JPH0545514A - 多層干渉パターンの形成方法 - Google Patents
多層干渉パターンの形成方法Info
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- JPH0545514A JPH0545514A JP20585691A JP20585691A JPH0545514A JP H0545514 A JPH0545514 A JP H0545514A JP 20585691 A JP20585691 A JP 20585691A JP 20585691 A JP20585691 A JP 20585691A JP H0545514 A JPH0545514 A JP H0545514A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多層干渉膜の表面を欠陥少なく、最終表面が平
坦に形成することを目的としている。 【構成】まず、ガラス基板（１）の上にＳｉＯ2の真空
蒸着膜（２）を施す。次にレジストパターン（３ａ）を
形成した後は、図１２に示す出来上がったカラーフィル
ターの表面が平坦になるように予め最大膜厚の多層干渉
膜から最小膜厚（ここでは３色目の青色透過フィルター
膜厚）を差し引いた膜厚分だけドライエッチングにより
ＳｉＯ2蒸着膜を異方性エッチングする。１色目の多層
干渉フィルターとして緑色透過フィルターとなる緑色低
温蒸着層１．９４μｍ（４）を、図３に示すようにベタ
に形成する。１色目の緑色透過フィルターパターンの非
形成部をレジストにより、図４に示すようにリフトオフ
する。以上の工程を２色目３色目各々繰返して図１２に
示す様な表面が平坦なカラーフィルターを形成する。
坦に形成することを目的としている。 【構成】まず、ガラス基板（１）の上にＳｉＯ2の真空
蒸着膜（２）を施す。次にレジストパターン（３ａ）を
形成した後は、図１２に示す出来上がったカラーフィル
ターの表面が平坦になるように予め最大膜厚の多層干渉
膜から最小膜厚（ここでは３色目の青色透過フィルター
膜厚）を差し引いた膜厚分だけドライエッチングにより
ＳｉＯ2蒸着膜を異方性エッチングする。１色目の多層
干渉フィルターとして緑色透過フィルターとなる緑色低
温蒸着層１．９４μｍ（４）を、図３に示すようにベタ
に形成する。１色目の緑色透過フィルターパターンの非
形成部をレジストにより、図４に示すようにリフトオフ
する。以上の工程を２色目３色目各々繰返して図１２に
示す様な表面が平坦なカラーフィルターを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は基板上に多層干渉膜か
らなるパターン、とりわけ色分解フィルターパターン等
の様な薄膜パターンの製造方法に関する。
らなるパターン、とりわけ色分解フィルターパターン等
の様な薄膜パターンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より撮像管や固体撮像素子などの撮
像デバイスの分野では、撮像デバイスのマルチカラー化
の手段として色分解フィルターが使用されている。この
色分解フィルターとして樹脂の染色による有機物タイプ
と多層干渉膜による無機物タイプとが主に実用化されて
いる。後者は前者に比べて製造費用が大きくなる傾向が
あるものの、高い透過率特性を有する他、耐候性や耐光
性等の耐環境特性において優れている。
像デバイスの分野では、撮像デバイスのマルチカラー化
の手段として色分解フィルターが使用されている。この
色分解フィルターとして樹脂の染色による有機物タイプ
と多層干渉膜による無機物タイプとが主に実用化されて
いる。後者は前者に比べて製造費用が大きくなる傾向が
あるものの、高い透過率特性を有する他、耐候性や耐光
性等の耐環境特性において優れている。
【０００３】一方、各種撮像デバイスは、必要とする画
像の高精細度化が進むにつれて、デバイス自体の高精細
度化ひいてはそれに使用する色分解フィルターの高精細
度化の要求を高め、具体的に使用されている色分解フィ
ルターの画素パターンサイズの微細化が求められてい
る。
像の高精細度化が進むにつれて、デバイス自体の高精細
度化ひいてはそれに使用する色分解フィルターの高精細
度化の要求を高め、具体的に使用されている色分解フィ
ルターの画素パターンサイズの微細化が求められてい
る。
【０００４】無機物タイプの色分解フィルターは従来よ
りリフトオフ方式で作られることが多くその主な理由
は、多層干渉膜のエッチングが生産上の障害となってい
た。一般に使用されるリフト材としては、膜付け、パタ
ーニング、リフトオフの容易さと多層干渉膜の膜付け時
の加熱工程への適合性を考慮してＣｕなどの金属が一般
的であった。しかるに、上述したように色分解フィルタ
ーの微細化が求められるようになると、間接的にパター
ン形状が決まる金属リフト材のリフトオフ方式では形状
や欠陥頻度の面で実用的な性能を得ることは困難になっ
てきた。
りリフトオフ方式で作られることが多くその主な理由
は、多層干渉膜のエッチングが生産上の障害となってい
た。一般に使用されるリフト材としては、膜付け、パタ
ーニング、リフトオフの容易さと多層干渉膜の膜付け時
の加熱工程への適合性を考慮してＣｕなどの金属が一般
的であった。しかるに、上述したように色分解フィルタ
ーの微細化が求められるようになると、間接的にパター
ン形状が決まる金属リフト材のリフトオフ方式では形状
や欠陥頻度の面で実用的な性能を得ることは困難になっ
てきた。
【０００５】リフト材を金属ではなく、樹脂で形成する
事は考慮されなかった。この一因として、樹脂は回転塗
布装置等により一旦全面に形成して後露光現像してパタ
ーン化するのが一般的だが、表面に凹凸が存在すると、
その凹凸により回転塗布時塗布むらが発生し、均一な塗
布が困難となることがある。
事は考慮されなかった。この一因として、樹脂は回転塗
布装置等により一旦全面に形成して後露光現像してパタ
ーン化するのが一般的だが、表面に凹凸が存在すると、
その凹凸により回転塗布時塗布むらが発生し、均一な塗
布が困難となることがある。
【０００６】また、腐食（ウェットエッチング）法によ
り同様の色分解フィルターを形成する技術もあった。し
かしその場合には、まず、 基板上の全面に色分解フィル
ターとなるベタの多層干渉膜を形成し、その多層干渉膜
のパターン形成部の上にレジストを形成する。次いで、
多層干渉膜を溶かし去るエッチング液を用いて、レジス
トが載っていない部分、 すなわちパターン形成部の多層
干渉膜を除去し、さらにレジストを溶かし去るエッチン
グ液を用いてパターン形成部の多層干渉膜の上に形成さ
れているレジストも除去し、色分解フィルターのパター
ンを得ていく方法であり、最もオーソドックスな方法で
あるが、重なった膜のうち一つの膜のみをパターン除去
するときに通常の方法では重なった膜のうち他の膜まで
エッチングされる等の多くの問題を抱えている。
り同様の色分解フィルターを形成する技術もあった。し
かしその場合には、まず、 基板上の全面に色分解フィル
ターとなるベタの多層干渉膜を形成し、その多層干渉膜
のパターン形成部の上にレジストを形成する。次いで、
多層干渉膜を溶かし去るエッチング液を用いて、レジス
トが載っていない部分、 すなわちパターン形成部の多層
干渉膜を除去し、さらにレジストを溶かし去るエッチン
グ液を用いてパターン形成部の多層干渉膜の上に形成さ
れているレジストも除去し、色分解フィルターのパター
ンを得ていく方法であり、最もオーソドックスな方法で
あるが、重なった膜のうち一つの膜のみをパターン除去
するときに通常の方法では重なった膜のうち他の膜まで
エッチングされる等の多くの問題を抱えている。
【０００７】特に色分解フィルターの場合、パターン形
成後の後工程としてＳｉＯ2 厚膜コート→研磨用保護コ
ート→研磨→研磨用保護コート剥離→再度のＳｉＯ2 厚
膜コートの工程によるＳi Ｏ2 保護コートを作成するこ
とが必要とされる。この工程においてフィルターの凹凸
・段差が製品の不良を起こす原因となる。
成後の後工程としてＳｉＯ2 厚膜コート→研磨用保護コ
ート→研磨→研磨用保護コート剥離→再度のＳｉＯ2 厚
膜コートの工程によるＳi Ｏ2 保護コートを作成するこ
とが必要とされる。この工程においてフィルターの凹凸
・段差が製品の不良を起こす原因となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の金属リフト材に
おいては、ウェットエッチングの特徴である等方性エッ
チングによる微細化の問題、多層干渉膜（０．１〜５．
０μｍ）をリフトオフするのに必要な厚膜化の問題、リ
フトオフ時間が長い為に起こる欠陥、膜欠陥・異物・付
着力のコントロールの問題、液疲労等の液管理、工程が
進むにつれて表面の凹凸に対応していかなければならな
い等の各種問題解決が望まれる。
おいては、ウェットエッチングの特徴である等方性エッ
チングによる微細化の問題、多層干渉膜（０．１〜５．
０μｍ）をリフトオフするのに必要な厚膜化の問題、リ
フトオフ時間が長い為に起こる欠陥、膜欠陥・異物・付
着力のコントロールの問題、液疲労等の液管理、工程が
進むにつれて表面の凹凸に対応していかなければならな
い等の各種問題解決が望まれる。
【０００９】ドライエッチングやプラズマ処理のないレ
ジストでは、上記金属リフト材のような問題は小さいも
のの多層干渉膜の真空蒸着においてレジストパターンの
耐性に問題があり、パターンのだれ・膨張及び基板への
絶対的な付着力不足による剥離等により形状不良やレジ
ストパターン形成部への多層干渉膜付着、いわゆる混色
不良や部分的な欠陥不良を生んでいた。また、付着力が
大きすぎる場合は、リフトオフ時間が長くなったり、レ
ジスト残滓の発生等の問題が生じていた。
ジストでは、上記金属リフト材のような問題は小さいも
のの多層干渉膜の真空蒸着においてレジストパターンの
耐性に問題があり、パターンのだれ・膨張及び基板への
絶対的な付着力不足による剥離等により形状不良やレジ
ストパターン形成部への多層干渉膜付着、いわゆる混色
不良や部分的な欠陥不良を生んでいた。また、付着力が
大きすぎる場合は、リフトオフ時間が長くなったり、レ
ジスト残滓の発生等の問題が生じていた。
【００１０】腐食法によるパターン形成方法では、多層
干渉膜と基板あるいはレジストとの密着性が悪い場合に
は、その間にエッチング液が浸み込み、パターニング精
度が著しく低下する。また、ウェットエッチングは等方
性エッチングなのでアンダーカットによっても低下す
る。
干渉膜と基板あるいはレジストとの密着性が悪い場合に
は、その間にエッチング液が浸み込み、パターニング精
度が著しく低下する。また、ウェットエッチングは等方
性エッチングなのでアンダーカットによっても低下す
る。
【００１１】特に干渉膜が色分解フイルターの場合、先
に形成された色分解フィルターは後の色分解フィルター
形成の都度に新にエッチング液やレジスト現像液にさら
されることになり、先に形成された色分解フィルターが
エッチング液やレジスト現像液により損傷を受ける割合
が多くなる。
に形成された色分解フィルターは後の色分解フィルター
形成の都度に新にエッチング液やレジスト現像液にさら
されることになり、先に形成された色分解フィルターが
エッチング液やレジスト現像液により損傷を受ける割合
が多くなる。
【００１２】色分解フィルターのパターン形成後の後処
理工程として耐光性・耐候性・耐水性の保護膜（主にＳ
ｉＯ2等）が、キズ・汚れ等の表面保護、可視長波長で
の水分による分光シフト防止及び撮像管に組み込んだ場
合のリーク現象防止の役割と共に必要とされるが、これ
らの困った問題は表面の凹凸、特に５０００オングスト
ローム以上の段差が大きい製品ほど顕著に現れる。この
他、段差が原因と思われる不良に保護膜生成時のクラッ
クや、画素上のニュートンリング、或は部分的な汚れや
パターンエッヂ部のオーバーラップにより特に斜光にお
いてフィルター表面がざらついて見える等の各種不良が
ある。これらの各種問題は、数μｍオーダー以下の微細
パターンにおいて顕著に現れる現象である。
理工程として耐光性・耐候性・耐水性の保護膜（主にＳ
ｉＯ2等）が、キズ・汚れ等の表面保護、可視長波長で
の水分による分光シフト防止及び撮像管に組み込んだ場
合のリーク現象防止の役割と共に必要とされるが、これ
らの困った問題は表面の凹凸、特に５０００オングスト
ローム以上の段差が大きい製品ほど顕著に現れる。この
他、段差が原因と思われる不良に保護膜生成時のクラッ
クや、画素上のニュートンリング、或は部分的な汚れや
パターンエッヂ部のオーバーラップにより特に斜光にお
いてフィルター表面がざらついて見える等の各種不良が
ある。これらの各種問題は、数μｍオーダー以下の微細
パターンにおいて顕著に現れる現象である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、この発明は、基板上に多層干渉膜のパターンを形
成する方法において、まずＳｉＯ2膜を真空蒸着した
後、パターン非形成部にレジストをパターニングし、最
大で多層干渉膜厚分だけドライエッチングする。これに
多層干渉膜を全面に真空蒸着、しかる後これをリフトオ
フ法にて所望のパターンを２度以上繰り返すことを特徴
とする多層干渉膜パターンの形成方法を提供する。
ため、この発明は、基板上に多層干渉膜のパターンを形
成する方法において、まずＳｉＯ2膜を真空蒸着した
後、パターン非形成部にレジストをパターニングし、最
大で多層干渉膜厚分だけドライエッチングする。これに
多層干渉膜を全面に真空蒸着、しかる後これをリフトオ
フ法にて所望のパターンを２度以上繰り返すことを特徴
とする多層干渉膜パターンの形成方法を提供する。
【００１４】多層干渉膜の蒸着層は、公知の通常蒸着、
スパッタリング蒸着等の蒸着法により所定の膜厚の高屈
折率層と低屈折率層とを交互に多数積層することにより
形成できるが、その蒸着温度を約１５０°Ｃとする低温
蒸着法により形成することが好ましい。これにより蒸着
温度を約３００°Ｃとする通常蒸着法に比してレジスト
パターンの欠陥発生に対する影響を少なくすることが出
来る。
スパッタリング蒸着等の蒸着法により所定の膜厚の高屈
折率層と低屈折率層とを交互に多数積層することにより
形成できるが、その蒸着温度を約１５０°Ｃとする低温
蒸着法により形成することが好ましい。これにより蒸着
温度を約３００°Ｃとする通常蒸着法に比してレジスト
パターンの欠陥発生に対する影響を少なくすることが出
来る。
【００１５】また、イオンアシスト蒸着による多層干渉
膜形成によりイオンを照射しながら形成される膜はイオ
ンの持つエネルギーによって、結合の弱い部分がスパッ
タされたり、表面が押し固められたりする。これにより
膜の充填密度を高める事が出来、その結果、硬度、強
度、湿度による分光シフト等による経時変化、残留応
力、高屈折率の膜を低温で作ることができる等の特性改
善ができる。
膜形成によりイオンを照射しながら形成される膜はイオ
ンの持つエネルギーによって、結合の弱い部分がスパッ
タされたり、表面が押し固められたりする。これにより
膜の充填密度を高める事が出来、その結果、硬度、強
度、湿度による分光シフト等による経時変化、残留応
力、高屈折率の膜を低温で作ることができる等の特性改
善ができる。
【００１６】さらに、低温イオンアシスト蒸着では、以
上の説明の低温蒸着とイオンアシスト蒸着の効果の相乗
が期待できる。
上の説明の低温蒸着とイオンアシスト蒸着の効果の相乗
が期待できる。
【００１７】
【作用】上記の形成方法を用いる事により、最終的に表
面を平坦になる。
面を平坦になる。
【００１８】それにより多層干渉パターンが次々に生成
されるに伴って表面の凹凸部や溝等、表面形状が複雑に
なってもレジストはスピンコート法で供給可能なので柔
軟に対応できスパッタやイオンプレーティングによる金
属膜のようにパターン側壁にできる膜質の粗い所やクラ
ック等がないため部分的に弱い所がなく一様である。し
かも、塗布後の表面は平坦であり次工程のレジストパタ
ーン形成に障害とならない。
されるに伴って表面の凹凸部や溝等、表面形状が複雑に
なってもレジストはスピンコート法で供給可能なので柔
軟に対応できスパッタやイオンプレーティングによる金
属膜のようにパターン側壁にできる膜質の粗い所やクラ
ック等がないため部分的に弱い所がなく一様である。し
かも、塗布後の表面は平坦であり次工程のレジストパタ
ーン形成に障害とならない。
【００１９】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。
説明する。
【００２０】図１乃至図１２は、緑色透過フィルター、
赤色透過フィルター、青色透過フィルターの３種の色分
解フィルターパターンをガラス基板の上に２次元的に配
列したカラーフィルターをこの発明の多層干渉パターン
の形成方法により製造する場合の製造工程を順に表わし
ている。
赤色透過フィルター、青色透過フィルターの３種の色分
解フィルターパターンをガラス基板の上に２次元的に配
列したカラーフィルターをこの発明の多層干渉パターン
の形成方法により製造する場合の製造工程を順に表わし
ている。
【００２１】すなわち、この方法においては、まず、ガ
ラス基板（１）の上にＳｉＯ2の真空蒸着膜（２）を施
す。このとき、イオン銃とニュートラライザーの併用に
より、よりよい多層膜質が得られる。イオン銃の条件と
してはイオン化ガスとしてＡｒ＋１０％Ｏ2を使用し３
ＳＣＣＭの流量で加速電圧０．５ＫＶ、加速電流６０ｍ
Ａで蒸着する。
ラス基板（１）の上にＳｉＯ2の真空蒸着膜（２）を施
す。このとき、イオン銃とニュートラライザーの併用に
より、よりよい多層膜質が得られる。イオン銃の条件と
してはイオン化ガスとしてＡｒ＋１０％Ｏ2を使用し３
ＳＣＣＭの流量で加速電圧０．５ＫＶ、加速電流６０ｍ
Ａで蒸着する。
【００２２】その後１色目多層干渉フィルターパターン
の非形成部をレジストパターニングしレジストパターン
（３ａ）を、図１に示すように形成する。この場合、レ
ジストパターン（３ａ）に使用するレジストとしては、
高解像度を持ち、粘度が比較的高く厚膜が可能な物で、
ドライエッチングやプラズマ処理（ＲＩＥ等を含む）の
際にも形状が安定で好適に使用できる耐熱性ポジ型レジ
ストを使用することが好ましい。例えば、約１３０℃ま
での加熱に耐え得るＦＨ５６００Ｆ（富士ハント社製）
を使用することができ、これをスピンコート法により塗
布・パターンニングし膜厚４. ３μｍに形成レジストパ
ターン（３ａ）を得る。
の非形成部をレジストパターニングしレジストパターン
（３ａ）を、図１に示すように形成する。この場合、レ
ジストパターン（３ａ）に使用するレジストとしては、
高解像度を持ち、粘度が比較的高く厚膜が可能な物で、
ドライエッチングやプラズマ処理（ＲＩＥ等を含む）の
際にも形状が安定で好適に使用できる耐熱性ポジ型レジ
ストを使用することが好ましい。例えば、約１３０℃ま
での加熱に耐え得るＦＨ５６００Ｆ（富士ハント社製）
を使用することができ、これをスピンコート法により塗
布・パターンニングし膜厚４. ３μｍに形成レジストパ
ターン（３ａ）を得る。
【００２３】レジストパターン（３ａ）を形成した後
は、図１２に示す出来上がったカラーフィルターの表面
が平坦になるように予め最大膜厚の多層干渉膜から最小
膜厚（ここでは３色目の青色透過フィルター膜厚）を差
し引いた膜厚分だけドライエッチングによりＳｉＯ2蒸
着膜を異方性エッチングする。この時、ガラス基板はド
ライエッチングのストッパー層として働く事が出来る。
は、図１２に示す出来上がったカラーフィルターの表面
が平坦になるように予め最大膜厚の多層干渉膜から最小
膜厚（ここでは３色目の青色透過フィルター膜厚）を差
し引いた膜厚分だけドライエッチングによりＳｉＯ2蒸
着膜を異方性エッチングする。この時、ガラス基板はド
ライエッチングのストッパー層として働く事が出来る。
【００２４】また、図２に到る工程では、ガラス基板ま
でドライエッチングしているが下地としてＳｉＯ2が厚
く残ってもかまわない。レジストパターン（３ａ' ）
は、この図２に到る工程によりさらに耐熱性等の形状安
定性を向上させることも同時に出来るし、レジストとの
エッチング選択比が大きいことは図３から図４、図７か
ら図８、図１１から図１２への各々の工程でのリフトオ
フのしやすさに大きく効いてくる。この関係は、図１３
に示す様にエッチング速度に係る。
でドライエッチングしているが下地としてＳｉＯ2が厚
く残ってもかまわない。レジストパターン（３ａ' ）
は、この図２に到る工程によりさらに耐熱性等の形状安
定性を向上させることも同時に出来るし、レジストとの
エッチング選択比が大きいことは図３から図４、図７か
ら図８、図１１から図１２への各々の工程でのリフトオ
フのしやすさに大きく効いてくる。この関係は、図１３
に示す様にエッチング速度に係る。
【００２５】次いで、１色目の多層干渉フィルターとし
て緑色透過フィルターとなる緑色低温蒸着層１．９４μ
ｍ（４）を、図３に示すようにベタに形成する。
て緑色透過フィルターとなる緑色低温蒸着層１．９４μ
ｍ（４）を、図３に示すようにベタに形成する。
【００２６】次いで、１色目の緑色透過フィルターパタ
ーンの非形成部をレジストにより、図４に示すようにリ
フトオフする。具体的には、例えば、マイクロポジット
・リムーバー１１６５（シプレイ社製）を使用すればよ
く基板上に多層膜及びレジストが残るようであれば、液
温を約８０℃に上昇させたり、溶剤やＵＳ洗浄を併用す
ればよい。
ーンの非形成部をレジストにより、図４に示すようにリ
フトオフする。具体的には、例えば、マイクロポジット
・リムーバー１１６５（シプレイ社製）を使用すればよ
く基板上に多層膜及びレジストが残るようであれば、液
温を約８０℃に上昇させたり、溶剤やＵＳ洗浄を併用す
ればよい。
【００２７】次いで、図１を形成するのと同様な方法
で、２色目の赤色透過フィルターパターンの非形成部
に、図５に示すようにレジストパターン（３ｂ）を得
る。３色の色分解フィルターが同じ画素サイズであれば
レジストのパターニング精度は図１を形成する最初の工
程と変わりがなく困難はない。レジストは、金属リフト
材に見られる様に表面の凹凸やパターン側壁にできる膜
質の粗い所やクラック等が発生しない点で工程が進んで
形状が複雑になっても各種の問題がでない。
で、２色目の赤色透過フィルターパターンの非形成部
に、図５に示すようにレジストパターン（３ｂ）を得
る。３色の色分解フィルターが同じ画素サイズであれば
レジストのパターニング精度は図１を形成する最初の工
程と変わりがなく困難はない。レジストは、金属リフト
材に見られる様に表面の凹凸やパターン側壁にできる膜
質の粗い所やクラック等が発生しない点で工程が進んで
形状が複雑になっても各種の問題がでない。
【００２８】次いで、図６に示すように、図２と同様な
方法で、図１３に示した様に最小膜厚の多層干渉膜と２
色目の赤色透過フィルターの膜厚分だけ基板をエッチン
グする。そして同時に付着力・耐熱性等の形状安定性を
向上させたレジストパターン（３ｂ’）を得る。
方法で、図１３に示した様に最小膜厚の多層干渉膜と２
色目の赤色透過フィルターの膜厚分だけ基板をエッチン
グする。そして同時に付着力・耐熱性等の形状安定性を
向上させたレジストパターン（３ｂ’）を得る。
【００２９】次いで、図７に示すように、図３と同様な
方法で、２色目の赤色透過フィルターとなる赤色低温蒸
着層１．５３μｍ（５）をベタに形成する。
方法で、２色目の赤色透過フィルターとなる赤色低温蒸
着層１．５３μｍ（５）をベタに形成する。
【００３０】次いで、図８に示すように、図４と同様な
方法で、レジストにより赤色透過フィルターパターンの
非形成部をリフトオフする。
方法で、レジストにより赤色透過フィルターパターンの
非形成部をリフトオフする。
【００３１】以下同様にして、図９に示すように、３色
目の青色透過フィルターパターンの非形成部にレジスト
パターン（３ｃ）を形成する。
目の青色透過フィルターパターンの非形成部にレジスト
パターン（３ｃ）を形成する。
【００３２】次に、図１０の工程は、Ａｒガス使用のプ
ラズマ処理でレジスト耐性を上げるだけで特にドライエ
ッチしなくてもよい。また、図１０の工程で、３色目の
青色透過フィルターパターンの膜厚分だけ基板をドライ
エッチングする場合には、図２、図６の工程では各膜厚
分だけドライエッチングする事となる。
ラズマ処理でレジスト耐性を上げるだけで特にドライエ
ッチしなくてもよい。また、図１０の工程で、３色目の
青色透過フィルターパターンの膜厚分だけ基板をドライ
エッチングする場合には、図２、図６の工程では各膜厚
分だけドライエッチングする事となる。
【００３３】次いで、図１１に示すように、３色目の青
色透過フィルターとなる青色低温蒸着層１．０８μｍ
（６）をベタに形成し、最後に、図１２に示すように、
レジストパターン（３ｃ’）により青色透過フィルター
パターンの非形成部をリフトオフする。これにより３色
の色分解フィルターを得る。
色透過フィルターとなる青色低温蒸着層１．０８μｍ
（６）をベタに形成し、最後に、図１２に示すように、
レジストパターン（３ｃ’）により青色透過フィルター
パターンの非形成部をリフトオフする。これにより３色
の色分解フィルターを得る。
【００３４】以上、この発明の実施例について説明した
が、この発明はこれに限られることなく種々の態様をと
ることができいる。例えば、上記の実施例においては、
形成する多層干渉膜は緑色・赤色・青色の３種の低温蒸
着層としたが、２種以上であれば任意の多層干渉膜とす
ることができる。また、そのパターン形状もストライプ
状のフィルターを平行に形成したものをはじめとして種
々のものとすることができる。基板についても、シリコ
ンウェハーやＣＣＤを直接基板として使用する他、デバ
イス凹凸面にカラーフィルターを直接形成するオンチッ
プを基板にしてもよい。
が、この発明はこれに限られることなく種々の態様をと
ることができいる。例えば、上記の実施例においては、
形成する多層干渉膜は緑色・赤色・青色の３種の低温蒸
着層としたが、２種以上であれば任意の多層干渉膜とす
ることができる。また、そのパターン形状もストライプ
状のフィルターを平行に形成したものをはじめとして種
々のものとすることができる。基板についても、シリコ
ンウェハーやＣＣＤを直接基板として使用する他、デバ
イス凹凸面にカラーフィルターを直接形成するオンチッ
プを基板にしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】この発明によれば、レジストパターンの
精度が色分解フィルターのパターンサイズを決定するの
で、必要とする画素サイズの高精細度化によるパターン
サイズの微細化要求に十分対応できる。また、厚膜が可
能でリフトオフ時間が短く薬剤による損傷が低減でき、
表面形状に関わりなくパターニングが可能である。工程
は、ＳｉＯ2蒸着（初回のみ）・レジストパターニング
・ドライエッチング・膜付け・リフトオフの繰り返しに
より容易で、歩留まりを著しく向上させることが可能と
なる。従って、精密な多層干渉パターンを固体撮像素子
上に直接形成化して表面の凹凸がある場合にも有利に製
造することが可能となる。
精度が色分解フィルターのパターンサイズを決定するの
で、必要とする画素サイズの高精細度化によるパターン
サイズの微細化要求に十分対応できる。また、厚膜が可
能でリフトオフ時間が短く薬剤による損傷が低減でき、
表面形状に関わりなくパターニングが可能である。工程
は、ＳｉＯ2蒸着（初回のみ）・レジストパターニング
・ドライエッチング・膜付け・リフトオフの繰り返しに
より容易で、歩留まりを著しく向上させることが可能と
なる。従って、精密な多層干渉パターンを固体撮像素子
上に直接形成化して表面の凹凸がある場合にも有利に製
造することが可能となる。
【００３６】また、例え基板がガラス基板の場合でも、
レジストとのドライエッチング時の選択比が得られない
ため下地にＳｉＯ2膜を蒸着したことにより容易に数μ
ｍ以下の微細なパターンで複数種の厚さの異なる多層干
渉パターンに対して予め次工程の膜厚に応じてエッチン
グして最終的に表面を平坦にすることができ、製品の終
わりの工程で外部環境から多層干渉パターンを保護する
オーバーコートの真空蒸着時にスジムラ不良の原因であ
るクラックの生成を防ぐことができる。
レジストとのドライエッチング時の選択比が得られない
ため下地にＳｉＯ2膜を蒸着したことにより容易に数μ
ｍ以下の微細なパターンで複数種の厚さの異なる多層干
渉パターンに対して予め次工程の膜厚に応じてエッチン
グして最終的に表面を平坦にすることができ、製品の終
わりの工程で外部環境から多層干渉パターンを保護する
オーバーコートの真空蒸着時にスジムラ不良の原因であ
るクラックの生成を防ぐことができる。
【００３７】また、表面の凹凸をなくすためオーバーコ
ート膜厚を厚くつけて研磨によって平坦処理を繰り返す
必要がなくなる。
ート膜厚を厚くつけて研磨によって平坦処理を繰り返す
必要がなくなる。
【図１】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図２】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図３】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図４】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図５】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図６】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図７】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図８】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図９】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成途
上の断面図である。
上の断面図である。
【図１０】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
途上の断面図である。
途上の断面図である。
【図１１】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
途上の断面図である。
途上の断面図である。
【図１２】本発明の一実施例の多層干渉パターンの形成
後の断面図である。
後の断面図である。
【図１３】ドライエッチングと圧力の関係を示すグラフ
である。
である。
１ ガラス基板 ２ ＳｉＯ2 膜 ３ａ、３ｂ、３ｃ レジストパターン ３ａ’、３ｂ’、３ｃ’ ドライエッチ後のレジストパ
ターン ４ 緑色低温蒸着層 ５ 赤色低温蒸着層 ６ 青色低温蒸着層
ターン ４ 緑色低温蒸着層 ５ 赤色低温蒸着層 ６ 青色低温蒸着層
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に多層干渉膜のパターンを形成する
方法において、順に以下の（１）（２）（３）の工程よ
りなる多層干渉膜パターンの形成方法。 （１）基板上にＳｉＯ2膜を真空蒸着する。 （２）パターン非形成部にレジストをパターニングし、
最大で多層干膜厚分だけＳｉＯ2膜をドライエッチング
し、これに多層干渉膜を全面に真空蒸着、しかる後レジ
ストを除去するリフトオフ法にて多層干渉膜を所望のパ
ターン形成をする。 （３）（２）の工程を１度以上繰り返す。 - 【請求項２】多層干渉膜を低温蒸着することにより形成
する請求項１に記載の多層干渉膜パターンの形成方法。 - 【請求項３】レジストが耐熱性ポジ型レジストである請
求項１に記載の多層干渉膜パターンの形成方法。 - 【請求項４】多層干渉膜をイオンアシスト蒸着すること
により形成する請求項１に記載の多層干渉膜パターンの
形成方法。 - 【請求項５】多層干渉膜を低温イオンアシスト蒸着する
ことにより形成する請求項１に記載の多層干渉膜パター
ンの形成方法。 - 【請求項６】基板が透明基板であり、多層干渉膜が色分
解多層干渉膜である請求項１に記載の多層干渉膜パター
ンの形成方法。 - 【請求項７】基板が固体撮像素子であり、多層干渉膜が
色分解多層干渉膜である請求項１に記載の多層干渉膜パ
ターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20585691A JP2897472B2 (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 色分解フィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20585691A JP2897472B2 (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 色分解フィルターの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545514A true JPH0545514A (ja) | 1993-02-23 |
| JP2897472B2 JP2897472B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=16513847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20585691A Expired - Fee Related JP2897472B2 (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 色分解フィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897472B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4407067A1 (de) * | 1994-03-03 | 1995-09-07 | Balzers Hochvakuum | Dielektrisches Interferenz-Filtersystem, LCD-Anzeige und CCD-Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Interferenz-Filtersystems und Verwendung des Verfahrens |
| US6795459B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-09-21 | Fibera, Inc. | Light frequency locker |
| US6804060B1 (en) * | 2001-09-28 | 2004-10-12 | Fibera, Inc. | Interference filter fabrication |
| US6858834B2 (en) | 2000-10-18 | 2005-02-22 | Fibera, Inc. | Light wavelength meter |
| WO2017068847A1 (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 日本碍子株式会社 | 光導波路基板 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP20585691A patent/JP2897472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4407067A1 (de) * | 1994-03-03 | 1995-09-07 | Balzers Hochvakuum | Dielektrisches Interferenz-Filtersystem, LCD-Anzeige und CCD-Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Interferenz-Filtersystems und Verwendung des Verfahrens |
| DE4407067C2 (de) * | 1994-03-03 | 2003-06-18 | Unaxis Balzers Ag | Dielektrisches Interferenz-Filtersystem, LCD-Anzeige und CCD-Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Interferenz-Filtersystems |
| US6795459B2 (en) | 2000-10-18 | 2004-09-21 | Fibera, Inc. | Light frequency locker |
| US6858834B2 (en) | 2000-10-18 | 2005-02-22 | Fibera, Inc. | Light wavelength meter |
| US6804060B1 (en) * | 2001-09-28 | 2004-10-12 | Fibera, Inc. | Interference filter fabrication |
| WO2017068847A1 (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | 日本碍子株式会社 | 光導波路基板 |
| JPWO2017068847A1 (ja) * | 2015-10-22 | 2018-06-07 | 日本碍子株式会社 | 光導波路基板の製造方法 |
| US10746926B2 (en) | 2015-10-22 | 2020-08-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2897472B2 (ja) | 1999-05-31 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |