JPH05461B2 - - Google Patents
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- JPH05461B2 JPH05461B2 JP1261127A JP26112789A JPH05461B2 JP H05461 B2 JPH05461 B2 JP H05461B2 JP 1261127 A JP1261127 A JP 1261127A JP 26112789 A JP26112789 A JP 26112789A JP H05461 B2 JPH05461 B2 JP H05461B2
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- Japan
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- foil
- capacitance
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- cathode foil
- electrolytic capacitor
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Description
産業上の利用分野
この発明は電解コンデンサ陰極箔用アルミニウ
ム合金に関する。 従来の技術 アルミニウム電解コンデンサの静電容量を増大
してその性能を向上させるためには、陽極用アル
ミニウム箔のみならず陰極箔の静電容量も増大さ
せる必要がある。 このため一般に、陰極箔に化学的あるいは電気
化学的エツチング処理を施して実効面積を拡大し
単位体積当りの静電容量の増大を図ることが行わ
れており、さらに、このエツチング特性を改善す
べく陰極箔の材料組成の面からの研究がなされて
いる。そのようなエツチング特性を改善した陰極
箔として、従来、Cuを0.1〜0.5wt％程度添加含有
したアルミニウム合金陰極箔が知られている（例
えば特開昭56−133444号、特開昭62−149858号）。 発明が解決しようとする課題 ところが、Cuを含有した陰極箔を電解コンデ
ンサに用いると、箔中のCuが析出して洩れ電流
が増え、甚しくはコンデンサ本体の破損を引起こ
す場合があるという問題を生ずることが判明し
た。 この発明は、かかる事情に鑑みてなされたもの
であつて、高静電容量を保有するものでありなが
らもコンデンサに用いた場合の洩れ電流の増大が
破損を生じない陰極箔となしうる電解コンデンサ
陰極箔用アルミニウム合金の提供を目的とする。 課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、この発明に係る陰
極箔用アルミニウム合金は、Ni：0.001〜0.005wt
％、Fe：0.05〜0.2wt％、Si：0.1wt％以下を含有
し、不可避不純物としてTi：0.0015wt％以下、
Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、Ｂ：各0.005wt％
以下にそれらの含有量が規制され、残部がアルミ
ニウム及び前記以外の不可避不純物からなること
を特徴とする。 上記において、Niは、表面積拡大のためのエ
ツチング処理においてエツチング開始点を増大さ
せ、それにより拡面率の向上ひいては静電容量の
増大に寄与するものである。しかし、0.001wt％
（10ppm）未満の含有量ではその効果に乏しく、
逆に0.005wt％（50ppm）を超えると過度の表面
溶解により拡面率の向上を妨げ結果的に静電容量
の増大が図れなくなるとともに、腐食減量が多く
なつて機械的強度の低下をもたらす。 Feもまた、Niと同様にエツチング開始点を増
大して静電容量の増大に寄与するものである。し
かし、その含有量が0.05wt％（500ppm）未満で
は上記効果に乏しく、逆に0.2wt％（2000ppm）
を超えるとアルミニウム箔焼鈍後の結晶組織にお
ける立方体方位の結晶生成を抑制してエツチング
ピツトの成長を妨げ、静電容量を低下させる。
Feの特に好ましい含有量は0.05〜0.15wt％であ
る。 Siはエツチングの均一性と安定性に寄与するも
のであるが、0.1wt％（1000ppm）を超えるとそ
の効果がなく表面溶解量が多くなつて静電容量が
低下する。従つて0.1wt％以下の範囲で含有され
なければならず、好ましくは0.05wt％以下の範囲
で含有するのが良い。 上記各必須元素の他、エツチング特性の向上元
素として任意的にGa0.005〜0.02wt％（50〜
200ppm）を含有せしめても良い。 不可避不純物としてのMn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、
Ｂはこれらが多量に含有されるとエツチング特性
が劣化して過度の表面溶解を招き静電容量が低下
する。従つてMn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、Ｂはそれ
ぞれ0.005wt％（50ppm）以下に含有量が規制さ
れなければならない。特に好ましくは0.003wt％
以下に規制されるのが良い。同じく不可避不純物
としてのTiも静電容量の増大に対してその妨げ
となるため可及的減ずるのが望ましい。しかし、
0.0015wt％（15ppm）以下の範囲であればその弊
害が少ないため、Tiは0.0015wt％以下の範囲で
その含有が許容される。また不可避不純物として
のCuは、これが多量に含有されると電解コンデ
ンサに用いた場合に析出して洩れ電流の増加やコ
ンデンサ本体の破壊の危険があることから、かか
る危険のない0.005wt％（50ppm）以下に規制さ
れなければならなず、好ましくは0.002wt％以下
に規制されるのが良い。 この発明に係るアルミニウム合金の電解コンデ
ンサ陰極箔への製造は常法に従つて行えば良く、
例えばアルミニウム溶湯から縦型または横型の半
連続鋳造法によりスラブを鋳造したのち、このス
ラブを熱間圧延、冷間圧延さらに箔圧延により厚
さ30〜60μｍ程度の箔とすれば良い。こうして製
造した箔は、一般的には焼鈍処理により軟化させ
たのち電気化学的あるいは化学的エツチング処理
を施して箔表面の実効面積を拡大し電解コンデン
サ陰極箔とする。 発明の効果 この発明に係る電解コンデンサ陰極箔用アルミ
ニウム合金によれば、後述の実施例の参酌によつ
ても明らかなように、Cuを実質的に含まないも
のでありながらも大きな静電容量を有する陰極箔
の提供が可能となる。しかも、Cuを実質的に含
まないことにより、該陰極箔を電解コンデンサに
使用した場合にも従来のような洩れ電流の増大、
コンデンサの破損の危険を回避しうる。 実施例 次にこの発明の実施例を説明する。 下記第１表に示される成分量に調整されたアル
ミニウム溶湯から半連続鋳造法によりスラブを鋳
造し、これに常法による熱間圧延、冷間圧延、更
に箔圧延を施して厚さ50μｍの箔を製作した。次
にこの箔に焼鈍処理を施して軟化させた後、これ
を７％塩酸、0.2％リン酸及び0.2％硝酸からなる
温度55℃±１℃の混合水溶液中に浸漬し、電流密
度60A／ｄm2の交流電流を通じて135秒間エツチ
ングを行い、陰極箔とした。 上記により得た各陰極箔につき、５％ホウ酸及
び５％クエン酸の混合水溶液（温度30℃）中に浸
漬し、交流万能ブリツジにて静電容量を測定し
た。その結果を同じく第１表に示す。
ム合金に関する。 従来の技術 アルミニウム電解コンデンサの静電容量を増大
してその性能を向上させるためには、陽極用アル
ミニウム箔のみならず陰極箔の静電容量も増大さ
せる必要がある。 このため一般に、陰極箔に化学的あるいは電気
化学的エツチング処理を施して実効面積を拡大し
単位体積当りの静電容量の増大を図ることが行わ
れており、さらに、このエツチング特性を改善す
べく陰極箔の材料組成の面からの研究がなされて
いる。そのようなエツチング特性を改善した陰極
箔として、従来、Cuを0.1〜0.5wt％程度添加含有
したアルミニウム合金陰極箔が知られている（例
えば特開昭56−133444号、特開昭62−149858号）。 発明が解決しようとする課題 ところが、Cuを含有した陰極箔を電解コンデ
ンサに用いると、箔中のCuが析出して洩れ電流
が増え、甚しくはコンデンサ本体の破損を引起こ
す場合があるという問題を生ずることが判明し
た。 この発明は、かかる事情に鑑みてなされたもの
であつて、高静電容量を保有するものでありなが
らもコンデンサに用いた場合の洩れ電流の増大が
破損を生じない陰極箔となしうる電解コンデンサ
陰極箔用アルミニウム合金の提供を目的とする。 課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、この発明に係る陰
極箔用アルミニウム合金は、Ni：0.001〜0.005wt
％、Fe：0.05〜0.2wt％、Si：0.1wt％以下を含有
し、不可避不純物としてTi：0.0015wt％以下、
Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、Ｂ：各0.005wt％
以下にそれらの含有量が規制され、残部がアルミ
ニウム及び前記以外の不可避不純物からなること
を特徴とする。 上記において、Niは、表面積拡大のためのエ
ツチング処理においてエツチング開始点を増大さ
せ、それにより拡面率の向上ひいては静電容量の
増大に寄与するものである。しかし、0.001wt％
（10ppm）未満の含有量ではその効果に乏しく、
逆に0.005wt％（50ppm）を超えると過度の表面
溶解により拡面率の向上を妨げ結果的に静電容量
の増大が図れなくなるとともに、腐食減量が多く
なつて機械的強度の低下をもたらす。 Feもまた、Niと同様にエツチング開始点を増
大して静電容量の増大に寄与するものである。し
かし、その含有量が0.05wt％（500ppm）未満で
は上記効果に乏しく、逆に0.2wt％（2000ppm）
を超えるとアルミニウム箔焼鈍後の結晶組織にお
ける立方体方位の結晶生成を抑制してエツチング
ピツトの成長を妨げ、静電容量を低下させる。
Feの特に好ましい含有量は0.05〜0.15wt％であ
る。 Siはエツチングの均一性と安定性に寄与するも
のであるが、0.1wt％（1000ppm）を超えるとそ
の効果がなく表面溶解量が多くなつて静電容量が
低下する。従つて0.1wt％以下の範囲で含有され
なければならず、好ましくは0.05wt％以下の範囲
で含有するのが良い。 上記各必須元素の他、エツチング特性の向上元
素として任意的にGa0.005〜0.02wt％（50〜
200ppm）を含有せしめても良い。 不可避不純物としてのMn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、
Ｂはこれらが多量に含有されるとエツチング特性
が劣化して過度の表面溶解を招き静電容量が低下
する。従つてMn、Mg、Cr、Zn、Ｖ、Ｂはそれ
ぞれ0.005wt％（50ppm）以下に含有量が規制さ
れなければならない。特に好ましくは0.003wt％
以下に規制されるのが良い。同じく不可避不純物
としてのTiも静電容量の増大に対してその妨げ
となるため可及的減ずるのが望ましい。しかし、
0.0015wt％（15ppm）以下の範囲であればその弊
害が少ないため、Tiは0.0015wt％以下の範囲で
その含有が許容される。また不可避不純物として
のCuは、これが多量に含有されると電解コンデ
ンサに用いた場合に析出して洩れ電流の増加やコ
ンデンサ本体の破壊の危険があることから、かか
る危険のない0.005wt％（50ppm）以下に規制さ
れなければならなず、好ましくは0.002wt％以下
に規制されるのが良い。 この発明に係るアルミニウム合金の電解コンデ
ンサ陰極箔への製造は常法に従つて行えば良く、
例えばアルミニウム溶湯から縦型または横型の半
連続鋳造法によりスラブを鋳造したのち、このス
ラブを熱間圧延、冷間圧延さらに箔圧延により厚
さ30〜60μｍ程度の箔とすれば良い。こうして製
造した箔は、一般的には焼鈍処理により軟化させ
たのち電気化学的あるいは化学的エツチング処理
を施して箔表面の実効面積を拡大し電解コンデン
サ陰極箔とする。 発明の効果 この発明に係る電解コンデンサ陰極箔用アルミ
ニウム合金によれば、後述の実施例の参酌によつ
ても明らかなように、Cuを実質的に含まないも
のでありながらも大きな静電容量を有する陰極箔
の提供が可能となる。しかも、Cuを実質的に含
まないことにより、該陰極箔を電解コンデンサに
使用した場合にも従来のような洩れ電流の増大、
コンデンサの破損の危険を回避しうる。 実施例 次にこの発明の実施例を説明する。 下記第１表に示される成分量に調整されたアル
ミニウム溶湯から半連続鋳造法によりスラブを鋳
造し、これに常法による熱間圧延、冷間圧延、更
に箔圧延を施して厚さ50μｍの箔を製作した。次
にこの箔に焼鈍処理を施して軟化させた後、これ
を７％塩酸、0.2％リン酸及び0.2％硝酸からなる
温度55℃±１℃の混合水溶液中に浸漬し、電流密
度60A／ｄm2の交流電流を通じて135秒間エツチ
ングを行い、陰極箔とした。 上記により得た各陰極箔につき、５％ホウ酸及
び５％クエン酸の混合水溶液（温度30℃）中に浸
漬し、交流万能ブリツジにて静電容量を測定し
た。その結果を同じく第１表に示す。
【表】
第１表に示される結果から明らなように、この
発明の合金によれば、それにより製造される陰極
箔の静電容量を、Cuの含有量を極めて低く抑え
つつも、非常に高いものにすることができること
を確認しえた。
発明の合金によれば、それにより製造される陰極
箔の静電容量を、Cuの含有量を極めて低く抑え
つつも、非常に高いものにすることができること
を確認しえた。
Claims (1)
- １ Ni：0.001〜0.005wt％、Fe：0.05〜0.2wt％、
Si：0.1wt％以下を含有し、不可避不純物として
Ti：0.0015wt％以下、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、
Ｖ、Ｂ：各0.005wt％以下にそれらの含有量が規
制され、残部がアルミニウム及び前記以外の不可
避不純物からなることを特徴とする電解コンデン
サ陰極箔用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26112789A JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26112789A JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122239A JPH03122239A (ja) | 1991-05-24 |
| JPH05461B2 true JPH05461B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=17357474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26112789A Granted JPH03122239A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122239A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2878487B2 (ja) * | 1991-07-09 | 1999-04-05 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
| JP2007058110A (ja) | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体 |
| JP2008150692A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材 |
| JP4827103B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2011-11-30 | 三菱アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
| JP5396156B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2014-01-22 | 三菱アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395265A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-21 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum anode foil for electrolytic capacitor and method of making same |
| JPS57110646A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | High-purity aluminum alloy foil for anode of electrolytic capacitor |
| JPS63290239A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP26112789A patent/JPH03122239A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03122239A (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |