JPH0546456A - 追記型記憶媒体のアクセス方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 追記型記憶媒体のアクセス方式において、操
作者にとって追記型記憶媒体の記憶デ−タを修正、更新
でき、また、追記型記憶媒体の修正デ−タや更新デ−タ
を容易に管理できるようにする。。 【構成】 メモリ15は、例えばＲＡＭ（ランダムアクセ
スメモリ）により構成され、記憶装置18は、例えば光デ
ィスク（ＯＤ）とその駆動装置等により構成される。Ｃ
ＰＵ11は、光ディスクに書き込まれたデ−タを読み出し
て書き込み済み領域の次の未書き込み領域をサ−チし、
この未書き込み領域に更新デ−タを順次書き込む。ま
た、ＣＰＵ11は、光ディスクのデ−タ領域に書き込まれ
た最新の更新デ−タの書き込み領域をサ−チして最新の
更新デ−タを読み出す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記憶デ−タを物理的に
修正、更新することができず、記憶領域に追記する追記
型記憶媒体のアクセス方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ハ−ドディスク（ＨＤ）やフロ
ッピ−ディスク（ＦＤ）のような記憶媒体は、図20に示
すように、その性質上記憶デ−タにアクセスして同一記
憶位置において物理的に修正、更新することが簡単にで
きる。一方、光ディスク（ＯＤ）のような記憶媒体は、
いわゆる破壊書き込み方式を採っており、その性質上デ
−タを同一記憶位置において物理的に修正、更新するこ
とはできない。仮に、このように修正、更新しようとす
れば、書き込みエラ−が発生してしまう。

【０００３】従って、従来の追記型記憶媒体のアクセス
方式では、記憶デ−タを修正、更新する際に、更新デ−
タを他の未書き込み領域に書き込んで、管理テ−ブルを
追記したりして、更新デ−タを読み出す際に、操作者が
管理テ−ブルを例えばＣＲＴの表示画面上に読み出して
最新の更新デ−タを選択するように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の追記型記憶媒体のアクセス方式では、更新デ−
タを読み出す場合には、操作者が管理テ−ブルを例えば
ＣＲＴの表示画面上に読み出して最新の更新デ−タを選
択するので、操作者にとって記憶デ−タを修正、更新す
ることができず、また、修正デ−タや更新デ−タを管理
することが困難であるという問題点がある。

【０００５】本発明は上述した従来の問題点に鑑み成さ
れたものであり、操作者にとって追記型記憶媒体の記憶
デ−タを修正、更新することができ、また、追記型記憶
媒体の修正デ−タや更新デ−タを容易に管理することが
できる追記型記憶媒体のアクセス方式を提供することを
課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願第１発明の追記型記
憶媒体のアクセス方式は上述の課題を達成するために、
追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域のうち最後にデ−タが
書き込まれた書き込み済み領域の次の未書き込み領域を
探して該探した未書き込み領域に更新デ−タを書き込む
書き込み手段と、デ−タ記憶領域のうち最後にデ−タが
書き込まれた書き込み済み領域を探して該探した書き込
み済み領域からデ−タを読み出す読み出し手段とを備え
たことを特徴とする。

【０００７】本願第２発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、上述した第１発明
において、書き込み手段は、デ−タ記憶領域に更新デ−
タを該更新デ−タについての管理デ−タと共に書き込
み、読み出し手段は、該書き込まれた管理デ−タに基づ
いて最後にデ−タが書き込まれた書き込み済み領域を探
すことを特徴とする。

【０００８】本願第３発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、上述した第１又は
第２発明において、書き込み手段は、デ−タ記憶領域に
書き込まれたデ−タをＤＭＡ転送で読み出すことにより
未書き込み領域を探すことを特徴とする。

【０００９】本願第４発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、上述した第１から
第３発明において、書き込み手段は、追記型記憶媒体の
任意の空き領域をデ−タ記憶領域として割り付け、少な
くとも該割り付けられた領域の位置を示す情報を含む管
理テ−ブルと共に更新デ−タを書き込むことを特徴とす
る。

【００１０】本願第５発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、上述した第４発明
において、書き込み手段は、更新デ−タを書き込む際に
空き領域に応じてデ−タ記憶領域の割り付けを変更し、
更新デ−タと共に当該変更後の領域の割り付けに対応し
た新たな管理テ−ブルを追記するようにしたことを特徴
とする。

【００１１】本願第６発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、上述した第１から
第５発明において、書き込み手段は、更新されるべき第
１のデ−タを基準として変更・修正する部分のみを示す
第２のデ−タを当該変更・修正の内容を示す管理テ−ブ
ルと共に未書き込み領域に書き込み、読み出し手段は、
第１のデ−タと第２のデータと管理テーブルとを読み出
して最新の更新データに展開することを特徴とする。

【００１２】本願第７発明の追記型記憶媒体のアクセス
方式は上述の課題を達成するために、追記型記憶媒体の
第１のデ−タ記憶領域の複数のブロックのうち最後に書
き込まれた第１のブロックのデ−タに追加デ−タを追加
して得られるデ−タがーブロックを満たすに至らない場
合には該追加して得られるデ−タを該第１のブロックの
次の第２のブロックに書き込み、該追加して得られるデ
−タがーブロックを満たすに至る場合には該ーブロック
を満たす分のデ−タを追記型記憶媒体の第２のデ−タ記
憶領域に書き込むと共に該ーブロックを超過する分のデ
−タを第２のブロックに書き込む書き込み手段と、第２
のデ−タ記憶領域に書き込まれたデ−タを読み出すと共
に第１のデ−タ記憶領域のうち最後に書き込まれたブロ
ックからデ−タを読み出し、該第１及び第２のデ−タ記
憶領域から読み出したデ−タを組み合わせて最新のデ−
タとして取り出す読み出し手段とを備えたことを特徴と
する。

【００１３】

【作用】第１発明によれば、書き込み手段により、追記
型記憶媒体のデ−タ記憶領域のうち最後にデ−タが書き
込まれた書き込み済み領域の次の未書き込み領域を探
し、探した未書き込み領域に更新デ−タを順次書き込
む。また、このように書き込まれた後には、読み出し手
段により、デ−タ記憶領域のうち最後にデ−タが書き込
まれた書き込み済み領域を探し、探した書き込み済み領
域からデ−タを読み出す。従って、デ−タ記憶領域から
デ−タを読み出す際には、最新の更新デ−タを読み出す
ことができる。このため、操作者にとって追記型記憶媒
体の記憶デ−タを修正、更新することができ、また、追
記型記憶媒体の更新デ−タを容易に管理することができ
る。

【００１４】第２発明によれば、書き込み手段により、
デ−タ記憶領域に更新デ−タを該更新デ−タについての
管理デ−タと共に書き込む。また、このように書き込ま
れた後には、読み出し手段により、該書き込まれた管理
デ−タに基づいて最後にデ−タが書き込まれた書き込み
済み領域を探す。このため、例えば更新デ−タの容量が
最小単位（ブロック）を超える場合にも、操作者にとっ
て追記型記憶媒体の記憶デ−タを修正、更新することが
でき、また、追記型記憶媒体の更新デ−タを容易に管理
することができる。

【００１５】第３発明によれば、書き込み手段により、
デ−タ記憶領域に書き込まれたデ−タをＤＭＡ転送で読
み出すことにより未書き込み領域を高速に探すことがで
き、このため、更新デ−タを高速で書き込むことができ
る。

【００１６】第４発明によれば、書き込み手段により、
追記型記憶媒体の任意の空き領域をデ−タ記憶領域とし
て割り付け、少なくとも該割り付けられた領域を示す情
報を含む管理テ−ブルと共に更新デ−タを書き込む。こ
のため、操作者の好みに合わせてデ−タ記憶領域の割り
付けを行うことができ、追記型記憶媒体のデ−タ記憶領
域を有効に利用することができる。

【００１７】第５発明によれば、上述の第４発明におい
て、書き込み手段により、更新デ−タを書き込む際に空
き領域に応じてデ−タ記憶領域の割り付けを変更し、更
新デ−タと共に当該変更後の領域の割り付けに対応した
新たな管理テ−ブルを追記するようにしたので、一旦設
定されたデ−タ記憶領域の割り付けを必要に応じて変更
することができ、このため、追記型記憶媒体のデ−タ記
憶領域を更に有効に利用することができる。

【００１８】第６発明によれば、書き込み手段により、
更新されるべき第１のデ−タを基準として変更・修正す
る部分のみを示す第２のデ−タを当該変更・修正の内容
を示す管理テ−ブルと共に未書き込み領域に書き込む。
また、このように書き込まれた後には、読み出し手段に
より、第１のデ−タと第２のデータと管理テーブルとを
読み出して最新の更新データに展開する。このため、更
新されるべき第１のデ−タのうち変更・修正を必要とし
ない部分は、更新後も、最新のデ−タの一部として利用
されることになり、この結果、追記型記憶媒体のデ−タ
記憶領域を有効に利用することができる。

【００１９】第７発明によれば、書き込み手段により、
第１のデ−タ記憶領域の複数のブロックのうち最後に書
き込まれた第１のブロックのデ−タに追加デ−タを追加
して得られるデ−タがーブロックを満たすに至らない場
合には、該追加して得られるデ−タを第１のブロックの
次の第２のブロックに書き込む。他方、該追加して得ら
れるデ−タがーブロックを満たすに至る場合には、該ー
ブロックを満たす分のデ−タを追記型記憶媒体の第２の
デ−タ記憶領域に書き込むと共に、該ーブロックを超過
する分のデ−タを第１のデ−タ記憶領域の第２のブロッ
クに書き込む。また、このように書き込まれた後には、
読み出し手段により、第２のデ−タ記憶領域に書き込ま
れたデ−タを読み出すと共に第１のデ−タ記憶領域のう
ち最後に書き込まれた第２のブロックからデ−タを読み
出し、該第１及び第２のデ−タ記憶領域から読み出した
デ−タを組み合わせて最新のデ−タとして取り出す。こ
のため、読み出し時間を短縮することができ、読み出し
効率を向上させつつ追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域を
更に有効に利用することができる。

【００２０】次に示す本発明の実施例から、本発明のこ
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明に係る追記型記憶媒体のアクセス
装置の一実施例を示すブロック図、図２は、図１の記憶
装置の光ディスクの記憶領域を示す説明図、図３は、図
２の記憶領域のアドレスを示す説明図、図４は、図１の
追記型記憶媒体のアクセス装置の動作を説明するための
フロ−チャ−トである。

【００２２】図１において、ＣＰＵ（中央処理装置）11
は、キ−ボ−ド12を介して入力したデ−タやコマンドを
処理したり、制御回路14を介してＣＲＴ13の表示、メモ
リ15の書き込みや読み出し等を制御する。ＣＰＵ11はま
た、スキャナ17により読み取られたデ−タをＩ／Ｆ（イ
ンタフェ−ス）回路16を介して処理したり、追記型の記
憶装置18の書き込みや読み出し等を制御したり、プリン
タ19の印字を制御する。尚、メモリ15は、例えばＲＡＭ
（ランダムアクセスメモリ）により構成され、記憶装置
18は、例えば光ディスク（ＯＤ）とその駆動装置等によ
り構成される。

【００２３】記憶装置18の光ディスクの各ファイルＦの
記憶領域は、例えば512 バイトや1024バイトの最小単位
のブロックB1〜毎に構成され、１つのブロックB1〜の領
域にはファイルＦの１つデ−タが記憶される。尚、この
ブロックB1〜の容量は、記憶媒体毎に異なる。

【００２４】ＣＰＵ11は、先ず、キ−ボ−ド12を介して
入力したデ−タやコマンドに応じて各デ−タファイルＦ
を記憶するための領域の位置とサイズを固定して割り付
ける。この場合、取り扱うファイルＦが複数存在する場
合にはその分の割り付けを行い、また、サイズは、予測
される更新回数を考慮して決定する。

【００２５】そして、デ−タを光ディスクに記憶する場
合にはファイルＦの領域の先頭のブロックB1から記憶
し、この記憶デ−タを更新する場合には、ＣＰＵ11は、
先ず、記憶デ−タを光ディスクからメモリ15に読み出し
てＣＲＴ13の画面に表示し、キ−ボ−ド12を介して入力
したデ−タやコマンドに応じてメモリ15上で修正する。
そして、この更新デ−タを光ディスクに登録する場合、
図２に示すように、メモリ15から光ディスクに転送し
て、光ディスクの全デ−タ記憶領域101 のうちファイル
Ｆを構成するデ−タ記憶領域（デ−タ割り付け領域）内
で、最後に書き込んだブロックBnの次のブロックBn+1に
登録する。このようにして、ファイルＦ上で、デ−タを
更新すると、書き込み済み領域F1は大きくなり、未書き
込み領域F2は小さくなる。

【００２６】次に、図３及び図４を参照して更新処理及
び更新デ−タの読み出し処理の詳細な動作を説明する。
尚、図３において、Ｔは、ファイルＦの先頭アドレス、
Ｙは、ファイルＦの書き込み済み領域F1の最後のアドレ
ス、Ｘは、ファイルＦの未書き込み領域F2の先頭アドレ
スである。

【００２７】更新処理の場合、先ず、ファイルＦの先頭
のブロックB1の位置を示すアドレスＴを読み出しアドレ
スｎにセットし（図４のステップS1）、読み出しアドレ
スｎのデ−タを光ディスクから読み出してメモリ15に格
納する（ステップS2）。次いで、読み出しアドレスｎの
領域が未書き込み状態（領域F2）か否かを判定し（ステ
ップS3）、未書き込み状態でない場合には読み出しアド
レスｎをインクリメントして（ステップS4）ステップS2
に戻り、未書き込み状態の領域F2をサ−チする。尚、ス
テップS4では、ファイルＦのデ−タ領域の大きさをチェ
ックするのが好ましい。

【００２８】未書き込み状態の領域F2を求めるとステッ
プS3からステップS5に分岐し、読み出しアドレスｎを更
新デ−タの書き込みアドレスＸにセットし、次いで、読
み出しアドレスｎが上記記憶デ−タの最初のアドレスＴ
より大きいか否かを判定する（ステップS6）。ｎ＞Ｔの
場合には読み出しアドレスｎを１つデクリメントし（ス
テップS7）、読み出しアドレスｎを記憶デ−タの最後の
アドレスＹにセットした後（ステップS8）、未書き込み
領域F2の先頭アドレスＸの領域に更新デ−タを格納す
る。尚、ステップS7では、書き込みエラ−を考慮して記
憶デ−タをチェックするのが好ましい。

【００２９】ステップS6において、ｎ≦Ｔの場合には光
ディスクが全く未書き込み状態であるので、ステップS9
に分岐し、記憶デ−タの最後のアドレスＹをアドレス
「０」にセットして上記書き込みアドレスＸの領域にデ
−タを格納する。

【００３０】この更新デ−タを読み出す場合には、上記
書き込みアドレスＴの領域からデ−タを順次読み出して
最新の更新デ−タの次の未書き込み領域F2をサ−チし、
この未書き込み領域F2の前の書き込み済み領域F1のデ−
タが有効か否かを判断することにより書き込み済み領域
F1の最新の更新デ−タを読み出す。

【００３１】従って、上記実施例によれば、ＣＰＵ11が
光ディスクに書き込まれたデ−タを読み出して書き込み
済み領域F1の次の未書き込み領域F2をサ−チし、この未
書き込み領域F2に更新デ−タを順次書き込むと共に、光
ディスクのデ−タ領域に書き込まれた最新の更新デ−タ
の書き込み領域F1をサ−チして最新の更新デ−タを読み
出すので、操作者にとって追記型記憶媒体の記憶デ−タ
を修正、更新することができ、また、光ディスクの修正
デ−タや更新デ−タを容易に管理することができる。こ
の場合また、更新デ−タの履歴を管理することができる
ので便利である。

【００３２】尚、上記実施例では、更新デ−タの領域を
求める場合に、ファイルＦの先頭の書き込みアドレスか
らサ−チするように構成したが（ステップS1〜S4）、フ
ァイルＦの最後の書き込みアドレスからサ−チするよう
に構成してもよい。

【００３３】また、上記実施例では、光ディスクのよう
な書き換え不能な記憶媒体を例にして説明したが、ハ−
ドディスクのような書き換え可能な記憶媒体に適用すれ
ば、記憶デ−タを消去することなく更新デ−タを順次追
記することができるので、デ−タの性質に応じては更新
デ−タの履歴を管理することができると共に、記憶デ−
タの安全性を確保することができる。この場合、未書き
込み状態を示すフラグを記憶媒体の各ブロックの所定の
領域にセットするようにすれば、未書き込み領域をサ−
チする処理を簡略化することができる。

【００３４】次に、図５〜図７を参照して本発明の第２
の実施例を説明する。図５は、本発明に係る追記型記憶
媒体のアクセス装置の第２の実施例における光ディスク
の記憶領域を示す説明図、図６は、図５の記憶領域のア
ドレスを示す説明図、図７は、第２の実施例の追記型記
憶媒体のアクセス装置の動作を説明するためのフロ−チ
ャ−トである。上記第１の実施例では、１ブロックB1〜
にそれぞれ１つのデ−タを書き込むので、１ブロックB1
〜を超える容量のデ−タを書き込むことができないが、
本実施例は、１ブロックB1〜を超える容量のデ−タＤを
処理可能なように構成されている。

【００３５】図６（Ａ）に示すように、本実施例の光デ
ィスクの各ファイルＦの記憶領域は、第１の実施例と同
様に例えば512 バイトや1024バイトの最小単位のブロッ
クB1〜毎に構成されているが、書き込みデ−タＤが複数
のブロックB1〜の容量である場合、各ブロックB1〜に連
続して書き込むと共に書き込みデ−タＤの最後にデ−タ
サイズ、開始位置（ポインタＳ）等を含むデ−タの管理
デ−タを書き込むように構成されている。尚、更新デ−
タＤを書き込む場合の概略動作は第１の実施例と同一で
あるので、その詳細な説明は省略する。

【００３６】次に、図６（Ａ）及び図７を参照して更新
デ−タＤを読み出すための動作を説明する。先ず、図７
に示すステップS11 では、記憶デ−タをブロックB1〜毎
に順次読み出してメモリ15に格納し、続くステップS12
において、その最後の管理デ−タ（アドレスＹ）のデ−
タサイズ、ポインタＳをサ−チし、このデ−タサイズ、
ポインタＳにより最新のデ−タＤを全て読み出す。

【００３７】従って、この実施例では、書き込みデ−タ
Ｄが複数のブロックB1〜の容量である場合、各ブロック
B1〜に連続して書き込むと共に書き込みデ−タＤの最後
にデ−タサイズ、開始位置（ポインタＳ）等を含む管理
デ−タを書き込むので、１ブロックB1〜を超える容量の
デ−タＤを処理することができる。

【００３８】尚、図６（Ｂ）に示すように、実際のシス
テムでは、エラ−等の対応のために、デ−タのスタ−ト
ブロックの中に有効デ−タの次のブロックを示すポイン
タを持たせるようにするのが好ましい。

【００３９】次に、図８及び図９を参照して第３の実施
例を説明する。図８は、本発明に係る追記型記憶媒体の
アクセス装置の第３の実施例におけるＤＭＡ（ダイレク
トメモリアクセス）転送を示す説明図、図９は、第３の
実施例の動作を説明するためのフロ−チャ−トである。
上記第２の実施例では、書き込み済み領域F1の全ての記
憶デ−タをメモリ15に読み出して未書き込み領域F2の先
頭のアドレスをサ−チするので、レディチェック時間や
シ−ク時間等のＣＰＵ11の処理時間が長くなるが、この
実施例では、ＤＭＡコントロ−ラを付加してＣＰＵ11の
処理時間を短縮するように構成されている。

【００４０】先ず、図８に示すように、光ディスクの記
憶デ−タを格納するためのメモリ15のバッファ領域（容
量Ｍ）を確保する。尚、このバッファ領域は、光ディス
クの割り付け領域の全てのデ−タを格納することができ
る大きさが望ましいが、システムの容量に限界がある場
合、可能な限り大きな方がよい。

【００４１】次いで、図９において、ファイルＦの開始
ブロック位置Ｔ（ｎ←Ｔ）と（ステップS21 ）、ファイ
ルＦの読み出しデ−タ量Ｈ（ｈ←Ｈ）と（ステップS22
）、メモリ15のバッファ容量Ｍ（ｍ←Ｍ）とをセット
する（ステップS23 ）。次いで、セットされたバッファ
容量ｍが読み出しデ−タ量ｈより大きい場合には読み出
しデ−タ量ｈをバッファ容量ｍにセットし（ステップS2
4 、S25 ）、ファイルＦの全てのデ−タが光ディスクか
らメモリ15のバッファ領域にＤＭＡ転送されるようにＤ
ＭＡコントロ−ラを制御する（ステップS26 ）。

【００４２】従って、この読み出し時間の間、ＣＰＵ11
は他の処理を実行することができる。尚、このステップ
S26 では、ＤＭＡコントロ−ラは、現在の読み込み処理
ブロック量ａ（≦ｍ）と、最後の読み込み位置（エラ−
が発生した場合にはエラ−発生位置）ｂをステ−タスと
してＣＰＵ11に返す。

【００４３】ここで、エラ−が発生することなく全ての
デ−タが読み込まれた場合には、ファイルＦの割り付け
領域には未書き込みブロックが存在しないことになる。
他方、エラ−が発生した場合には未書き込み領域F2のデ
−タを読み出した場合と、書き込み済み領域F1のデ−タ
を読み出した場合があるが、このエラ−の内容はエラ−
ステ−タスにより判断することができる。従って、前者
の場合には、エラ−が発生したブロックが未書き込み領
域F2の先頭ブロックであり、後者の場合には、デ−タを
更に読み出すことにより未書き込み領域F2をサ−チする
ことができる。

【００４４】図９において、エラ−が発生した場合には
ステップS27 からステップS28 に進んで未書き込み位置
F2か否かを判定し、未書き込み位置F2でない場合にはス
テップS29 に進み、現在の読み込み処理ブロック量ａを
メモリ15のバッファ容量ｍとしてセットしてステップS3
0 に進む。尚、エラ−が発生しない場合にはステップS2
7 から直接ステップS30 に進む。

【００４５】ステップS30 では、読み出しデ−タ量ｈを
残りの読み出し量（＝ｈ−ｍ）にセットしてステップS2
3 に戻り、残りのデ−タを読み出す。尚、ステップS30
において、読み出しデ−タ量ｈが残りの読み出し量（ｈ
−ｍ）より小さい場合には未書き込み位置F2が光ディス
クに存在しないので更新デ−タを書き込むことができな
い。また、ステップS28 において、未書き込み位置F2の
場合には、前述したようにそのエラ−発生位置が未書き
込み領域F2の開始位置であるので、エラ−発生位置ｂを
更新デ−タの先頭書き込み位置にセットする（ステップ
S31 ）。

【００４６】従って、上記実施例によれば、ＤＭＡコン
トロ−ラにより記憶デ−タを光ディスクからメモリ15に
転送するので、更新デ−タの先頭の書き込み位置を短時
間でサ−チすることができ、レディチェック時間やシ−
ク時間等を省略して処理時間を短縮することができる。
また、記憶デ−タの量が少ない場合にも処理効率を向上
することができ、更に、ＣＰＵ11がこのＤＭＡ転送の
間、他の処理を実行することができる。

【００４７】次に、図10を参照して本発明の第４の実施
例を説明する。図10（Ａ）は、第１〜第３の実施例にお
ける光ディスクの記憶領域を示す説明図、図10（Ｂ）
は、第４の実施例における光ディスクの記憶領域を示す
説明図である。

【００４８】図10（Ａ）に示すように、第１〜第３の実
施例では、光ディスクの記憶領域がファイルＦ毎に固定
して割り付けられているので、記憶領域が更新デ−タに
より一杯になると、新しい更新デ−タを書き込むことが
できない。従って、ユ−ザに応じて更新が多く発生する
ファイルがある場合、空き領域が存在するにもかかわら
ず、更新デ−タを書き込むことができなくなる。

【００４９】そこで、本実施例では、このような場合
に、空き領域を有効に活用して更新デ−タを書き込むこ
とができるように構成されている。図10（Ｂ）に示すよ
うに、記憶領域の先頭には、最初のブロックから適当な
サイズの管理テ−ブル20が確保され、この管理テ−ブル
20は、各ファイルＦの開始ブロック位置、サイズ（又は
終了ブロック位置）により構成される。尚、この管理テ
−ブル20は、後述するように変更することができるが、
図10（Ｂ）では固定して割り付けられている。

【００５０】各ファイルＦのデ−タ領域は、適当なサイ
ズ（通常使用する最低サイズ＋α）で管理テ−ブル20に
続く領域に順次確保され、後方の領域に未使用の予備領
域21が確保される。そして、第１〜第３の実施例に示す
ように更新デ−タをそのファイルＦの領域に追記してそ
のファイルＦの領域が一杯になると、新しい更新デ−タ
を予備領域21に書き込み、また、管理テ−ブル20を更新
して追記する。

【００５１】従って、本実施例によれば、光ディスクの
予備領域21に更新デ−タを書き込むので、ユ−ザに応じ
て更新が多く発生するファイルがある場合に更新デ−タ
を書き込むことができる。尚、本実施例では、予備領域
21に更新デ−タを書き込むようにしたが、更新が多く発
生しない他のファイルの空き領域F2に更新デ−タを書き
込むようにしてもよい。

【００５２】次に、図11を参照して本発明の第５の実施
例を説明する。図11は、第５の実施例における光ディス
クの記憶領域を示す説明図である。上記第４の実施例で
は、各ファイルのデ−タ領域が順次固定して確保されて
いるが、この実施例では、各ファイルＡ、Ｂのデ−タ領
域を固定しないで更新デ−タをファイルＡ、Ｂにかかわ
らず追記して管理テ−ブル20により管理するように構成
されている。

【００５３】図11において20a で示したように、光ディ
スクの最初のブロックから適当なサイズの領域が管理テ
−ブル20用として確保され、各ファイルＡ、Ｂのデ−タ
領域がこの領域に続いて固定されることなく確保され
る。尚、管理テ−ブル20は、各ファイルＡ、Ｂの開始ブ
ロック位置とサイズ（又は終了ブロック位置）の初期値
「０」が書き込まれる。そして、20b に示すように、フ
ァイルＡ、Ｂの各デ−タがデ−タ領域に追記されて管理
テ−ブル20が更新され、ファイルＡ、Ｂの更新デ−タ
は、20c に示すように、更新順にデ−タ領域に追記され
て管理テ−ブル20が更新される。

【００５４】即ち、上記第４の実施例では、各ファイル
Ｆのデ−タ領域を順次固定して確保するので、無駄なデ
−タ領域が発生するが、この第５の実施例では、更新デ
−タをファイルＡ、Ｂにかかわらず追記するので、光デ
ィスクのデ−タ領域を有効に利用することができ、ま
た、管理テ−ブル20により未書き込み位置F2を高速でサ
−チすることができる。尚、更新デ−タの書き込み中に
電源が切断された場合、管理テ−ブル20は破壊されない
ので、更新デ−タを再度書き込むことができる。

【００５５】次に、図12〜図14を参照して本発明の第６
の実施例を説明する。図12は、上記第１〜第５の実施例
の更新処理を示す説明図、図13は、第６の実施例の更新
処理を示す説明図、図14は、第６の実施例の更新デ−タ
の読み出し処理を示す説明図である。上記第１〜第５の
実施例では、図12に示すように、ファイルＡの更新デ−
タを全て追記するように構成したが、本実施例では、図
13に示すように、デ−タａがデ−タｂに修正され、デ−
タｘがデ−タｙに修正された場合に修正デ−タｂ、ｙの
みを更新領域F3に追記し、また、修正デ−タｂ、ｙのみ
の変更情報専用管理デ−タを追記するように構成されて
いる。

【００５６】そして、更新デ−タを読み出す場合には管
理テ−ブルと変更情報専用管理デ−タを用い、図14に示
すように、ファイルＡの全てのデ−タをメモリ15（容量
が不足する場合にはハ−ドディスク等）のように、記憶
デ−タを物理的に修正、更新することができる記憶媒体
に読み出し、変更情報専用管理デ−タにより最新のデ−
タに展開する。従って、この実施例によれば、ファイル
Ａの更新デ−タを全て追記しないで修正デ−タｂ、ｙの
みを追記するので、光ディスクのデ−タ領域を更に有効
に利用することができる。

【００５７】次に、図15〜図19を参照して本発明の第７
の実施例を説明する。図15は、一般的な書き込み処理を
示す説明図、図16は、図15の処理により書き込まれた更
新デ−タの読み込み処理を示す説明図、図17は、他の一
般的な書き込み処理を示す説明図、図18は、第７の実施
例における光ディスクの記憶領域を示す説明図、図１９
は、第７の実施例における書き込み処理を示す説明図で
ある。

【００５８】一般的な書き込み処理では通常、図１５に
示すように、デ−タａ〜ｄをブロックB1〜B4毎に書き込
む場合には、各ブロックB1〜B4に空き領域が発生し、ま
た、追加デ−タｅを追記する場合にもそのブロックB5に
空き領域が発生する。そして、このようなデ−タａ〜ｅ
をメモリ15上に読み込む場合には、図16に示すように、
各ブロックB1〜B5の空き領域を管理テ−ブルにより考慮
してデ−タａ〜ｅが詰めた状態でシ−ケンシャルになる
ように読み込む。

【００５９】他の一般的な書き込み処理では、図17に示
すように、デ−タｓ、ｔを１つのブロックB1に書き込ん
で次のデ−タｕを次のブロックB2に書き込む場合には、
デ−タｕのブロックB2に空き領域が発生し、また、追加
デ−タｗを書き込む場合には、全ての更新デ−タｓ〜ｗ
を次のブロックB3、B4に追記する。そして、このような
デ−タｓ〜ｗをメモリ15上に読み込む場合には、ブロッ
クB3、B4に追記された更新デ−タｓ〜ｗを読み込む。

【００６０】図15に示すような書き込み方法では、読み
込みの場合に各ブロックB1〜B5の空き領域を考慮するの
で読み込み時間がかかり、また、図17に示すような書き
込み方法では、全ての更新デ−タｓ〜ｗをブロックB3、
B4に追記するので記憶領域が無駄になるが、この第７の
実施例では、図18に示すように、デ−タを一時的に格納
するための一時的領域F4と、デ−タを正規に格納するた
めの正規領域F5の２つの領域に分割し、読み込み時間を
短縮してデ−タ領域を有効に利用するように構成されて
いる。

【００６１】図19において、ーブロックに満たないデ−
タａを書き込む場合、空き領域を設けて一時的領域F4の
ブロックB1に書き込む。そして、デ−タａとの合計量が
ーブロックに満たないデ−タｂを書き込む場合、空き領
域を設けて一時的領域F4の次のブロックB2にデ−タａ、
ｂを書き込む。そして、デ−タａ、ｂとの合計量がーブ
ロックを超過するデ−タｃ（＝１ブロックまでに達する
デ−タｃ’＋残りのデ−タｃ”）を書き込む場合、ーブ
ロック分のデ−タａ、ｂ、ｃ’を正規領域F5のブロック
B1に書き込むと共に、残りの超過分であるデ−タｃ”を
空き領域を設けて一時的領域F4の次のブロックB3に書き
込む。

【００６２】以下、同様に、デ−タｃ”との合計量がー
ブロックに満たないデ−タｄを書き込む場合、空き領域
を設けて一時的領域F4の次のブロックB4にデ−タｃ”、
ｄを書き込む。そして、デ−タｃ”、ｄとの合計量がー
ブロックを超過するデ−タｅ（＝１ブロックまでに達す
るデ−タｅ’＋残りのデ−タｅ”）を書き込む場合、ー
ブロック分のデ−タｃ”、ｄ、ｅ’を正規領域F5のブロ
ックB2に書き込むと共に、残りの超過分であるデ−タ
ｅ”を空き領域を設けて一時的領域F4の次のブロックB5
に書き込む。尚、この書き込みデ−タａ〜ｅを読み出す
場合、正規領域F5のブロックB1、B2のデ−タａ〜ｄ、
ｅ’と一時的領域F4のブロックB5のデ−タｅ”を読み出
す。

【００６３】即ち、基本的に、一時的領域F4に書き込む
場合には、前のブロックにデ−タを追加して書き込み、
一時的領域F4のブロック一杯に書き込んで超過デ−タを
一時的領域F4の次のブロックに書き込み、一時的領域F4
のーブロックのデ−タを正規領域F5に書き込む。従っ
て、デ−タ領域を有効に利用することができ、また、最
新のデ−タを読み込む場合には、空き領域がない正規領
域F5のデ−タを読み出すので読み込み時間を短縮するこ
とができる。

【００６４】尚、この実施例では、一時的領域F4と正規
領域F5をファイル毎に確保しないで、第５の実施例と同
様に、更新デ−タをファイルにかかわらず追記して管理
テ−ブルにより管理するように構成すれば、デ−タ領域
を有効に利用することができる。この場合、一時的領域
のブロックに、各ファイルの最新書き込みブロック位置
を示すポインタを書き込むようにすれば管理が簡単にな
る。

【００６５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１発明に
よれば、書き込み手段により、追記型記憶媒体のデ−タ
記憶領域のうち最後にデ−タが書き込まれた書き込み済
み領域の次の未書き込み領域を探し、探した未書き込み
領域に更新デ−タを順次書き込み、読み出し手段によ
り、デ−タ記憶領域のうち最後にデ−タが書き込まれた
書き込み済み領域を探し、探した書き込み済み領域から
デ−タを読み出すので、操作者にとって追記型記憶媒体
の記憶デ−タを修正、更新することができ、また、追記
型記憶媒体の更新デ−タを容易に管理することができ
る。

【００６６】第２発明によれば、書き込み手段により、
デ−タ記憶領域に更新デ−タを該更新デ−タについての
管理デ−タと共に書き込み、読み出し手段により、該書
き込まれた管理デ−タに基づいて最後にデ−タが書き込
まれた書き込み済み領域を探すので、操作者にとって追
記型記憶媒体の記憶デ−タを修正、更新することがで
き、また、追記型記憶媒体の更新デ−タを容易に管理す
ることができる。

【００６７】第３発明によれば、書き込み手段により、
デ−タ記憶領域に書き込まれたデ−タをＤＭＡ転送で読
み出すので、更新デ−タを高速で書き込むことができ
る。

【００６８】第４発明によれば、書き込み手段により、
追記型記憶媒体の任意の空き領域をデ−タ記憶領域とし
て割り付け、少なくとも該割り付けられた領域の位置を
示す情報を含む管理テ−ブルと共に更新デ−タを書き込
むので、追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域を有効に利用
することができる。

【００６９】第５発明によれば、上述の第４発明におい
て、書き込み手段により、更新デ−タを書き込む際に空
き領域に応じてデ−タ記憶領域の割り付けを変更し、更
新デ−タと共に当該変更後の領域の割り付けに対応した
新たな管理テ−ブルを追記するようにしたので、追記型
記憶媒体のデ−タ記憶領域を更に有効に利用することが
できる。

【００７０】第６発明によれば、書き込み手段により、
更新されるべき第１のデ−タを基準として変更・修正す
る部分のみを示す第２のデ−タを当該変更・修正の内容
を示す管理テ−ブルと共に未書き込み領域に書き込み、
読み出し手段により、第１のデ−タと第２のデータと管
理テーブルとを読み出して最新の更新データに展開する
ので、追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域を有効に利用す
ることができる。

【００７１】第７発明によれば、書き込み手段により、
第１のデ−タ記憶領域の最後に書き込まれた第１のブロ
ックのデ−タに追加デ−タを追加して得られるデ−タが
ーブロックを満たすに至る場合には、該ーブロックを満
たす分のデ−タを第２のデ−タ記憶領域に書き込むと共
に、該ーブロックを超過する分のデ−タを第１のデ−タ
記憶領域の第２のブロックに書き込み、読み出し手段に
より、第２のデ−タ記憶領域に書き込まれたデ−タを読
み出すと共に第１のデ−タ記憶領域のうち最後に書き込
まれた第２のブロックからデ−タを読み出し、該第１及
び第２のデ−タ記憶領域から読み出したデ−タを組み合
わせて最新のデ−タとして取り出すので、読み出し効率
を向上させつつ追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域を更に
有効に利用することができる。

【００７２】以上の結果、操作者にとって追記型記憶媒
体の記憶デ−タを修正、更新することができ、また、追
記型記憶媒体の修正デ−タや更新デ−タを容易に管理す
ることができる極めて便利な追記型記憶媒体のアクセス
方式を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る追記型記憶媒体のアクセス装置の
一実施例を示すブロック図である。

【図２】図１の記憶装置の光ディスクの記憶領域を示す
説明図である。

【図３】図２の記憶領域のアドレスを示す説明図であ
る。

【図４】図１の追記型記憶媒体のアクセス装置の動作を
説明するためのフロ−チャ−トである。

【図５】本発明に係る追記型記憶媒体のアクセス装置の
第２の実施例における光ディスクの記憶領域を示す説明
図である。

【図６】図５の記憶領域のアドレスを示す説明図であ
る。

【図７】第２の実施例の追記型記憶媒体のアクセス装置
の動作を説明するためのフロ−チャ−トである。

【図８】本発明に係る追記型記憶媒体のアクセス装置の
第３の実施例におけるＤＭＡ（ダイレクトメモリアクセ
ス）転送を示す説明図である。

【図９】第３の実施例の動作を説明するためのフロ−チ
ャ−トである。

【図１０】本発明の第４の実施例を示す説明図である。

【図１１】第５の実施例における光ディスクの記憶領域
を示す説明図である。

【図１２】第１〜第５の実施例の更新処理を示す説明図
である。

【図１３】第６の実施例の更新処理を示す説明図であ
る。

【図１４】第６の実施例の更新デ−タの読み出し処理を
示す説明図である。

【図１５】一般的な書き込み処理を示す説明図である。

【図１６】図１５の処理により書き込まれた更新デ−タ
の読み込み処理を示す説明図である。

【図１７】他の一般的な書き込み処理を示す説明図であ
る。

【図１８】第７の実施例における光ディスクの記憶領域
を示す説明図である。

【図１９】第７の実施例における書き込み処理を示す説
明図である。

【図２０】記憶デ−タを物理的に修正、変更できる記憶
媒体の更新処理を示す説明図である。

【符号の説明】

11 ＣＰＵ（中央処理装置） 18 記憶装置（光ディスク）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 追記型記憶媒体のデ−タ記憶領域のうち
   最後にデ−タが書き込まれた書き込み済み領域の次の未
   書き込み領域を探して該探した未書き込み領域に更新デ
   −タを書き込む書き込み手段と、前記デ−タ記憶領域の
   うち最後にデ−タが書き込まれた書き込み済み領域を探
   して該探した書き込み済み領域からデ−タを読み出す読
   み出し手段とを備えたことを特徴とする追記型記憶媒体
   のアクセス方式。
2. 【請求項２】 前記書き込み手段は、前記デ−タ記憶領
   域に更新デ−タを該更新デ−タについての管理デ−タと
   共に書き込み、前記読み出し手段は、該書き込まれた管
   理デ−タに基づいて前記最後にデ−タが書き込まれた書
   き込み済み領域を探すことを特徴とする請求項１記載の
   追記型記憶媒体のアクセス方式。
3. 【請求項３】 前記書き込み手段は、前記デ−タ記憶領
   域に書き込まれたデ−タをＤＭＡ転送で読み出すことに
   より前記未書き込み領域を探すことを特徴とする請求項
   １又は２記載の追記型記憶媒体のアクセス方式。
4. 【請求項４】 前記書き込み手段は、前記追記型記憶媒
   体の任意の空き領域を前記デ−タ記憶領域として割り付
   け、少なくとも該割り付けられた領域の位置を示す情報
   を含む管理テ−ブルと共に前記更新デ−タを書き込むこ
   とを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の追
   記型記憶媒体のアクセス方式。
5. 【請求項５】 前記書き込み手段は、前記更新デ−タを
   書き込む際に前記空き領域に応じて前記デ−タ記憶領域
   の割り付けを変更し、前記更新デ−タと共に当該変更後
   の領域の割り付けに対応した新たな管理テ−ブルを追記
   するようにしたことを特徴とする請求項４記載の追記型
   記憶媒体のアクセス方式。
6. 【請求項６】 前記書き込み手段は、更新されるべき第
   １のデ−タを基準として変更・修正する部分のみを示す
   第２のデ−タを当該変更・修正の内容を示す管理テ−ブ
   ルと共に前記未書き込み領域に書き込み、前記読み出し
   手段は、前記第１のデ−タと前記第２のデータと前記管
   理テーブルとを読み出して最新の更新データに展開する
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の
   追記型記憶媒体のアクセス方式。
7. 【請求項７】 追記型記憶媒体の第１のデ−タ記憶領域
   の複数のブロックのうち最後に書き込まれた第１のブロ
   ックのデ−タに追加デ−タを追加して得られるデ−タが
   ーブロックを満たすに至らない場合には該追加して得ら
   れるデ−タを該第１のブロックの次の第２のブロックに
   書き込み、該追加して得られるデ−タがーブロックを満
   たすに至る場合には該ーブロックを満たす分のデ−タを
   追記型記憶媒体の第２のデ−タ記憶領域に書き込むと共
   に該ーブロックを超過する分のデ−タを前記第２のブロ
   ックに書き込む書き込み手段と、前記第２のデ−タ記憶
   領域に書き込まれたデ−タを読み出すと共に前記第１の
   デ−タ記憶領域のうち最後に書き込まれたブロックから
   デ−タを読み出し、該第１及び第２のデ−タ記憶領域か
   ら読み出したデ−タを組み合わせて最新のデ−タとして
   取り出す読み出し手段とを備えたことを特徴とする追記
   型記憶媒体のアクセス方式。