場合、るつぼ１１
の溶融液温度が低下しすぎて溶融液が凝固したり、逆に
溶融液温度が上がりすぎて単結晶１３が溶融液からちぎ
れてしまうという課題があった。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、熱歪みによる欠陥が少なく、酸素等の不
純物析出量の安定した単結晶を製造することができる単
結晶引き上げ方法を提供することを目的としている。
ものであって、熱歪みによる欠陥が少なく、酸素等の不
純物析出量の安定した単結晶を製造することができる単
結晶引き上げ方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る単結晶引き上げ方法は、半導体素材多結
晶を溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された
加熱手段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長さ
せながら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結
晶の直径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置
を用い、単結晶直径を制御する目的では引き上げ速度を
操作することなく一定とし、ヒータ温度やるつぼ回転数
を操作することにより、あらかじめ設定された形状寸法
の単結晶を引き上げることを特徴とし（１）、また、上
記（１）記載の単結晶引き上げ方法において、ヒータ温
度、るつぼの回転速度及び単結晶引き上げ速度の過去及
び現在値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒータ温度
と、前記るつぼの回転速度と、前記単結晶引き上げ速度
とが現状のまま維持されるという条件下で単結晶直径の
予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単結晶
直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、前記モ
デルからヒータ温度変更量を算出し、該ヒーター温度変
更量に補正数値を乗じてヒータ温度変更量を決定するこ
とを特徴としている（２）。
に本発明に係る単結晶引き上げ方法は、半導体素材多結
晶を溶融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された
加熱手段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長さ
せながら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結
晶の直径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置
を用い、単結晶直径を制御する目的では引き上げ速度を
操作することなく一定とし、ヒータ温度やるつぼ回転数
を操作することにより、あらかじめ設定された形状寸法
の単結晶を引き上げることを特徴とし（１）、また、上
記（１）記載の単結晶引き上げ方法において、ヒータ温
度、るつぼの回転速度及び単結晶引き上げ速度の過去及
び現在値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒータ温度
と、前記るつぼの回転速度と、前記単結晶引き上げ速度
とが現状のまま維持されるという条件下で単結晶直径の
予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単結晶
直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、前記モ
デルからヒータ温度変更量を算出し、該ヒーター温度変
更量に補正数値を乗じてヒータ温度変更量を決定するこ
とを特徴としている（２）。
【００１０】さらに、上記（１）記載の単結晶引き上げ
方法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度及び単結
晶引き上げ速度の過去及び現在値と、単結晶直径の過去
及び現在値とから単結晶直径の将来値を予測するモデル
を用い、前記るつぼの回転速度と、前記単結晶引き上げ
速度とが現状のまま維持されるという条件下で単結晶直
径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単
結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、所
定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差の
自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量の
自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所定
時間先までのヒータ温度変更量を決定することを特徴と
している（３）。
方法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度及び単結
晶引き上げ速度の過去及び現在値と、単結晶直径の過去
及び現在値とから単結晶直径の将来値を予測するモデル
を用い、前記るつぼの回転速度と、前記単結晶引き上げ
速度とが現状のまま維持されるという条件下で単結晶直
径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単
結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、所
定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差の
自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量の
自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所定
時間先までのヒータ温度変更量を決定することを特徴と
している（３）。
【００１１】あるいは、上記（１）記載の単結晶引き上
げ方法において、ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の
過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及
び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒータ温度
と、前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持されると
いう条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差を予
測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値との偏
差をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更量を
算出し、該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じてヒー
タ温度変更量を決定し、前記ヒータ温度を先行して操作
することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上げ速
度一定の条件で単結晶を引き上げることを特徴としてい
る（４）。
げ方法において、ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の
過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及
び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒータ温度
と、前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持されると
いう条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差を予
測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値との偏
差をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更量を
算出し、該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じてヒー
タ温度変更量を決定し、前記ヒータ温度を先行して操作
することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上げ速
度一定の条件で単結晶を引き上げることを特徴としてい
る（４）。
【００１２】あるいは、上記（１）記載の単結晶引き上
げ方法において、ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の
過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及
び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記単結晶引き
上げ速度が現状のまま維持されるという条件下で単結晶
直径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の
単結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、
所定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差
の自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量
の自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所
定時間先までのヒータ温度変更量を決定し、前記ヒータ
温度を先行して操作することで前記るつぼの回転数を操
作しても引き上げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる
ことを特徴としている（５）。
げ方法において、ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の
過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及
び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶
直径の将来値を予測するモデルを用い、前記単結晶引き
上げ速度が現状のまま維持されるという条件下で単結晶
直径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の
単結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、
所定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差
の自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量
の自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所
定時間先までのヒータ温度変更量を決定し、前記ヒータ
温度を先行して操作することで前記るつぼの回転数を操
作しても引き上げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる
ことを特徴としている（５）。
【００１３】また、上記（１）記載の単結晶引き上げ方
法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶引
き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結晶
直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単結
晶直径の将来目標値とのそれぞれに、前記単結晶直径が
目標値となるヒータ温度変更量が求まるようにあらかじ
め決めておいたゲインを乗じ、ヒータ温度変更量を決定
することを特徴としている（６）。
法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶引
き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結晶
直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単結
晶直径の将来目標値とのそれぞれに、前記単結晶直径が
目標値となるヒータ温度変更量が求まるようにあらかじ
め決めておいたゲインを乗じ、ヒータ温度変更量を決定
することを特徴としている（６）。
【００１４】さらに、上記（１）記載の単結晶引き上げ
方法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶
引き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結
晶直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単
結晶直径の将来目標値と、前記るつぼの回転速度の計画
値とのそれぞれに、前記単結晶直径が目標値となるヒー
タ温度変更量が求まるようにあらかじめ決めておいたゲ
インを乗じ、ヒータ温度変更量を決定することを特徴と
している（７）。
方法において、ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶
引き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結
晶直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単
結晶直径の将来目標値と、前記るつぼの回転速度の計画
値とのそれぞれに、前記単結晶直径が目標値となるヒー
タ温度変更量が求まるようにあらかじめ決めておいたゲ
インを乗じ、ヒータ温度変更量を決定することを特徴と
している（７）。
【００１５】また、上記（４）、（５）または（７）記
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ温
度変更量を決定することにより、前記単結晶中の酸素濃
度を所定の範囲に入れることを特徴としている（８）。
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ温
度変更量を決定することにより、前記単結晶中の酸素濃
度を所定の範囲に入れることを特徴としている（８）。
【００１６】すなわち本発明者らは、単結晶引き上げ速
度及びヒータ温度の変動等による単結晶の直径の動的変
化を定量的に予測するために離散化した単結晶直径予測
式を作成し、この関係式を基にヒータ温度変更量を決定
することで、単結晶引き上げ速度を操作することなくヒ
ータ温度の操作のみで従来と略同等の寸法精度の単結晶
を引き上げることができることを見いだし、本発明に至
ったものである。
度及びヒータ温度の変動等による単結晶の直径の動的変
化を定量的に予測するために離散化した単結晶直径予測
式を作成し、この関係式を基にヒータ温度変更量を決定
することで、単結晶引き上げ速度を操作することなくヒ
ータ温度の操作のみで従来と略同等の寸法精度の単結晶
を引き上げることができることを見いだし、本発明に至
ったものである。
【００１７】単結晶直径予測式を数１に示す。
【００１８】
【数１】
【００１９】なお、数１に示した式の次数ｍはモデルに
必要とされる精度で決定されるが、ここではｍ＝３と
し、また各定数はａ1 ＝０．９、ａ2 ＝０．３、ａ3 ＝
−０．２、ｂ1 ＝０．１、ｂ2 ＝−０．３、ｂ3 ＝−
１．９、ｃ1 ＝−０．２、ｃ2 ＝−０．１、ｃ3 ＝０．
１、ｄ1 ＝−０．１、ｄ2 ＝０．３、ｄ3 ＝−０．１と
した。
必要とされる精度で決定されるが、ここではｍ＝３と
し、また各定数はａ1 ＝０．９、ａ2 ＝０．３、ａ3 ＝
−０．２、ｂ1 ＝０．１、ｂ2 ＝−０．３、ｂ3 ＝−
１．９、ｃ1 ＝−０．２、ｃ2 ＝−０．１、ｃ3 ＝０．
１、ｄ1 ＝−０．１、ｄ2 ＝０．３、ｄ3 ＝−０．１と
した。
【００２０】数１は単結晶直径、ヒータ温度、単結晶引
き上げ速度、るつぼの回転速度の過去及び現在値より離
散化時間であるΔｔの１つ先の単結晶直径を予測するも
ので、推定精度の一例を図２に示す。
き上げ速度、るつぼの回転速度の過去及び現在値より離
散化時間であるΔｔの１つ先の単結晶直径を予測するも
ので、推定精度の一例を図２に示す。
【００２１】図２において、数１により算出した時間の
経過に対する単結晶直径の変化量を点線で示し、実際の
単結晶直径の変化量を実線で示した。
経過に対する単結晶直径の変化量を点線で示し、実際の
単結晶直径の変化量を実線で示した。
【００２２】以下、ヒータ温度を制御する方法について
説明する。数１で示された単結晶直径、ヒータ温度、単
結晶引き上げ速度、るつぼの回転速度の過去及び現在の
値より単結晶直径を予測するモデルを用いて、ヒータ温
度、単結晶引き上げ速度及びるつぼの回転速度が現状の
まま維持されるという条件下で、現時刻ｎにおいてＬ時
間後の直径Ｘn+L を予測する。Ｌ時間後の直径Ｘn+L と
目標直径Ｒn+L とのずれにヒータ温度の直径に対する影
響係数の逆数をかけてヒータ温度変更量を求め、それに
補正定数をかけ、前回の操作量Ｕn-1 に加算し、現時刻
ｎのヒータ温度操作量を決定する。ここで予測時間Ｌは
ヒータ温度変更量の直径変化への応答の時定数を目安に
決める。
説明する。数１で示された単結晶直径、ヒータ温度、単
結晶引き上げ速度、るつぼの回転速度の過去及び現在の
値より単結晶直径を予測するモデルを用いて、ヒータ温
度、単結晶引き上げ速度及びるつぼの回転速度が現状の
まま維持されるという条件下で、現時刻ｎにおいてＬ時
間後の直径Ｘn+L を予測する。Ｌ時間後の直径Ｘn+L と
目標直径Ｒn+L とのずれにヒータ温度の直径に対する影
響係数の逆数をかけてヒータ温度変更量を求め、それに
補正定数をかけ、前回の操作量Ｕn-1 に加算し、現時刻
ｎのヒータ温度操作量を決定する。ここで予測時間Ｌは
ヒータ温度変更量の直径変化への応答の時定数を目安に
決める。
【００２３】
【数２】
【００２４】あるいは、数１で示された単結晶直径、ヒ
ータ温度、単結晶引き上げ速度の過去及び現在値と、る
つぼの回転速度の過去、現在及び計画値とにより単結晶
直径を予測するモデルを用いて、ヒータ温度と単結晶引
き上げ速度は現状のまま維持されるという条件下で、Ｌ
時間後の直径Ｘn+L を予測して現時刻ｎのヒータ温度変
更量を決定する方法もある。
ータ温度、単結晶引き上げ速度の過去及び現在値と、る
つぼの回転速度の過去、現在及び計画値とにより単結晶
直径を予測するモデルを用いて、ヒータ温度と単結晶引
き上げ速度は現状のまま維持されるという条件下で、Ｌ
時間後の直径Ｘn+L を予測して現時刻ｎのヒータ温度変
更量を決定する方法もある。
【００２５】さらに、数１で示された単結晶直径、ヒー
タ温度、単結晶引き上げ速度、るつぼの回転速度の過去
及び現在の値より単結晶直径を予測するモデルを用い
て、単結晶引き上げ速度及びるつぼの回転速度が現状の
まま維持されるという条件下で、Ｌ時間後までの予測径
と目標径との差の自乗和Σ（Ｒn+i−Ｘn+i ）2 と、Ｋ
時間後までのヒータ温度変更量の自乗和Σ（Ｕn+i+1 −
Ｕn+i ）2 に重み係数Ｑを乗じた値との和を最小とする
ようにヒータ温度操作量Ｕn 〜Ｕn+K を決定する。
タ温度、単結晶引き上げ速度、るつぼの回転速度の過去
及び現在の値より単結晶直径を予測するモデルを用い
て、単結晶引き上げ速度及びるつぼの回転速度が現状の
まま維持されるという条件下で、Ｌ時間後までの予測径
と目標径との差の自乗和Σ（Ｒn+i−Ｘn+i ）2 と、Ｋ
時間後までのヒータ温度変更量の自乗和Σ（Ｕn+i+1 −
Ｕn+i ）2 に重み係数Ｑを乗じた値との和を最小とする
ようにヒータ温度操作量Ｕn 〜Ｕn+K を決定する。
【００２６】あるいは、数１で示された単結晶直径、ヒ
ータ温度、単結晶引き上げ速度の過去及び現在値と、る
つぼの回転速度の過去、現在及び計画値とにより単結晶
直径を予測するモデルを用いて、単結晶引き上げ速度は
現状のまま維持されるという条件下で、Ｌ時間後までの
予測径と目標径との差の自乗和Σ（Ｒn+i −Ｘn+i ）2
と、Ｋ時間後までのヒータ温度変更量の自乗和Σ（Ｕ
n+i+1 −Ｕn+i ）2 に重み係数Ｑを乗じた値との和を最
小とするようにヒータ温度操作量Ｕn 〜Ｕn+K を決定す
る方法もある。
ータ温度、単結晶引き上げ速度の過去及び現在値と、る
つぼの回転速度の過去、現在及び計画値とにより単結晶
直径を予測するモデルを用いて、単結晶引き上げ速度は
現状のまま維持されるという条件下で、Ｌ時間後までの
予測径と目標径との差の自乗和Σ（Ｒn+i −Ｘn+i ）2
と、Ｋ時間後までのヒータ温度変更量の自乗和Σ（Ｕ
n+i+1 −Ｕn+i ）2 に重み係数Ｑを乗じた値との和を最
小とするようにヒータ温度操作量Ｕn 〜Ｕn+K を決定す
る方法もある。
【００２７】または、数３に示したように、直径の過去
の経緯（第１項）、ヒータ温度変更の過去の経緯（第２
項）、単結晶引き上げ速度の過去の経緯（第３項）、る
つぼ回転速度の過去の経緯（第４項）、目標径との偏差
をなくすために用意された目標径と実測径とのずれの過
去の積算値（第５項）、るつぼの回転速度の計画値（第
６項）及び単結晶直径の将来目標径（第７項）を考慮し
てヒータ温度操作量を決定する。
の経緯（第１項）、ヒータ温度変更の過去の経緯（第２
項）、単結晶引き上げ速度の過去の経緯（第３項）、る
つぼ回転速度の過去の経緯（第４項）、目標径との偏差
をなくすために用意された目標径と実測径とのずれの過
去の積算値（第５項）、るつぼの回転速度の計画値（第
６項）及び単結晶直径の将来目標径（第７項）を考慮し
てヒータ温度操作量を決定する。
【００２８】
【数３】
【００２９】また、数３に示した式において、るつぼの
回転速度の計画値（第６項）を考慮せずにヒータ温度変
更量を決定する方法もある。
回転速度の計画値（第６項）を考慮せずにヒータ温度変
更量を決定する方法もある。
【００３０】上記した制御則における制御ゲインは例え
ば、数４に示した評価関数を最小にするように数学的手
法により決定される。
ば、数４に示した評価関数を最小にするように数学的手
法により決定される。
【００３１】
【数４】
【００３２】さらに、結晶中の酸素濃度を一定とするた
めにるつぼの回転速度に時間パターンを与え、それに対
する影響量を補償しながらヒータ温度変更量を決定する
方法もある。
めにるつぼの回転速度に時間パターンを与え、それに対
する影響量を補償しながらヒータ温度変更量を決定する
方法もある。
【００３３】
【作用】上記した方法によれば、半導体素材多結晶を溶
融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手
段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させなが
ら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直
径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用
い、直径制御のため引き上げ速度を操作することなく、
ヒータ温度を操作することにより、あらかじめ設定され
た形状寸法の単結晶を引き上げるので、単結晶の凝固界
面と溶融液表面との距離が変動せず、前記界面に流入す
る熱量が安定し、熱歪みによる欠陥が少ない、また、引
き上げて冷却中の単結晶部分の熱処理時間が一定するこ
ととなり、酸素等の不純物析出量が安定した単結晶が製
造される。
融させるるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手
段と、前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させなが
ら引き上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直
径を計測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用
い、直径制御のため引き上げ速度を操作することなく、
ヒータ温度を操作することにより、あらかじめ設定され
た形状寸法の単結晶を引き上げるので、単結晶の凝固界
面と溶融液表面との距離が変動せず、前記界面に流入す
る熱量が安定し、熱歪みによる欠陥が少ない、また、引
き上げて冷却中の単結晶部分の熱処理時間が一定するこ
ととなり、酸素等の不純物析出量が安定した単結晶が製
造される。
【００３４】また、上記（２）あるいは（３）記載の単
結晶引き上げ方法においても、上記と同様の作用が得ら
れる。
結晶引き上げ方法においても、上記と同様の作用が得ら
れる。
【００３５】あるいは、ヒータ温度及び単結晶引き上げ
速度の過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現
在値及び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから
単結晶直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒー
タ温度と前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持され
るという条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差
を予測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値と
の偏差をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更
量を算出して該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じ、
ヒータ温度変更量を決定し、前記ヒータ温度を先行して
操作することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上
げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる場合には、上記
作用に加えて単結晶中に所望の酸素濃度が含まれた、不
純物析出量が安定した単結晶が製造される。
速度の過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現
在値及び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから
単結晶直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒー
タ温度と前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持され
るという条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差
を予測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値と
の偏差をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更
量を算出して該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じ、
ヒータ温度変更量を決定し、前記ヒータ温度を先行して
操作することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上
げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる場合には、上記
作用に加えて単結晶中に所望の酸素濃度が含まれた、不
純物析出量が安定した単結晶が製造される。
【００３６】上記（５）記載の単結晶引き上げ方法にお
いても、上記（４）記載の単結晶引き上げ方法と同様の
作用が得られる。
いても、上記（４）記載の単結晶引き上げ方法と同様の
作用が得られる。
【００３７】あるいは上記（６）記載の単結晶引き上げ
方法においても、上記（２）記載の単結晶引き上げ方法
と同様の作用が得られる。
方法においても、上記（２）記載の単結晶引き上げ方法
と同様の作用が得られる。
【００３８】また、上記（４）、（５）または（７）記
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ温
度変更量を決定する場合には、前記単結晶中の酸素濃度
が所定の範囲に入り、不純物析出量が安定するとともに
熱歪みによる欠陥が少ない単結晶が製造される。
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ温
度変更量を決定する場合には、前記単結晶中の酸素濃度
が所定の範囲に入り、不純物析出量が安定するとともに
熱歪みによる欠陥が少ない単結晶が製造される。
【００３９】
【実施例】以下、本発明に係る単結晶引き上げ方法の実
施例を説明する。なお、本実施例による単結晶引き上げ
装置の制御系の構成は従来とほぼ同一であるため、その
説明は省略する。
施例を説明する。なお、本実施例による単結晶引き上げ
装置の制御系の構成は従来とほぼ同一であるため、その
説明は省略する。
【００４０】本実施例に係る単結晶引き上げ方法におい
ては目標径を１５４ｍｍ、引き上げ速度を１．１ｍｍ／
ｍｉｎに設定して行った。
ては目標径を１５４ｍｍ、引き上げ速度を１．１ｍｍ／
ｍｉｎに設定して行った。
【００４１】数２に示された式より、２０分後の単結晶
の直径を予測し（Ｌ＝２０ｍｉｎ）、直径のずれに対す
るヒータ入熱相当量に０．６を乗じ（Ｇｍ＝０．６）、
ヒータ温度変更量を決定した場合の直径制御結果を図１
に示す。
の直径を予測し（Ｌ＝２０ｍｉｎ）、直径のずれに対す
るヒータ入熱相当量に０．６を乗じ（Ｇｍ＝０．６）、
ヒータ温度変更量を決定した場合の直径制御結果を図１
に示す。
【００４２】図１より明らかなように、引き上げ速度を
一定に保ち、温度センサーの電圧変化により検知したヒ
ータ温度を制御することによって直径のばらつきが少な
く、所望の直径を有する単結晶を引き上げることができ
ることが分かる。本実施は引き上げ速度を一定に保った
場合の例であるが、結晶後半部、特にテールと呼ばれる
部分では逆に結晶直径を細くしていくため、結晶への入
熱量が減少する。この結果、一定引き上げ速度では結晶
がより冷却されるため、意識的に引き上げ速度を上げる
場合もあるが、この場合にもゆっくりと引き上げ速度を
変化させることによりヒータ温度操作のみで単結晶直径
制御は可能である。
一定に保ち、温度センサーの電圧変化により検知したヒ
ータ温度を制御することによって直径のばらつきが少な
く、所望の直径を有する単結晶を引き上げることができ
ることが分かる。本実施は引き上げ速度を一定に保った
場合の例であるが、結晶後半部、特にテールと呼ばれる
部分では逆に結晶直径を細くしていくため、結晶への入
熱量が減少する。この結果、一定引き上げ速度では結晶
がより冷却されるため、意識的に引き上げ速度を上げる
場合もあるが、この場合にもゆっくりと引き上げ速度を
変化させることによりヒータ温度操作のみで単結晶直径
制御は可能である。
【００４３】さらに、数３に示された式より、３０分先
（Ｌ＝３０ｍｉｎ）までの単結晶の予測径と目標径との
ずれの自乗和と２０分先（Ｋ＝２０ｍｉｎ）までのヒー
タ入熱変更量の自乗和に４００００００（Ｑ＝４０００
０００）を乗じた値との和を最小とする２０分先までの
ヒータ温度変更量を求め、ヒータ温度変更量を決定した
場合の直径制御結果は図１に示したものと略同様であっ
た。
（Ｌ＝３０ｍｉｎ）までの単結晶の予測径と目標径との
ずれの自乗和と２０分先（Ｋ＝２０ｍｉｎ）までのヒー
タ入熱変更量の自乗和に４００００００（Ｑ＝４０００
０００）を乗じた値との和を最小とする２０分先までの
ヒータ温度変更量を求め、ヒータ温度変更量を決定した
場合の直径制御結果は図１に示したものと略同様であっ
た。
【００４４】また、数４に示した評価関数ＪにおいてＱ
＝５００００００としてゲインを求め、使用した場合の
直径制御結果も図１に示したものと同様であった。
＝５００００００としてゲインを求め、使用した場合の
直径制御結果も図１に示したものと同様であった。
【００４５】さらに、単結晶中の酸素濃度が所定の範囲
に入るように、るつぼの回転速度に時間パターン与え、
それに対する影響量をヒータ入熱変更によって補償した
場合の単結晶品質を表１に示す。
に入るように、るつぼの回転速度に時間パターン与え、
それに対する影響量をヒータ入熱変更によって補償した
場合の単結晶品質を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】このように、上記実施例に係る単結晶引き
上げ方法においては、単結晶引き上げ速度を操作せず、
ヒータ温度操作のみで、あらかじめ設定された形状寸法
の単結晶を引き上げることができるとともに、熱歪みに
よる欠陥が少なく、不純物析出量が安定した高品質の単
結晶を得ることが可能となる。
上げ方法においては、単結晶引き上げ速度を操作せず、
ヒータ温度操作のみで、あらかじめ設定された形状寸法
の単結晶を引き上げることができるとともに、熱歪みに
よる欠陥が少なく、不純物析出量が安定した高品質の単
結晶を得ることが可能となる。
【００４８】なお本実施例においてはヒータ温度量を操
作する場合について説明したが、ヒータ温度の代わりに
ヒータ入熱量を操作しても良い。
作する場合について説明したが、ヒータ温度の代わりに
ヒータ入熱量を操作しても良い。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る単結晶
引き上げ方法にあっては、半導体素材多結晶を溶融させ
るるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手段と、
前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら引き
上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直径を計
測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用い、引き
上げ速度を操作することなく、ヒータ温度のみを操作す
ることにより、あらかじめ設定された形状寸法の単結晶
を引き上げるので、単結晶の凝固界面と溶融液表面との
距離が変動せず、前記界面に流入する熱量が安定し、熱
歪みによる欠陥発生を少なくすることができ、また、引
き上げて冷却中の単結晶部分の熱処理時間が一定するこ
ととなり、酸素等の不純物析出量が安定した単結晶を製
造することができる。
引き上げ方法にあっては、半導体素材多結晶を溶融させ
るるつぼと、該るつぼの周囲に配設された加熱手段と、
前記るつぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら引き
上げる引き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直径を計
測する手段とからなる単結晶引き上げ装置を用い、引き
上げ速度を操作することなく、ヒータ温度のみを操作す
ることにより、あらかじめ設定された形状寸法の単結晶
を引き上げるので、単結晶の凝固界面と溶融液表面との
距離が変動せず、前記界面に流入する熱量が安定し、熱
歪みによる欠陥発生を少なくすることができ、また、引
き上げて冷却中の単結晶部分の熱処理時間が一定するこ
ととなり、酸素等の不純物析出量が安定した単結晶を製
造することができる。
【００５０】また、上記（２）あるいは（３）記載の単
結晶引き上げ方法においても、上記と同様の効果が得ら
れる。
結晶引き上げ方法においても、上記と同様の効果が得ら
れる。
【００５１】あるいは、ヒータ入熱及び単結晶引き上げ
速度の過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現
在値及び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから
単結晶直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒー
タ温度と前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持され
るという条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差
を予測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値と
の偏差をなくすように、前記モデルからヒータ入熱変更
量を算出して該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じ、
ヒータ入熱変更量を決定し、前記ヒータ入熱を先行して
操作することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上
げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる場合には、上記
作用に加えて単結晶中に所望の酸素濃度が含まれた、不
純物析出量が安定した単結晶を製造することができる。
速度の過去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現
在値及び計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから
単結晶直径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒー
タ温度と前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持され
るという条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差
を予測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値と
の偏差をなくすように、前記モデルからヒータ入熱変更
量を算出して該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じ、
ヒータ入熱変更量を決定し、前記ヒータ入熱を先行して
操作することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上
げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる場合には、上記
作用に加えて単結晶中に所望の酸素濃度が含まれた、不
純物析出量が安定した単結晶を製造することができる。
【００５２】上記（５）記載の単結晶引き上げ方法にお
いても、上記（４）記載の単結晶引き上げ方法と同様の
効果が得られる。
いても、上記（４）記載の単結晶引き上げ方法と同様の
効果が得られる。
【００５３】あるいは上記（６）記載の単結晶引き上げ
方法においても、上記（２）記載の単結晶引き上げ方法
と同様の効果が得られる。
方法においても、上記（２）記載の単結晶引き上げ方法
と同様の効果が得られる。
【００５４】また、上記（４）、（５）または（７）記
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ入
熱変更量を決定する場合には、前記単結晶中の酸素濃度
が所定の範囲に入り、不純物析出量が安定するとともに
熱歪みによる欠陥が少ない単結晶を製造することができ
る。
載の単結晶引き上げ方法において、単結晶中の酸素濃度
が所定範囲に入るようにるつぼの回転速度に時間パター
ンを与え、それに対する影響量を補償しながらヒータ入
熱変更量を決定する場合には、前記単結晶中の酸素濃度
が所定の範囲に入り、不純物析出量が安定するとともに
熱歪みによる欠陥が少ない単結晶を製造することができ
る。
【図１】本発明に係る単結晶引き上げ方法の実施例の直
径制御性を示したグラフである。
径制御性を示したグラフである。
【図２】単結晶引き上げ方法のモデルの直径の推定精度
を示したグラフである。
を示したグラフである。
【図３】単結晶引き上げ方法における直径制御系の構成
を示す概略図である。
を示す概略図である。
フロントページの続き (72)発明者 的場 祥行 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 山本 俊行 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 山村 春夫 兵庫県尼崎市東浜町１番地 大阪チタニウ ム製造株式会社内 (72)発明者 山下 健一 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 九州電子金属株式会社内 (72)発明者 北川 邦彦 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 九州電子金属株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体素材多結晶を溶融させるるつぼ
と、該るつぼの周囲に配設された加熱手段と、前記るつ
ぼ内の溶融液から単結晶を成長させながら引き上げる引
き上げ具と、引き上げた前記単結晶の直径を計測する手
段とからなる単結晶引き上げ装置を用い、引き上げ速度
を操作せず、ヒータ発熱量またはヒータ温度（以下「ヒ
ータ温度」と記す）のみを操作することにより、あらか
じめ設定された形状寸法の単結晶を引き上げることを特
徴とする単結晶引き上げ方法。 - 【請求項２】 ヒータ温度、るつぼの回転速度及び単結
晶引き上げ速度の過去及び現在値と、単結晶直径の過去
及び現在値とから単結晶直径の将来値を予測するモデル
を用い、前記ヒータ温度と、前記るつぼの回転速度と、
前記単結晶引き上げ速度とが現状のまま維持されるとい
う条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差を予測
し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値との偏差
をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更量を算
出し、該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じてヒータ
温度変更量を決定する請求項１記載の単結晶引き上げ方
法。 - 【請求項３】 ヒータ温度、るつぼの回転速度及び単結
晶引き上げ速度の過去及び現在値と、単結晶直径の過去
及び現在値とから単結晶直径の将来値を予測するモデル
を用い、前記るつぼの回転速度と、前記単結晶引き上げ
速度とが現状のまま維持されるという条件下で単結晶直
径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単
結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、所
定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差の
自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量の
自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所定
時間先までのヒータ温度変更量を決定する請求項１記載
の単結晶引き上げ方法。 - 【請求項４】 ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の過
去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及び
計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶直
径の将来値を予測するモデルを用い、前記ヒータ温度
と、前記単結晶引き上げ速度が現状のまま維持されると
いう条件下で単結晶直径の予測値と目標値との偏差を予
測し、所定時間先の単結晶直径の予測値と目標値との偏
差をなくすように、前記モデルからヒータ温度変更量を
算出し、該ヒーター温度変更量に補正数値を乗じてヒー
タ温度変更量を決定し、前記ヒータ温度を先行して操作
することで前記るつぼの回転数を操作しても引き上げ速
度を操作することなく、単結晶直径を制御することが可
能な請求項１記載の単結晶引き上げ方法。 - 【請求項５】 ヒータ温度及び単結晶引き上げ速度の過
去及び現在値と、るつぼの回転速度の過去、現在値及び
計画値と、単結晶直径の過去及び現在値とから単結晶直
径の将来値を予測するモデルを用い、前記単結晶引き上
げ速度が現状のまま維持されるという条件下で単結晶直
径の予測値と目標値との偏差を予測し、所定時間先の単
結晶直径の予測値と目標値との偏差をなくすように、所
定時間先までの単結晶直径の予測値と目標値との偏差の
自乗和と、前記モデルから算出したヒータ温度変更量の
自乗和に係数を乗じた値との和が最小となるように所定
時間先までのヒータ温度変更量を決定し、前記ヒータ温
度を先行して操作することで前記るつぼの回転数を操作
しても引き上げ速度一定の条件で単結晶を引き上げる請
求項１記載の単結晶引き上げ方法。 - 【請求項６】 ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶
引き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結
晶直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単
結晶直径の将来目標値とのそれぞれに、前記単結晶直径
が目標値となるヒータ温度変更量が求まるようにあらか
じめ決めておいたゲインを乗じ、ヒータ温度変更量を決
定する請求項１記載の単結晶引き上げ方法。 - 【請求項７】 ヒータ温度、るつぼの回転速度、単結晶
引き上げ速度及び単結晶直径の過去の実績値と、該単結
晶直径の目標値と実績値との偏差の過去の総和と、該単
結晶直径の将来目標値と、前記るつぼの回転速度の計画
値とのそれぞれに、前記単結晶直径が目標値となるヒー
タ温度変更量が求まるようにあらかじめ決めておいたゲ
インを乗じ、ヒータ温度変更量を決定する請求項１記載
の単結晶引き上げ方法。 - 【請求項８】 単結晶中の酸素濃度が所定範囲に入るよ
うにるつぼの回転速度に時間パターンを与え、それに対
する影響量を補償しながらヒータ温度変更量を決定する
ことにより、前記単結晶中の酸素濃度を所定の範囲に入
れる請求項４、請求項５または請求項７記載の単結晶引
き上げ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865391A JPH0543386A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 単結晶引き上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865391A JPH0543386A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 単結晶引き上げ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543386A true JPH0543386A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=15676415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865391A Pending JPH0543386A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 単結晶引き上げ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543386A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013001617A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Sumco Corp | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 |
| KR101625433B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2016-05-30 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치 |
| CN119200551A (zh) * | 2024-11-29 | 2024-12-27 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 放肩控制方法、装置、计算机设备和存储介质 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15865391A patent/JPH0543386A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013001617A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Sumco Corp | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 |
| KR101625433B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2016-05-30 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치 |
| CN119200551A (zh) * | 2024-11-29 | 2024-12-27 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 放肩控制方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5601801B2 (ja) | 単結晶シリコンインゴットの成長方法および成長用装置 | |
| TWI722480B (zh) | 矽單結晶的成長方法 | |
| JP4380537B2 (ja) | シリコン単結晶を製造する方法 | |
| KR101424834B1 (ko) | 결정 성장 프론트에서 열 구배들의 인-시츄 결정을 위한 절차 | |
| JPH0777996B2 (ja) | コーン部育成制御方法及び装置 | |
| TWI490380B (zh) | 半導體晶體生長系統中之反向動作直徑控制 | |
| JP2003512282A (ja) | 半導体結晶の成長を制御する方法 | |
| JPH0543386A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| US5164039A (en) | Apparatus for controlling the diameter of silicon single crystal | |
| JP2787042B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| EP0319858B1 (en) | Method of controlling floating zone | |
| TWI866814B (zh) | 晶體生長控制方法、裝置、系統和存儲介質(二) | |
| JP2634106B2 (ja) | 連続鋳造における湯面レベル制御方法 | |
| JP3278566B2 (ja) | ルーパ多変数制御装置 | |
| Lee et al. | MPC based feedforward trajectory for pulling speed tracking control in the commercial Czochralski crystallization process | |
| JP2634108B2 (ja) | 連続鋳造における湯面レベル制御方法 | |
| JPH0755878B2 (ja) | 半導体単結晶の直径制御方法 | |
| JPH06234591A (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| CN113463184B (zh) | 晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质 | |
| JPH07138658A (ja) | 連続熱処理炉の露点制御装置 | |
| JP4292429B2 (ja) | シリコン単結晶の欠陥制御法 | |
| JPH05262593A (ja) | 単結晶の酸素濃度予測方法及び単結晶の引上方法 | |
| JPH05148080A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| Borodin et al. | Adaptive Automated Control Systems for Growing Single Crystals by the Methods of Czochralski, Stepanov (EFG) and Kyropoulos Using a Weight Sensor | |
| JP3769807B2 (ja) | 単結晶の直径制御方法 |