JPH0543545Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は、RFスイツチに関するものであり、
特にUHFに於てアイソレーシヨンを改善したRF
スイツチに関するものである。

［従来の技術］ 従来、此種RFスイツチ回路は第５図に示すよ
うに、入力端子１及び２に入力する高周波信号
RF１及びRF２をPINダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ
３，Ｄ４及びPINダイオードＤ５，Ｄ６，Ｄ７，
Ｄ８の夫々を切換えることによつて、出力端子６
へ選択的に出力していた。例えば、電源端子３を
「電源オン」し、且つ電源端子４を「電源オフ」
したときは、前記PINダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ
３及びＤ８がオンとなる。このときの高周波での
等価回路を第６図に示すが、入力端子１からの高
周波信号RF１は前記PINダイオードＤ１，Ｄ２，
Ｄ３を通過して出力端子６に至る。即ち、入力端
子１側の回路が「スイツチオン」の状態となる。
又、入力端子２からの高周波信号RF２は、前記
PINダイオードＤ５，Ｄ６，Ｄ７がオフとなつて
いるため通過せず、入力端子２側の回路は「スイ
ツチオフ」の状態となる。

［考案が解決しようとする課題］ 前述したように、従来のRFスイツチ回路は
PINダイオードのＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ８、又は
Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ４を適宜切換えることによ
つて高周波信号RF１とRF２とを切換えていた。
然し、DCカツト用のコンデンサＣ１及びＣ２の
容量値は約1000pF程度であり、UHFの高い周波
数帯（950〜1750MHz）に於ては、第６図に示し
たように「スイツチオン」となつている入力端子
１側の回路はLPF（ローパスフイルタ）となり、
高域周波数帯でのロスが大となつていた。又、
「スイツチオフ」となつている入力端子２側の回
路はHPF（ハイパスフイルタ）となり、高域周波
数帯が出力端子６に漏洩し、高域でのアイソレー
シヨンが低下するという欠陥があつた。そこで、
この考案は高域周波数帯でロスを少なくし、且
つ、アイソレーシヨンを改善したRFスイツチを
提供せんとするものである。

［課題を解決するための手段］ この考案は、上記目的を達成するために提案せ
られたものであり、直列に接続されたダイオード
間のリード線に他のダイオードを順方向に接続し
て接地させ、前記リード線とこの接地側のダイオ
ード間にコンデンサを設けたRFスイツチに於て、
このRFスイツチが「オン」のときはカツトオフ
周波数を高くし、「オフ」のときは受信周波数帯
域内に形成される誘導Ｍ型のHPFの極が該受信
周波数帯域の中央より高い位置に形成されるよう
に前記コンデンサの容量値を数pFにしたことを
特徴とするRFスイツチ回路を提供せんとするも
のである。

［作用］ この考案は、従来のRFスイツチ回路のDCカツ
ト用コンデンサの容量値を小さくすることによつ
て、高周波の等価回路に於て接地側のPINダイオ
ードへ直列に静電容量を設けている。従つて、前
記接地側のPINダイオードが「オフ」のときは、
該PINダイオードの端子間浮遊容量と前記コンデ
ンサの容量とが直列に合成されて、PINダイオー
ドのみの場合より静電容量値が小さくなる。この
ため共振周波数が高くなり、LPFのカツトオフ
周波数を高くとることができる。一方、前記接地
側のPINダイオードが「オン」のときは、該PIN
ダイオードのリードインダクタンスと前記コンデ
ンサとが直列共振し、誘導Ｍ型のHPFとなつて
受信周波数帯域内に極を形成する。而して、該極
を中心とした前後の周波数帯域が接地側ダイオー
ドを経てアースされるとき、該極は周波数帯域の
中央より高い位置に形成されるように前記コンデ
ンサの容量値を設定してあるため、高周波数帯域
でのアイソレーシヨンが向上すると共に、RFス
イツチが一段で前記アイソレーシヨン効果を実現
できる。

［実施例］ 以下、この考案の一実施例を別紙添付図面に従
つて詳述する。尚、第５図の従来型の説明に使用
した符号に対する構成は同一符号を使用するもの
とする。第１図は衛星放送用チユーナ等に使用す
るRFスイツチ回路を示したものであり、入力端
子１にはコンデンサＣ３を介してPINダイオード
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が直列に接続してあり、該PIN
ダイオードＤ１，Ｄ２間の端子７に、約1pF前後
のコンデンサＣ４を介してPINダイオードＤ４を
順方向に接続して接地させている。又、入力端子
２にも全く同様にして、コンデンサＣ５を介して
PINダイオードＤ５，Ｄ６，Ｄ７を直列に接続
し、該PINダイオードＤ５，Ｄ６間の端子８に約
1pF前後のコンデンサＣ６を介してPINダイオー
ドＤ８を接続して接地させている。更に、前記
PINダイオードＤ３とＤ７とが端子９にて結線さ
れ、コンデンサＣ７を介して出力端子６へ接続さ
れている。そして、電源端子３は貫通コンデンサ
Ｃ８を介して、一方は前記コンデンサＣ３とPIN
ダイオードＤ１間の端子１０へ接続し、他方はコ
ンデンサＣ６と接地側のPINダイオードＤ８間の
端子１１へ接続する。又、電源端子４は貫通コン
デンサＣ９を介して、一方は前記コンデンサＣ５
とPINダイオードＤ５間の端子１２へ接続し、他
方はコンデンサＣ４と接地側のPINダイオードＤ
４間の端子１３へ接続する。そして、之等電源端
子３，４は何れか一方が「オン」であれば他方は
「オフ」となるように構成してある。尚、図中符
号Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は夫々抵抗を示
すものである。ここで、前記電源端子３を「オ
ン」とし電源端子４を「オフ」とすれば、端子１
０及び１１にバイアス電圧が印加され入力端子１
側のPINダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３及び入力端
子２側の接地側のPINダイオードＤ８が「オン」
となる。然るとき、入力端子２側のPINダイオー
ドＤ５，Ｄ６，Ｄ７及び入力端子１側の接地PIN
ダイオードＤ４は「オフ」である。このときの高
周波での等価回路を第２図に示す。入力端子１に
は、例えば約950〜1750MHzのUHF帯の高周波信
号RF１が入力され、PINダイオードＤ１，Ｄ２，
Ｄ３を通過し端子９を経て出力端子６へ出力す
る。このとき、前記各PINダイオードＤ１，Ｄ
２，Ｄ３及びＤ４はＴ型のLPFを形成し、一部
の高域周波数帯は接地側のPINダイオードＤ４を
通過してアースされる。

この高域周波数帯の減衰量を第３図に示すが、
本実施例の受信周波数帯１から２間に於て、
従来は曲線Ｌ１のように、２近辺の高域周波数
帯での減衰量が大であつた。本案ではコンデンサ
Ｃ４の容量値を1pF前後（従来型では1000pF程
度）と極めて小さくしたことにより、等価回路で
は静電容量Ｃ０が接続された形となる。この静電
容量Ｃ０と接地側のPINダイオードＤ４の端子間
浮遊容量とが直列に合成され、該PINダイオード
Ｄ４のみの場合より静電容量値が小となる。従つ
て、共振周波数が高くなり、LPFのカツトオフ
周波数を高くとることができる。而して、第３図
の曲線Ｌ２に示すように高域での減衰量を小さく
することができ、２近辺の高域周波数帯での減
衰量は従来型と比較して４〜5dB改善することが
できる。

一方、入力端子２側のPINダイオードＤ５，Ｄ
６，Ｄ７は「オフ」であり、各PINダイオードＤ
５，Ｄ６，Ｄ７及びＤ８はＴ型のHPFを形成す
る。この高域周波数帯の通過特性を第４図に示す
が、従来は曲線Ｌ３のように受信周波数帯域１
から２間に於て、斜線で図示せる如くアイソレ
ーシヨンが約25dB以下になる範囲があつた。本
案では前述したようにコンデンサＣ６の容量値を
1pF前後にしたことにより、等価的に静電容量Ｃ
０が発生する。この静電容量Ｃ０と接地側のPIN
ダイオードＤ８のリードインダクタンスとが直列
共振し、第４図に示す如く受信周波数帯１から
２間に極Ｐをもつ誘導Ｍ型のHPFを形成する。
尚、前記極Ｐは受信周波数帯域１から２間の
中央よりやや高めの位置（約1500〜1600MHz）へ
形成するを可とする。そして、この極Ｐを中心と
して前後の周波数帯域が接地側のPINダイオード
Ｄ８からアースされ、出力端子６への高域周波数
帯の漏洩を抑止でき、従来型と比較してアイソレ
ーシヨンを約12dB程度改善することができる。
尚、前記電源端子４を「オン」とした場合は、前
述とは逆に入力端子１側の回路は「スイツチオ
フ」の状態となり、入力端子２側の回路が「スイ
ツチオン」の状態となつて、高周波信号RF１と
RF２とを切換えるものである。

［考案の効果］ この考案は、上記一実施例に詳述したように、
接地側のPINダイオードに接地したDCカツト用
のコンデンサの容量値を数pFと小さくしたこと
により、高周波での等価回路に於て静電容量が発
生する。従つて、RFスイツチが「オン」のとき
は接地側の合成静電容量値が小さくなり、カツト
オフ周波数を高くすることができる。このため、
高域周波数帯での減衰量を低減させてロスを小さ
くできる。又、RFスイツチが「オフ」のときは
前記コンデンサの静電容量によつて、誘導Ｍ型の
HPFの極が形成され、高域周波数帯でのアイソ
レーシヨンを向上させることができる。而して、
UHF帯の高い周波数に於ても、挿入ロスが少な
く且つ、高いアイソレーシヨンを確保したRFス
イツチ回路を形成することが可能となるのであ
る。又、特に、前記誘導Ｍ型のHPFの極は受信
周波数帯域の中央より高い位置に形成されるよう
に前記コンデンサの容量値を数pFと極めて小さ
く設定されているため、RFスイツチは一段で充
分に前記アイソレーシヨンが確保できる高性能の
RFスイツチを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本考案の一実施例を示したものである。第
１図はRFスイツチの回路図、第２図は第１図の
高周波等価回路図、第３図は高域周波数帯での減
衰量を表したグラフ、第４図は高域周波数帯での
アイソレーシヨンを表したグラフである。第５図
及び第６図は従来例を示したものであり、第５図
はRFスイツチの回路図、第６図は第５図の高周
波等価回路図である。 Ｄ１〜Ｄ８……PINダイオード、Ｃ１〜Ｃ９…
…コンデンサ、Ｃ０……静電容量。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 直列に接続されたダイオード間のリード線に他
   のダイオードを順方向に接続して接地させ、前記
   リード線とこの接地側のダイオード間にコンデン
   サを設けたRFスイツチに於て、このRFスイツチ
   が「オン」のときはカツトオフ周波数を高くし、
   「オフ」のときは受信周波数帯域内に形成される
   誘導Ｍ型のHPFの極が該受信周波数帯域の中央
   より高い位置に形成されるように前記コンデンサ
   の容量値を数pFにしたことを特徴とするRFスイ
   ツチ回路。