JPH054467U - エツチング終点検出装置 - Google Patents

エツチング終点検出装置

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JPH054467U
JPH054467U JP5663591U JP5663591U JPH054467U JP H054467 U JPH054467 U JP H054467U JP 5663591 U JP5663591 U JP 5663591U JP 5663591 U JP5663591 U JP 5663591U JP H054467 U JPH054467 U JP H054467U
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JP
Japan
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end point
holding
etching end
detection probe
etching
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Pending
Application number
JP5663591U
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English (en)
Inventor
純一 町田
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Kokusai Denki Electric Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】プラズマによりウェーハをエッチング処理する
ウェーハ処理装置で、プラズマの発生状態が変動しても
最適条件でエッチング終点を判断する。 【構成】真空容器1に穿設した監視窓11を石英製の窓
板12で気密に閉塞し、該監視窓に対して、検出プロー
ブ9を保持した保持部材17,24を可動可能に設け、
種々の要因でプラズマの発生状態が変動しても、保持部
材の移動により、最適位置でスペクトル検出を行い、エ
ッチング終点を判断する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体製造装置の1つであるドライエッチング装置に設けられるエ ッチング終点検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程の1つにシリコンウェーハ表面上に形成された薄膜の全面、或 は特定部分をプラズマエッチングする工程がある。
【0003】 プラズマエッチングした場合、エッチングされる物質に特有のスペクトルが発 生するが、このスペクトルの発光強度の変化を監視することで薄膜のエッチング が完了したかどうかを判別することができる。
【0004】 従来のエッチング終点検出装置を図4、図5に於いて説明する。
【0005】 真空容器1には電極を兼ねるウェーハ置台2が設けられ、又該真空容器1には ガス導入系3及び真空ポンプ4が連通されている。前記真空容器1と前記ウェー ハ置台2には高周波電源5が接続してある。前記ウェーハ置台2にウェーハ6が 載置され、該ウェーハ6は前記ガス導入系3から反応ガスが供給されている状態 で、真空容器1、ウェーハ置台2間に高周波電力を印加し、プラズマ7を発生さ せることによってエッチングされる。
【0006】 従来のエッチング検出装置8は、図5に示される様に検出プローブ9が固定フ ランジ10に保持され、該固定フランジ10を介して前記真空容器1に固定され る。該真空容器1には前記検出プローブ9と同一軸心上に監視窓11が穿設され 、該監視窓11は石英製の窓板12によって気密に閉塞してある。
【0007】 前記検出プローブ9は発生したプラズマ7の所定のスペクトルを検出し、検出 されたスペクトルは光ファイバ13によって導かれ、光電変換器14で電気信号 に変換され、判別回路15によってスペクトルの強弱を検出し、該スペクトルの 強さの変化でエッチング終点を検出する様になっている。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
前記プラズマは、処理条件、例えば圧力、電力が変わった場合等により発生状 態が変動する。この発生状態によりスペクトル検出の最適位置も変動する。又、 エッチング装置の中には、電極(ウェーハ置台)2の位置を変更するものがある が、電極が移動した場合もプラズマの発生状態が変化するので、やはり、スペク トル検出の最適位置が変化する。
【0009】 ところが上記した従来のエッチング終点検出装置では、検出プローブ9は位置 調整ができない構成であるので、プラズマの発生状態が変動した場合に、最適な 検出位置となっていない場合がある。この為、処理条件によっては、充分なスペ クトル強度得られず、検出精度が低下する等の不具合があった。
【0010】 本考案は上記実情に鑑み、プラズマの発生状態が変動した場合にも最適な位置 でプラズマを監視し得る様にしたものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
真空容器に穿設した監視窓を石英製の窓板で気密に閉塞し、該監視窓に対して 、検出プローブを保持した保持部材を可動可能に設けたことを特徴とするもので ある。
【0012】
【作用】
プラズマは、種々の要因で発生状態が変動し、スペクトル検出の最適位置が変 化するが、保持部材の移動により、最適位置のスペクトル検出を行って、エッチ ング終点を判断する。
【0013】
【実施例】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【0014】 尚、図1、図2中、図4、図5中で示したものと同一のものには、同符号を付 してある。
【0015】 監視窓11の開口径を検出プローブ9位置調整幅以上とし、該監視窓11には Oリング27を介して窓板12を気密に設ける。該窓板12の押板を兼ねる回転 保持板17を押えリング18により真空容器1に取付ける。
【0016】 前記回転保持板17は周面に嵌合溝19を刻設してあり、該回転保持板17の 軸心と平行で且該回転保持板17の中心から所要量偏心した位置に、検出プロー ブ9を挿通保持せしめる。又、前記押えリング18は2分割構成であり、該押え リング18の内周縁には前記嵌合溝19と嵌合する環突条20を形成する。而し て、該環突条20を前記嵌合溝19に嵌合させた状態で前記真空容器1に取付け ることで、前記回転保持板17を回転可能とし、該回転保持板17を回転させる ことで前記検出プローブ9を回転保持板の軸心を中心に回転させることができる 。
【0017】 図中、21は検出プローブ固定用の止螺子である。
【0018】 本実施例に於いて、プラズマの発生状態が変化して、スペクトル検出適正位置 が変化すると、前記回転保持板17を回転させ、前記検出プローブ9を上下方向 に移動させ該検出プローブ9をスペクトル検出適正位置に合致させる。
【0019】 而して、プラズマの発生状態が変化しても最適な状態でスペクトル検出を行え 、精度の高いエッチング終点検出を行うことができる。
【0020】 次に、図3は他の実施例を示すものである。
【0021】 前記押えリング18の代りにスライドガイド22を前記真空容器1に取付ける 。該スライドガイド22には上下方向に伸びるスライド溝23を設け、該スライ ド溝23にスライド保持ブロック24を摺動自在に嵌設する。該スライド保持ブ ロック24にスクリューシャフト25を回転自在に連結し、該スクリューシャフ ト25は前記スライドガイド22を上方に螺通せしめる。前記スライド保持ブロ ック24には特に図示していないが、前記検出プローブ9を保持させる。
【0022】 而して、本実施例に於いて、前記スクリューシャフト25を回転することで、 前記検出プローブ9を上下方向に位置調整することができる。
【0023】 図3中、26は検出プローブ9位置固定用のロックナットである。
【0024】
【考案の効果】
以上述べた如く本考案によれば、検出プローブの位置を連続的に変化させ得る 様にしたので、スペクトル検出適正位置に精度よく合致させることが可能で、エ ッチング終点検出の精度の向上、即ちウェーハの処理精度の向上、製品の均質化 の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示す分解斜視図である。
【図2】同前一実施例の断面図である。
【図3】本考案の他の実施例を示す斜視説明図である。
【図4】従来例の説明図である。
【図5】該従来例の断面図である。
【符号の説明】
1 真空容器 9 検出プローブ 11 監視窓 12 窓板 17 回転保持板 24 スライド保持ブロック 25 スクリューシャフト

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器に穿設した監視窓を石英製の窓
    板で気密に閉塞し、該監視窓に対して、検出プローブを
    保持した保持部材を可動可能に設けたことを特徴とする
    エッチング終点検出装置。
  2. 【請求項2】 保持部材を回転可能な回転保持板とし、
    該回転保持板の偏心位置に検出プローブを設けたエッチ
    ング終点検出装置。
  3. 【請求項3】 保持部材をスライド可能な保持ブロック
    とし、該保持ブロックに検出プローブを設けると共にス
    クリューシャフトを連結し、該スクリューシャフトの回
    転で前記保持ブロックを移動可能としたエッチング終点
    検出装置。
JP5663591U 1991-06-25 1991-06-25 エツチング終点検出装置 Pending JPH054467U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010650A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Advanced Display Process Engineering Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011103387A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置及び半導体処理方法
KR101347928B1 (ko) * 2012-08-23 2014-01-09 고려대학교 산학협력단 종료점 검출 포트 및 이를 갖는 종료점 검출 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196906A (ja) * 1988-07-28 1990-08-03 Applied Materials Inc Ic処理をモニター及び制御するレーザ干渉計装置及び方法

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