JPH0546989A - 光情報再生装置 - Google Patents
光情報再生装置Info
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- JPH0546989A JPH0546989A JP3201886A JP20188691A JPH0546989A JP H0546989 A JPH0546989 A JP H0546989A JP 3201886 A JP3201886 A JP 3201886A JP 20188691 A JP20188691 A JP 20188691A JP H0546989 A JPH0546989 A JP H0546989A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＲＦ信号のレベルに応じて、半導体レーザー
１の駆動電流を制御すると共に、ＲＦ信号のレベルが所
定の基準レベルＶ0 よりも小さいとき、半導体レーザー
１の駆動電流を所定値にする。 【効果】 所定レベルのＲＦ信号を得られるので、正確
な情報の再生が可能になる。また、フォーカスサーボが
働いていないとき、半導体レーザー１に過大な駆動電流
が供給されないので、光ディスク６および半導体レーザ
ー１の劣化が防止される。
１の駆動電流を制御すると共に、ＲＦ信号のレベルが所
定の基準レベルＶ0 よりも小さいとき、半導体レーザー
１の駆動電流を所定値にする。 【効果】 所定レベルのＲＦ信号を得られるので、正確
な情報の再生が可能になる。また、フォーカスサーボが
働いていないとき、半導体レーザー１に過大な駆動電流
が供給されないので、光ディスク６および半導体レーザ
ー１の劣化が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＤ（コンパクトディ
スク）やＬＤ（レーザーディスク）等の光情報再生装置
に係り、特に情報再生のために照射される光ビームの強
度制御に関するものである。
スク）やＬＤ（レーザーディスク）等の光情報再生装置
に係り、特に情報再生のために照射される光ビームの強
度制御に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置の光ピックアップ周辺の
概略構成を図５に示す。
概略構成を図５に示す。
【０００３】半導体レーザー３１の前方に出射された光
ビームは、第１の回折素子３２で１本のメインビームと
２本のサブビームに分けられた後、第２の回折素子３
３、コリメーターレンズ３４を通過し、対物レンズ３５
で光ディスク３６上に収束される。光ディスク３６上に
は凹凸のピットにより情報が記録されている。光ディス
ク３６からの反射光は、対物レンズ３５で集光され、コ
リメーターレンズ３４を通過して、第２の回折素子３３
で回折され、受光素子３７に導かれる。受光素子３７の
出力は信号処理回路３８に入力され、ＲＦ（Radio Freq
uency ）信号、フォーカス誤差信号等が取り出される。
ビームは、第１の回折素子３２で１本のメインビームと
２本のサブビームに分けられた後、第２の回折素子３
３、コリメーターレンズ３４を通過し、対物レンズ３５
で光ディスク３６上に収束される。光ディスク３６上に
は凹凸のピットにより情報が記録されている。光ディス
ク３６からの反射光は、対物レンズ３５で集光され、コ
リメーターレンズ３４を通過して、第２の回折素子３３
で回折され、受光素子３７に導かれる。受光素子３７の
出力は信号処理回路３８に入力され、ＲＦ（Radio Freq
uency ）信号、フォーカス誤差信号等が取り出される。
【０００４】ＲＦ信号から２値信号を得るために、ＲＦ
信号の振幅は所定のスライスレベルＶS によって制限さ
れる。これにより、例えば、図６に示すように、ＲＦ信
号がサイン波であったとすると、“１”に対しても、
“０”に対しても同じパルス幅、Δｔが得られる。図
中、横軸は時間（ｔ）を示し、縦軸はレベルを示す。
信号の振幅は所定のスライスレベルＶS によって制限さ
れる。これにより、例えば、図６に示すように、ＲＦ信
号がサイン波であったとすると、“１”に対しても、
“０”に対しても同じパルス幅、Δｔが得られる。図
中、横軸は時間（ｔ）を示し、縦軸はレベルを示す。
【０００５】一方、半導体レーザー３１の後方に出射さ
れた光ビームの強度は、モニター用の受光素子３９で検
出される。ＡＬＰＣ（Automatic Laser Power Control
）回路４０は、受光素子３９の出力に基づいて、光ビ
ームの強度が一定になるように、半導体レーザー３１の
駆動電流を制御する。前方に出射された光ビームの強度
は、後方に出射された光ビームの強度に比例するので、
上記の制御により前方に出射された光ビームの強度を一
定にできる。これにより、安定した出力レベルのＲＦ信
号を得ることができる。光ビームの強度設定は、受光素
子３９の電源Ｖcc側に設けられた半固定抵抗ＲV により
行うことができる。なお、ＡＬＰＣ回路４０の出力側に
は、過大な駆動電流による半導体レーザー３１の劣化や
破損を防止するために、抵抗Ｒ7 が直列に接続されてい
る。
れた光ビームの強度は、モニター用の受光素子３９で検
出される。ＡＬＰＣ（Automatic Laser Power Control
）回路４０は、受光素子３９の出力に基づいて、光ビ
ームの強度が一定になるように、半導体レーザー３１の
駆動電流を制御する。前方に出射された光ビームの強度
は、後方に出射された光ビームの強度に比例するので、
上記の制御により前方に出射された光ビームの強度を一
定にできる。これにより、安定した出力レベルのＲＦ信
号を得ることができる。光ビームの強度設定は、受光素
子３９の電源Ｖcc側に設けられた半固定抵抗ＲV により
行うことができる。なお、ＡＬＰＣ回路４０の出力側に
は、過大な駆動電流による半導体レーザー３１の劣化や
破損を防止するために、抵抗Ｒ7 が直列に接続されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、光ディスク３６の表面反射率の違いにより、
光ディスク３６毎に、あるいは、同じ光ディスク３６で
あっても再生領域毎に、ＲＦ信号の出力レベルが異な
る。表面反射率の違いは、光ディスク３６の製造時のピ
ット形状のバラツキや取扱中の汚れ等により生じる。Ｒ
Ｆ信号の出力レベルが異なると、例えば、図７に示すよ
うに、ＲＦ信号がサイン波であったとしても、スライス
レベルＶS で振幅を制限することにより得られた２値信
号では、“１”に対するパルス幅、Δｔ1 と、“０”に
対応するパルス幅、Δｔ2 とは異なるので、正確な情報
の再生が困難になるという問題点を有している。
構成では、光ディスク３６の表面反射率の違いにより、
光ディスク３６毎に、あるいは、同じ光ディスク３６で
あっても再生領域毎に、ＲＦ信号の出力レベルが異な
る。表面反射率の違いは、光ディスク３６の製造時のピ
ット形状のバラツキや取扱中の汚れ等により生じる。Ｒ
Ｆ信号の出力レベルが異なると、例えば、図７に示すよ
うに、ＲＦ信号がサイン波であったとしても、スライス
レベルＶS で振幅を制限することにより得られた２値信
号では、“１”に対するパルス幅、Δｔ1 と、“０”に
対応するパルス幅、Δｔ2 とは異なるので、正確な情報
の再生が困難になるという問題点を有している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
情報再生装置は、上記の課題を解決するために、光源か
ら出射された光ビームを光記録媒体に照射し、反射光を
受光素子で検出することにより情報を再生する光情報再
生装置において、上記受光素子の出力レベルが所定レベ
ルになるように、前記出力レベルに応じて光ビームの強
度を制御する光ビーム強度制御手段が備えられているこ
とを特徴としている。
情報再生装置は、上記の課題を解決するために、光源か
ら出射された光ビームを光記録媒体に照射し、反射光を
受光素子で検出することにより情報を再生する光情報再
生装置において、上記受光素子の出力レベルが所定レベ
ルになるように、前記出力レベルに応じて光ビームの強
度を制御する光ビーム強度制御手段が備えられているこ
とを特徴としている。
【０００８】請求項２の発明に係る光情報再生装置は、
上記の課題を解決するために、光源から出射された光ビ
ームを光記録媒体に照射し、反射光を受光素子で検出す
ることにより情報を再生する光情報再生装置において、
上記受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段と、前記出力レベルが基準レベル以上
になるまでは光ビームの強度を所定強度に固定する光ビ
ーム強度固定手段とが備えられていることを特徴として
いる。
上記の課題を解決するために、光源から出射された光ビ
ームを光記録媒体に照射し、反射光を受光素子で検出す
ることにより情報を再生する光情報再生装置において、
上記受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段と、前記出力レベルが基準レベル以上
になるまでは光ビームの強度を所定強度に固定する光ビ
ーム強度固定手段とが備えられていることを特徴として
いる。
【０００９】
【作用】請求項１の構成によれば、光源から出射された
光ビームを光記録媒体に照射し、反射光を受光素子で検
出することにより情報を再生する光情報再生装置におい
て、受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段を備えたので、光記録媒体の表面反射
率の大小にかかわらず、所定の出力レベルが得られる。
これにより、正確な情報の再生が可能になる。
光ビームを光記録媒体に照射し、反射光を受光素子で検
出することにより情報を再生する光情報再生装置におい
て、受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段を備えたので、光記録媒体の表面反射
率の大小にかかわらず、所定の出力レベルが得られる。
これにより、正確な情報の再生が可能になる。
【００１０】請求項２の構成によれば、請求項１の構成
に加えて、受光素子の出力レベルが基準レベル以上にな
るまでは光ビームの強度を所定強度に固定する光ビーム
強度固定手段を備えたので、例えば、光ビームが光記録
媒体上に焦点を結んでいないとき、光ビームの強度が異
常に増大することがなくなる。これにより、光記録媒体
の劣化を防止できる。
に加えて、受光素子の出力レベルが基準レベル以上にな
るまでは光ビームの強度を所定強度に固定する光ビーム
強度固定手段を備えたので、例えば、光ビームが光記録
媒体上に焦点を結んでいないとき、光ビームの強度が異
常に増大することがなくなる。これにより、光記録媒体
の劣化を防止できる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１２】本実施例の光ディスク装置（光情報再生装
置）の光ピックアップ周辺の概略構成を図１に示す。
置）の光ピックアップ周辺の概略構成を図１に示す。
【００１３】半導体レーザー１（光源）から出射された
光ビームは、第１の回折素子２で１本のメインビームと
２本のサブビームに分けられた後、第２の回折素子３を
通過し、コリメーターレンズ４で平行ビームに変換さ
れ、対物レンズ５で光ディスク６（光記録媒体）上に収
束される。光ディスク６上には凹凸のピットにより情報
が記録されている。光ディスク６からの反射光は、対物
レンズ５で集光され、コリメーターレンズ４を通過し
て、第２の回折素子３で回折され、受光素子７に導かれ
る。
光ビームは、第１の回折素子２で１本のメインビームと
２本のサブビームに分けられた後、第２の回折素子３を
通過し、コリメーターレンズ４で平行ビームに変換さ
れ、対物レンズ５で光ディスク６（光記録媒体）上に収
束される。光ディスク６上には凹凸のピットにより情報
が記録されている。光ディスク６からの反射光は、対物
レンズ５で集光され、コリメーターレンズ４を通過し
て、第２の回折素子３で回折され、受光素子７に導かれ
る。
【００１４】受光素子７は、図２に示すように、５分割
の受光部Ｄ1 〜Ｄ5 を有している。
の受光部Ｄ1 〜Ｄ5 を有している。
【００１５】一方、第２の回折素子３には、格子ピッチ
が異なる２つの半円領域が形成されている。このため、
上記の１本のメインビームおよび２本のサブビームの反
射光は、それぞれ２つの異なる方向に回折される。
が異なる２つの半円領域が形成されている。このため、
上記の１本のメインビームおよび２本のサブビームの反
射光は、それぞれ２つの異なる方向に回折される。
【００１６】対物レンズ５の焦点が光ディスク６にちょ
うど合っているとき、メインビームの反射光は受光部Ｄ
4 上と、受光部Ｄ2 ・Ｄ3 の境界上に光スポットを形成
する。一方、２本のサブビームの反射光は、それぞれ、
受光部Ｄ1 とＤ5 上に光スポットを形成する。
うど合っているとき、メインビームの反射光は受光部Ｄ
4 上と、受光部Ｄ2 ・Ｄ3 の境界上に光スポットを形成
する。一方、２本のサブビームの反射光は、それぞれ、
受光部Ｄ1 とＤ5 上に光スポットを形成する。
【００１７】対物レンズ５の焦点が光ディスク６よりも
遠くにあるとき、各光スポットは、図３に示すように、
第２の回折素子３の半円領域の形状を反映して半円状に
広がる。また、対物レンズ５の焦点が光ディスク６より
も近くにあるとき、図４に示すように、半円状の各光ス
ポットの円弧は、図３とは反対側に来る。
遠くにあるとき、各光スポットは、図３に示すように、
第２の回折素子３の半円領域の形状を反映して半円状に
広がる。また、対物レンズ５の焦点が光ディスク６より
も近くにあるとき、図４に示すように、半円状の各光ス
ポットの円弧は、図３とは反対側に来る。
【００１８】トラッキングエラー信号は、いわゆる３ビ
ーム法によって検出され、受光部Ｄ1 とＤ5 の差によっ
て与えられる。フォーカスエラー信号は、いわゆるフー
コー法により、受光部Ｄ2 とＤ3 の差によって与えられ
る。ＲＦ信号は、受光部Ｄ2 、Ｄ3 およびＤ4 の和によ
って与えられる。
ーム法によって検出され、受光部Ｄ1 とＤ5 の差によっ
て与えられる。フォーカスエラー信号は、いわゆるフー
コー法により、受光部Ｄ2 とＤ3 の差によって与えられ
る。ＲＦ信号は、受光部Ｄ2 、Ｄ3 およびＤ4 の和によ
って与えられる。
【００１９】なお、上記の受光素子７を含む光学系は、
１９９１年３月にシャープ社が発行したシャープ技報第
４８号第２１頁に記載されている光学系と同一である。
１９９１年３月にシャープ社が発行したシャープ技報第
４８号第２１頁に記載されている光学系と同一である。
【００２０】上記のＲＦ信号、フォーカス誤差信号等は
信号処理回路８で取り出される。
信号処理回路８で取り出される。
【００２１】信号処理回路８は、各受光部Ｄ1 〜Ｄ5 の
出力をそれぞれ増幅する増幅器１１〜１５を備えてい
る。増幅器１１と１５の出力はそれぞれ演算増幅器１９
の非反転入力端子と反転入力端子に入力される。演算増
幅器１９では、減算が行われ、得られたトラッキングエ
ラー信号が出力端子２２から取り出される。増幅器１２
〜１４の出力は共に増幅器１６に入力される。これによ
り、加算が行われ、得られたＲＦ信号は出力端子２３か
ら取り出される。増幅器１２と１４の出力は共に抵抗Ｒ
2 を介して演算増幅器２０の反転入力端子に入力され、
増幅器１３と１４の出力は共に抵抗Ｒ3 を介して演算増
幅器２０の非反転入力端子に入力される。
出力をそれぞれ増幅する増幅器１１〜１５を備えてい
る。増幅器１１と１５の出力はそれぞれ演算増幅器１９
の非反転入力端子と反転入力端子に入力される。演算増
幅器１９では、減算が行われ、得られたトラッキングエ
ラー信号が出力端子２２から取り出される。増幅器１２
〜１４の出力は共に増幅器１６に入力される。これによ
り、加算が行われ、得られたＲＦ信号は出力端子２３か
ら取り出される。増幅器１２と１４の出力は共に抵抗Ｒ
2 を介して演算増幅器２０の反転入力端子に入力され、
増幅器１３と１４の出力は共に抵抗Ｒ3 を介して演算増
幅器２０の非反転入力端子に入力される。
【００２２】演算増幅器２０では、減算が行われ、得ら
れたフォーカスエラー信号が出力端子２５から取り出さ
れる。
れたフォーカスエラー信号が出力端子２５から取り出さ
れる。
【００２３】増幅器１６から出力されるＲＦ信号は、抵
抗Ｒ5 を介して比較器１７にも入力される。比較器１７
では、ＲＦ信号のレベルと基準電圧ＶO の比較が行われ
る。
抗Ｒ5 を介して比較器１７にも入力される。比較器１７
では、ＲＦ信号のレベルと基準電圧ＶO の比較が行われ
る。
【００２４】ＲＦ信号のレベルが基準電圧ＶO （基準レ
ベル）以上であれば、フォーカスサーボを働かせるため
のフォーカス・オン信号が出力される。フォーカス・オ
ン信号は出力端子２４から取り出される。
ベル）以上であれば、フォーカスサーボを働かせるため
のフォーカス・オン信号が出力される。フォーカス・オ
ン信号は出力端子２４から取り出される。
【００２５】次に、本実施例の光ディスク装置のＡＬＰ
Ｃ（Automatic Laser Power Control ）について、以下
に説明する。
Ｃ（Automatic Laser Power Control ）について、以下
に説明する。
【００２６】本実施例のＡＬＰＣは、ＲＦ信号のレベル
に基づいて行われる。ＡＬＰＣ系の基本構成は、ＡＬＰ
Ｃ回路１８（光ビーム強度制御手段）と、ＡＬＰＣ回路
１８に入力される信号を切り換えるスイッチ回路２１
（光ビーム強度固定手段）からなっている。
に基づいて行われる。ＡＬＰＣ系の基本構成は、ＡＬＰ
Ｃ回路１８（光ビーム強度制御手段）と、ＡＬＰＣ回路
１８に入力される信号を切り換えるスイッチ回路２１
（光ビーム強度固定手段）からなっている。
【００２７】スイッチ回路２１の一方の端子２１ａに
は、基準電圧Ｖ1 が抵抗Ｒ1 を介して印加されている。
スイッチ回路２１の他方の端子２１ｂには、増幅器１６
から出力されるＲＦ信号が抵抗Ｒ4 を介して供給されて
いる。スイッチ回路２１の共通端子２１ｃは、ＡＬＰＣ
回路１８の入力端子に接続されている。スイッチ回路２
１の制御端子２１ｄには、比較器１７の出力が供給され
ており、制御端子２１ｄがローレベルになると、端子２
１ａと共通端子２１ｃが接続されるようになっており、
制御端子２１ｄがハイレベルになると、端子２１ｂと共
通端子２１ｃが接続されるようになっている。ＡＬＰＣ
回路１８の出力は、過大な駆動電流による半導体レーザ
ー１の劣化や破損を防止するための抵抗Ｒ6 を介して半
導体レーザー１に入力されている。
は、基準電圧Ｖ1 が抵抗Ｒ1 を介して印加されている。
スイッチ回路２１の他方の端子２１ｂには、増幅器１６
から出力されるＲＦ信号が抵抗Ｒ4 を介して供給されて
いる。スイッチ回路２１の共通端子２１ｃは、ＡＬＰＣ
回路１８の入力端子に接続されている。スイッチ回路２
１の制御端子２１ｄには、比較器１７の出力が供給され
ており、制御端子２１ｄがローレベルになると、端子２
１ａと共通端子２１ｃが接続されるようになっており、
制御端子２１ｄがハイレベルになると、端子２１ｂと共
通端子２１ｃが接続されるようになっている。ＡＬＰＣ
回路１８の出力は、過大な駆動電流による半導体レーザ
ー１の劣化や破損を防止するための抵抗Ｒ6 を介して半
導体レーザー１に入力されている。
【００２８】上記の構成において、比較器１７からフォ
ーカス・オン信号が出力されていないとき、換言すれ
ば、ＲＦ信号のレベルが基準電圧ＶO よりも小さいと
き、スイッチ回路２１の共通端子２１ｃは端子２１ａに
接続される。これにより、一定の基準電圧Ｖ1 が抵抗Ｒ
1 を介してＡＬＰＣ回路１８に入力されるので、ＡＬＰ
Ｃ回路１８から半導体レーザー１に供給される駆動電流
は一定になる。すなわち、半導体レーザー１から出射さ
れる光ビームの強度は所定強度に固定される。
ーカス・オン信号が出力されていないとき、換言すれ
ば、ＲＦ信号のレベルが基準電圧ＶO よりも小さいと
き、スイッチ回路２１の共通端子２１ｃは端子２１ａに
接続される。これにより、一定の基準電圧Ｖ1 が抵抗Ｒ
1 を介してＡＬＰＣ回路１８に入力されるので、ＡＬＰ
Ｃ回路１８から半導体レーザー１に供給される駆動電流
は一定になる。すなわち、半導体レーザー１から出射さ
れる光ビームの強度は所定強度に固定される。
【００２９】比較器１７からフォーカス・オン信号が出
力されているとき、換言すれば、ＲＦ信号のレベルが基
準電圧ＶO 以上であるとき、スイッチ回路２１の共通端
子２１ｃは端子２１ｂに接続される。これにより、ＲＦ
信号が抵抗Ｒ1 を介してＡＬＰＣ回路１８に入力される
ので、ＲＦ信号のレベルに応じてＡＬＰＣ回路１８から
半導体レーザー１に供給される駆動電流が制御される。
すなわち、ＲＦ信号のレベルが所定レベルになるよう
に、半導体レーザー１から出射される光ビームの強度は
制御される。
力されているとき、換言すれば、ＲＦ信号のレベルが基
準電圧ＶO 以上であるとき、スイッチ回路２１の共通端
子２１ｃは端子２１ｂに接続される。これにより、ＲＦ
信号が抵抗Ｒ1 を介してＡＬＰＣ回路１８に入力される
ので、ＲＦ信号のレベルに応じてＡＬＰＣ回路１８から
半導体レーザー１に供給される駆動電流が制御される。
すなわち、ＲＦ信号のレベルが所定レベルになるよう
に、半導体レーザー１から出射される光ビームの強度は
制御される。
【００３０】以上のように、ＲＦ信号のレベルに基づい
て、光ビームの強度を制御するので、光ディスク６の表
面反射率にかかわらず、所定レベルのＲＦ信号が得られ
る。
て、光ビームの強度を制御するので、光ディスク６の表
面反射率にかかわらず、所定レベルのＲＦ信号が得られ
る。
【００３１】これにより、光ディスク６に、製造時のピ
ット形状のバラツキや、取扱中の汚れ等があっても、正
確な情報の再生が可能になる。
ット形状のバラツキや、取扱中の汚れ等があっても、正
確な情報の再生が可能になる。
【００３２】しかも、フォーカスサーボが働いていない
ときや、光ディスク６がローディングされていないとき
に、光ビームの強度が不用意に大きくなることを防止す
るため、ＲＦ信号のレベルが基準電圧ＶO よりも小さい
ときには、半導体レーザー１の駆動電流を一定にしてい
る。これにより、過度に強い光ビームの照射による光デ
ィスク６の劣化が防止されると共に、駆動電流の増大に
よる半導体レーザー１の劣化を防止できる。
ときや、光ディスク６がローディングされていないとき
に、光ビームの強度が不用意に大きくなることを防止す
るため、ＲＦ信号のレベルが基準電圧ＶO よりも小さい
ときには、半導体レーザー１の駆動電流を一定にしてい
る。これにより、過度に強い光ビームの照射による光デ
ィスク６の劣化が防止されると共に、駆動電流の増大に
よる半導体レーザー１の劣化を防止できる。
【００３３】以上の実施例では、半導体レーザー１の駆
動電流によって光ビームの強度を制御したが、絞りやフ
ィルター等によって光ビームの強度を制御してもよい。
また、本発明はコンパクトディスク装置やレーザーディ
スク装置だけでなく、光磁気ディスク装置等の光情報記
録再生装置にも応用できる。さらに、以上のようなディ
スク装置以外にも、カード装置やテープ装置にも応用で
きる。
動電流によって光ビームの強度を制御したが、絞りやフ
ィルター等によって光ビームの強度を制御してもよい。
また、本発明はコンパクトディスク装置やレーザーディ
スク装置だけでなく、光磁気ディスク装置等の光情報記
録再生装置にも応用できる。さらに、以上のようなディ
スク装置以外にも、カード装置やテープ装置にも応用で
きる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光情報再生装置
は、以上のように、受光素子の出力レベルが所定レベル
になるように、前記出力レベルに応じて光ビームの強度
を制御する光ビーム強度制御手段が備えられているの
で、光記録媒体の表面反射率の大小にかかわらず、所定
の出力レベルが得られる。これにより、正確な情報の再
生が可能になるという効果を奏する。
は、以上のように、受光素子の出力レベルが所定レベル
になるように、前記出力レベルに応じて光ビームの強度
を制御する光ビーム強度制御手段が備えられているの
で、光記録媒体の表面反射率の大小にかかわらず、所定
の出力レベルが得られる。これにより、正確な情報の再
生が可能になるという効果を奏する。
【００３５】請求項２の発明に係る光情報再生装置は、
以上のように、請求項１の構成に加えて、受光素子の出
力レベルが基準レベル以上になるまでは光ビームの強度
を所定強度に固定する光ビーム強度固定手段を備えたの
で、例えば、光ビームが光記録媒体上に焦点を結んでい
ないとき、光ビームの強度が異常に増大することがなく
なる。これにより、光記録媒体の劣化を防止できるとい
う効果を奏する。
以上のように、請求項１の構成に加えて、受光素子の出
力レベルが基準レベル以上になるまでは光ビームの強度
を所定強度に固定する光ビーム強度固定手段を備えたの
で、例えば、光ビームが光記録媒体上に焦点を結んでい
ないとき、光ビームの強度が異常に増大することがなく
なる。これにより、光記録媒体の劣化を防止できるとい
う効果を奏する。
【図１】本発明に係る光ディスク装置の光ピックアップ
周辺を示す概略の構成図である。
周辺を示す概略の構成図である。
【図２】受光素子の受光部を示す構成図である。
【図３】対物レンズの焦点が光ディスクよりも遠くにあ
るときの受光素子上の光スポットを示す説明図である。
るときの受光素子上の光スポットを示す説明図である。
【図４】対物レンズの焦点が光ディスクよりも近くにあ
るときの受光素子上の光スポットを示す説明図である。
るときの受光素子上の光スポットを示す説明図である。
【図５】従来の光ディスク装置の光ピックアップ周辺を
示す概略の構成図である。
示す概略の構成図である。
【図６】所定レベルのＲＦ信号とスライスレベルＶS の
関係を示す波形図である。
関係を示す波形図である。
【図７】低レベルのＲＦ信号とスライスレベルＶS の関
係を示す波形図である。
係を示す波形図である。
１ 半導体レーザー（光源） ６ 光ディスク（光記録媒体） ７ 受光素子 ８ 信号処理回路 １８ ＡＬＰＣ回路（光ビーム強度制御手段） ２１ スイッチ回路（光ビーム強度固定手段）
Claims (2)
- 【請求項１】光源から出射された光ビームを光記録媒体
に照射し、反射光を受光素子で検出することにより情報
を再生する光情報再生装置において、 上記受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段が備えられていることを特徴とする光
情報再生装置。 - 【請求項２】光源から出射された光ビームを光記録媒体
に照射し、反射光を受光素子で検出することにより情報
を再生する光情報再生装置において、 上記受光素子の出力レベルが所定レベルになるように、
前記出力レベルに応じて光ビームの強度を制御する光ビ
ーム強度制御手段と、前記出力レベルが基準レベル以上
になるまでは光ビームの強度を所定強度に固定する光ビ
ーム強度固定手段とが備えられていることを特徴とする
光情報再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201886A JP2768572B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 光情報再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201886A JP2768572B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 光情報再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546989A true JPH0546989A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2768572B2 JP2768572B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=16448476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201886A Expired - Fee Related JP2768572B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 光情報再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768572B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006154039A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Sony Corp | ホログラム再生装置、ホログラム記録装置、ホログラム再生方法及びホログラム記録方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083234A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
| JPS61239441A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Olympus Optical Co Ltd | 光学的記録再生装置 |
| JPS6247834A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録再生装置 |
| JPS62141649A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Nec Corp | 光学的情報記録装置 |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP3201886A patent/JP2768572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083234A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録再生装置 |
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| JPS62141649A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Nec Corp | 光学的情報記録装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2006154039A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Sony Corp | ホログラム再生装置、ホログラム記録装置、ホログラム再生方法及びホログラム記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768572B2 (ja) | 1998-06-25 |
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