JPH0547334A - ２次元電子分光装置 - Google Patents
２次元電子分光装置Info
- Publication number
- JPH0547334A JPH0547334A JP3201996A JP20199691A JPH0547334A JP H0547334 A JPH0547334 A JP H0547334A JP 3201996 A JP3201996 A JP 3201996A JP 20199691 A JP20199691 A JP 20199691A JP H0547334 A JPH0547334 A JP H0547334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- grid
- sample
- dimensional electron
- spectroscopic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の各位置から出射する電子を同時に分光
し、試料の２次元的な分析を短時間で行なう。 【構成】 ２次元的に配列された微小なフォトダイオー
ド１４から構成されるダイオードアレイ１５の前面に、
各フォトダイオード１４に対応した開口を有する導体の
グリッド１７を設け、グリッド１７に印加する阻止電圧
Ｖbを走査してエネルギ分布を検出する。また、試料と
グリッド１７との間に光電子を拡散させる電子レンズ５
０を設けて位置分解能を向上する。
し、試料の２次元的な分析を短時間で行なう。 【構成】 ２次元的に配列された微小なフォトダイオー
ド１４から構成されるダイオードアレイ１５の前面に、
各フォトダイオード１４に対応した開口を有する導体の
グリッド１７を設け、グリッド１７に印加する阻止電圧
Ｖbを走査してエネルギ分布を検出する。また、試料と
グリッド１７との間に光電子を拡散させる電子レンズ５
０を設けて位置分解能を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料にＸ線等を照射
し、その結果、試料から出射する光電子のエネルギ分布
を測定することにより試料の分析を行なう光電子分光装
置に関する。
し、その結果、試料から出射する光電子のエネルギ分布
を測定することにより試料の分析を行なう光電子分光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料から出射する光電子のエネルギ分布
を測定する装置（光電子分光装置）には、阻止電場型光
電子分光装置や静電半球型光電子分光装置がある。阻止
電場型光電子分光装置では、光電子が電子検出部に入る
のを阻止するような電場を形成し、この電場の大きさを
連続的に変化させてゆく（走査する）ことにより、光電
子のエネルギ分布を測定する。静電半球型光電子分光装
置では、光電子を半球型電極内に形成された静電場中に
通すことにより、電子の有するエネルギ毎にその軌道を
分離して電子数を計測する。
を測定する装置（光電子分光装置）には、阻止電場型光
電子分光装置や静電半球型光電子分光装置がある。阻止
電場型光電子分光装置では、光電子が電子検出部に入る
のを阻止するような電場を形成し、この電場の大きさを
連続的に変化させてゆく（走査する）ことにより、光電
子のエネルギ分布を測定する。静電半球型光電子分光装
置では、光電子を半球型電極内に形成された静電場中に
通すことにより、電子の有するエネルギ毎にその軌道を
分離して電子数を計測する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記いずれの型の光電
子分光装置においても、分析対象試料の表面から出射さ
れた光電子は、その出射位置に関わらず全てまとめら
れ、計数されるため、試料の位置毎の分析情報を得るこ
とができなかった。どうしても位置情報を得たい場合に
は、光電子を採取する箇所を小さく絞り、試料（又は光
電子分光装置）を移動させる（試料面を走査する）こと
により位置毎の分光分析を行なっていたが、このような
方法では１つの面の分析を行なうのに長い時間がかかる
という問題があった。
子分光装置においても、分析対象試料の表面から出射さ
れた光電子は、その出射位置に関わらず全てまとめら
れ、計数されるため、試料の位置毎の分析情報を得るこ
とができなかった。どうしても位置情報を得たい場合に
は、光電子を採取する箇所を小さく絞り、試料（又は光
電子分光装置）を移動させる（試料面を走査する）こと
により位置毎の分光分析を行なっていたが、このような
方法では１つの面の分析を行なうのに長い時間がかかる
という問題があった。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、試料の
各位置から出射する電子を同時に分光し、２次元的な分
析（面分析）を短時間で行なうことのできる２次元電子
分光装置を提供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、試料の
各位置から出射する電子を同時に分光し、２次元的な分
析（面分析）を短時間で行なうことのできる２次元電子
分光装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された第１の発明に係る２次元電子分光装置は、
（ａ）２次元的に配列された微小な電子検出素子から構
成される電子検出部と、（ｂ）該電子検出部の前面を覆
い、各電子検出素子に対応した開口を有する導体のグリ
ッドにより構成される阻止電極と、を備えることを特徴
とする。
に成された第１の発明に係る２次元電子分光装置は、
（ａ）２次元的に配列された微小な電子検出素子から構
成される電子検出部と、（ｂ）該電子検出部の前面を覆
い、各電子検出素子に対応した開口を有する導体のグリ
ッドにより構成される阻止電極と、を備えることを特徴
とする。
【０００６】また、第２の発明に係る２次元電子分光装
置では、さらに、（ｃ）表面から２次元的に電子を出射
する試料と阻止電極との間に設けられ、試料から出射さ
れる電子束を該グリッドに平行な面内で拡散させる電子
レンズと、を設けたことを特徴とする。
置では、さらに、（ｃ）表面から２次元的に電子を出射
する試料と阻止電極との間に設けられ、試料から出射さ
れる電子束を該グリッドに平行な面内で拡散させる電子
レンズと、を設けたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】第１の発明の２次元電子分光装置は、電子（通
常は、Ｘ線等の電磁波の照射により出射する光電子であ
るが、電子等の粒子線の照射により出射する電子でもよ
い）を出射する試料の前面に対向して（すなわち、グリ
ッドが試料と電子検出部との間に来るように）置く。そ
して、グリッドに正の電圧を印加し、その電圧を連続的
に変化させてゆく。これにより、電子検出部の各電子検
出素子毎に、前記阻止電場型光電子分光装置の場合と同
様に試料から出射する電子のエネルギ分布を測定するこ
とができる。すなわち、面分析を行なうことができる。
常は、Ｘ線等の電磁波の照射により出射する光電子であ
るが、電子等の粒子線の照射により出射する電子でもよ
い）を出射する試料の前面に対向して（すなわち、グリ
ッドが試料と電子検出部との間に来るように）置く。そ
して、グリッドに正の電圧を印加し、その電圧を連続的
に変化させてゆく。これにより、電子検出部の各電子検
出素子毎に、前記阻止電場型光電子分光装置の場合と同
様に試料から出射する電子のエネルギ分布を測定するこ
とができる。すなわち、面分析を行なうことができる。
【０００８】第２の発明の２次元電子分光装置では、試
料から出射する電子がグリッド面に平行な面内で拡散す
るため、分析の位置分解能が上昇する。例えば、電子レ
ンズにより電子の束が横方向に２倍に拡散されたとする
と、分析の位置分解能は２倍に上昇する。
料から出射する電子がグリッド面に平行な面内で拡散す
るため、分析の位置分解能が上昇する。例えば、電子レ
ンズにより電子の束が横方向に２倍に拡散されたとする
と、分析の位置分解能は２倍に上昇する。
【０００９】
【実施例】第１発明の一実施例である２次元電子分光装
置の構造を図１及び図２に示す。図１（ａ）に示すよう
に、本実施例の２次元電子分光装置１０はグリッド部１
１と電子検出部１２とで構成する。電子検出部１２は、
半導体基板１３上に微小な電子検出素子であるフォトダ
イオード１４を縦横に整列して形成したものである（こ
のフォトダイオード１４の２次元配列をダイオードアレ
イ１５と呼ぶ）。なお、電子検出素子としては、半導体
超格子で作成したアバランシェフォトダイオードや、通
常のフォトダイオードの表面にシンチレータ結晶を蒸着
したりエピタキシャル成長させたもの等を使用すること
ができる。
置の構造を図１及び図２に示す。図１（ａ）に示すよう
に、本実施例の２次元電子分光装置１０はグリッド部１
１と電子検出部１２とで構成する。電子検出部１２は、
半導体基板１３上に微小な電子検出素子であるフォトダ
イオード１４を縦横に整列して形成したものである（こ
のフォトダイオード１４の２次元配列をダイオードアレ
イ１５と呼ぶ）。なお、電子検出素子としては、半導体
超格子で作成したアバランシェフォトダイオードや、通
常のフォトダイオードの表面にシンチレータ結晶を蒸着
したりエピタキシャル成長させたもの等を使用すること
ができる。
【００１０】グリッド部１１は電子検出部１２の前面
（フォトダイオード１４が形成されている面）に、電子
検出部１２との間に小さい距離を空けて固定する。な
お、図１の実施例では、両者の間の距離を固定するため
のスペーサ１６もグリッド部１１に含まれ、後述するよ
うにグリッド部１１形成の際に一体的に形成する。グリ
ッド部１１のダイオードアレイ１５に面する部分には、
各フォトダイオード１４毎に開口を有するグリッド１７
を形成する（図１（ｂ））。グリッド１７の表面には導
体層１８を設ける。
（フォトダイオード１４が形成されている面）に、電子
検出部１２との間に小さい距離を空けて固定する。な
お、図１の実施例では、両者の間の距離を固定するため
のスペーサ１６もグリッド部１１に含まれ、後述するよ
うにグリッド部１１形成の際に一体的に形成する。グリ
ッド部１１のダイオードアレイ１５に面する部分には、
各フォトダイオード１４毎に開口を有するグリッド１７
を形成する（図１（ｂ））。グリッド１７の表面には導
体層１８を設ける。
【００１１】この２次元電子分光装置１０の製造方法の
一例を図３により説明する。 （ｉ）シリコンウェハ３０の両面を研磨する。 （ii）ウェハ３０の両面に酸化膜３１、３２を形成す
る。 （iii）ウェハ３０の周辺部を残し、エッチングにより
一方の面（図３では下面）の酸化膜３２を除去する。 （iv）ＡＰＷ（エッチング液）により、残された酸化膜
３２をマスクとして、中央部のシリコンウェハ３０を掘
り下げてエッチングする。これにより残された周辺部の
ウェハ３０が上記スペーサ１６となる。 （ｖ）（iii）と同様のエッチングにより、他方の面
（図３では上面）の酸化膜３１をグリッド状（図１
（ｂ））に残して、開口部を除去する。 （vi）ＫＯＨのウェットエッチング又はドライエッチン
グにより、グリッド状の酸化膜３１をマスクとして、残
されたシリコンウェハ３０にグリッド状の穴を開ける。 （vii）酸化膜３１の表面に、金蒸着等により導体層１
８を形成する。また、反対側の酸化膜３２を除去する。
これにより、グリッド部１１が形成されたことになる。 （viii）（図示せず）シリコン基板１３上に上記（ｖ）
で形成したグリッド１７と同じピッチで（ただし、グリ
ッド１７の開口よりも少し大きめに）、フォトダイオー
ド１４の２次元配列（ダイオードアレイ１５）を作製し
て、電子検出部１２を形成する。 （ix）電子検出部１２とグリッド部１１とを接着し、２
次元電子分光装置１０を完成する（図１（ａ））。な
お、電子検出部１２の基板表面とグリッド部１１のスペ
ーサ１６の表面（図３では下面）は共に光学的平面とな
っているため、オプティカルコンタクトによる接着が可
能である。
一例を図３により説明する。 （ｉ）シリコンウェハ３０の両面を研磨する。 （ii）ウェハ３０の両面に酸化膜３１、３２を形成す
る。 （iii）ウェハ３０の周辺部を残し、エッチングにより
一方の面（図３では下面）の酸化膜３２を除去する。 （iv）ＡＰＷ（エッチング液）により、残された酸化膜
３２をマスクとして、中央部のシリコンウェハ３０を掘
り下げてエッチングする。これにより残された周辺部の
ウェハ３０が上記スペーサ１６となる。 （ｖ）（iii）と同様のエッチングにより、他方の面
（図３では上面）の酸化膜３１をグリッド状（図１
（ｂ））に残して、開口部を除去する。 （vi）ＫＯＨのウェットエッチング又はドライエッチン
グにより、グリッド状の酸化膜３１をマスクとして、残
されたシリコンウェハ３０にグリッド状の穴を開ける。 （vii）酸化膜３１の表面に、金蒸着等により導体層１
８を形成する。また、反対側の酸化膜３２を除去する。
これにより、グリッド部１１が形成されたことになる。 （viii）（図示せず）シリコン基板１３上に上記（ｖ）
で形成したグリッド１７と同じピッチで（ただし、グリ
ッド１７の開口よりも少し大きめに）、フォトダイオー
ド１４の２次元配列（ダイオードアレイ１５）を作製し
て、電子検出部１２を形成する。 （ix）電子検出部１２とグリッド部１１とを接着し、２
次元電子分光装置１０を完成する（図１（ａ））。な
お、電子検出部１２の基板表面とグリッド部１１のスペ
ーサ１６の表面（図３では下面）は共に光学的平面とな
っているため、オプティカルコンタクトによる接着が可
能である。
【００１２】なお、図１及び図３においては理解の便の
ためにグリッド１７の開口の数を４×４個としたが、実
際には遥かに多数の微小な開口を有するグリッドを形成
して、面分析の位置に関する分解能を上げることができ
る。
ためにグリッド１７の開口の数を４×４個としたが、実
際には遥かに多数の微小な開口を有するグリッドを形成
して、面分析の位置に関する分解能を上げることができ
る。
【００１３】フォトダイオード１４とグリッド１７との
位置関係を拡大して図２に示す。グリッド１７の各開口
は電子検出部１２のダイオードアレイ１５の各フォトダ
イオード１４に対応しており、各開口から入射した電子
は対応するフォトダイオード１４にのみ入射するように
なっている。
位置関係を拡大して図２に示す。グリッド１７の各開口
は電子検出部１２のダイオードアレイ１５の各フォトダ
イオード１４に対応しており、各開口から入射した電子
は対応するフォトダイオード１４にのみ入射するように
なっている。
【００１４】本２次元電子分光装置１０を使用する際
は、図４に示すように、グリッド１７側が試料２０の表
面に対面するように配置する。そして図２に示すよう
に、グリッド１７と電子検出部の基板１３との間に、グ
リッド１７側が正となるように可変の直流電圧（阻止電
圧）Ｖbを印加する。
は、図４に示すように、グリッド１７側が試料２０の表
面に対面するように配置する。そして図２に示すよう
に、グリッド１７と電子検出部の基板１３との間に、グ
リッド１７側が正となるように可変の直流電圧（阻止電
圧）Ｖbを印加する。
【００１５】試料２０にＸ線２１等を照射すると、試料
２０の表面の各位置からは光電子２２が出射する。試料
２０の各位置から出射した光電子２２は２次元電子分光
装置１０に向かうが、グリッド１７と基板１３との間に
形成される電場により、その電位差（阻止電圧）Ｖbに
より決定される阻止エネルギ（＝ｅ・Ｖb）よりも弱いエ
ネルギしか持たない電子は基板１３に到達するのを阻止
され、阻止エネルギ以上の電子だけがフォトダイオード
１４により検出される。従って、阻止電圧Ｖbを連続的
に変化させることにより、試料から出射した電子のエネ
ルギ分布を測定することができる。また、２次元電子分
光装置１０を試料２０に十分近づけることにより、試料
２０の或る位置から出射した電子は（グリッド１７を通
過して）その位置に対向するフォトダイオード１４にの
み入射するようになるため、試料の各位置の分析を一度
に行なうことができる。
２０の表面の各位置からは光電子２２が出射する。試料
２０の各位置から出射した光電子２２は２次元電子分光
装置１０に向かうが、グリッド１７と基板１３との間に
形成される電場により、その電位差（阻止電圧）Ｖbに
より決定される阻止エネルギ（＝ｅ・Ｖb）よりも弱いエ
ネルギしか持たない電子は基板１３に到達するのを阻止
され、阻止エネルギ以上の電子だけがフォトダイオード
１４により検出される。従って、阻止電圧Ｖbを連続的
に変化させることにより、試料から出射した電子のエネ
ルギ分布を測定することができる。また、２次元電子分
光装置１０を試料２０に十分近づけることにより、試料
２０の或る位置から出射した電子は（グリッド１７を通
過して）その位置に対向するフォトダイオード１４にの
み入射するようになるため、試料の各位置の分析を一度
に行なうことができる。
【００１６】なお、本実施例の２次元電子分光装置１０
の寸法の一例を具体的に挙げると、グリッド１７の厚み
ｄmは１００μｍ程度、グリッド１７とフォトダイオー
ド１４との間の距離ｄtは１ｍｍ程度である。Ｘ線照射
により発生する光電子のエネルギは通常１ｋｅＶ程度で
あるため、ｄt＝１ｍｍとした場合、阻止電圧Ｖbは約１
ｋＶのあたりで走査することになる。また、グリッド１
７の寸法は要求される位置分解能に応じて適宜変更する
ものであるが、例えば、目（開口部）の大きさｄwを５
０μｍ程度、桟（遮蔽部）の大きさｄsも同様に５０μ
ｍ程度とすることができる。
の寸法の一例を具体的に挙げると、グリッド１７の厚み
ｄmは１００μｍ程度、グリッド１７とフォトダイオー
ド１４との間の距離ｄtは１ｍｍ程度である。Ｘ線照射
により発生する光電子のエネルギは通常１ｋｅＶ程度で
あるため、ｄt＝１ｍｍとした場合、阻止電圧Ｖbは約１
ｋＶのあたりで走査することになる。また、グリッド１
７の寸法は要求される位置分解能に応じて適宜変更する
ものであるが、例えば、目（開口部）の大きさｄwを５
０μｍ程度、桟（遮蔽部）の大きさｄsも同様に５０μ
ｍ程度とすることができる。
【００１７】この分析の位置分解能を高めたものが第２
発明であり、その一実施例を図５に示す。本実施例で
は、図４に示した試料２０と２次元電子分光装置１０と
の間に電子レンズ５０を設け、試料２０から出射する電
子２２の束を２次元電子分光装置１０のグリッド１７の
面に平行な方向に拡散している。電子２２の束を拡散さ
せるために、電子レンズ５０は、試料２０側に設けた小
径の穴を有する接地電極５１と、分光装置１０側に設け
た大径の穴を有する拡散電極５２とで構成する。両電極
５１、５２の穴は同心の円形とし、拡散電極５２には正
の直流電圧を印加する。これにより、両電極５１、５２
の穴の部分では試料２０側から分光装置１０側に向かっ
て均一に拡大する静電場が形成され、ここを通過する電
子の束が横方向（図５では水平方向）に拡散される。従
って、試料２０の比較的狭い範囲から出射した電子はこ
の電子レンズ５０により広い範囲に拡大され、２次元電
子分光装置１０における分析の位置分解能が向上する。
発明であり、その一実施例を図５に示す。本実施例で
は、図４に示した試料２０と２次元電子分光装置１０と
の間に電子レンズ５０を設け、試料２０から出射する電
子２２の束を２次元電子分光装置１０のグリッド１７の
面に平行な方向に拡散している。電子２２の束を拡散さ
せるために、電子レンズ５０は、試料２０側に設けた小
径の穴を有する接地電極５１と、分光装置１０側に設け
た大径の穴を有する拡散電極５２とで構成する。両電極
５１、５２の穴は同心の円形とし、拡散電極５２には正
の直流電圧を印加する。これにより、両電極５１、５２
の穴の部分では試料２０側から分光装置１０側に向かっ
て均一に拡大する静電場が形成され、ここを通過する電
子の束が横方向（図５では水平方向）に拡散される。従
って、試料２０の比較的狭い範囲から出射した電子はこ
の電子レンズ５０により広い範囲に拡大され、２次元電
子分光装置１０における分析の位置分解能が向上する。
【００１８】なお、本実施例では電子レンズ５０を使用
するために分析範囲が狭くなるが、試料２０の広い範囲
の２次元分析を行なう必要がある場合には、図５の矢印
で示すように、試料２０を移動させる（あるいは電子レ
ンズ５０及び分光装置１０から成る分析系を移動させ
る）という方法を併用することもできる。
するために分析範囲が狭くなるが、試料２０の広い範囲
の２次元分析を行なう必要がある場合には、図５の矢印
で示すように、試料２０を移動させる（あるいは電子レ
ンズ５０及び分光装置１０から成る分析系を移動させ
る）という方法を併用することもできる。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る電子分光装置では、試料表
面の各位置から出射する電子を２次元的に一度に検出
し、そのエネルギ分布を測定することができるため、試
料の面分析を短い時間で行なうことができる。また、そ
の２次元電子分光装置と試料との間に電子レンズを設け
ることにより、分析の位置に関する分解能を高めること
ができ、より詳細な面分析情報を得ることができる。
面の各位置から出射する電子を２次元的に一度に検出
し、そのエネルギ分布を測定することができるため、試
料の面分析を短い時間で行なうことができる。また、そ
の２次元電子分光装置と試料との間に電子レンズを設け
ることにより、分析の位置に関する分解能を高めること
ができ、より詳細な面分析情報を得ることができる。
【図１】 第１発明の一実施例である２次元電子分光装
置の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）。
置の断面図（ａ）及び平面図（ｂ）。
【図２】 同実施例の２次元電子分光装置の拡大断面
図。
図。
【図３】 同実施例の２次元電子分光装置の製造工程を
示す説明図。
示す説明図。
【図４】 同実施例の２次元電子分光装置による面分析
時の配置図。
時の配置図。
【図５】 第２発明の一実施例である電子レンズ付２次
元電子分光装置の断面配置図。
元電子分光装置の断面配置図。
１０…２次元電子分光装置 １１…グリッド
部 １２…電子検出部 １３…基板 １４…フォトダイオード １５…ダイオー
ドアレイ １６…スペーサ １７…グリッド １８…導体層 ２０…試料 ５０…電子レンズ ５１…接地電極 ５２…拡散電極 Ｖb…阻止電圧
部 １２…電子検出部 １３…基板 １４…フォトダイオード １５…ダイオー
ドアレイ １６…スペーサ １７…グリッド １８…導体層 ２０…試料 ５０…電子レンズ ５１…接地電極 ５２…拡散電極 Ｖb…阻止電圧
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）２次元的に配列された微小な電子
検出素子から構成される電子検出部と、 （ｂ）該電子検出部の前面を覆い、各電子検出素子に対
応した開口を有する導体のグリッドにより構成される阻
止電極と、 を備えることを特徴とする２次元電子分光装置。 - 【請求項２】 （ａ）２次元的に配列された微小な電子
検出素子から構成される電子検出部と、 （ｂ）該電子検出部の前面を覆い、各電子検出素子に対
応した開口を有する導体のグリッドにより構成される阻
止電極と、 （ｃ）表面から２次元的に電子を出射する試料と阻止電
極との間に設けられ、試料から出射される電子束を該グ
リッドに平行な面内で拡散させる電子レンズと、 を設けたことを特徴とする２次元電子分光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201996A JPH0547334A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | ２次元電子分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201996A JPH0547334A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | ２次元電子分光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547334A true JPH0547334A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16450214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201996A Pending JPH0547334A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | ２次元電子分光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547334A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7573694B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-08-11 | Smc Kabushiki Kaisha | Apparatus for and method of controlling operation of solenoid-operated valve |
| US7813101B2 (en) | 2005-07-21 | 2010-10-12 | Smc Kabushiki Kaisha | Solenoid-operated valve actuating controller |
| JP2015023032A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 切り換え型マルチパースペクティブ検出器、切り換え型マルチパースペクティブ検出器用光学系、及び切り換え型マルチパースペクティブ検出器の動作方法 |
| JP2023500907A (ja) * | 2019-11-07 | 2023-01-11 | ヴイジー システムズ リミテッド | 分光技術のための荷電粒子検出 |
| JP2023112187A (ja) * | 2018-04-13 | 2023-08-10 | 株式会社ホロン | 電子検出装置 |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP3201996A patent/JPH0547334A/ja active Pending
Cited By (5)
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