JPH0545609A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
- Publication number
- JPH0545609A JPH0545609A JP23088591A JP23088591A JPH0545609A JP H0545609 A JPH0545609 A JP H0545609A JP 23088591 A JP23088591 A JP 23088591A JP 23088591 A JP23088591 A JP 23088591A JP H0545609 A JPH0545609 A JP H0545609A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magneto
- optical isolator
- optical
- optical element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価で小型形状の光アイソレータを得ること
である。 【構成】 本発明の光アイソレータは、磁界を発生する
磁界発生手段１２と該磁界内に配された磁気光学素子１
３とを備え、磁気光学素子１３はＣｄ１−Ｘ−ＭｎＸ−
Ｔｅ単結晶を有し、磁界発生手段１２は、Ｓｍ−Ｃｏ系
焼結型永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であ
ることを特徴とする。
である。 【構成】 本発明の光アイソレータは、磁界を発生する
磁界発生手段１２と該磁界内に配された磁気光学素子１
３とを備え、磁気光学素子１３はＣｄ１−Ｘ−ＭｎＸ−
Ｔｅ単結晶を有し、磁界発生手段１２は、Ｓｍ−Ｃｏ系
焼結型永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であ
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光アイソレータに関
し、特に、半導体レーザー等の光源からの可視光による
反射光が入射光路と同一の経路を辿って逆戻りする戻り
光を低減する可視光アイソレータに関する。
し、特に、半導体レーザー等の光源からの可視光による
反射光が入射光路と同一の経路を辿って逆戻りする戻り
光を低減する可視光アイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、光磁気ディスクを想定した半導体
レーザーの短波長化、高出力化の研究が精力的に行われ
ている。このため半導体レーザーの青色化が、研究開発
されてきたが、現実的な応用面（量産性・低価格化・コ
ンパクト化・高出力化）ではまだまだ困難である。
レーザーの短波長化、高出力化の研究が精力的に行われ
ている。このため半導体レーザーの青色化が、研究開発
されてきたが、現実的な応用面（量産性・低価格化・コ
ンパクト化・高出力化）ではまだまだ困難である。
【０００３】現在、青色半導体レーザー、即ち、青色Ｌ
ＥＤとしては、間接遷移型のＳｉＣを用いて１０ｍｃｄ
の商品化及び直接遷移型のＧａＮを用いて７０ｍｃｄの
商品化がなされているが、さらなる高輝度化が必要であ
る。また、直接遷移型のＺｎＳｅが研究されているが、
ｐ型ドープの際、キャリア濃度＞１０１９ｃｍ−３必要
であるのに１０１６ｃｍ−３しか入らず、室内でのレー
ザー発振（青色化）すら実現されていない。
ＥＤとしては、間接遷移型のＳｉＣを用いて１０ｍｃｄ
の商品化及び直接遷移型のＧａＮを用いて７０ｍｃｄの
商品化がなされているが、さらなる高輝度化が必要であ
る。また、直接遷移型のＺｎＳｅが研究されているが、
ｐ型ドープの際、キャリア濃度＞１０１９ｃｍ−３必要
であるのに１０１６ｃｍ−３しか入らず、室内でのレー
ザー発振（青色化）すら実現されていない。
【０００４】このような材料レベルの現況を考慮する
と、可視光半導体レーザー（０．７８〜０．６０マイク
ロメートル）の短波長化、高出力化による光磁気ディス
クのコンパクト化、普及（低価格化）が進むものと予想
される。これまでＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）に
おいては、再生のみであったので半導体レーザー等の光
源から生じる戻り光による問題は特になかった。しか
し、近年、録音・消去には半導体レーザーの高出力化及
び半導体レーザーの安定性が重要なファクターとなり、
半導体レーザー等の光源から生じる戻り光によってレー
ザー発振の安定化が損なわれるという問題が生じて来
た。
と、可視光半導体レーザー（０．７８〜０．６０マイク
ロメートル）の短波長化、高出力化による光磁気ディス
クのコンパクト化、普及（低価格化）が進むものと予想
される。これまでＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ）に
おいては、再生のみであったので半導体レーザー等の光
源から生じる戻り光による問題は特になかった。しか
し、近年、録音・消去には半導体レーザーの高出力化及
び半導体レーザーの安定性が重要なファクターとなり、
半導体レーザー等の光源から生じる戻り光によってレー
ザー発振の安定化が損なわれるという問題が生じて来
た。
【０００５】そこで、半導体レーザー等の光源によって
生じる戻り光を低減するものとして光アイソレータがク
ローズアップされてきたのである。光アイソレータに関
する特許としては、例えば、特開昭５７−１８５０１４
号、特開昭５８−１３２７２２号、特開昭６０−２０２
４１５号等がある。
生じる戻り光を低減するものとして光アイソレータがク
ローズアップされてきたのである。光アイソレータに関
する特許としては、例えば、特開昭５７−１８５０１４
号、特開昭５８−１３２７２２号、特開昭６０−２０２
４１５号等がある。
【０００６】図１を参照して、一般に光アイソレータ
は、ホルダ９内に、偏光方向を互いに４５°に配された
偏光子１０及び検光子１１と、これら偏光子１０及び検
光子１１間に配され磁界を発生する磁界発生手段として
作用する永久磁石１２と、この磁界内に配されてファラ
ディ回転能を持つ磁気光学素子１３とを備えている。偏
光子１０は光源からの入射光を受けると、入射光は偏光
子１０を透過し偏光されながら、磁気光学素子１３に入
射する。磁気光学素子１３は偏光子１０からの入射光を
受けると、この入射光は、ファラディ回転した後、検光
子１１を介して出射される。ところで、磁気光学素子１
３の従来例１は、短波長領域（０．６〜０．８マイクロ
メートル）に使用できるように組成比を配合させたＰｂ
（鉛）ガラス等の常磁性材料からなっている。また、磁
気光学素子１３の従来例２としては、短波長領域（０．
７８〜０．８マイクロメートル）に使用できるように組
成比を配合させ、ＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）で
製作されたＢｉ−置換ガーネット等の強磁性体材料から
なるものがある。この従来例２の場合、光アイソレータ
の磁気光学素子は、形状が１０mm×１０mm×１０mm以下
にでき、小型に製作できるという利点がある。
は、ホルダ９内に、偏光方向を互いに４５°に配された
偏光子１０及び検光子１１と、これら偏光子１０及び検
光子１１間に配され磁界を発生する磁界発生手段として
作用する永久磁石１２と、この磁界内に配されてファラ
ディ回転能を持つ磁気光学素子１３とを備えている。偏
光子１０は光源からの入射光を受けると、入射光は偏光
子１０を透過し偏光されながら、磁気光学素子１３に入
射する。磁気光学素子１３は偏光子１０からの入射光を
受けると、この入射光は、ファラディ回転した後、検光
子１１を介して出射される。ところで、磁気光学素子１
３の従来例１は、短波長領域（０．６〜０．８マイクロ
メートル）に使用できるように組成比を配合させたＰｂ
（鉛）ガラス等の常磁性材料からなっている。また、磁
気光学素子１３の従来例２としては、短波長領域（０．
７８〜０．８マイクロメートル）に使用できるように組
成比を配合させ、ＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）で
製作されたＢｉ−置換ガーネット等の強磁性体材料から
なるものがある。この従来例２の場合、光アイソレータ
の磁気光学素子は、形状が１０mm×１０mm×１０mm以下
にでき、小型に製作できるという利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例１のような常磁
性材料を使用した磁気光学素子を持つ光アイソレータ
は、ファラディ回転能が小さいため、多重反射方式にし
て光路長を確保すると、実際の大きさは、５φ×１０
（長さ方向）mm以上の大きさになってしまう。即ち、光
アイソレータは現在商品化されていて一番小さいもので
も形状が２５mm×２５mm×２５mmもある。上記永久磁石
は、このような大きさの磁気光学素子に見合った均一磁
場空間を形成することを必要としている。従って、この
場合、Ｘ（長さ方向）＝１０mm、Ｙ（垂直方向）＝５mm
以上の均一磁場が必要となり、永久磁石は大きくなって
コストが高価になる。
性材料を使用した磁気光学素子を持つ光アイソレータ
は、ファラディ回転能が小さいため、多重反射方式にし
て光路長を確保すると、実際の大きさは、５φ×１０
（長さ方向）mm以上の大きさになってしまう。即ち、光
アイソレータは現在商品化されていて一番小さいもので
も形状が２５mm×２５mm×２５mmもある。上記永久磁石
は、このような大きさの磁気光学素子に見合った均一磁
場空間を形成することを必要としている。従って、この
場合、Ｘ（長さ方向）＝１０mm、Ｙ（垂直方向）＝５mm
以上の均一磁場が必要となり、永久磁石は大きくなって
コストが高価になる。
【０００８】また、従来例２のような強磁性体材料から
なる磁気光学素子を持つ光アイソレータは、従来例１の
順方向の光挿入損失が１ｄＢ未満であるのに対し、従来
例２では、１．３ｄＢ以上となって光挿入損失が大き
い。
なる磁気光学素子を持つ光アイソレータは、従来例１の
順方向の光挿入損失が１ｄＢ未満であるのに対し、従来
例２では、１．３ｄＢ以上となって光挿入損失が大き
い。
【０００９】そこで、本発明の技術的課題は、安価で、
小型形状であって、しかも順方向の光挿入損失が１ｄＢ
未満の光アイソレータを得ることにある。
小型形状であって、しかも順方向の光挿入損失が１ｄＢ
未満の光アイソレータを得ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁界を
発生する磁界発生手段と、該磁界内に配された磁気光学
素子とを備えた光アイソレータにおいて、前記磁気光学
素子は、Ｃｄ１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶を有すること
を特徴とする光アイソレータが得られる。
発生する磁界発生手段と、該磁界内に配された磁気光学
素子とを備えた光アイソレータにおいて、前記磁気光学
素子は、Ｃｄ１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶を有すること
を特徴とする光アイソレータが得られる。
【００１１】また、本発明によれば、この光アイソレー
タにおいて、前記磁界発生手段は、Ｓｍ−Ｃｏ系焼結型
永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であること
を特徴とする光アイソレータが得られる。
タにおいて、前記磁界発生手段は、Ｓｍ−Ｃｏ系焼結型
永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であること
を特徴とする光アイソレータが得られる。
【００１２】
【作用】磁気光学素子がＣｄ−Ｍｎ−Ｔｅ単結晶を有す
るので、ファラディ回転能が大きくなる。
るので、ファラディ回転能が大きくなる。
【００１３】従って、磁界発生手段による均等磁場を必
要とする領域はせばまる。
要とする領域はせばまる。
【００１４】
【実施例】本発明の一実施例の光アイソレータを図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１５】図１を参照して、本実施例の光アイソレー
タは、従来の光アイソレータと同じように、偏光方向を
互いに４５°に配された偏光子１０及び検光子１１と、
これら偏光子１０及び検光子１１間に配され磁界を発生
する磁界発生手段として作用する永久磁石１２と、この
磁界内に配された磁気光学素子１３とを有する構成で、
以下異なる点について詳述する。
タは、従来の光アイソレータと同じように、偏光方向を
互いに４５°に配された偏光子１０及び検光子１１と、
これら偏光子１０及び検光子１１間に配され磁界を発生
する磁界発生手段として作用する永久磁石１２と、この
磁界内に配された磁気光学素子１３とを有する構成で、
以下異なる点について詳述する。
【００１６】本実施例の光アイソレータにおける磁気光
学素子２は、短波長領域（０．６〜０．８マイクロメー
トル）に使用できるようにＭｎ濃度を配合させたＣｄ
１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶を有する。尚、このＣｄ
１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶の厚さは、長さ方向に０．
５mm＜ｔ＜１．５mmである。
学素子２は、短波長領域（０．６〜０．８マイクロメー
トル）に使用できるようにＭｎ濃度を配合させたＣｄ
１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶を有する。尚、このＣｄ
１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶の厚さは、長さ方向に０．
５mm＜ｔ＜１．５mmである。
【００１７】また、この光アイソレータにおいて、磁界
発生手段として作用する永久磁石１２は、Ｓｍ−Ｃｏ系
焼結型永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であ
る。これにより、永久磁石１２の形状がシンプルになっ
て永久磁石１２のコストを低下できる。
発生手段として作用する永久磁石１２は、Ｓｍ−Ｃｏ系
焼結型永久磁石、又は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石であ
る。これにより、永久磁石１２の形状がシンプルになっ
て永久磁石１２のコストを低下できる。
【００１８】上記磁気光学素子１３は、永久磁石１２の
磁界内に配され、検光子１１に接着されて一体と構成す
ることにより、コンパクトで小型に製造される。
磁界内に配され、検光子１１に接着されて一体と構成す
ることにより、コンパクトで小型に製造される。
【００１９】上記偏光子１０は、量産性のあるＰＢＳ
（偏光ビームスピリッター）を使用する。
（偏光ビームスピリッター）を使用する。
【００２０】
【発明の効果】以上示したよう本発明によれば、磁気光
学素子がＣｄ−Ｍｎ−Ｔｅ単結晶を有しているからファ
ラディ回転能が大きくなり、順方向光損失が小さくて安
価で小型形状の光アイソレータを得ることができる。
学素子がＣｄ−Ｍｎ−Ｔｅ単結晶を有しているからファ
ラディ回転能が大きくなり、順方向光損失が小さくて安
価で小型形状の光アイソレータを得ることができる。
【図１】一般の光アイソレータを示す構成図である。
１０ 偏光子 １１ 検光子 １２ 磁界発生手段として作用する永久磁石 １３ 磁気光学素子
Claims (3)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、該磁界
を受けファラディ効果によってファラディ回転能を持つ
磁気光学素子とを備えた光アイソレータにおいて、前記
磁気光学素子は、Ｃｄ１−Ｘ−ＭｎＸ−Ｔｅ単結晶を有
することを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光アイソレータにおい
て、前記磁界発生手段は、Ｓｍ−Ｃｏ系焼結型永久磁石
であることを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光アイソレータにおい
て、前記磁界発生手段は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石で
あることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23088591A JPH0545609A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23088591A JPH0545609A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 光アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545609A true JPH0545609A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16914833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23088591A Pending JPH0545609A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0545609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760946A (en) * | 1994-01-21 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Optical isolator, faraday rotator suitable for use in the same, and laser diode module incorporating the same |
-
1991
- 1991-08-19 JP JP23088591A patent/JPH0545609A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760946A (en) * | 1994-01-21 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Optical isolator, faraday rotator suitable for use in the same, and laser diode module incorporating the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000809 |