JPH0545947B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0545947B2 JPH0545947B2 JP26893586A JP26893586A JPH0545947B2 JP H0545947 B2 JPH0545947 B2 JP H0545947B2 JP 26893586 A JP26893586 A JP 26893586A JP 26893586 A JP26893586 A JP 26893586A JP H0545947 B2 JPH0545947 B2 JP H0545947B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- data
- inspected
- dimensional
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マスクやレチクル等のパターンを荷
電粒子線を用いて検査する方法に関する。
電粒子線を用いて検査する方法に関する。
［従来の技術］
従来、露光技術によつて作製されたマスクやレ
チクル等の微細パターンを検査する場合、マスク
やレチクルに可視光や紫外線を照射し、その像を
イメージセンサ上に結像し、該センサで像を検出
している。その後、該検出信号から白黒の２次元
マツプを作製し、この２次元マツプと設計データ
との比較に基づいて、作製されたパターンの検査
を行つている。
チクル等の微細パターンを検査する場合、マスク
やレチクルに可視光や紫外線を照射し、その像を
イメージセンサ上に結像し、該センサで像を検出
している。その後、該検出信号から白黒の２次元
マツプを作製し、この２次元マツプと設計データ
との比較に基づいて、作製されたパターンの検査
を行つている。
［発明が解決しようとする問題点］
上記比較は、２次元マツプの各画素毎の比較を
行う必要性から、比較する設計データも白黒の２
次元マツプ状のデータに置換しなければならな
い。該設計データはもともと輪郭線であり、この
白黒データへの置換にはかなりの処理時間が必要
となる。又、被検査パターンがＸ線露光用マスク
等のように、微細化してくると、光照射に基づく
従来方法では、高い精度での検査が不可能とな
る。
行う必要性から、比較する設計データも白黒の２
次元マツプ状のデータに置換しなければならな
い。該設計データはもともと輪郭線であり、この
白黒データへの置換にはかなりの処理時間が必要
となる。又、被検査パターンがＸ線露光用マスク
等のように、微細化してくると、光照射に基づく
従来方法では、高い精度での検査が不可能とな
る。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもの
で、短時間に高い精度で微細なパターンの検査を
行い得る微細パターン検査方法を提供することを
目的としている。
で、短時間に高い精度で微細なパターンの検査を
行い得る微細パターン検査方法を提供することを
目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明に基づく微細パターン検査方法は、被検
査パターンを有した材料上で荷電粒子線を２次元
的に走査するステツプ、該荷電粒子線照射による
該材料からの信号を検出するステツプ、該検出信
号を微分して被検査パターンの輪郭部分に対応し
た信号を得るステツプ、該被検査パターンの輪郭
部分に対応した信号を２次元画像情報として記憶
するステツプ、該記憶された画像情報と、予め記
憶された２次元比較画像との差を、各比較位置近
傍の平均差分として求めるステツプより成ること
を特徴としている。
査パターンを有した材料上で荷電粒子線を２次元
的に走査するステツプ、該荷電粒子線照射による
該材料からの信号を検出するステツプ、該検出信
号を微分して被検査パターンの輪郭部分に対応し
た信号を得るステツプ、該被検査パターンの輪郭
部分に対応した信号を２次元画像情報として記憶
するステツプ、該記憶された画像情報と、予め記
憶された２次元比較画像との差を、各比較位置近
傍の平均差分として求めるステツプより成ること
を特徴としている。
［実施例］
以下本発明の一実施例を添附図面に基づいて詳
述する。
述する。
第１図は、本発明に基づく方法を実施するため
の電子線検査システムの一例を示しており、１は
電子銃、２は収束レンズ、３は偏向コイル、４は
被検査パターンが形成されたマスク等の材料、５
は反射電子検査器、６はcpu、７は２次元走査回
路、８，９は増幅器、１０は演算器、１１，１
２，１３は２次元バツフアメモリ、１４は画像処
理ユニツト、１５は表示装置である。
の電子線検査システムの一例を示しており、１は
電子銃、２は収束レンズ、３は偏向コイル、４は
被検査パターンが形成されたマスク等の材料、５
は反射電子検査器、６はcpu、７は２次元走査回
路、８，９は増幅器、１０は演算器、１１，１
２，１３は２次元バツフアメモリ、１４は画像処
理ユニツト、１５は表示装置である。
上述した構成において、検査されるマスク等の
材料４が所定の位置に配置され、cpu６の指令に
より、２次元走査回路７から走査信号が偏向コイ
ル３に供給される。この結果、該材料４の所定領
域が電子線によつて走査されることになる。該材
料４への電子線の照射に基づき、該材料４から発
生した反射電子は、反射電子検出器５によつて検
出される。該検出信号は、増幅器９によつて増幅
された後、演算器１０に供給され、この演算器に
おいて微分処理が行われる。該微分された信号
は、２次元走査回路７から参照信号が供給される
バツフアメモリ１１に材料４上の走査に応じて２
次元的に記憶される。この微分信号はパターンの
輪郭部分が強調されたものであり、メモリ１１に
記憶されたデータは、輪郭部分が“１”、その他
の部分が“０”と２値化されたデータとなつてい
る。
材料４が所定の位置に配置され、cpu６の指令に
より、２次元走査回路７から走査信号が偏向コイ
ル３に供給される。この結果、該材料４の所定領
域が電子線によつて走査されることになる。該材
料４への電子線の照射に基づき、該材料４から発
生した反射電子は、反射電子検出器５によつて検
出される。該検出信号は、増幅器９によつて増幅
された後、演算器１０に供給され、この演算器に
おいて微分処理が行われる。該微分された信号
は、２次元走査回路７から参照信号が供給される
バツフアメモリ１１に材料４上の走査に応じて２
次元的に記憶される。この微分信号はパターンの
輪郭部分が強調されたものであり、メモリ１１に
記憶されたデータは、輪郭部分が“１”、その他
の部分が“０”と２値化されたデータとなつてい
る。
２次元バツフアメモリ１２には、予め、設計図
形に基づいた、比較すべき２次元像のデータが記
憶されているが、この像は輪郭図形であり、デー
タとしては、輪郭部分が“０”、その他の部分が
“０”と２値化されたデータとなつている。この
２値化データは、輪郭図形である設計図形そのも
のであり、データ作製を短時間に行うことができ
る。
形に基づいた、比較すべき２次元像のデータが記
憶されているが、この像は輪郭図形であり、デー
タとしては、輪郭部分が“０”、その他の部分が
“０”と２値化されたデータとなつている。この
２値化データは、輪郭図形である設計図形そのも
のであり、データ作製を短時間に行うことができ
る。
該画像処理ユニツト１４は、バツフアメモリ１
１に記憶された測定データＡと、バツフアメモリ
１２に記憶された設計データＢとを読み出し、両
データを各画素毎に比較し、その差を求めてい
る。そして、該画像処理ユニツト１４において求
められた差のデータは、各画素毎にバツフアメモ
リ１３に記憶され、該メモリ１３には差分データ
Ｃが得られる。この際、差を求める場合に、測定
誤差を考慮し、比較位置近傍の平均差分を求める
ことは好ましい。すなわち、測定データＡの画素
をalk、設計データＢの画素をblk、差分データＣ
の画素をCijとした場合、次式によつて差分デー
タを求めることは好ましい。
１に記憶された測定データＡと、バツフアメモリ
１２に記憶された設計データＢとを読み出し、両
データを各画素毎に比較し、その差を求めてい
る。そして、該画像処理ユニツト１４において求
められた差のデータは、各画素毎にバツフアメモ
リ１３に記憶され、該メモリ１３には差分データ
Ｃが得られる。この際、差を求める場合に、測定
誤差を考慮し、比較位置近傍の平均差分を求める
ことは好ましい。すなわち、測定データＡの画素
をalk、設計データＢの画素をblk、差分データＣ
の画素をCijとした場合、次式によつて差分デー
タを求めることは好ましい。
Cij＝１／（2n＋１）（2m＋１）（j+n
〓k=j-m i+o
〓l=i-n
alk−j+n
〓k=j-m i+o
〓l=i-n
blk）
∵ｎ、ｍ≧１の整数
なお、平均を取る領域については、画質に応じ
て拡大や縮小をしても良く、又、円形領域のサン
プリングであつても良い。
て拡大や縮小をしても良く、又、円形領域のサン
プリングであつても良い。
該バツフアメモリ１３に記憶された差分データ
はパターンの欠陥を示す像であり、この像からパ
ターンの欠陥の有無を判定することができる。す
なわち、該バツフアメモリ１３に記憶されたデー
タが全て“０”であれば、パターンは無欠陥であ
り、＋又は−の数値のデータが残つており、これ
が有意の大きさであれば、欠陥が存在することに
なる。そして、＋の値の部分は、設計時には無か
つた図形（黒欠陥）が存在することを示し、−の
値の部分は、設計段階では存在した図形が消失し
た（白欠陥）ことを示している。この欠陥の有無
の判定は、該バツフアメモリ１３に記憶された像
データを読み出し、表示装置１５上に表示するこ
によつて行うことができる。
はパターンの欠陥を示す像であり、この像からパ
ターンの欠陥の有無を判定することができる。す
なわち、該バツフアメモリ１３に記憶されたデー
タが全て“０”であれば、パターンは無欠陥であ
り、＋又は−の数値のデータが残つており、これ
が有意の大きさであれば、欠陥が存在することに
なる。そして、＋の値の部分は、設計時には無か
つた図形（黒欠陥）が存在することを示し、−の
値の部分は、設計段階では存在した図形が消失し
た（白欠陥）ことを示している。この欠陥の有無
の判定は、該バツフアメモリ１３に記憶された像
データを読み出し、表示装置１５上に表示するこ
によつて行うことができる。
なお、有意、無意の欠陥図形の存在の判定を、
次のような手法によつて行つても良い。すなわ
ち、第２図に示すように、バツフアメモリ１３に
記憶された２次元画像データが記憶されたメモリ
１３ｍ以外に、行フラグメモリ１３ｌと列フラグ
メモリ１３ｒを設け、これらフラグメモリに対応
する行又は列に、有意レベル以上あるいは以下の
データがある時は、このフラグをON、無い時は
OFFとする。従つて、欠陥部分の存在を判定す
る場合には、cpu６が、行および列のフラグメモ
リの内容に基づいて、画像データが記憶されたメ
モリ１３ｍの、欠陥部分の存在が予測される画像
領域を追跡し、欠陥領域の存在を短時間に見出す
ことができる。
次のような手法によつて行つても良い。すなわ
ち、第２図に示すように、バツフアメモリ１３に
記憶された２次元画像データが記憶されたメモリ
１３ｍ以外に、行フラグメモリ１３ｌと列フラグ
メモリ１３ｒを設け、これらフラグメモリに対応
する行又は列に、有意レベル以上あるいは以下の
データがある時は、このフラグをON、無い時は
OFFとする。従つて、欠陥部分の存在を判定す
る場合には、cpu６が、行および列のフラグメモ
リの内容に基づいて、画像データが記憶されたメ
モリ１３ｍの、欠陥部分の存在が予測される画像
領域を追跡し、欠陥領域の存在を短時間に見出す
ことができる。
以上本発明を詳述したが、本発明は上述した実
施例に限定されず幾多の変形が可能である。例え
ば、材料４に電子線を照射するようにしたが、イ
オンビームを照射しても良い。又、材料から生じ
た反射電子を検出するようにしたが、２次電子を
検出するようにしても良い。
施例に限定されず幾多の変形が可能である。例え
ば、材料４に電子線を照射するようにしたが、イ
オンビームを照射しても良い。又、材料から生じ
た反射電子を検出するようにしたが、２次電子を
検出するようにしても良い。
［効果］
本発明は、荷電粒子線によつて被検査パターン
を有した材料上を走査し、パターンに応じた信号
を検出するようにしたので、可視光や紫外光を使
用した従来に比較し、微細なパターンの検査を高
精度で行うことができる。又、材料からの被検査
パターンに応じた信号を微分処理して被検査パタ
ーンの輪郭部分に対応した信号を得るようにして
いるので、極めて正確且つ確実に被検査パターン
の輪郭を示す像のデータが得られ、その為に、輪
郭図形である設計図形との比較が正確、確実及び
容易に行うことが出来る。
を有した材料上を走査し、パターンに応じた信号
を検出するようにしたので、可視光や紫外光を使
用した従来に比較し、微細なパターンの検査を高
精度で行うことができる。又、材料からの被検査
パターンに応じた信号を微分処理して被検査パタ
ーンの輪郭部分に対応した信号を得るようにして
いるので、極めて正確且つ確実に被検査パターン
の輪郭を示す像のデータが得られ、その為に、輪
郭図形である設計図形との比較が正確、確実及び
容易に行うことが出来る。
更に、本発明では、該被検査パターンの輪郭部
分に対応した信号を２次元画像情報として記憶
し、該記憶された画像情報と、予め記憶された２
次元比較画像との差を、各比較位置近傍の平均差
分として求めているので、該差分データ、即ち、
欠陥を示す像のSN比を著しく向上させることが
出来るばかりではなく、例え、測定対象である被
検査パターンが多少の位置ずれを有していたり、
プロセス処理によるエツジの丸みを有していても
追随して検査が可能となる。
分に対応した信号を２次元画像情報として記憶
し、該記憶された画像情報と、予め記憶された２
次元比較画像との差を、各比較位置近傍の平均差
分として求めているので、該差分データ、即ち、
欠陥を示す像のSN比を著しく向上させることが
出来るばかりではなく、例え、測定対象である被
検査パターンが多少の位置ずれを有していたり、
プロセス処理によるエツジの丸みを有していても
追随して検査が可能となる。
第１図は本発明に基づく微細パターン検査方法
を実施するための電子線検査システムの一例を示
す図、第２図は差分データが記憶されたメモリと
その行および列フラグメモリを示す図である。 １……電子銃、２……収束レンズ、３……偏向
コイル、４……材料、５……反射電子検出器、６
……cpu、７……２次元走査回路、８，９……増
幅器、１０……演算器、１１，１２，１３……２
次元バツフアメモリ、１４……画像処理ユニツ
ト、１５……表示装置。
を実施するための電子線検査システムの一例を示
す図、第２図は差分データが記憶されたメモリと
その行および列フラグメモリを示す図である。 １……電子銃、２……収束レンズ、３……偏向
コイル、４……材料、５……反射電子検出器、６
……cpu、７……２次元走査回路、８，９……増
幅器、１０……演算器、１１，１２，１３……２
次元バツフアメモリ、１４……画像処理ユニツ
ト、１５……表示装置。
Claims (1)
- １ 被検査パターンを有した材料上で荷電粒子線
を２次元的に走査するステツプ、該荷電粒子線照
射による該材料からの信号を検出するステツプ、
該検出信号を微分して被検査パターンの輪郭部分
に対応した信号を得るステツプ、該被検査パター
ンの輪郭部分に対応した信号を２次元画像情報と
して記憶するステツプ、該記憶された画像情報
と、予め記憶された２次元比較画像との差を、各
比較位置近傍の平均差分として求めるステツプよ
り成る微細パターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268935A JPS63122218A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 微細パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268935A JPS63122218A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 微細パタ−ン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122218A JPS63122218A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH0545947B2 true JPH0545947B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=17465326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268935A Granted JPS63122218A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 微細パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010534408A (ja) * | 2007-07-20 | 2010-11-04 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 標準参照ダイ比較検査に用いるための標準参照ダイを生成する方法及びウエハーを検査するための方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5198546B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2013-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査方法、及び回路パターン検査システム |
| JP6273094B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2018-01-31 | 株式会社荏原製作所 | 検査用表示装置、欠陥判別方法、検査用表示プログラム |
| JP6513951B2 (ja) * | 2015-01-08 | 2019-05-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61268935A patent/JPS63122218A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010534408A (ja) * | 2007-07-20 | 2010-11-04 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 標準参照ダイ比較検査に用いるための標準参照ダイを生成する方法及びウエハーを検査するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63122218A (ja) | 1988-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6297879B1 (en) | Inspection method and apparatus for detecting defects on photomasks | |
| JP3566470B2 (ja) | パターン検査方法及びその装置 | |
| US6735745B2 (en) | Method and system for detecting defects | |
| US7499156B2 (en) | Closed region defect detection system | |
| JP3497297B2 (ja) | 容器底部の環状ナール領域検査装置 | |
| JP3706051B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
| JPH09312318A (ja) | パタ−ン欠陥検査装置 | |
| JPS6289336A (ja) | 半導体用基板上の異物検出装置 | |
| JPS6240146A (ja) | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 | |
| TW202141176A (zh) | 圖案檢查裝置及圖案檢查方法 | |
| JPH0545947B2 (ja) | ||
| JP3332096B2 (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
| US6760473B1 (en) | Optical proximity correction serif measurement technique | |
| JPH0545946B2 (ja) | ||
| JP5401005B2 (ja) | テンプレートマッチング方法、および走査電子顕微鏡 | |
| JPH06258237A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH10340347A (ja) | パターン検査方法及びその装置並びに半導体ウエハの製造方法 | |
| JP2001272217A (ja) | パターン検査システムの検査条件補正方法、半導体製造用マスク、パターン検査システムおよび記録媒体 | |
| JPH08190633A (ja) | 欠陥判別方法 | |
| JP2965370B2 (ja) | 欠陥検出装置 | |
| JP2001281160A (ja) | 検査装置および検査方法、マスクの製造方法 | |
| JPS6286740A (ja) | 半導体ウエハ検査方法 | |
| JPS63215952A (ja) | 表面性状の検査方法 | |
| JPS61200415A (ja) | 微細パタ−ン検査装置 | |
| JPH0554107A (ja) | 外観検査による溶接状態判定方法 |