JPH0546189U - 消磁装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消磁コイルの残留電流が少なく、生産性が良
好な消磁装置を提供すること。 【構成】 消磁コイル１１と交流電源１２との間に、正
特性サーミスタ２とバリスタ３とスイッチ１３とを直列
に接続した。正特性サーミスタ２とバリスタ３との間の
端子５には分流抵抗１４が挿入されている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、消磁装置、特にカラーテレビ、カラーディスプレイ等のブラウン管 の消磁を行うための消磁装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、この種の消磁装置としては、図５にその回路を示すように、消磁コイル ２０と交流電源２１との間に、正特性サーミスタ２２，２３及びスイッチ２４を 直列に接続し、正特性サーミスタ２２，２３間の端子に分流抵抗２５を挿入した ものが提供されている。

【０００３】 この消磁装置において、スイッチ２４がオンされると、まず電流が正特性サー ミスタ２２，２３を介して消磁コイル２０に流れ図示しないブラウン管を消磁す る。そして、正特性サーミスタ２２がヒートアップすると共にその抵抗値が増大 し、次に正特性サーミスタ２３もヒートアップしてその抵抗値が増大する。これ によって大部分の電流は分流抵抗２５を流れ、消磁コイル２０を流れる電流が減 少する。

【０００４】 ところが、この種の消磁装置において、前述の動作を正確に実行させるには、 正特性サーミスタ２２，２３の抵抗値等の特性をかなり厳格に管理し、最適な特 性を有する一対の素子を組み合わせる必要があり、消磁コイル２０の残留電流を 少なくすることは困難であった。

【０００５】

【考案の目的、構成、作用】

そこで、本考案の目的は、消磁コイルの残留電流が少なく、生産性が良好な消 磁装置を提供することにある。 以上の目的を達成するため、本考案に係る消磁装置は、消磁コイルと交流電源 との間に、正特性サーミスタ素子と非直線抵抗素子とを直列に接続し、両素子の 間の端子に分流抵抗を挿入したことを特徴とする。

【０００６】 非直線抵抗素子は電圧に対して電流が比例しない性質、いわゆる電圧非直線性 を利用した抵抗素子であり、交流電源がオンされて消磁コイルに電流が流れ消磁 動作が終了すると、正特性サーミスタの抵抗値が上昇し、非直線抵抗素子の電圧 が低下すると共にその電流が急激に低下する。従って、消磁コイルの残留電流が 極めて少なくなる。また、回路に流れる電流は非直線抵抗素子の特性に左右され 、正特性サーミスタ素子や分流抵抗の特性をそれ程厳格に管理する必要はない。

【０００７】

【実施例】

以下、本考案に係る消磁装置の実施例につき、添付図面を参照して説明する。 図１は消磁装置の回路を示し、図示しないブラウン管の周囲に配置された消磁 コイル１１と交流電源１２との間には、正特性サーミスタ２とバリスタ３とスイ ッチ１３とが直列に接続され、正特性サーミスタ２とバリスタ３との間の端子５ には分流抵抗１４が挿入されている。

【０００８】 正特性サーミスタ２とバリスタ３とは、図２に示すケース１に収納されている 。即ち、正特性サーミスタ２とバリスタ３は端子５を挟んで対向し、端子４，６ の舌片４ａ，６ａによって弾性的に保持されている。 バリスタ３は、図３に示すような非オーム性（電圧非直線性）を示す。従って 、スイッチ１３をオンした直後は正特性サーミスタ２の抵抗値が低く、端子５， ６間の電圧値が高く、消磁コイル１１にはブラウン間を消磁するのに充分な電流 が流れる。ブラウン間の消磁は数秒程度で終了し、このとき正特性サーミスタ２ がヒートアップし、その抵抗値が上昇する。これに伴って、端子５，６間の電圧 が低下し、消磁コイル１１に流れる電流が急激に低下する。

【０００９】 図４に示すように、消磁コイルに代えて抵抗１５，１６を挿入し、端子１７， １８間の電流値を測定した。正特性サーミスタ２は、チタン酸バリウムを主成分 とする材料からなる厚さ２．０ｍｍ、直径１４．０ｍｍの素体に電極を設けたＲ ₂₅ ＝３Ωのものを用いた。バリスタ３は、酸化亜鉛を主成分とする材料からなる バリスタ電圧５０Ｖのものを用いた。分流抵抗１４は５００Ω、抵抗１５は９Ω 、抵抗１６は１Ωである。

【００１０】 以上の試験回路に電源１２から６０Ｈｚ、１００Ｖの交流電流を供給したとこ ろ、スイッチオンから１分後の端子１７，１８間の残留電流は０．２ｍＡ（ピー ク値）程度であった。 比較実験として、バリスタ３に代えて、チタン酸バリウムを主成分とする材料 からなる厚さ１．５ｍｍ、直径１２．０ｍｍの素体に電極を設けたＲ₂₅＝２．５ Ωの正特性サーミスタを挿入し（従来品に相当する）、前記同様の条件でスイッ チオンから１分後の端子１７，１８間の残留電流を測定したところ、１ｍＡ（ピ ーク値）程度であった。両者を比較すると明らかなように、本実施品は従来品に 対して残留電流が約５分の１に減少している。

【００１１】 さらに、本考案に係る消磁装置は、前記バリスタ３に代えて、半導体基板上に 非オーム接触電極を形成したものを用いてもよい。非オーム接触電極もバリスタ と同様に電圧に対して電流が比例しない電圧非直線性を有している。従って、消 磁動作後に消磁コイル１１に残留する電流は減少する。具体的には、図４に示し た試験回路において、バリスタ３に代えて、正特性サーミスタ２と同じ種類、形 状の素体に銀からなる電極を設けたものを挿入し、前記同様の条件でスイッチオ ンから１分後の端子１７，１８間の残留電流を測定したところ、０．２ｍＡ（ピ ーク値）程度であった。

【００１２】 ところで、以上に説明した実施例において、消磁コイル１１に流れる電流はバ リスタ３又は非オーム接触電極の特性に左右される。従って、従来の如く一対の 正特性サーミスタや分流抵抗の特性を厳格に管理する必要がなくなり、消磁装置 の生産性が大きく向上する。また、スイッチオン時に正特性サーミスタ２に流れ る電流値が小さく、正特性サーミスタ２が焼損するおそれもない。

【００１３】 特に、非オーム接触電極を用いる場合には、めっき処理の必要がなく、めっき 処理時における素体の劣化がなくなって信頼性が向上し、不用部分の研磨工程も 省けるために生産工程が減少する。

【００１４】

【考案の効果】

以上の説明で明らかなように、本考案によれば、正特性サーミスタ素子と非直 線抵抗素子とで消磁コイルへの電流を制御するようにしたため、消磁コイルの残 留電流が大幅に減少し、消磁効果が向上する。また、正特性サーミスタ素子や分 流抵抗の特性管理が緩和され、生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る消磁装置の一実施例を示す回路
図。

【図２】図１に示した回路を構成する正特性サーミスタ
とバリスタとの結合を示す断面図。

【図３】バリスタの電圧−電流特性を示すグラフ。

【図４】本考案に係る消磁装置の残留電流を測定するた
めの試験回路図。

【図５】従来の消磁装置の回路図。

【符号の説明】

１…ケース ２…正特性サーミスタ ３…バリスタ ４，５，６…端子 １１…消磁コイル １２…交流電流 １３…スイッチ １４…分流抵抗

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 消磁コイルと交流電源との間に、正特性
   サーミスタ素子と非直線抵抗素子とを直列に接続し、両
   素子の間の端子に分流抵抗を挿入したことを特徴とする
   消磁装置。
2. 【請求項２】 非直線抵抗素子がバリスタであることを
   特徴とする請求項１記載の消磁装置。
3. 【請求項３】 非直線抵抗素子が半導体基板上に形成さ
   れた非オーム接触電極であることを特徴とする請求項１
   記載の消磁装置。