JPH0547643A - 電子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び露光方法Info
- Publication number
- JPH0547643A JPH0547643A JP3199067A JP19906791A JPH0547643A JP H0547643 A JPH0547643 A JP H0547643A JP 3199067 A JP3199067 A JP 3199067A JP 19906791 A JP19906791 A JP 19906791A JP H0547643 A JPH0547643 A JP H0547643A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- beam exposure
- exposure apparatus
- deflector
- rectangular
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路装置の半導体チップのような複雑な
パターンを露光する電子ビーム露光装置及び露光方法の
改良に関し、被照射物の表面にパターンエッジのラフネ
スが小さい非矩形パターンの照射を高速で行うことが可
能となる電子ビーム露光装置及び露光方法の提供を目的
とする。 【構成】 電子銃１から出された電子ビームを集光レン
ズ２で集光し、電磁レンズ４を通過させ、ショット切り
換え時にはブランキングデフレクタ５によりオンオフ
し、主偏向器６によりこの電子ビームのショットの位置
を規定し、電磁レンズ７を通過させ、この電子ビームを
ＸＹテーブル９上の載物台８に載物した被照射物10に照
射する電子ビーム露光装置であって、この主偏向器６に
より位置を規定した被照射物10の表面の領域に照射する
電子ビームのスポットビームを成形するショット形成デ
フレクタ３をこの集光レンズ２とこの電磁レンズ４との
間に具備するように構成する。
パターンを露光する電子ビーム露光装置及び露光方法の
改良に関し、被照射物の表面にパターンエッジのラフネ
スが小さい非矩形パターンの照射を高速で行うことが可
能となる電子ビーム露光装置及び露光方法の提供を目的
とする。 【構成】 電子銃１から出された電子ビームを集光レン
ズ２で集光し、電磁レンズ４を通過させ、ショット切り
換え時にはブランキングデフレクタ５によりオンオフ
し、主偏向器６によりこの電子ビームのショットの位置
を規定し、電磁レンズ７を通過させ、この電子ビームを
ＸＹテーブル９上の載物台８に載物した被照射物10に照
射する電子ビーム露光装置であって、この主偏向器６に
より位置を規定した被照射物10の表面の領域に照射する
電子ビームのスポットビームを成形するショット形成デ
フレクタ３をこの集光レンズ２とこの電磁レンズ４との
間に具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置の半導体
チップのような複雑なパターンを露光する電子ビーム露
光装置及び露光方法の改良に関するものである。
チップのような複雑なパターンを露光する電子ビーム露
光装置及び露光方法の改良に関するものである。
【０００２】近年の電子ビーム露光装置による露光方法
においては、複雑なパターン形状の集積回路のパターン
を露光する場合には、ショットの分割数が増加するため
に、処理能力が低下し電子ビーム露光装置のスループッ
トを低下させている。
においては、複雑なパターン形状の集積回路のパターン
を露光する場合には、ショットの分割数が増加するため
に、処理能力が低下し電子ビーム露光装置のスループッ
トを低下させている。
【０００３】以上のような状況から、処理能力の低下、
電子ビーム露光装置のスループットの低下を防止するこ
とが可能な電子ビーム露光装置及び露光方法が要望され
ている。
電子ビーム露光装置のスループットの低下を防止するこ
とが可能な電子ビーム露光装置及び露光方法が要望され
ている。
【０００４】
【従来の技術】従来の電子ビーム露光装置及び露光方法
を図３〜図４により詳細に説明する。図３は従来の電子
ビーム露光装置の概略構造を示す側断面図、図４は従来
の電子ビーム露光方法を説明する図である。
を図３〜図４により詳細に説明する。図３は従来の電子
ビーム露光装置の概略構造を示す側断面図、図４は従来
の電子ビーム露光方法を説明する図である。
【０００５】図３に示すように、従来の電子ビーム露光
装置においては電子銃11から出された電子ビームは、集
光レンズ12で集光され、第１スリット13a 及び第２スリ
ット13b により矩形の電子ビームに成形され、電磁レン
ズ14を通過した後、ショット切り換え時にはブランキン
グデフレクタ15によりオンオフされ、主偏向器16により
位置を規定し、電磁レンズ17を通過させてＸＹテーブル
19上の載物台18に載物した被照射物20の表面の領域に矩
形の電子ビームが照射されている。
装置においては電子銃11から出された電子ビームは、集
光レンズ12で集光され、第１スリット13a 及び第２スリ
ット13b により矩形の電子ビームに成形され、電磁レン
ズ14を通過した後、ショット切り換え時にはブランキン
グデフレクタ15によりオンオフされ、主偏向器16により
位置を規定し、電磁レンズ17を通過させてＸＹテーブル
19上の載物台18に載物した被照射物20の表面の領域に矩
形の電子ビームが照射されている。
【０００６】このような従来の電子ビーム露光装置を用
いて行う電子ビーム露光方法においては、図４に示すよ
うに被照射物20の表面の露光領域20a を複数の矩形領域
20a1, 矩形領域20a2, 矩形領域20a3に分割し、電子ビー
ム露光装置の第１スリット13a 及び第２スリット13b を
用いて電子ビームをこれらの矩形領域に相当する電子ビ
ームに成形し、この成形された複数の矩形の電子ビーム
を順次被照射物20の表面に連続して照射してこの露光領
域20a の露光を行っている。
いて行う電子ビーム露光方法においては、図４に示すよ
うに被照射物20の表面の露光領域20a を複数の矩形領域
20a1, 矩形領域20a2, 矩形領域20a3に分割し、電子ビー
ム露光装置の第１スリット13a 及び第２スリット13b を
用いて電子ビームをこれらの矩形領域に相当する電子ビ
ームに成形し、この成形された複数の矩形の電子ビーム
を順次被照射物20の表面に連続して照射してこの露光領
域20a の露光を行っている。
【０００７】しかしながら図５に示すように露光すべき
領域が非矩形パターンの場合には、図５(a) に図示する
ようにこの非矩形パターンを矩形パターンに分割し、そ
れぞれの矩形パターンに相当する矩形の電子ビームを、
第１スリット13a 及び第２スリット13b を用いて成形
し、この成形された複数の矩形の電子ビームを順次被照
射物の表面に連続して照射して露光を行っているが、分
割数が少ない場合には図示するように斜め方向のエッジ
の凹凸が甚だしいエッジラフネスの粗い露光になる。
領域が非矩形パターンの場合には、図５(a) に図示する
ようにこの非矩形パターンを矩形パターンに分割し、そ
れぞれの矩形パターンに相当する矩形の電子ビームを、
第１スリット13a 及び第２スリット13b を用いて成形
し、この成形された複数の矩形の電子ビームを順次被照
射物の表面に連続して照射して露光を行っているが、分
割数が少ない場合には図示するように斜め方向のエッジ
の凹凸が甚だしいエッジラフネスの粗い露光になる。
【０００８】このエッジラフネスを細かくするためには
図５(b) に図示するようにこの非矩形パターンを極めて
多数の矩形パターンに分割し、それぞれの矩形に相当す
る矩形の電子ビームを、第１スリット13a 及び第２スリ
ット13b を用いて成形し、この分割された複数の矩形の
電子ビームを順次被照射物の表面に連続して照射して露
光を行わねばならなくなり、電子ビーム露光装置のスル
ープットが低下している。
図５(b) に図示するようにこの非矩形パターンを極めて
多数の矩形パターンに分割し、それぞれの矩形に相当す
る矩形の電子ビームを、第１スリット13a 及び第２スリ
ット13b を用いて成形し、この分割された複数の矩形の
電子ビームを順次被照射物の表面に連続して照射して露
光を行わねばならなくなり、電子ビーム露光装置のスル
ープットが低下している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の電
子ビーム露光装置及び露光方法においては、図５に示す
ような非矩形パターンの電子ビームの照射を行う場合に
は、図５(a) に示すようにこの非矩形パターンを少数の
矩形パターンに分割すると、エッジラフネスが粗くな
り、図５(b) に示すようにこの非矩形パターンを極めて
多数の矩形パターンに分割すると、電子ビーム露光装置
のスループットが低下するという問題点があった。
子ビーム露光装置及び露光方法においては、図５に示す
ような非矩形パターンの電子ビームの照射を行う場合に
は、図５(a) に示すようにこの非矩形パターンを少数の
矩形パターンに分割すると、エッジラフネスが粗くな
り、図５(b) に示すようにこの非矩形パターンを極めて
多数の矩形パターンに分割すると、電子ビーム露光装置
のスループットが低下するという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、被照射物
の表面にパターンエッジのラフネスが小さい非矩形パタ
ーンの照射を高速で行うことが可能となる電子ビーム露
光装置及び露光方法の提供を目的としたものである。
の表面にパターンエッジのラフネスが小さい非矩形パタ
ーンの照射を高速で行うことが可能となる電子ビーム露
光装置及び露光方法の提供を目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の電子ビーム露光
装置は、電子銃から出された電子ビームを集光レンズで
集光し、電磁レンズを通過させ、ショット切り換え時に
はブランキングデフレクタによりオンオフし、主偏向器
によりこの電子ビームのショットの位置を規定し、電磁
レンズを通過させ、この電子ビームをＸＹテーブル上の
載物台に載物した被照射物に照射する電子ビーム露光装
置であって、この主偏向器により位置を規定したこの被
照射物の表面の領域に照射するこの電子ビームのスポッ
トビームを成形するショット形成デフレクタをこの集光
レンズとこの電磁レンズとの間に具備するように構成す
る。
装置は、電子銃から出された電子ビームを集光レンズで
集光し、電磁レンズを通過させ、ショット切り換え時に
はブランキングデフレクタによりオンオフし、主偏向器
によりこの電子ビームのショットの位置を規定し、電磁
レンズを通過させ、この電子ビームをＸＹテーブル上の
載物台に載物した被照射物に照射する電子ビーム露光装
置であって、この主偏向器により位置を規定したこの被
照射物の表面の領域に照射するこの電子ビームのスポッ
トビームを成形するショット形成デフレクタをこの集光
レンズとこの電磁レンズとの間に具備するように構成す
る。
【００１２】本発明の電子ビーム露光方法は、上記の電
子ビーム露光装置を用いて行う電子ビーム露光方法であ
って、この主偏向器により位置を規定したこの被照射物
の表面の領域において、このショット形成デフレクタで
成形したこの電子ビームのスポットビームを走査させて
照射するように構成する。
子ビーム露光装置を用いて行う電子ビーム露光方法であ
って、この主偏向器により位置を規定したこの被照射物
の表面の領域において、このショット形成デフレクタで
成形したこの電子ビームのスポットビームを走査させて
照射するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、電子ビーム露光装置の
集光レンズと電磁レンズとの間に、主偏向器により位置
を規定した被照射物の表面の領域に照射する電子ビーム
のスポットビームを形成するショット形成デフレクタを
設けているから、この主偏向器で位置を規定した被照射
物の表面の露光領域に、このショット形成デフレクタに
て成形した電子ビームのスポットビームを高速で連続し
て走査させて照射することができるので、非矩形パター
ンの場合でも短時間で被照射物の表面に電子ビームを照
射することが可能となる。
集光レンズと電磁レンズとの間に、主偏向器により位置
を規定した被照射物の表面の領域に照射する電子ビーム
のスポットビームを形成するショット形成デフレクタを
設けているから、この主偏向器で位置を規定した被照射
物の表面の露光領域に、このショット形成デフレクタに
て成形した電子ビームのスポットビームを高速で連続し
て走査させて照射することができるので、非矩形パター
ンの場合でも短時間で被照射物の表面に電子ビームを照
射することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１〜図２により本発明の一実施例の電
子ビーム露光装置及び露光方法について詳細に説明す
る。
子ビーム露光装置及び露光方法について詳細に説明す
る。
【００１５】図１は本発明による一実施例の電子ビーム
露光装置の概略構造を示す側断面図、図２は本発明によ
る一実施例の電子ビーム露光方法を説明する図である。
図１に示すように、本発明の一実施例の電子ビーム露光
装置においては、電子銃１から出された電子ビームは集
光レンズ２で集光され、ショット形成デフレクタ３によ
り電子ビームの例えば0.04μm 径程度のスポットビーム
に成形され、電磁レンズ４を通過した後、ショット切り
換え時にはブランキングデフレクタ５によりオンオフさ
れ、ＸＹテーブル９上の載物台８に載置されている被照
射物10の表面の主偏向器６により位置を規定した露光領
域に照射されている。
露光装置の概略構造を示す側断面図、図２は本発明によ
る一実施例の電子ビーム露光方法を説明する図である。
図１に示すように、本発明の一実施例の電子ビーム露光
装置においては、電子銃１から出された電子ビームは集
光レンズ２で集光され、ショット形成デフレクタ３によ
り電子ビームの例えば0.04μm 径程度のスポットビーム
に成形され、電磁レンズ４を通過した後、ショット切り
換え時にはブランキングデフレクタ５によりオンオフさ
れ、ＸＹテーブル９上の載物台８に載置されている被照
射物10の表面の主偏向器６により位置を規定した露光領
域に照射されている。
【００１６】このような本発明の一実施例の電子ビーム
露光装置を用いて行う電子ビーム露光方法においては、
図２に示すように被照射物10の表面の露光領域10a を分
割して主偏向器６により位置を規定した領域10a1,10a2,
10a3において、このショット形成デフレクタ３で成形し
た電子ビームのスポットビームを図示するように高速、
例えば10ｍ／秒程度の速度で連続して照射するので、非
矩形の露光領域に電子ビームを高速で連続して照射する
場合においてもエッジラフネスが良好な電子ビームの露
光を高速で行うことが可能となる。
露光装置を用いて行う電子ビーム露光方法においては、
図２に示すように被照射物10の表面の露光領域10a を分
割して主偏向器６により位置を規定した領域10a1,10a2,
10a3において、このショット形成デフレクタ３で成形し
た電子ビームのスポットビームを図示するように高速、
例えば10ｍ／秒程度の速度で連続して照射するので、非
矩形の露光領域に電子ビームを高速で連続して照射する
場合においてもエッジラフネスが良好な電子ビームの露
光を高速で行うことが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な電子ビーム露光装置の構造の変更
により、非矩形の領域を高精度で高速な電子ビーム露光
を行うことが可能となり、半導体装置の製造工程のスル
ープットの低下を防止することが可能となる等の利点が
あり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき
る電子ビーム露光装置及び露光方法の提供が可能であ
る。
によれば極めて簡単な電子ビーム露光装置の構造の変更
により、非矩形の領域を高精度で高速な電子ビーム露光
を行うことが可能となり、半導体装置の製造工程のスル
ープットの低下を防止することが可能となる等の利点が
あり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき
る電子ビーム露光装置及び露光方法の提供が可能であ
る。
【図１】 本発明による一実施例の電子ビーム露光装置
の概略構造を示す側断面図、
の概略構造を示す側断面図、
【図２】 本発明による一実施例の電子ビーム露光方法
を説明する図、
を説明する図、
【図３】 従来の電子ビーム露光装置の概略構造を示す
側断面図、
側断面図、
【図４】 従来の矩形パターンの電子ビーム露光方法を
説明する図、
説明する図、
【図５】 従来の非矩形パターンの電子ビーム露光方法
を説明する図、
を説明する図、
１は電子銃、 ２は集光レンズ、 ３はショット形成デフレクタ、 ４は電磁レンズ、 ５はブランキングデフレクタ、 ６は主偏向器、 ７は電磁レンズ、 ８は載物台、 ９はＸＹテーブル、 10は被照射物、
Claims (2)
- 【請求項１】 電子銃(1) から出された電子ビームを集
光レンズ(2) で集光し、電磁レンズ(4) を通過させ、シ
ョット切り換え時にはブランキングデフレクタ(5) によ
りオンオフし、主偏向器(6) により前記電子ビームのシ
ョットの位置を規定し、電磁レンズ(7) を通過させ、前
記電子ビームをＸＹテーブル(9) 上の載物台(8) に載物
した被照射物(10)に照射する電子ビーム露光装置であっ
て、 前記主偏向器(6) により位置を規定した前記被照射物(1
0)の表面の領域に照射する前記電子ビームのスポットビ
ームを成形するショット形成デフレクタ(3) を前記集光
レンズ(2)と前記電磁レンズ(4)との間に具備することを
特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子ビーム露光装置を用
いて行う電子ビーム露光方法であって、 前記主偏向器(6) により位置を規定した前記被照射物(1
0)の表面の領域において、前記ショット形成デフレクタ
(3) で成形した前記電子ビームのスポットビームを走査
させて照射することを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199067A JPH0547643A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199067A JPH0547643A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547643A true JPH0547643A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16401562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3199067A Pending JPH0547643A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854490A (en) * | 1995-10-03 | 1998-12-29 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| KR20160000431A (ko) | 2014-06-24 | 2016-01-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 표면 처리 장치 |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3199067A patent/JPH0547643A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854490A (en) * | 1995-10-03 | 1998-12-29 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| US5872366A (en) * | 1995-10-03 | 1999-02-16 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| US5949078A (en) * | 1995-10-03 | 1999-09-07 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| KR20160000431A (ko) | 2014-06-24 | 2016-01-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 표면 처리 장치 |
| US9852878B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-12-26 | Ebara Corporation | Surface processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |