JPH0544049A - Electroless tin or tin-lead alloy plating liquid and method for electroless tin or tin-lead alloy plating - Google Patents
Electroless tin or tin-lead alloy plating liquid and method for electroless tin or tin-lead alloy platingInfo
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- JPH0544049A JPH0544049A JP3224944A JP22494491A JPH0544049A JP H0544049 A JPH0544049 A JP H0544049A JP 3224944 A JP3224944 A JP 3224944A JP 22494491 A JP22494491 A JP 22494491A JP H0544049 A JPH0544049 A JP H0544049A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングレジストや
半田付け性等の向上を目的として電子部品の銅回路など
に錫又は錫・鉛合金層を形成するために好適に用いられ
る酸性タイプの無電解錫又は無電解錫・鉛合金めっき液
及び該めっき液を用いためっき方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an acidic type coating which is preferably used for forming a tin or tin / lead alloy layer in a copper circuit of an electronic component for the purpose of improving etching resist and solderability. The present invention relates to an electrolytic tin or electroless tin / lead alloy plating solution and a plating method using the plating solution.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、プリント配線板等の電子部品
の回路を形成する銅又は銅合金部分に半田付け性向上な
どの点から無電解錫又は錫・鉛合金めっきを施すことが
行われているが、電子装置の小型化に伴って部品や回路
等も微小化又は複雑化し、電気めっき法ではめっきでき
ない部分も生じている。そこで、これら部分にもめっき
可能な無電解錫又は錫・鉛合金めっき法が検討されてい
る。例えば、特開平1−184279号公報には、有機
スルホン酸、有機スルホン酸の錫及び鉛塩、次亜リン酸
ナトリウム(還元剤)及びチオ尿素(錯化剤)を主成分
とする無電解錫・鉛合金めっき浴を用いる方法が提案さ
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, electroless tin or tin / lead alloy plating has been performed on copper or copper alloy portions forming circuits of electronic parts such as printed wiring boards to improve solderability. However, with the miniaturization of electronic devices, parts and circuits have become smaller and more complicated, and some parts cannot be plated by electroplating. Therefore, an electroless tin or tin-lead alloy plating method capable of plating these portions is being studied. For example, in JP-A-1-184279, electroless tin containing organic sulfonic acid, tin and lead salts of organic sulfonic acid, sodium hypophosphite (reducing agent) and thiourea (complexing agent) as main components. -A method using a lead alloy plating bath has been proposed.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】その一方で、最近にお
いては、集積回路パッケージ等の電子部品の実装技術が
DIPタイプパッケージの挿入実装方式(VMT)から
フラットパッケージの表面実装方式(SMT)へと移行
しつつあり、このためプリント配線板としては集積回路
パッケージ等の被実装品との接触面が滑らかなもの、即
ち均一性の高い錫又は錫鉛合金めっき皮膜が形成された
ものが望まれるようになってきている。On the other hand, recently, the mounting technology for electronic components such as integrated circuit packages has changed from the insertion mounting method (VMT) of the DIP type package to the surface mounting method (SMT) of the flat package. Therefore, it is expected that a printed wiring board with a smooth contact surface with an object to be mounted such as an integrated circuit package, that is, a printed wiring board with a highly uniform tin or tin-lead alloy plating film formed thereon is desired. Is becoming.
【0004】しかしながら、従来の無電解錫又は錫・鉛
合金めっき液によるめっき皮膜は析出粒子が粗く、皮膜
の均一性に劣るもので、このためリフロー性に劣り、半
田供給性が悪く、ファインピッチSMT対応プリント配
線板へのめっきが困難なものであった。However, the conventional electroless tin or tin-lead alloy plating solution has coarse deposit particles and inferior uniformity of the film. Therefore, reflowability is inferior, solder supply is poor, and fine pitch is provided. It was difficult to plate an SMT compatible printed wiring board.
【0005】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、浴安定性に優れ、析出粒子が細かく、均一性なめっ
き皮膜が得られ、SMT対応のファインピッチプリント
配線板へのめっきにも良好に対応し得る酸性タイプの無
電解錫又は錫・鉛合金めっき液及び無電解錫又は錫・鉛
合金めっき方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has excellent bath stability, fine deposited particles, a uniform plating film can be obtained, and it is also good for plating on fine pitch printed wiring boards compatible with SMT. It is an object of the present invention to provide an acidic electroless tin or tin / lead alloy plating solution and an electroless tin or tin / lead alloy plating method capable of coping with the above.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため、析出粒子の細かい均一なめっき
皮膜を与えることができる無電解錫又は錫・鉛合金めっ
き液の組成について、鋭意検討を重ねた結果、可溶性の
第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩との混合物からなる金属塩
成分と、酸と、チオ尿素又はチオ尿素誘導体と、還元剤
とを含む無電解錫又は錫・鉛合金めっき液中にアンモニ
アイオン及び/又は4級アンモニウムイオンを含有させ
ることにより、析出粒子が細かく均一で、リフロー性の
良好なめっき皮膜が得られ、ファインピッチSMT対応
プリント配線板へのめっきにも十分に対応し得ることを
見出し、本発明を完成したものである。Means and Actions for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present inventor has proposed a composition of an electroless tin or tin-lead alloy plating solution capable of providing a uniform plating film with fine deposited particles. As a result of intensive studies, electroless tin containing a metal salt component composed of a soluble stannous salt or a mixture of a stannous salt and a lead salt, an acid, a thiourea or thiourea derivative, and a reducing agent. Alternatively, by containing ammonia ions and / or quaternary ammonium ions in the tin-lead alloy plating solution, a plating film having fine and uniform deposited particles and good reflow properties can be obtained, and a fine pitch SMT compatible printed wiring board can be obtained. The present invention has been completed by discovering that it can also be sufficiently applied to the plating.
【0007】従って、本発明は、可溶性の第一錫塩又は
第一錫塩と鉛塩との混合物からなる金属塩成分と、酸
と、チオ尿素又はチオ尿素誘導体と、還元剤とを含む無
電解錫又は錫・鉛合金めっき液において、アンモニアイ
オン及び/又は4級アンモニウムイオンを含有すること
を特徴とする無電解錫又は錫・鉛合金めっき液、及び該
無電解めっき液に被めっき物を浸漬して、該被めっき物
上に錫又は錫・鉛合金めっき膜を形成することを特徴と
する無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法を提供する。Therefore, the present invention comprises a metal salt component consisting of a soluble stannous salt or a mixture of a stannous salt and a lead salt, an acid, a thiourea or thiourea derivative, and a reducing agent. Electroless tin or tin-lead alloy plating solution containing ammonia ions and / or quaternary ammonium ions, and electroless tin or tin-lead alloy plating solution, and an object to be plated in the electroless plating solution Provided is a method for electroless tin or tin-lead alloy plating, which comprises immersing and forming a tin or tin-lead alloy plating film on the object to be plated.
【0008】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明の無電解錫・鉛合金めっき液は、上述したよ
うに、可溶性の第一錫塩又は第一錫塩と鉛塩を含むが、
この場合めっき液中に第一錫イオン(2価の錫イオン)
を供給する錫源としては、特に制限はなく種々選択し
得、例えばメタンスルホン酸第一錫等の有機スルホン酸
錫、ホウフッ化第一錫、酢酸錫、塩化錫、有機カルボン
酸錫、酸化錫などを挙げることができる。なお、めっき
液中の第一錫イオン量は1〜50g/L、特に5〜25
g/Lとすることが好ましい。The present invention will be described in more detail below. The electroless tin-lead alloy plating solution of the present invention contains a soluble stannous salt or a stannous salt and a lead salt as described above.
In this case stannous ion (divalent tin ion) in the plating solution
There is no particular limitation on the tin source for supplying the above, and various tin sources can be selected, and examples thereof include organic tin stannate such as stannous methanesulfonate, stannous borofluoride, tin acetate, tin chloride, tin organic carboxylate, tin oxide. And so on. The amount of stannous ion in the plating solution is 1 to 50 g / L, especially 5 to 25
It is preferably g / L.
【0009】また、錫・鉛合金めっき液とする場合の鉛
イオン源としては、塩化鉛、酢酸鉛、有機スルホン酸
鉛、ホウフッ化鉛、酸化鉛等の上記錫塩と同様の塩を用
いることができる。めっき液中の鉛イオンの量は合金比
率等に応じて適宜選定されるが、通常は0.1〜50g
/L、特に0.5〜10g/L程度とすることができ
る。When the tin-lead alloy plating solution is used, as the lead ion source, the same salts as the above tin salts such as lead chloride, lead acetate, lead organic sulfonate, lead borofluoride, lead oxide, etc. are used. You can The amount of lead ions in the plating solution is appropriately selected according to the alloy ratio, etc., but is usually 0.1 to 50 g.
/ L, especially about 0.5 to 10 g / L.
【0010】これら金属塩を溶解する酸成分としては、
有機スルホン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロ
リン酸,ポリリン酸等の縮合リン酸、塩酸、次亜リン
酸、有機カルボン酸などが挙げられ、これらの1種又は
2種以上を使用することができる。これらのうち有機ス
ルホン酸としては、アルカンスルホン酸、ヒドロキシア
ルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンス
ルホン酸やこれらの水素原子の一部が水酸基、ハロゲン
原子、アルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、メルカ
プト基、アミノ基、スルホン酸基などで置換されたもの
が使用され、より具体的には、本発明に好適に使用し得
る有機スルホン酸として、メタンスルホン酸、エタンス
ルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタ
ンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、2−ヒドロ
キシエタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシプロパン
−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−1−スルホ
ン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン酸、アリルスル
ホン酸、2−スルホ酢酸、2−又は3−スルホプロピオ
ン酸、スルホコハク酸、スルホマレイン酸、スルホフマ
ル酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシ
レンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安
息香酸、スルホサリチル酸、ベンズアルデヒドスルホン
酸、p−フェノールスルホン酸などを挙げることができ
る。なお、これら酸の使用量は、特に制限されないが、
10〜200g/L、特に50〜150g/Lとするこ
とが好ましく、また酸と金属イオンとの割合は1:1〜
1:20、特に1:3〜1:10とすることが好まし
い。As the acid component for dissolving these metal salts,
Condensed phosphoric acid such as organic sulfonic acid, perchloric acid, borofluoric acid, phosphoric acid, pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid, hydrochloric acid, hypophosphorous acid, organic carboxylic acid and the like can be mentioned, and one or more of these are used. can do. Among these, organic sulfonic acids include alkane sulfonic acid, hydroxyalkane sulfonic acid, benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid and some of these hydrogen atoms are hydroxyl groups, halogen atoms, alkyl groups, carboxyl groups, nitro groups, mercapto groups. , Those substituted with an amino group or a sulfonic acid group are used, and more specifically, as the organic sulfonic acid that can be preferably used in the present invention, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, 2- Propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, chloropropanesulfonic acid, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1- Sulfonic acid, 2-hydroxypentanesulfonic acid, allyls Fonic acid, 2-sulfoacetic acid, 2- or 3-sulfopropionic acid, sulfosuccinic acid, sulfomaleic acid, sulfofumaric acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, nitrobenzenesulfonic acid, sulfobenzoic acid, sulfosalicylic acid, Examples thereof include benzaldehyde sulfonic acid and p-phenol sulfonic acid. The amount of these acids used is not particularly limited,
It is preferably 10 to 200 g / L, particularly 50 to 150 g / L, and the ratio of acid to metal ion is 1: 1 to 1: 1.
It is preferably 1:20, particularly preferably 1: 3 to 1:10.
【0011】本発明のめっき液には、チオ尿素又はチオ
ホルムアミド、チオアセトアミド等のチオ尿素誘導体
(チオアミド類)が配合され、このチオ尿素類の存在に
より錫又は錫・鉛合金の析出が可能になる。このチオ尿
素の配合量は特に制限されるものではないが、通常めっ
き液1リットル当り10〜200g、特に50〜150
g程度とすることが好ましい。更に、このチオ尿素と共
に酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、EDTAなどを錯化剤
として併用することもできる。The plating solution of the present invention contains thiourea or a thiourea derivative (thioamides) such as thioformamide or thioacetamide, and the presence of the thioureas makes it possible to deposit tin or a tin-lead alloy. Become. The compounding amount of thiourea is not particularly limited, but is usually 10 to 200 g, particularly 50 to 150 g per liter of plating solution.
It is preferably about g. Further, tartaric acid, malic acid, citric acid, EDTA and the like can be used together with this thiourea as a complexing agent.
【0012】また、本発明めっき液には還元剤が配合さ
れるが、この還元剤としては、次亜リン酸や次亜リン酸
ナトリウム,次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩など
が好適に使用される。この還元剤の配合量は、通常量と
することができ、具体的には10〜200g/L、特に
50〜150g/L程度とすることが好ましい。A reducing agent is added to the plating solution of the present invention. As the reducing agent, hypophosphite, sodium hypophosphite, hypophosphite such as potassium hypophosphite and the like are included. It is preferably used. The amount of the reducing agent to be added can be a usual amount, and specifically, it is preferably 10 to 200 g / L, and particularly preferably about 50 to 150 g / L.
【0013】更に、本発明のめっき液にはポリオキシノ
ニルフェニルエーテル,ポリオキシラウリルフェニルエ
ーテル等のポリオキシアルキルエーテル系界面活性剤、
ポリオキシステアリルアミドエーテル等のポオキシアル
キルアミドエーテル系界面活性剤、ポリオキシオレイル
アミンエーテル等のポリオキシアルキルアミンエーテル
系界面活性剤、ポリオキシエチレン・プロピレンブロッ
クポリマーなどの非イオン性界面活性剤やアルキルアミ
ン塩、アルキルトリメチルアミン塩、アルキルジメチル
ベンジルアミン塩などの陽イオン界面活性剤を添加する
ことができ、これにより皮膜の均一性、リフロー性をよ
り良好にすることができる。Further, the plating solution of the present invention contains a polyoxyalkyl ether type surfactant such as polyoxynonylphenyl ether and polyoxylauryl phenyl ether.
Polyoxystearyl amide ether and other pooxyalkylamide ether surfactants, polyoxyoleylamine ether and other polyoxyalkylamine ether surfactants, polyoxyethylene / propylene block polymers and other nonionic surfactants and alkyls A cationic surfactant such as an amine salt, an alkyltrimethylamine salt, or an alkyldimethylbenzylamine salt can be added, which can improve the uniformity and reflow property of the film.
【0014】なお、上記各成分からなる錫又は錫・鉛合
金めっき液は酸性とされ、特にpH2以下であることが
好ましい。The tin or tin-lead alloy plating solution containing each of the above components is acidified, and preferably has a pH of 2 or less.
【0015】本発明のめっき液は、上記各成分を含有し
てなる無電解錫又は錫・鉛合金めっき液中にアンモニア
イオン及び/又は4級アンモニウムイオンを含有するよ
うにしたものであり、これらアンモニアイオン及び/又
は4級アンモニウムイオンの存在により、pHが調整さ
れると共に、金属塩の溶解性向上が図られ、これにより
得られるめっき皮膜の均一性が向上するものである。The plating solution of the present invention is an electroless tin or tin-lead alloy plating solution containing each of the above components and containing ammonia ions and / or quaternary ammonium ions. The presence of ammonia ions and / or quaternary ammonium ions adjusts the pH and improves the solubility of the metal salt, thereby improving the uniformity of the plating film obtained.
【0016】このアンモニアイオン及び/又は4級アン
モニウムイオンの含有量は、特に制限されるものではな
いが、0.1〜50g/L、特に1〜20g/L程度と
することが好ましい。含有量が0.1g/L未満である
と、均一性やリフロー性の良好なめっき皮膜が得られな
い場合がある。なお、これらアンモニアイオン及び/又
は4級アンモニウムイオンは、めっき液中の錫イオン、
鉛イオン及び水素イオン以外のカチオン成分の全部であ
っても、一部であってもよい。The content of the ammonia ion and / or the quaternary ammonium ion is not particularly limited, but it is preferably 0.1 to 50 g / L, particularly 1 to 20 g / L. If the content is less than 0.1 g / L, a plated film having good uniformity and reflowability may not be obtained. Incidentally, these ammonia ions and / or quaternary ammonium ions are tin ions in the plating solution,
All or part of the cation components other than lead ions and hydrogen ions may be used.
【0017】これらカチオン成分は、通常これらカチオ
ンを塩基成分とする塩としてめっき液中に添加される。
この場合、塩を構成するアニオンとしては、有機スルホ
ン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロリン酸,ポ
リリン酸等の縮合リン酸、塩酸、次亜リン酸、有機カル
ボン酸、次亜リン酸などが好適であり、特にめっき液中
の上記酸成分と同様の酸とすることが好ましい。上記カ
チオンを含んだ塩として具体的には、ホウフッ化アンモ
ニウム塩、塩化アンモニウム塩、次亜リン酸アンモニウ
ム塩、次亜リン酸トリメチルアンモニウムクロライドな
どを例示することができる。These cation components are usually added to the plating solution as a salt containing these cations as a base component.
In this case, as the anion constituting the salt, condensed phosphoric acid such as organic sulfonic acid, perchloric acid, borofluoric acid, phosphoric acid, pyrophosphoric acid and polyphosphoric acid, hydrochloric acid, hypophosphorous acid, organic carboxylic acid, hypophosphorous acid An acid or the like is suitable, and it is particularly preferable to use the same acid as the above acid component in the plating solution. Specific examples of the salt containing the cation include ammonium borofluoride salt, ammonium chloride salt, ammonium hypophosphite salt, trimethylammonium hypophosphite chloride and the like.
【0018】本発明のめっき液を用いて無電解錫又は錫
・鉛合金めっきを行う場合、本発明めっき液に銅又は銅
合金等の被めっき物を浸漬することにより行われるが、
その際の温度は50〜90℃、特に60〜80℃とする
ことが好ましい。また、必要により撹拌を行うこともで
きる。なお、本発明のめっき液及びめっき方法は、プリ
ント配線板等の電子部品のめっきに好適に使用されるも
のであるが、その他の銅、銅合金などの無電解めっきに
も好適に使用し得るものである。When electroless tin or tin-lead alloy plating is performed using the plating solution of the present invention, it is carried out by immersing an object to be plated such as copper or copper alloy in the plating solution of the present invention.
The temperature at that time is preferably 50 to 90 ° C, particularly preferably 60 to 80 ° C. In addition, stirring can be performed if necessary. The plating solution and plating method of the present invention are preferably used for plating electronic components such as printed wiring boards, but can also be suitably used for electroless plating of other copper, copper alloys, etc. It is a thing.
【0019】[0019]
【実施例】以下、実施例,比較例を示して本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
【0020】[実施例]下記組成(1)〜(7)のめっ
き液を調製し、室温での経時変化を調べ、液の濁りを確
認することにより浴の安定性を評価した。結果を表1に
示す。[Example] A plating solution having the following compositions (1) to (7) was prepared, the change with time at room temperature was examined, and the turbidity of the solution was confirmed to evaluate the stability of the bath. The results are shown in Table 1.
【0021】次に、これらのめっき液に銅回路が形成さ
れたプリント配線テスト基板を70℃で6分間浸漬し
て、該基板の銅回路上に膜厚5μmの錫又は錫・鉛合金
めっき層を形成し、得られためっき皮膜の外観を目視に
より調べた。結果を表1に示す。Then, a printed wiring test board having a copper circuit formed thereon is dipped in these plating solutions at 70 ° C. for 6 minutes to form a tin or tin-lead alloy plating layer having a thickness of 5 μm on the copper circuit of the board. Was formed, and the appearance of the obtained plating film was visually inspected. The results are shown in Table 1.
【0022】更に、この基板をリフロー装置に仕込み、
210℃で15秒間処理し、めっき皮膜の外観を観察す
ることによりリフロー性を評価した。結果を表1に示
す。なお、上記浴安定性及びリフロー性の評価基準は下
記の通りである。めっき液組成 めっき液(1) メタンスルホン酸 30g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L メタンスルホン酸鉛 13g/L チオ尿素 75g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 80g/L クエン酸 15g/L EDTA 3g/L pH 1.5 めっき液(2) メタンスルホン酸アンモニウム塩 50g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L メタンスルホン酸鉛 13g/L チオ尿素 75g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 70g/L クエン酸 15g/L EDTA 3g/L pH 1.8 めっき液(3) ホウフッ化水素酸 20g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸アンモニウム塩 200g/L 次亜リン酸トリメチルアンモニウムクロライド 50g/L pH 1.0 めっき液(4) 塩化アンモニウム塩 60g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸メチルアミン塩 200g/L 次亜リン酸 50g/L pH 1.0 めっき液(5) 塩化化第一錫 20g/L 酢酸鉛 10g/L 次亜リン酸 200g/L チオ尿素 50g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 30g/L pH 0.9 めっき液(6) ホウフッ化第一錫 50g/L ホウフッ酸 200g/L チオ尿素 50g/L 次亜リン酸トリメチルアンモニウムクロライド 30g/L pH 0.8 めっき液(7) メタンスルホン酸 90g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L チオ尿素 120g/L 次亜リン酸 80g/L 次亜リン三トリメチルアンモニウムクロライド 40g/L pH 1.1 浴安定性及びリフロー性評価基準 ◎ 非常によい ○ よい △ やや不良 × 不良Further, this substrate is charged into a reflow apparatus,
Treat at 210 ° C for 15 seconds and observe the appearance of the plating film.
To evaluate the reflowability. The results are shown in Table 1.
You The evaluation criteria for bath stability and reflowability are as follows.
As described above.Plating solution composition Plating solution (1) Methanesulfonic acid 30 g / L Stannous methanesulfonate 20 g / L Lead methanesulfonate 13 g / L Thiourea 75 g / L Hypophosphorous ammonium salt 80 g / L Citric acid 15 g / L EDTA 3 g / L pH 1.5 Plating solution (2) Ammonium methanesulfonate 50g / L Stannous methanesulfonate 20g / L Lead methanesulfonate 13g / L Thiourea 75g / L Hypophosphite ammonium salt 70g / L Citric acid 15g / L EDTA 3 g / L pH 1.8 plating solution (3) borohydrofluoric acid 20 g / L stannous borofluoride 20 g / L lead borofluoride 50 g / L thiourea 80 g / L pyrophosphate ammonium salt 200 g / L hypochlorite Trimethylammonium Phosphate Chloride 50g / L pH 1.0 Plating Solution (4) Anion Chloride 60 g / L stannous borofluoride 20 g / L lead borofluoride 50 g / L thiourea 80 g / L methylamine pyrophosphate salt 200 g / L hypophosphorous acid 50 g / L pH 1.0 Plating solution (5) Chlorination Stannous 20 g / L Lead acetate 10 g / L Hypophosphorous acid 200 g / L Thiourea 50 g / L Hypophosphorous acid ammonium salt 30 g / L pH 0.9 Plating solution (6) Stannous borofluoride 50 g / L Hoofuf Acid 200 g / L Thiourea 50 g / L Hypophosphite trimethyl ammonium chloride 30 g / L pH 0.8 Plating solution (7) Methanesulfonic acid 90 g / L Stannous methanesulfonate 20 g / L Thiourea 120 g / L Hypoxia Phosphoric acid 80 g / L Hypophosphorous tritrimethylammonium chloride 40 g / L pH 1.1 Evaluation criteria for bath stability and reflowability ◎ Very good ○ Good △ Somewhat bad × Bad
【0023】[比較例]下記組成(8)〜(10)のめ
っき液を調製し、これらのめっき液に銅回路が形成され
たプリント配線テスト基板を70℃で6分間浸漬して、
該基板の銅回路上に膜厚5μmの錫又は錫・鉛合金めっ
き層を形成し、この基板をリフロー装置に仕込み、23
5℃で15秒間処理し、めっき皮膜の外観を観察するこ
とにより実施例と同様にリフロー性を評価した。また、
浴の安定性及びめっき皮膜の外観についても実施例と同
様に評価した。結果を表1に示す。めっき液組成 めっき液(8) メタンスルホン酸 70g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L メタンスルホン酸鉛 13g/L チオ尿素 75g/L 次亜リン酸ナトリウム 80g/L クエン酸 15g/L EDTA 3g/L pH 2.0 めっき液(9) ホウフッ化水素酸 20g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸 200g/L 次亜リン酸 50g/L 次亜リン酸ナトリウム 50g/L pH 0.5 めっき液(10) ホウフッ化水素酸 20g/L ホウフッ化水素酸ナトリウム 10g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸 200g/L 次亜リン酸ナトリウム 50g/L pH 0.9Comparative Example A plating solution having the following compositions (8) to (10) was prepared, and a printed wiring test board having a copper circuit formed thereon was immersed in these plating solutions at 70 ° C. for 6 minutes,
A tin or tin-lead alloy plating layer having a film thickness of 5 μm is formed on the copper circuit of the substrate, and the substrate is placed in a reflow apparatus.
The reflow property was evaluated in the same manner as in the examples by treating at 5 ° C. for 15 seconds and observing the appearance of the plating film. Also,
The stability of the bath and the appearance of the plating film were evaluated in the same manner as in the examples. The results are shown in Table 1. Plating solution composition Plating solution (8) Methanesulfonic acid 70g / L Stannous methanesulfonate 20g / L Lead methanesulfonate 13g / L Thiourea 75g / L Sodium hypophosphite 80g / L Citric acid 15g / L EDTA 3g / L pH 2.0 plating solution (9) borofluoric acid 20 g / L stannous borofluoride 20 g / L lead borofluoride 50 g / L thiourea 80 g / L pyrophosphoric acid 200 g / L hypophosphorous acid 50 g / L next Sodium phosphite 50 g / L pH 0.5 Plating solution (10) Boron hydrofluoric acid 20 g / L Sodium borofluoride 10 g / L Stannous borofluoride 20 g / L Lead borofluoride 50 g / L Thiourea 80 g / L Pyrophosphoric acid 200 g / L sodium hypophosphite 50 g / L pH 0.9
【0024】[0024]
【表1】 [Table 1]
【0025】表1の結果から明らかなように、本発明の
無電解錫又は錫・鉛合金めっき液によれば、析出粒子の
細かい均一なめっき皮膜を形成することができ、本発明
めっき液により、めっきしたプリント配線板はリフロー
性等に優れ、ファインピッチSMTにも十分に対応し得
ることが確認された。As is clear from the results shown in Table 1, the electroless tin or tin-lead alloy plating solution of the present invention can form a uniform plating film with fine deposited particles. It was confirmed that the plated printed wiring board was excellent in reflowability and the like, and was sufficiently compatible with fine pitch SMT.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の無電解錫
又は錫・鉛合金めっき液及びめっき方法によれば、析出
粒子が細かく、均一で、リフロー性に優れためっき皮膜
が得られ、SMT対応のファインピッチプリント配線板
へのめっきにも良好に対応し得る。As described above, according to the electroless tin or tin-lead alloy plating solution and plating method of the present invention, a plating film having fine and uniform deposited particles and excellent reflowability can be obtained. It is possible to satisfactorily support plating on fine pitch printed wiring boards compatible with SMT.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成4年7月8日[Submission date] July 8, 1992
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0017[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0017】これらカチオン成分は、通常これらカチオ
ンを塩基成分とする塩としてめっき液中に添加される。
この場合、塩を構成するアニオンとしては、有機スルホ
ン酸、過塩素酸、ホウフッ酸、リン酸、ピロリン酸,ポ
リリン酸等の縮合リン酸、塩酸、次亜リン酸、有機カル
ボン酸、次亜リン酸などが好適であり、特にめっき液中
の上記酸成分と同様の酸とすることが好ましい。上記カ
チオンを含んだ塩として具体的には、ホウフッ化アンモ
ニウム塩、塩化アンモニウム塩、次亜リン酸アンモニウ
ム塩、次亜リン酸テトラメチルアンモニウムなどを例示
することができる。These cation components are usually added to the plating solution as a salt containing these cations as a base component.
In this case, as the anion constituting the salt, condensed phosphoric acid such as organic sulfonic acid, perchloric acid, borofluoric acid, phosphoric acid, pyrophosphoric acid and polyphosphoric acid, hydrochloric acid, hypophosphorous acid, organic carboxylic acid, hypophosphorous acid An acid or the like is suitable, and it is particularly preferable to use the same acid as the above acid component in the plating solution. Specific examples of the salt containing the cation include ammonium borofluoride, ammonium chloride, ammonium hypophosphite, tetramethylammonium hypophosphite, and the like.
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0022】更に、この基板をリフロー装置に仕込み、
210℃で15秒間処理し、めっき皮膜の外観を観察す
ることによりリフロー性を評価した。結果を表1に示
す。なお、上記浴安定性及びリフロー性の評価基準は下
記の通りである。めっき液組成 めっき液(1) メタンスルホン酸 30g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L メタンスルホン酸鉛 13g/L チオ尿素 75g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 80g/L クエン酸 15g/L EDTA 3g/L pH 1.5 めっき液(2) メタンスルホン酸アンモニウム塩 50g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L メタンスルホン酸鉛 13g/L チオ尿素 75g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 70g/L クエン酸 15g/L EDTA 3g/L pH 1.8 めっき液(3) ホウフッ化水素酸 20g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸アンモニウム塩 200g/L 次亜リン酸テトラメチルアンモニウム 50g/L pH 1.0 めっき液(4) 塩化アンモニウム塩 60g/L ホウフッ化第一錫 20g/L ホウフッ化鉛 50g/L チオ尿素 80g/L ピロリン酸メチルアミン塩 200g/L 次亜リン酸 50g/L pH 1.0 めっき液(5) 塩化化第一錫 20g/L 酢酸鉛 10g/L 次亜リン酸 200g/L チオ尿素 50g/L 次亜リン酸アンモニウム塩 30g/L pH 0.9 めっき液(6) ホウフッ化第一錫 50g/L ホウフッ酸 200g/L チオ尿素 50g/L 次亜リン酸テトラメチルアンモニウム 30g/L pH 0.8 めっき液(7) メタンスルホン酸 90g/L メタンスルホン酸第一錫 20g/L チオ尿素 120g/L 次亜リン酸 80g/L 次亜リン酸テトラメチルアンモニウム 40g/L pH 1.1浴安定性及びリフロー性評価基準 ◎ 非常によい ○ よい △ やや不良 × 不良Further, this substrate is charged into a reflow device,
The reflow property was evaluated by treating at 210 ° C. for 15 seconds and observing the appearance of the plating film. The results are shown in Table 1. The evaluation criteria for the bath stability and reflow property are as follows. Plating solution composition Plating solution (1) Methanesulfonic acid 30 g / L Stannous methanesulfonate 20 g / L Lead methanesulfonate 13 g / L Thiourea 75 g / L Hypophosphorous acid ammonium salt 80 g / L Citric acid 15 g / L EDTA 3 g / L pH 1.5 Plating solution (2) Ammonium methanesulfonate 50 g / L Stannous methanesulfonate 20 g / L Lead methanesulfonate 13 g / L Thiourea 75 g / L Ammonium hypophosphite 70 g / L Citric acid 15 g / L EDTA 3 g / L pH 1.8 plating solution (3) borohydrofluoric acid 20 g / L stannous borofluoride 20 g / L lead borofluoride 50 g / L thiourea 80 g / L pyrophosphate ammonium salt 200 g / L hypophosphite tetramethylammonium 50 g / L pH 1.0 plating solution (4) A chloride Monium salt 60g / L Stannous borofluoride 20g / L Lead borofluoride 50g / L Thiourea 80g / L Methylamine pyrophosphate salt 200g / L Hypophosphorous acid 50g / L pH 1.0 Plating solution (5) Chlorination Stannous 20g / L Lead acetate 10g / L Hypophosphorous acid 200g / L Thiourea 50g / L Hypophosphorous ammonium salt 30g / L pH 0.9 Plating solution (6) Stannous borofluoride 50g / L Hoofuf Acid 200 g / L Thiourea 50 g / L Tetramethylammonium hypophosphite 30 g / L pH 0.8 Plating solution (7) Methanesulfonic acid 90 g / L Stannous methanesulfonate 20 g / L Thiourea 120 g / L Hypoxia phosphoric acid 80 g / L hypophosphite tetramethylammonium 40 g / L pH 1.1 bath stability and reflow criterion ◎ very good ○ There △ slightly bad × bad
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口1丁目5番1号 上村工 業株式会社中央研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Teruyuki Hotta 1-5-1, Exit Hirakata, Osaka Prefecture Central Research Institute, Uemura Industrial Co., Ltd. (72) Tohru Uetama 1-5 Exit, Hirakata, Osaka No. 1 Uemura Industrial Co., Ltd. Central Research Institute
Claims (2)
の混合物からなる金属塩成分と、酸と、チオ尿素又はチ
オ尿素誘導体と、還元剤とを含む無電解錫又は錫・鉛合
金めっき液において、アンモニアイオン及び/又は4級
アンモニウムイオンを含有することを特徴とする無電解
錫又は錫・鉛合金めっき液。1. Electroless tin or tin containing a metal salt component comprising a soluble stannous salt or a mixture of a stannous salt and a lead salt, an acid, a thiourea or thiourea derivative, and a reducing agent. The electroless tin or tin-lead alloy plating solution containing ammonia ions and / or quaternary ammonium ions in the lead alloy plating solution.
き物を浸漬して、該被めっき物上に錫又は錫・鉛合金め
っき膜を形成することを特徴とする無電解錫又は錫・鉛
合金めっき方法。2. An electroless tin or tin comprising immersing an object to be plated in the electroless plating solution according to claim 1 to form a tin or tin-lead alloy plating film on the object to be plated. -Lead alloy plating method.
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|---|---|---|---|
| JP3224944A JP2518118B2 (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Electroless tin or tin-lead alloy plating solution and electroless tin or tin-lead alloy plating method |
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| KR1019920011918A KR100221260B1 (en) | 1991-07-04 | 1992-07-04 | Bath and method for the electroless plating of tin and tin-lead alloy |
| DE69215014T DE69215014T2 (en) | 1991-07-04 | 1992-07-06 | Bath and method for electroless plating with tin or tin-lead alloy |
| EP92306195A EP0521738B1 (en) | 1991-07-04 | 1992-07-06 | Bath and method for the electroless plating of tin and tin-lead alloy |
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| JPH0544049A true JPH0544049A (en) | 1993-02-23 |
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| JP3224944A Expired - Lifetime JP2518118B2 (en) | 1991-07-04 | 1991-08-09 | Electroless tin or tin-lead alloy plating solution and electroless tin or tin-lead alloy plating method |
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|---|---|
| JP (1) | JP2518118B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006057116A (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Ishihara Chem Co Ltd | Electroless tin plating bath |
| JP2007503115A (en) * | 2003-08-19 | 2007-02-15 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
| WO2007110621A3 (en) * | 2006-03-25 | 2008-02-28 | Ionic Polymer Solutions Ltd | Quaternary ammonium compounds and their uses |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3224944A patent/JP2518118B2/en not_active Expired - Lifetime
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| WO2007110621A3 (en) * | 2006-03-25 | 2008-02-28 | Ionic Polymer Solutions Ltd | Quaternary ammonium compounds and their uses |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2518118B2 (en) | 1996-07-24 |
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