JPH054794B2 - - Google Patents

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JPH054794B2
JPH054794B2 JP61112120A JP11212086A JPH054794B2 JP H054794 B2 JPH054794 B2 JP H054794B2 JP 61112120 A JP61112120 A JP 61112120A JP 11212086 A JP11212086 A JP 11212086A JP H054794 B2 JPH054794 B2 JP H054794B2
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JP
Japan
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exterior body
insulator
ceramic element
ceramic
surge absorbing
Prior art date
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JP61112120A
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Japanese (ja)
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JPS62268105A (en
Inventor
Takaaki Ito
Makoto Onodera
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は円筒型サージ吸収素子に係り、特に組
立てが容易でしかも小型化を図ることが可能な円
筒型サージ吸収素子に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a cylindrical surge absorbing element, and particularly to a cylindrical surge absorbing element that is easy to assemble and can be downsized.

[従来の技術] サージ電圧を吸収するサージ吸収素子には、ギ
ヤツプ式サージ吸収器又は酸化亜鉛系バリスタ等
の電圧非直線抵抗体が現在広く用いられている。
しかしながら、ギヤツプ式サージ吸収器は、放電
遅れが大きく、明暗効果により特性の安定性に欠
けること、及び、酸化亜鉛系バリスタでは絶縁抵
抗が小さいことから、十分なサージ電圧吸収効果
が得られないという欠点を有している。
[Prior Art] Voltage nonlinear resistors such as gap type surge absorbers or zinc oxide varistors are currently widely used as surge absorption elements that absorb surge voltage.
However, gap-type surge absorbers have a large discharge delay and lack of stability in characteristics due to light and shade effects, and zinc oxide varistors have low insulation resistance, making it difficult to obtain sufficient surge voltage absorption effects. It has its drawbacks.

本出願人は、このような従来のサージ吸収素子
の特性不良を解消するものとして、マイクロギヤ
ツプ式サージ吸収素子を見出し、先に特許出願し
た(特開昭55−128283。以下、「先願」という。) 先願のサージ吸収素子は、第2図に示す如く、
セラミツクス絶縁体11の表面にマイクロギヤツ
プの絶縁溝12を有する導電性皮膜13を形成し
たセラミツクス素子14の両端にリード線15付
の電極16を設け、これを絶縁性の外装体17内
に入れ、その両端を熱融着等で封着してなるもの
である。
The present applicant discovered a micro-gap type surge absorbing element as a solution to the poor characteristics of conventional surge absorbing elements, and filed a patent application earlier (Japanese Patent Laid-Open No. 55-128283. Hereinafter referred to as the "prior application"). ) The surge absorption element of the earlier application is as shown in Figure 2.
Electrodes 16 with lead wires 15 are provided at both ends of a ceramic element 14 in which a conductive film 13 having micro-gap insulating grooves 12 is formed on the surface of a ceramic insulator 11, and the electrodes 16 are placed inside an insulating exterior body 17. Both ends are sealed by heat fusion or the like.

第2図に示すようなマイクロギヤツプ式サージ
吸収素子は、放電遅れや明暗による特性の違いも
なく、絶縁抵抗値も大きい等の優れた特性を有し
ている。
The micro-gap type surge absorbing element as shown in FIG. 2 has excellent characteristics such as no discharge delay, no difference in characteristics due to brightness, and high insulation resistance value.

[発明が解決しようとする問題点] 第2図に示すマイクロギヤツプ式のサージ吸収
素子は、このようにサージ電圧の吸収特性の面か
らは極めて優れているものであるにもかかわら
ず、その構造上、次のような問題点を有してい
た。
[Problems to be Solved by the Invention] Although the micro-gap type surge absorbing element shown in Fig. 2 has extremely excellent surge voltage absorption characteristics, its structure is , had the following problems.

セラミツクス素子14を外装体17内に固定
する際、素子14と外装体17との位置決めが
難しく、組立て時に外装体17の中央の軸心線
上に配置して素子14の周囲に均等に空間18
を設けることが容易ではない。
When fixing the ceramic element 14 in the exterior body 17, it is difficult to position the element 14 and the exterior body 17, so when assembling it, it is arranged on the central axis of the exterior body 17, and the space 18 is evenly spaced around the element 14.
It is not easy to set up

外装体17の両端は熱融着等により封着され
るのであるが、その熱融着時の熱影響の伝達を
防止するために、外装体17の大きさをセラミ
ツクス素子14に対してある程度大きくとり、
空間18を設けておく必要があることから、サ
ージ吸収素子の小型化には限界がある。
Both ends of the exterior body 17 are sealed by heat fusion or the like, but in order to prevent the transmission of heat effects during the heat fusion, the size of the exterior body 17 is made to be somewhat larger than the ceramic element 14. bird,
Since it is necessary to provide the space 18, there is a limit to miniaturization of the surge absorbing element.

[問題点を解決するための手段] 本発明は上記従来の問題点を解決し、組立作業
が容易でしかも小型化が可能なサージ吸収素子を
提供するものであつて、柱状のセラミツクス絶縁
体と、該絶縁体の外周面及び両端面を被覆する導
電性皮膜と、該絶縁体の外周面を周回し該絶縁体
を周回線状に露出させる線状露出部よりなり、該
導電性皮膜を複数個に分割している放電ギヤツプ
としての絶縁溝と、からなるセラミツクス素子;
内部に該セラミツクス素子が同軸的に配置されて
いる筒状の外装体であつて、該外装体の内周面と
該セラミツクス素子の外面とが離隔されている絶
縁性外装体;該外装体の筒軸方向両端側にそれぞ
れ内嵌された円盤形の電極;及び該電極の外装体
内部側の面に形成された凹部;を備えてなり、前
記セラミツクス素子の両端がそれぞれ該電極の凹
部に嵌合されてなる円筒型サージ吸収素子、を要
旨とするものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention solves the above-mentioned conventional problems and provides a surge absorption element that is easy to assemble and can be downsized. , consisting of a conductive film that covers the outer peripheral surface and both end faces of the insulator, and a linear exposed portion that goes around the outer peripheral surface of the insulator and exposes the insulator in a circular line shape, and a plurality of conductive films are formed. A ceramic element consisting of an insulating groove as a discharge gap divided into individual parts;
A cylindrical exterior body in which the ceramic element is coaxially disposed, and an insulating exterior body in which the inner peripheral surface of the exterior body and the outer surface of the ceramic element are separated; A disc-shaped electrode is fitted inside each end in the axial direction of the cylinder; and a recess formed in the inner surface of the exterior body of the electrode; both ends of the ceramic element are fitted into the recess of the electrode, respectively. The gist is a cylindrical surge absorbing element formed by combining the two.

[作用] 本発明のサージ吸収素子は、一方の面に凹部を
有する円盤形の電極を、セラミツクス素子の両端
がそれぞれの凹部と嵌合するように配設するた
め、セラミツクス素子を容易に外装体内に位置決
め設定することができる。また、放電のための有
効空間も確保することができる。
[Function] In the surge absorbing element of the present invention, a disk-shaped electrode having a recess on one surface is disposed so that both ends of the ceramic element fit into the respective recesses, so the ceramic element can be easily inserted into the outer casing. Positioning can be set. Moreover, an effective space for discharge can also be secured.

しかも、このように円筒形の外装体の両端側に
円盤形の電極を配設してこれをセラミツクス素子
に嵌合させているため、外装体内に余分な空間を
設ける必要もなく、装置の小型化を図ることが可
能となる。
Moreover, since the disc-shaped electrodes are arranged on both ends of the cylindrical exterior body and are fitted into the ceramic element, there is no need to provide extra space inside the exterior body, making the device more compact. This makes it possible to achieve

[実施例] 以下、図面を参照して本発明の円筒型サージ吸
収素子の実施例について説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the cylindrical surge absorbing element of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実
施例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the cylindrical surge absorbing element of the present invention.

本発明の円筒型サージ吸収素子1は、柱状のセ
ラミツクス絶縁体2の表面に、絶縁溝3を有する
導電性皮膜4を形成してなるセラミツクス素子5
が円筒形の絶縁体外装体6に内装されており、外
装体6の筒軸方向両端側には、一方の面に凹部7
aを有する円盤形の電極7が、セラミツクス素子
5の両端がそれぞれの凹部7aに嵌合するように
配設されている。導電性皮膜4は、セラミツクス
絶縁体2の外周面及び両端面を被覆するように形
成され、絶縁溝3は、セラミツクス絶縁体2の外
周面を周回して絶縁体2を周回線状に露出させる
線状露出部であり、導電性皮膜4を複数個(図で
は2個)に分割する放電ギヤツプである。セラミ
ツクス素子5は、外装体6の内部に同軸的に配置
され、外装体6の内周面とセラミツクス素子5の
外面とは離隔されている。
The cylindrical surge absorbing element 1 of the present invention has a ceramic element 5 formed by forming a conductive film 4 having an insulating groove 3 on the surface of a columnar ceramic insulator 2.
is housed in a cylindrical insulator exterior body 6, and a recess 7 is formed on one surface of the exterior body 6 at both ends in the cylindrical axis direction.
A disk-shaped electrode 7 having a diameter a is arranged such that both ends of the ceramic element 5 fit into the respective recesses 7a. The conductive film 4 is formed to cover the outer peripheral surface and both end surfaces of the ceramic insulator 2, and the insulating groove 3 goes around the outer peripheral surface of the ceramic insulator 2 and exposes the insulator 2 in the form of a circuit line. This is a linear exposed portion and is a discharge gap that divides the conductive film 4 into a plurality of parts (two in the figure). The ceramic element 5 is coaxially arranged inside the exterior body 6, and the inner peripheral surface of the exterior body 6 and the outer surface of the ceramic element 5 are separated from each other.

以下に本発明のサージ吸収素子の各構成部材の
詳細について説明する。
The details of each component of the surge absorbing element of the present invention will be explained below.

セラミツクス絶縁体2は、電極間にサージ電圧
が印加された場合、導電性皮膜4の絶縁溝3に電
界を集中させる。絶縁体のセラミツクス材料とし
ては、例えばムライト磁器、フオルステライト磁
器、アルミナ磁器、ステアタイト磁器等が好適で
ある。
The ceramic insulator 2 concentrates the electric field in the insulating groove 3 of the conductive film 4 when a surge voltage is applied between the electrodes. Suitable ceramic materials for the insulator include, for example, mullite porcelain, forsterite porcelain, alumina porcelain, and steatite porcelain.

このようなセラミツクス絶縁体2の表面に形成
する導電性皮膜4としては、銀等の金属製皮膜、
その他導電性のセラミツクス皮膜が採用される。
導電性セラミツクスとしては、導電性金属酸化物
及び侵入型窒化物を含む導電性セラミツクスが挙
げられ、導電性金属酸化物としては、SnO2
Nb2O3、MoO3、WO2等が好適である。一方、侵
入型窒化物としては主として遷移元素の窒化物が
これに相当し、金属原子の隙間に窒素原子が侵入
した構造であるので、微量の不純物を添加しなく
ても導電性を有するものであり、TiN、TaN等
が好適である。これらの導電性金属酸化物及び侵
入型窒化物はいずれも融点が高く、耐酸化性、耐
食性に優れている。
The conductive film 4 formed on the surface of such a ceramic insulator 2 may be a metal film such as silver,
Other conductive ceramic films are used.
Examples of conductive ceramics include conductive ceramics containing conductive metal oxides and interstitial nitrides, and examples of conductive metal oxides include SnO 2 ,
Nb 2 O 3 , MoO 3 , WO 2 and the like are suitable. On the other hand, interstitial nitrides mainly correspond to nitrides of transition elements, which have a structure in which nitrogen atoms penetrate into the gaps between metal atoms, so they have conductivity even without the addition of trace amounts of impurities. Yes, TiN, TaN, etc. are suitable. Both of these conductive metal oxides and interstitial nitrides have high melting points and are excellent in oxidation resistance and corrosion resistance.

絶縁体2の表面にこれら導電性皮膜4を形成す
るには、めつき、スパツタリングあるいはイオン
プレーテイング等の気相蒸着法が有利である。
In order to form these conductive films 4 on the surface of the insulator 2, a vapor phase deposition method such as plating, sputtering or ion plating is advantageous.

このような導電性皮膜4に設ける絶縁溝3は、
放電遅れを低減するためには細い方が好ましい
が、狭すぎると放電の際の融着による短絡の恐れ
がある。
The insulating groove 3 provided in such a conductive film 4 is
In order to reduce the discharge delay, it is preferable that it be thin, but if it is too narrow, there is a risk of a short circuit due to fusion during discharge.

なお、第1図においては、溝3を1本設けた例
が示されているが、溝3はサージ吸収素子の用途
等に応じて2本以上の複数本としても良い。
Although FIG. 1 shows an example in which one groove 3 is provided, the number of grooves 3 may be two or more depending on the purpose of the surge absorbing element.

絶縁溝3は通常レーザー加工により形成され、
レーザーとしては、YAGレーザー等の固体レー
ザー、アルゴンガスレーザー等のガスレーザーが
使用される。特にYAGレーザーは安定性が高く
好適である。
The insulation groove 3 is usually formed by laser processing,
As the laser, a solid laser such as a YAG laser or a gas laser such as an argon gas laser is used. In particular, YAG laser is highly stable and suitable.

電極7は、円盤の一方の面の中心に凹部7aが
形成された形状である。この凹部7aの大きさ、
形状はセラミツクス素子5の端部と凹凸が一致す
るように設定されるが、一般にはこの凹部とセラ
ミツクス素子の端部を大きくしてその接触面積を
大きくするが、導電性の面で有利である。
The electrode 7 has a disc shape with a recess 7a formed at the center of one surface. The size of this recess 7a,
The shape is set so that the concavity and convexity match the edge of the ceramic element 5, but generally the concave part and the edge of the ceramic element are enlarged to increase the contact area, but this is advantageous in terms of conductivity. .

なお、本発明のサージ吸収素子1は、外装体6
にセラミツクス素子5を挿入してセラミツクス素
子の両端を電極7の中心部に形成した凹部7aで
支持して封入するものであるので、外装体6と電
極7とは熱膨張差の少ない材質を選定することが
好ましい。
Note that the surge absorbing element 1 of the present invention has an exterior body 6
Since the ceramic element 5 is inserted into the electrode 7 and both ends of the ceramic element are supported and sealed in the recess 7a formed in the center of the electrode 7, materials with a small difference in thermal expansion are selected for the exterior body 6 and the electrode 7. It is preferable to do so.

外装体6としては通常ガラス等の絶縁性物質が
採用される。電極7としては、ジユメツト、コバ
ール等が用いられる。
The exterior body 6 is usually made of an insulating material such as glass. As the electrode 7, diamond, Kovar, etc. are used.

本発明のサージ吸収素子1はセラミツクス素子
5を円筒状の外装体6に挿入し、外装体6の両端
に円盤形の電極7をその中心に形成した凹部7a
がセラミツクス素子の両端と嵌合するように嵌め
込んで封入することにより、セラミツクス素子を
外装体内に位置決めするに際し、煩雑な操作を要
することなく容易に組立てることができる。
In the surge absorbing element 1 of the present invention, a ceramic element 5 is inserted into a cylindrical exterior body 6, and a recess 7a is formed at both ends of the exterior body 6 with a disc-shaped electrode 7 at its center.
By fitting and enclosing the ceramic element so that it fits with both ends of the ceramic element, the ceramic element can be easily assembled without requiring complicated operations when positioning the ceramic element within the exterior body.

なお、この場合、封入ガスとしては、希ガス及
び窒素ガスよりなる群の中から選ばれた少なくと
も一種のガスを使用する。封入ガスの圧力につい
ては特に限定されないが、減圧であることが好適
である。
In this case, at least one gas selected from the group consisting of rare gas and nitrogen gas is used as the filler gas. The pressure of the sealed gas is not particularly limited, but it is preferably reduced pressure.

なお、第1図に示すものは本発明の一実施例で
あつて、本発明は何ら第1図のものに限定される
ものではない。
Note that what is shown in FIG. 1 is one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to what is shown in FIG. 1 in any way.

例えば、セラミツクス素子5の形状は第1図に
示すような中心部が細くなつたものに限られず、
第3図に示すような略円柱形状でも良い。しかし
ながら、第1図の如く両端部の断面積を大きく
し、中心部の断面積が小さい形状とした場合に
は、セラミツクス素子と電極との接触面積を大き
く保持することにより導電性を高め、また、放電
に必要な空間10を十分に確保し、サージ耐量等
の電気特性を向上させることができるので、極め
て有利である。
For example, the shape of the ceramic element 5 is not limited to the shape shown in FIG.
A substantially cylindrical shape as shown in FIG. 3 may be used. However, when the cross-sectional area of both ends is made large and the cross-sectional area of the center part is made small as shown in Fig. 1, conductivity is increased by maintaining a large contact area between the ceramic element and the electrode. This is extremely advantageous since it is possible to secure a sufficient space 10 necessary for discharge and improve electrical characteristics such as surge resistance.

第1図はおいては、電極7にリード線を設けて
いないサージ吸収素子について示したが、本発明
のサージ吸収素子は電極7にリード線を接続した
タイプのものであつても良い。しかしながら、リ
ード線を接続したものでは、 リード線の浮遊容量による高周波信号の歪を
生じる。
Although FIG. 1 shows a surge absorbing element in which the electrode 7 is not provided with a lead wire, the surge absorbing element of the present invention may be of a type in which the electrode 7 is connected to a lead wire. However, when lead wires are connected, high-frequency signal distortion occurs due to the stray capacitance of the lead wires.

リード線によつて他の電子部品との空間的配
置に制限を受ける。また基板等への装着が困難
であり装着機構も複雑である。
The lead wires limit the spatial arrangement with other electronic components. Furthermore, it is difficult to attach it to a substrate, etc., and the attachment mechanism is also complicated.

リード線の部分が長く、小型化に限界があり
材料費等のコスト低減が難しい。
The lead wire portion is long, which limits miniaturization, making it difficult to reduce costs such as material costs.

等の問題を生ずることがあるから、リード線を設
けない形式とするのが有利である。
Since such problems may occur, it is advantageous to use a type without lead wires.

[発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の円筒形サージ吸収
素子は、柱状のセラミツクス絶縁体と、該絶縁体
の外周面及び両端面を被覆する導電性皮膜と、該
絶縁体の外周面を周回し該絶縁体を周回線状に露
出させる線状露出部よりなり、該導電性皮膜を複
数個に分割している放電ギヤツプとしての絶縁溝
と、からなるセラミツクス素子;内部に該セラミ
ツクス素子が同軸的に配置されている筒状の外装
体であつて、該外装体の内周面と該セラミツクス
素子の外面とが離隔されている絶縁性外装体;該
外装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌された円
盤形の電極;及び該電極の外装体内部側の面に形
成された凹部;を備えてなり、前記セラミツクス
素子の両端がそれぞれ該電極の凹部に嵌合されて
なるものであつて、マイクロギヤツプ式サージ吸
収素子の著しく優れたサージ吸収特性を具備する
上に、構成部材の組立が容易でしかも小型化を図
ることができるという特徴を有する。
[Effects of the Invention] As detailed above, the cylindrical surge absorption element of the present invention includes a columnar ceramic insulator, a conductive film covering the outer peripheral surface and both end surfaces of the insulator, and an outer periphery of the insulator. A ceramic element consisting of a linear exposed part that goes around the surface and exposes the insulator in a circular line shape, and an insulating groove as a discharge gap that divides the conductive film into a plurality of parts; A cylindrical exterior body in which elements are arranged coaxially, and an insulating exterior body in which the inner peripheral surface of the exterior body and the outer surface of the ceramic element are separated; both ends of the exterior body in the axial direction of the cylinder a disc-shaped electrode fitted inside each side; and a recess formed on the inner surface of the exterior body of the electrode; both ends of the ceramic element are fitted into the recess of the electrode, respectively. In addition to having the extremely superior surge absorption characteristics of the micro-gap type surge absorption element, it is also characterized in that the components can be easily assembled and miniaturized.

従つて、このような本発明の円筒型サージ吸収
素子は各種電気電子回路のサージ電圧吸収素子と
して工業的に極めて有用である。
Therefore, the cylindrical surge absorbing element of the present invention is industrially extremely useful as a surge voltage absorbing element for various electrical and electronic circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実
施例を示す断面図、第2図は従来のサージ吸収素
子の断面図、第3図は本発明のサージ吸収素子の
他の実施例を示す断面図である。 1……サージ吸収素子、2……絶縁体、3……
絶縁溝、4……導電性皮膜、5……セラミツクス
素子、6……外装体、7……電極。
Fig. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the cylindrical surge absorbing element of the present invention, Fig. 2 is a cross-sectional view of a conventional surge absorbing element, and Fig. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the surge absorbing element of the present invention. FIG. 1... Surge absorption element, 2... Insulator, 3...
Insulating groove, 4... Conductive film, 5... Ceramic element, 6... Exterior body, 7... Electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 柱状のセラミツクス絶縁体と、 該絶縁体の外周面及び両端面を被覆する導電性
皮膜と、 該絶縁体の外周面を周回し該絶縁体を周回線状
に露出させる線状露出部よりなり、該導電性皮膜
を複数個に分割している放電ギヤツプとしての絶
縁溝と、 からなるセラミツクス素子; 内部に該セラミツクス素子が同軸的に配置され
ている筒状の外装体であつて、該外装体の内周面
と該セラミツクス素子の外面とが離隔されている
絶縁性外装体; 該外装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌され
た円盤形の電極;及び 該電極の外装体内部側の面に形成された凹部;
を備えてなり、前記セラミツクス素子の両端がそ
れぞれ該電極の凹部に嵌合されてなる円筒型サー
ジ吸収素子。 2 セラミツクス素子は中心部の横断面積が両端
部の横断面積よりも小さい形状であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の円筒型サー
ジ吸収素子。
[Scope of Claims] 1. A columnar ceramic insulator, a conductive film that covers the outer peripheral surface and both end surfaces of the insulator, and a conductive film that goes around the outer peripheral surface of the insulator and exposes the insulator in the form of a circuit line. a ceramic element consisting of an insulating groove as a discharge gap, which is made up of a linear exposed part and divides the conductive film into a plurality of parts; a cylindrical exterior body in which the ceramic element is coaxially arranged; an insulating exterior body in which the inner circumferential surface of the exterior body and the outer surface of the ceramic element are separated from each other; disc-shaped electrodes fitted inside each end of the exterior body in the cylinder axis direction; and A recess formed on the inner surface of the electrode's exterior body;
A cylindrical surge absorbing element comprising: a cylindrical surge absorbing element, wherein both ends of the ceramic element are respectively fitted into recesses of the electrode. 2. The cylindrical surge absorbing element according to claim 1, wherein the ceramic element has a shape in which the cross-sectional area at the center is smaller than the cross-sectional area at both ends.
JP11212086A 1986-05-16 1986-05-16 Cylindrical surge absorber Granted JPS62268105A (en)

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JPS62268105A (en) 1987-11-20

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