JPH0544800Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はサイクロトロンで加速した荷電粒子を
ビーム輸送装置を通してターゲツト材料に照射
し、PIXE試験を行う試験装置に関する。

（従来の技術） 一般に小型サイクロトロンは第３図の縦断面
図、第４図の横断面図に示すように、上下に対向
しているヨーク２，３と励磁コイル４，５よりな
る電磁石の対向する磁極間に水平に加速空間１を
設け、磁極の中心部にイオン源６を設けてある。
加速空間１には水平面で上下に対向している２組
の同形の扇形状の電極７，７及び８，８をそれぞ
れ中心点に対して対称でかつ水平に配置し、これ
らの電極７，８には周波数の発振器９からの高
周波電圧をそれぞれRFフアイナルアンプ１０、
フイーダー１１を介して印加してある。

また加速空間１は真空ポンプ１８，１９で真空
にしてあり、励磁コイル４，５は可変直流電源２
５で励磁されている。

このような構造のサイクロトロンでイオン源６
から放出された荷電粒子は励磁コイル４，５で励
磁されている磁極間の加速空間１内を磁場で拘束
され、電極７，８によりRF電界で加速されて渦
巻状の運動をし、最終的には偏向デクレター１４
で荷電粒子ビーム１５を取出し口１６に誘導す
る。

この場合荷電粒子ビーム１５の速度は電極７，
８に印加するRF電圧の周波数と、この場合に必
要な励磁コイル４，５の励磁電流の調節により適
宜に選ぶことが出来る。

取り出し口１６の外部には荷電粒子ビーム１５
を輸送するビーム輸送装置１７が設けてあり、荷
電粒子ビーム１５はビーム輸送装置１７を通つて
PIXE試験装置のPIXEチエンバー２０内のター
ゲツトに照射してPIXE試験を行つていた。

この場合、ターゲツトによつて荷電粒子ビーム
１５の所要ビーム径が異なる場合はPIXEチエン
バーの入口のスリツト系を交換して所要のビーム
径を得ていた。

（考案が解決しようとする問題点） 上述のように荷電粒子ビーム１５で照射する場
合、荷電粒子ビーム径の調節の際にはPIXEチエ
ンバー２０の入口のスリツト系を分解して所要の
直径のスリツト板と交換し、完全に芯合わせを行
つてから固定し、スリツト系を組み立てていた。

この交換作業は多くの手間が必要であるうえ熟
練した技術も必要である。

（問題点を解決するための手段） 本考案は上述の問題を解決して、所要直径のス
リツト交換が容易に出来るスリツト装置を提供す
ることを目的とする。

即ちPIXEチエンバー２０の入口に設けたスリ
ツト装置にはPIXEチエンバー２０の内側から着
脱可能なスリツト収納箱２２と、このスリツト収
納箱２２の内部に挿入するスリツトカセツト２６
とを設け、前記スリツト収納箱２２には内面にＸ
線遮蔽用の鉛板２３，２４を密着させて設けてあ
り、前記スリツトカセツト２６は同じ外径及び内
径の２本の円筒２７，２８が中央部分で連結され
て１本の円筒を形成した外筒と、この外筒の両端
及び中央の連結部分に設けた３枚のスリツト板２
９，２９，３０よりなるものである。

（作用） 上述のようにスリツト交換は既に芯合わせが完
了しているスリツトカセツト単位で交換するの
で、その都度スリツトの芯合わせを必要とせず、
交換作業も簡単である。

（実施例） 第１図は本考案のスリツト装置の、イ示は側面
図（半断面図）、ロ示は平面図（半断面図）、ハ示
はＡ−Ａ断面図、第２図のイ示はスリツトカセツ
トの側面図（半断面図）、ロ示は正面図である。

PIXEチエンバー２０は荷電粒子ビーム１５の
入口に設けたリング２１に、PIXEチエンバー２
０の内側からスリツト収納箱２２が取付けてあ
る。スリツト収納箱２２はハ示のＡ−Ａ断面図の
ように外側には上面開放の筐体２２−１と、上蓋
２２−２と、前記PIXEチエンバー２０のリング
２１側にはフランジ２２−３と、このフランジ２
２−３と反対の端面には中央に丸穴の開いた後蓋
２２−４とで角筒状の箱を形成してある。前記筐
体２２−１の内側には鉛板２３（内筐体）が、上
蓋２２−２の内側には鉛板２４（内蓋）がそれぞ
れに固定してある。このスリツト収納箱２２はフ
ランジ２２−３の環状段差２２−５で位置決めし
て、ボルト３１で前記リング２１に固定される。

スリツト収納箱２２に収納するスリツトカセツ
ト２６は第２図示のように同じ外径及び同じ内径
の第１の円筒Ｎ７及び第２の円筒２８よりなり、
この２本の円筒は例えばねじ込み手段等で連結し
て１本の外筒を形成している。この１本の外筒の
両端には中央に丸穴が開いている円形の端面スリ
ツト板２９がそれぞれねじで第１及び第２の円筒
２７，２８に固定してある。中央の第１及び第２
の円筒２７，２８のねじ込み位置には端面スリツ
ト板２９の中央の丸穴と同じ直径の丸穴の開いた
中央スリツト板３０が第１及び第２の円筒２７，
２８で挟持されている。これら３枚のスリツト板
２９，２９，３０は円筒の中心軸に垂直であり、
かつ中央の丸穴は同じ内径で、不用Ｘ線の発生の
少ないグラフアイトで作つてある。

また上記中央の穴径は必要とする各種の穴径の
ものでそれぞれスリツトカセツト２６が作られて
あり、必要な穴径のものを選択使用出来るように
してある。

上記スリツトカセツト２６を前記スリツト収納
箱２２の鉛板２３（内筐体）、鉛板２４（内蓋）
で形成される内側の角筒部分に前面から挿入し、
スリツト収納箱２２のフランジ２２−３をねじ２
５でPIXEチエンバー２０のリング２１に内側か
ら固定する。

（考案の効果） 上述のようにターゲツトにより必要とする穴径
のスリツトカセツト２６を選択してスリツト収納
箱２２に挿入して取付けるだけで、この際技術を
要するスリツト板の芯合わせは必要ないので、交
換作業が容易でかつ短時間で終了することが出来
る。

また鉛板２３（内筐体）及び鉛板２４（内蓋）
のために荷電粒子が衝突して内部で発生したＸ線
は遮蔽してあるので、Ｘ線によるノイズを防除す
ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のスリツト装置の、イ示は側面
図（半断面図）、ロ示は平面図（半断面図）、ハ示
はイ示のＡ−Ａ断面図、第２図はスリツトカセツ
トの、イ示は側面図（半断面図）、ロ示は正面図、
第３図はサイクロトロンの縦断面図、第４図は同
じく横断面図である。 ２０……PIXEチエンバー、２１……リング、
２２……スリツト収納箱、２３……鉛板（内筐
体）、２４……鉛板（内蓋）、２６……スリツトカ
セツト、２７……第１の円筒、２８……第２の円
筒、２９……端面スリツト板、３０……中央スリ
ツト板、３１……ボルト。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. サイクロトロンの荷電粒子ビームでターゲツト
   を照射しPIXE試験を行うPIXE試験装置におい
   て、PIXEチエンバーの入口に設けたスリツト装
   置にはPIXEチエンバーの内側から着脱可能なス
   リツト収納箱と、このスリツト収納箱の内部に挿
   入するスリツトカセツトとを設け、前記スリツト
   収納箱には内面にＸ線遮蔽用の鉛板を密着させて
   設けてあり、前記スリツトカセツトは同じ外径及
   び内径の２本の円筒が中央部分で連結されて１本
   の円筒を形成した外筒と、この外筒の両端及び中
   央の連結部分に設けた３枚のスリツト板よりなる
   ことを特徴とするPIXEチエンバーのスリツト装
   置。