JPH0547275A - 真空バルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大電流遮断性能と低サージ性能に優れた真空
バルブを得る。 【構成】 真空バルブの接点13ａ，13ｂは、低サージ性
のＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合金からなる第１組成領域21と、大
電流遮断性のＣｕ−Ｃｒ系合金からなる第２組成領域23
と、この中足位置に介在する第１組成領域21と第２組成
領域23の中間的な性質を有する合金からなる中間領域22
で構成され、中間領域22の導電性成分量を第１組成領域
21の導電性成分量より多く第２組成領域の導電性成分量
より少なくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大電流遮断性能と低サ
ージ性能に優れた真空バルブに関する。

【０００２】

【従来の技術】真空開閉器は、他の開閉器に比較し、小
型、軽量、メンテナンスフリー、環境調和等種々の優れ
た特徴を有するため、近年次第にその適用範囲が拡大さ
れてきた。真空遮断器は、真空中でのアーク拡散性を利
用して高真空中で電流遮断を行なうものであり、特に真
空バルブについて図２を参照して説明する。

【０００３】真空バルブは、真空気密に保たれた遮断室
１を有し、この遮断室１は絶縁材料によりほぼ円筒状に
形成された絶縁容器２と、この両端に封止金具３ａ，３
ｂを介して設けた金属製の蓋体４ａ，４ｂとで構成され
ている。遮断室１内には、導電棒５，６の対向する端部
に取付けられた一対の固定電極７、可動電極８が配設さ
れる。可動電極８の導電棒６にはベローズ９が取付けら
れ、遮断室１内の真空気密を保持しつつ可動電極８が軸
方向に移動する。ベローズ９の上部には金属製のアーク
シールド10が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気で覆わ
れることを防止している。同様に金属製のアークシール
ド11は、遮断室１内において固定電極７および可動電極
８を覆うように設けられ、絶縁容器２がアーク蒸気で覆
われることを防止している。通電中は固定接点13ｂに可
動接点13ａが接触しており、電流の遮断は導電棒６を下
方向へ移動させこの両接点13ａ，13ｂの接触を断つこと
により行なう。

【０００４】次に、導電棒５，６と電極７，８、電極
７，８と接点13ａ，13ｂとの相互の固定構造について、
図２における可動電極８周辺の詳細を示した図３を参照
して説明する。可動電極８は導電棒６に符号12で示され
たろう付または図示しないかしめ等により固定され、可
動接点13ａは可動電極８に符号14で示されたろう付また
は図示しないかしめ等により固定される。固定側の固定
電極７と接点13ｂとの固定方法も同様である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】真空開閉器用接点に要
求される要件として、（１）溶着性が少ないこと（２）
耐電圧が高いこと（３）耐消耗性に優れること（４）接
触抵抗が低く安定していること等がある。この他に最近
の真空開閉装置に対する期待が一層高まり、（５）低サ
ージ性能を有すること（６）大電流遮断性能を有するこ
とが要求されるが、この二つの要求は相反するものであ
る。

【０００６】まず、低サージ性能を有するための要件に
ついて説明する。電動機負荷等の誘導回路で電流を遮断
する時などにおいて、過度のサージ電圧を発生させ、負
荷機器の絶縁を破壊させる恐れがある。この異常サージ
電圧の発生原因は、真空中における遮断時に低電流側に
発生する電流さい断現象（交流電流波形の自然ゼロ点を
待たずに強制的に電流遮断が行なわれること）によるも
のである。異常サージ電圧値は回路のサージインピーダ
ンスと電流さい断値の積で表わされ、異常サージ電圧を
低くするためには、つまり低サージ性能を有するために
は、電流さい断値を小さくしなければならない。即ち、
遮断時において、アークによって可動接点13ａと固定接
点13ｂの各表面からイオン、金属粒子が多く蒸発して両
接点間に浮遊し、アークが容易に接続されなければなら
ない。従って、接点13ａ，13ｂに用いられる材料は、大
電流を遮断する時だけでなく、開閉電流が小さくて接点
の温度上昇が小さい場合であっても蒸発性の高い高蒸気
圧性を有することが要求される。このような低サージ性
能を満たすものとして、高蒸気圧性材料であるＡｇを含
有したＡｇ−ＷＣ合金が知られている。この合金から成
る接点は （１）ＷＣの介在が接点表面からのイオンの放射を容易
にさせること （２）電界放射電子の衝突による電極間の加熱に基づく
接点表面から金属粒子の蒸発を促進させること （３）接点材料中の炭化物がアークにより分解し、荷電
体を生成すること 等により、優れた低サージ性能を有している。この他
に、この性能を有する材料として、高蒸気圧性材料でＣ
ｕを含有したＣｕ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｂｉ合金等が知ら
れている。

【０００７】これに対し、もう一方の相反する要件であ
る大電流遮断性能を有するためには接点13ａ，13ｂが低
蒸気圧性の材料から成ることが要求される。大電流を遮
断する場合には接点13ａ，13ｂの表面温度は極め高温と
なるが、このような場合であってもアークによる接点表
面からの蒸発量が少なく、両接点間にイオン、金属粒子
がほとんど浮遊しない状態でなければ遮断性が損われる
こととなる。従って、一般にどちらか一方の性能向上を
追及すると、もう一方の性能が低下する。

【０００８】この二つの相反する要件を満たすための手
段として、接点を高蒸気圧性材料と低蒸気圧性材料の二
種類の材料から構成するものがある。電流を遮断するた
めに通電中接触していた両接点が離れる際において、初
めに高蒸気圧性材料から成る部分から多くのイオン、金
属粒子が蒸発して接点間に浮遊し、アークがこれに導か
れて両接点における高蒸気圧性材料同志に接続される。
低サージ性能が満たされるために必要な時間経過後、両
接点における高蒸気圧性材料同志に接続させていたアー
クを、両接点における低蒸気圧性材料同志に接続される
ように移行される。これは、図５に示されたコイル電極
44、図６に示されたスパイラル電極45等を用いて磁界Ｈ
を制御することにより、両接点間に浮遊するイオン、金
属粒子の分布を変えて強制的にアークを移行させるとい
う方法等により行なうことができる。

【０００９】しかし、低電流遮断器にも低サージ性能を
有する高蒸気圧性材料の物性と、大電流遮断機能を有す
る低蒸気圧性材料の物性とでは蒸気圧性という点におい
て大きく異なる。このため、磁界例えば縦磁界Ｈにより
両接点間に存在するイオン、金属粒子の分布を変えて
も、アークが高蒸気圧性材料から成る部分と低蒸気圧性
材料から成る部分との境界上に停滞し容易に移行しな
い。従って、接点を高蒸気圧性材料と低蒸気圧性材料と
を単純に組み合せて構成しただけでは低サージ性能と大
電流遮断性能とを同時に満たすことはできない。本発明
の目的は、低サージ性能と大電流遮断性能に優れた真空
バルブを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の真空バルブは、組成の異なる第１，第２の組
成領域と、その間にはさまれた中間領域からなる接点を
具備するものである。

【００１１】すなわち、本発明の真空バルブは、高導電
性材料と耐弧性材料とから構成される接点を具備してな
る真空バルブにおいて、前記接点が、それぞれ組成の異
なる第１組成領域〔Ｉ〕、第２組成領域〔II〕、および
第１組成領域〔Ｉ〕と第２組成領域〔II〕の中間位置に
介在する中間領域〔Ｍ〕から構成され、第１組成領域
〔Ｉ〕が低サージ性のＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合金からなり、
第２組成領域〔II〕が大電流遮断性のＣｕ−Ｃｒ系合金
からなり、中間領域〔Ｍ〕が第１組成領域〔Ｉ〕と第２
組成領域〔II〕の中間的な性質を有する合金からなり、
前記〔Ｍ〕の導電性成分量が各領域中の導電性成分量に
対して〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にあるようにし
た。

【００１２】本発明の好ましい態様において、前記第１
組成領域〔Ｉ〕は、高導電性材料が10〜50重量％のＡ
ｇ、残部の耐弧性材料がＭｏ₂ Ｃからなり、前記第２組
成領域〔II〕は、高導電性材料が20〜80重量％のＣｕ、
残部の耐弧性材料がＣｒからなるようにした。

【００１３】本発明の好ましい他の態様において、前記
中間領域〔Ｍ〕は、高導電性材料がＡｇまたはＣｕの少
なくとも一方からなり、耐弧性材料がＣｒまたはＭｏ₂
Ｃの少なくとも一方からなるようにした。

【００１４】本発明の好ましい他の態様において、第１
組成領域〔Ｉ〕の高導電性材料がＡｇおよびＣｕからな
り、高導電性材料の含有量は10〜50重量％の範囲にあ
り、Ｃｕ量はＡｇ量に対して40％以内であるようにし
た。

【００１５】本発明の好ましい他の態様において、前記
中間領域〔Ｍ〕における耐弧性成分Ｃｒ＋Ｍｏ₂ Ｃは、
前記第１組成領域〔Ｉ〕に接する一側から前記第２組成
領域〔II〕に接する他側に向かってＣｒのＭｏ₂ Ｃに対
する比が第１組成領域〔Ｉ〕の耐弧性成分量から前記第
２組成領域〔II〕の耐弧性成分量へと段階的にまたは連
続的に変化するようにした。

【００１６】本発明の好ましい他の態様において、第１
組成領域〔Ｉ〕、第２組成領域〔II〕および中間領域
〔Ｍ〕の各領域が、接点の中心から半径方向に〔II〕
〔Ｍ〕〔Ｉ〕の順にまたは〔Ｉ〕〔Ｍ〕〔II〕の順に配
置されるようにした。

【００１７】

【作用】本発明の真空バルブに用いる接点は、それぞれ
組成の異なる第１組成領域〔Ｉ〕、第２組成領域〔I
I〕、および〔Ｉ〕と〔II〕の中間位置に介在する中間
領域〔Ｍ〕とから構成され、第１組成領域〔Ｉ〕は低サ
ージ性に優れたＡｇ−Ｍｏ₂Ｃ系合金、第２組成領域〔I
I〕は大電流遮断性に優れたＣｕ−Ｃｒ系合金、中間領
域〔Ｍ〕は〔Ｉ〕と〔II〕の中間的な性質を有する合金
で構成され、この〔Ｍ〕の導電性成分量が、各領域中の
導電性成分量に対して〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲に
あるように構成されている。従って、低サージ性に重要
な影響を及ぼす導電性成分量が、たとえば円形の接点で
は、半径方向に対し〔Ｉ〕〔Ｍ〕〔II〕の順、または
〔II〕〔Ｍ〕〔Ｉ〕の順で変化している。このような構
成を持つ接点を真空バルブに用いて電流遮断を行なう場
合、通電中に接触していた両接点が離れる際に、接点を
構成している領域のうち最も導電性分量の少ない材料か
ら成る第１の組成領域〔Ｉ〕から多くのイオンの放出或
いは金属粒子が蒸発して両接点のこの合金領域同志の間
に浮遊し、アークがこれに導かれて両者の間に接続され
る。この後、磁界の作用により両接点間に存在するイオ
ン、金属粒子の分布を変えると、第１の組成領域〔Ｉ〕
から中間領域〔Ｍ〕へアークが向かう。すなわち、高導
電性成分の量は第１の組成領域〔Ｉ〕から中間領域
〔Ｍ〕を経て第２の組成領域〔II〕へ向かうに従って徐
々に高くなるため、アークは停滞することなく容易に移
行する。このようにして磁界の制御により、強制的にア
ークを第２の組成領域〔II〕へ向かって移行させてい
く。そして低サージ性能が満たされるために、つまりア
ークが両接点間に接続されているために必要な時間経過
後、Ａｇのない第２の組成領域〔II〕へ移行させると、
この瞬間にアークの接続が断たれることとなる。

【００１８】上記の第１組成領域〔Ｉ〕は、低サージ性
のＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合金からなる。このＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ
系合金は、上述したように優れた低サージ機能を有する
合金である。

【００１９】本発明においてＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合金とい
うのは、導電性材料としてＡｇ、またはＡｇを主成分と
しその一部をＣｕで置換したものからなり、耐弧性成分
としてＭｏ₂ Ｃからなる合金を意味する。そして、高導
電性材料が10〜50重量％のＡｇ、残部の耐弧性成分がＭ
ｏ₂ Ｃからなるものであることが好ましい。第１組成領
域〔Ｉ〕中に導電性成分量が10重量％未満では、さい断
電流値が十分低くならず、またばらつきも大きく、開閉
回路の経過とともにさい断の劣化する傾向にある。一方
50重量％を越えると、さい断電流値が高く好ましくな
い。

【００２０】また上記の第１組成領域〔Ｉ〕中の高導電
性材料としてはＡｇに限らず、ＡｇおよびＣｕからなる
場合であっても、該高導電性の含有量が10〜50重量％の
範囲にあり、Ｃｕの量がＡｇ量に対して40％以内であれ
ば、中間領域〔Ｍ〕の導電性成分量が〔II〕＞〔Ｍ〕＞
〔Ｉ〕の範囲にある限り、アークは電極面全体に拡がり
好ましい遮断特性を示す。

【００２１】上記の第２組成領域〔II〕は大電流遮断性
のＣｕ−Ｃｒ系合金からなる。このＣｕ−Ｃｒ系合金は
上述したように優れた大電流遮断特性を有する合金であ
る。ここで、高導電性材料が20〜80重量％のＣｕ、残部
の耐弧性材料がＣｒからなるものであることが好まし
い。第２組成領域〔II〕中に導電性成分の量が20重量％
未満では、アークが十分に中間領域〔Ｍ〕から第２組成
領域〔II〕へ移行しにくい。一方80重量％を越えると、
アークによって第２組成領域〔II〕の消耗が大きくな
る。

【００２２】上記の中間領域〔Ｍ〕は、上記第１組成領
域〔Ｉ〕と上記第２組成領域〔II〕の中間位置に介在
し、これら第１組成領域〔Ｉ〕と第２組成領域〔II〕の
中間的性質を有する合金からなる。

【００２３】このような構成とすることによって、第１
組成領域〔Ｉ〕から中間領域〔Ｍ〕を経て第２組成領域
〔II〕へのアークの移行がスムーズに行われるのであ
る。この中間領域〔Ｍ〕の構成材料としては、その高導
電性材料がＡｇまたはＣｕの少なくとも一方からなり、
耐弧性材料がＣｒまたはＭｏ₂ Ｃの少なくとも一方から
なるものであることが好ましい。

【００２４】従って、中間領域〔Ｍ〕の構成材料として
具体的には、Ａｇ−Ｍｏ₂ Ｃ、Ｃｕ−Ｍｏ₂ Ｃ、Ａｇ＋
Ｃｕ−Ｍｏ₂ Ｃ、Ａｇ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ａｇ＋Ｃｕ
−Ｃｒ、Ａｇ＋Ｃｕ−Ｍｏ₂ Ｃ＋Ｃｒ、Ａｇ−Ｍｏ₂ Ｃ
＋ＣｒおよびＣｕ−Ｍｏ₂ Ｃ＋Ｃｒの組み合わせがある
が、そのいずれのものであっても、導電性成分量が〔I
I〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にある限り、好ましい遮断
性能を示す。

【００２５】上記の中間領域〔Ｍ〕における耐弧性材料
としてＭｏ₂ Ｃ＋Ｃｒを用いる場合、第１組成領域
〔Ｉ〕に接する一側から第２組成領域〔II〕に接する他
側に向かってＣｒのＭｏ₂ Ｃに対する比を第１組成領域
〔Ｉ〕の耐弧性成分量から前記第２組成領域〔II〕の耐
弧性成分量へと段階的にまたは連続的に変化するように
構成すれば、アークが〔Ｉ〕→〔Ｍ〕→〔II〕へとスム
ーズに移行するので好ましい。

【００２６】

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。

【００２７】本発明の一実施例として、接点が第１の組
成領域〔Ｉ〕としてＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ、第２の組成領域
〔II〕としてＣｕ−Ｃｒ、これらの中間の領域〔Ｍ〕か
らなる場合について、接点を上部から見た図１を用いて
説明する。図４に示した従来の接点と比較し〔Ｉ〕と
〔II〕との間に中間領域〔Ｍ〕が配されている点が異な
る。

【００２８】次に、本発明に係る接点の低サージ性およ
び大電流遮断性について試験評価した結果について説明
する。それぞれの接点の有する低サージ性能、大電流遮
断性能を比較対照するため、両接点間を接触した状態に
おける接点圧、この状態から離していくときの開極スピ
ード、真空度を同一条件とした。

【００２９】低サージ性の優劣は、離れている両接点間
にアークが接続されるために必要な電流さい断値の大小
により評価することができ、この値が小さいほど低サー
ジ性に優れることとなる。ＬＣ回路を介し、44ＡのＡＣ
電流を与えたとき、真空遮断器に直列に挿入した同軸シ
ャフトの電圧降下をオシロスコープで測定し、電流さい
断値を算出した。

【００３０】大電流遮断性の優劣は、遮断が成功したと
きの電流の大きさ、すなわちその電流の最大値により評
価することができ、この値が大きいほど大電流遮断性に
優れることになる。接点表面をベーキング、電圧エージ
ング等によりクリーニングして条件を一定にした後、7.
2 ＫＶ、50Ｈｚで１ＫＡずつ電流を増加しながら遮断限
界時における電流の最大値を測定し、所定の標準値に対
する倍率を遮断倍率として算出した。 実施例１、比較例１〜２ 以上の各接点に対するサージ電流値および遮断倍率を示
した表１，２を参照し、本発明による接点の効果につい
て説明する。

【００３１】実施例１、および比較例１，２は、いずれ
も低さい断材料の33Ａｇ−Ｍｏ₂ Ｃを、図１での（21）
すなわち第１の組成領域〔Ｉ〕に、大電流遮断材料の50
Ｃｕ−Ｃｒを第２の組成領域〔II〕すなわち図１での
（23）に用いた。これに対して〔Ｉ〕〔II〕の間に存在
する中間領域〔Ｍ〕すなわち図１での（22）には、導電
成分Ａｇの量を15ｗｔ％（比較例−１）、42ｗｔ％（実
施例−１）、75ｗｔ％（比較例−２）として評価したと
ころ、〔Ｍ〕のＡｇの量が〔Ｉ〕と〔II〕の導電性材料
の中間の量の場合には、〔Ｉ〕に点弧したアークが〔I
I〕にまで広がり、電極面積を有効に活用できる結果、
優れた遮断性能を示した（実施例−１）。

【００３２】これに対して〔Ｍ〕のＡｇの量が15ｗｔ％
の場合、すなわち〔Ｉ〕のＡｇ（導電性材料）の量より
少ない場合（比較例−１）には、アークが〔Ｉ〕と
〔Ｍ〕との境界で固着する傾向にあり、電極面を有効に
活用できず、遮断特性は充分でなかった（比較例−
１）。

【００３３】一方〔Ｍ〕のＡｇの量が75ｗｔ％の場合、
すなわち〔II〕の導電性材料Ｃｕの量より多い場合（比
較例−２）には、アークが〔Ｍ〕と〔II〕の境界に固着
する傾向にあり、遮断性能の優れた〔II〕の領域の50Ｃ
ｕ−Ｃｒの能力を充分発揮することができず、遮断特性
は充分でなかった（比較例−２）。以上から中間領域
〔Ｍ〕の高導電性材料の量は〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の
範囲にあることが必要である。 実施例２、比較例３〜４

【００３４】上記した事例は中間領域〔Ｍ〕の導電性成
分としてＡｇを用いたＡｇ−Ｍｏ₂Ｃについて述べた
が、導電性成分としてＣｕを用いたＣｕ−Ｍｏ₂ Ｃにお
いても同じ傾向を得た。

【００３５】すなわち、〔Ｍ〕のＣｕの量が〔Ｉ〕と
〔II〕の導電性成分の中間の量の場合には、〔Ｉ〕点弧
したアークが〔II〕にまで速やかに広がり、電極表面を
有効に活用している結果、優れた遮断性能を発揮した
（実施例−２）。

【００３６】これに対して〔Ｍ〕のＣｕの量が20ｗｔ％
の場合、すなわち〔Ｉ〕のＡｇ（導電性材料）の量より
少ない場合（比較例−３）には、アークが〔Ｉ〕と
〔Ｍ〕との境界に停滞する傾向にあり、アーク集中によ
る電極の損傷によって遮断特性は充分でなかった（比較
例−３）。

【００３７】一方〔Ｍ〕のＣｕの量が70ｗｔ％の場合、
すなわち〔II〕のＣｕ（導電性成分）の量より多い場合
（比較例−４）には、アークが〔Ｍ〕と〔II〕の境界に
固着する傾向にあり、遮断性能の優れた〔II〕の領域の
50Ｃｕ−Ｃｒの能力を充分発揮することができず、好ま
しい遮断特性を得ることはできなかった（比較例−
４）。以上から中間領域〔Ｍ〕の高導電性材料の量は、
前述実施例−１で述べたＡｇの場合と同様に〔II〕＞
〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にあることが望ましい。 実施例３〜７

【００３８】〔Ｍ〕に使用する接点は、上記実施例１，
２で示したようなＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ、Ｃｕ−Ｍｏ₂ Ｃに限
らず、Ａｇ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｃｒ（実施例３〜４）でも上
記したように導電性成分の量が〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕
を満すとき、好ましい遮断性能を得た。

【００３９】同様に〔Ｍ〕に使用する接点の導電性成分
がＡｇ＋Ｃｕでも同様な効果を得た（実施例５〜７）。
耐弧性成分がＣ＋Ｃｒであっても同様の効果が得られた
（実施例−７）。 実施例−８

【００４０】実施例１〜７、比較例１〜４では、第１の
組成領域〔Ｉ〕としてＡｇ−Ｍｏ₂Ｃ合金の例で示した
が、これに限ることなく導電性成分がＡｇ＋Ｃｕであっ
ても、その合計量が29ｗｔ％の場合、中間領域〔Ｍ〕の
導電性成分の量が〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にあれ
ば好ましい遮断特性を示した（実施例−８）。この場合
には前記実施例と同様、アークは電極面全体に良好に拡
がっている。 実施例９〜10、７〜８

【００４１】上記によって中間領域〔Ｍ〕の存在によっ
て第２の組成領域〔II〕の材料の有する遮断特性を充分
発揮させる条件として合金中の導電性成分の量を〔II〕
＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕とすることが必要であることが判っ
た。

【００４２】一方、第１の組成領域〔Ｉ〕中の導電成分
の量が、４ｗｔ％Ａｇのときには、さい断電流値は充分
に低く（改善）されず、またばらつきも大きく（比較例
−７）、少なくとも10ｗｔ％Ａｇ（実施例−９）である
ことが必要でありまた、同じく〔Ｉ〕中の導電成分の量
が75ｗｔ％Ａｇのときには、さい断電流値は高く、好ま
しくない（比較例−８）。

【００４３】これらより本発明での真空バルブでは第１
の組成領域〔Ｉ〕中の導電性成分の量は10−50ｗｔ％が
好ましい。特に４Ａｇ−Ｍｏ₂Ｃ（比較例−７）では開
閉回数の経過と共にさい断の劣化（さい断電流値が高く
なる）の傾向にある。 実施例11〜13、比較例９〜10

【００４４】第２の組成領域〔II〕に用いるＣｕ−Ｃｒ
合金中の導電性成分の量が、10ｗｔ％Ｃｕでは、アーク
が十分には〔Ｍ〕かに〔II〕への移行が見られず、ま
た、95ｗｔ％Ｃｕでは、アークによって〔II〕部の消耗
が大きい。従って第２の組成領域〔II〕における導電性
成分の量は20〜80ｗｔ％の範囲にあることが好ましい。

【００４５】以上示したように〔Ｍ〕の導電成分の量は
〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にあることが必須であ
り、この範囲にあるならば〔Ｍ〕における導電成分は単
一成分でなく多成分であってもよく、特に〔II〕から
〔Ｉ〕に向って連続的にまたは段階的に変化してもよ
い。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【表２】

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空バル
ブの接点は、低サージ性能を有するＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合
金領域と、大電流遮断性能を有するＣｕ−Ｃｒ系合金領
域とを有し、それぞれの合金領域の間にこれら両合金領
域の中間的な性質を有する合金からなり、その導電性成
分量がＣｕ−Ｃｒ系合金領域＞中間領域＞Ａｇ−Ｍｏ₂
Ｃ系合金領域の範囲にある境界領域を有するので、Ａｇ
−Ｍｏ₂ Ｃ系合金領域からＣｕ−Ｃｒ系合金領域への磁
界の制御による強制的なアークの移行が容易に行なわれ
て停滞することがなく、低サージ性能と大電流遮断性能
に優れた真空バルブを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空バルブの接点の一実施例を示す
図。

【図２】真空バルブを示す図。

【図３】［図２］における可動電極部分拡大図。

【図４】従来の真空バルブの接点を示す図。

【図５】真空バルブに用いられるコイル電極を示す図。

【図６】真空バルブに用いられるスパイラル電極を示す
図。

【符号の説明】

13ａ，13ｂ…接点、 21…第１組成領域、22…中
間領域、 23…第２組成領域。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器内に接離自在に対向配置された
   一対の電極の接点が高導電性材料と耐弧性材料とから成
   る真空バルブにおいて、前記接点は、それぞれ組成の異
   なる第１組成領域〔Ｉ〕、第２組成領域〔II〕、および
   前記第１組成領域〔Ｉ〕と前記第２組成領域〔II〕の中
   間位置に介在する中間領域〔Ｍ〕から構成され、前記第
   １組成領域〔Ｉ〕が低サージ性のＡｇ−Ｍｏ₂ Ｃ系合金
   からなり、前記第２組成領域〔II〕が大電流遮断性のＣ
   ｕ−Ｃｒ系合金からなり、前記中間領域〔Ｍ〕が前記第
   １組成領域〔Ｉ〕と前記第２組成領域〔II〕の中間的な
   性質を有する合金からなり、前記〔Ｍ〕の導電性成分量
   が、前記第１組成領域および前記第２の組成領域中の導
   電性成分量に対して〔II〕＞〔Ｍ〕＞〔Ｉ〕の範囲にあ
   ることを特徴とする真空バルブ。
2. 【請求項２】 前記接点は、前記第１組成領域〔Ｉ〕が
   高導電性材料が10〜50重量％のＡｇ、残部が耐弧性材料
   Ｍｏ₂ Ｃからなり、前記第２組成領域〔II〕が高導電性
   材料が20〜80重量％のＣｕ、残部が耐弧性材料Ｃｒから
   なることを特徴とする請求項１記載の真空バルブ。
3. 【請求項３】 前記接点は、前記中間領域〔Ｍ〕が高導
   電性材料がＡｇまたはＣｕの少なくとも一方からなり、
   耐弧性材料がＣｒまたはＭｏ₂ Ｃの少なくとも一方から
   なることを特徴とする請求項１または２記載の真空バル
   ブ。
4. 【請求項４】 前記接点は、前記第１組成領域〔Ｉ〕の
   高導電性材料がＡｇおよびＣｕからなり、前記接点の高
   導電性材料の含有量は10〜50重量％の範囲で且つＣｕ量
   はＡｇ量に対して40％以内であることを特徴とする請求
   項１または３記載の真空バルブ。
5. 【請求項５】 前記接点は、前記中間領域〔Ｍ〕におけ
   る耐弧性成分Ｃｒ＋Ｍｏ₂ Ｃは、前記第１組成領域
   〔Ｉ〕に接する側から前記第２組成領域〔II〕に接する
   他側に向かってＣｒのＭｏ₂ Ｃに対する比が前記第１組
   成領域〔Ｉ〕の耐弧性成分量から前記第２組成領域〔I
   I〕の耐弧性成分量へと段階的にまた連続的に変化する
   ようにしたことを特徴とする請求項１乃至４記載の真空
   バルブ。
6. 【請求項６】 前記接点は、前記第１組成領域〔Ｉ〕、
   前記第２組成領域〔II〕および前記中間領域〔Ｍ〕の各
   領域が、前記接点の中心から半径方向に〔II〕〔Ｍ〕
   〔Ｉ〕の順または〔Ｉ〕〔Ｍ〕〔II〕の順に配置された
   ことを特徴とする請求項１乃至５記載の真空バルブ。