JPH054795B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH054795B2 JPH054795B2 JP11212186A JP11212186A JPH054795B2 JP H054795 B2 JPH054795 B2 JP H054795B2 JP 11212186 A JP11212186 A JP 11212186A JP 11212186 A JP11212186 A JP 11212186A JP H054795 B2 JPH054795 B2 JP H054795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exterior body
- ceramic element
- insulator
- ceramic
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は円筒型サージ吸収素子に係り、特に組
立てが容易でしかも小型化を図ることが可能な円
筒型サージ吸収素子に関する。
立てが容易でしかも小型化を図ることが可能な円
筒型サージ吸収素子に関する。
［従来の技術］
サージ電圧を吸収するサージ吸収素子には、ギ
ヤツプ式サージ吸収器又は酸化亜鉛系バリスタ等
の電圧非直線抵抗体等が現在広く用いられてい
る。しかしながら、ギヤツプ式サージ吸収器は、
放電遅れが大きく、明暗効果により特性の安定性
に欠けること、及び、酸化亜鉛系バリスタでは絶
縁抵抗が小さいことから、十分なサージ電圧吸収
効果が得られないという欠点を有している。
ヤツプ式サージ吸収器又は酸化亜鉛系バリスタ等
の電圧非直線抵抗体等が現在広く用いられてい
る。しかしながら、ギヤツプ式サージ吸収器は、
放電遅れが大きく、明暗効果により特性の安定性
に欠けること、及び、酸化亜鉛系バリスタでは絶
縁抵抗が小さいことから、十分なサージ電圧吸収
効果が得られないという欠点を有している。
本出願人は、このような従来のサージ吸収素子
の特性不良を解消するものとして、マイクロギヤ
ツプ式サージ吸収素子を見出し、先に特許出願し
た（特開昭55−128283。以下、「先願」という。） 先願のサージ吸収素子は、第２図に示す如く、
セラミツクス絶縁体１１の表面にマイクロギヤツ
プの絶縁溝１２を有する導電性皮膜１３を形成し
たセラミツクス素子１４の両端にリード線１５付
の電極１６を設け、これを絶縁性の外装体１７内
に入れ、その両端を熱融着等で付着してなるもの
である。
の特性不良を解消するものとして、マイクロギヤ
ツプ式サージ吸収素子を見出し、先に特許出願し
た（特開昭55−128283。以下、「先願」という。） 先願のサージ吸収素子は、第２図に示す如く、
セラミツクス絶縁体１１の表面にマイクロギヤツ
プの絶縁溝１２を有する導電性皮膜１３を形成し
たセラミツクス素子１４の両端にリード線１５付
の電極１６を設け、これを絶縁性の外装体１７内
に入れ、その両端を熱融着等で付着してなるもの
である。
第２図に示すようなマイクロギヤツプ式サージ
吸収素子は、放電遅れや明暗による特性の違いも
なく、絶縁抵抗値も大きい等の優れた特性を有し
ている。
吸収素子は、放電遅れや明暗による特性の違いも
なく、絶縁抵抗値も大きい等の優れた特性を有し
ている。
［発明が解決しようとする問題点］
第２図に示すマイクロギヤツプ式のサージ吸収
素子は、このようにサージ電圧の吸収特性の面か
らは極めて優れているものであるにもかかわら
ず、その構造上、次のような問題点を有してい
た。
素子は、このようにサージ電圧の吸収特性の面か
らは極めて優れているものであるにもかかわら
ず、その構造上、次のような問題点を有してい
た。
セラミツクス素子１４を外装体１７内に固定
する際、素子１４と外装体１７との位置決めが
難しく、組立て時に外装体１７の中央の軸心線
上に配置して素子１４の周囲に均等に空間１８
を設けることが容易ではない。
する際、素子１４と外装体１７との位置決めが
難しく、組立て時に外装体１７の中央の軸心線
上に配置して素子１４の周囲に均等に空間１８
を設けることが容易ではない。
外装体１７の両端は熱融着等により封着され
るのであるが、その熱融着時の熱影響の伝達を
防止するために、外装体１７の大きさをセラミ
ツクス素子１４に対してある程度大きくとり、
空間１８を設けておく必要があることから、サ
ージ吸収素子の小型化には限界がある。
るのであるが、その熱融着時の熱影響の伝達を
防止するために、外装体１７の大きさをセラミ
ツクス素子１４に対してある程度大きくとり、
空間１８を設けておく必要があることから、サ
ージ吸収素子の小型化には限界がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記従来の問題点を解決し、組立作業
が容易でしかも小型化が可能なサージ吸収素子を
提供するものであつて、 柱状のセラミツクス絶縁体と、該絶縁体の外周
面及び両端面を被覆する導電性皮膜と、該絶縁体
の外周面を周回し該絶縁体を周回線状に露出させ
る線状露出部よりなり、該導電性皮膜を複数個に
分割している放電ギヤツプとしての絶縁溝と、か
らなるセラミツクス素子；内部に該セラミツクス
素子が同軸的に配置されている筒状の外装体であ
つて、該外装体の内周面と該セラミツクス素子の
外面とが離隔されている絶縁性外装体；及び該外
装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌されてお
り、その内面に対し前記セラミツクス素子の端面
が当接された円盤形の電極；を備えてなり、前記
セラミツクス素子は、その外径が両端部において
は外装体の内径とほぼ等しいと共に中央部ではそ
れよりも小さい形状を有していることを特徴とす
る円筒型サージ吸収素子、 を要旨とするものである。
が容易でしかも小型化が可能なサージ吸収素子を
提供するものであつて、 柱状のセラミツクス絶縁体と、該絶縁体の外周
面及び両端面を被覆する導電性皮膜と、該絶縁体
の外周面を周回し該絶縁体を周回線状に露出させ
る線状露出部よりなり、該導電性皮膜を複数個に
分割している放電ギヤツプとしての絶縁溝と、か
らなるセラミツクス素子；内部に該セラミツクス
素子が同軸的に配置されている筒状の外装体であ
つて、該外装体の内周面と該セラミツクス素子の
外面とが離隔されている絶縁性外装体；及び該外
装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌されてお
り、その内面に対し前記セラミツクス素子の端面
が当接された円盤形の電極；を備えてなり、前記
セラミツクス素子は、その外径が両端部において
は外装体の内径とほぼ等しいと共に中央部ではそ
れよりも小さい形状を有していることを特徴とす
る円筒型サージ吸収素子、 を要旨とするものである。
［作用］
本発明のサージ吸収素子は、セラミツクス素子
の両端が外装体の内径とほぼ等しい外径とされて
いるため、セラミツクス素子を容易に外装体内に
位置決め設定することができる。また、セラミツ
クス素子の中央部は縮径されているため、放電の
ための有効空間も確保することができる。
の両端が外装体の内径とほぼ等しい外径とされて
いるため、セラミツクス素子を容易に外装体内に
位置決め設定することができる。また、セラミツ
クス素子の中央部は縮径されているため、放電の
ための有効空間も確保することができる。
しかも、円筒形の外装体の両端側に円盤形の電
極を配設してこれをセラミツクス素子の両端面に
当接させているため、外装体内に余分な空間を設
ける必要もなく、装置の小型化を図ることが可能
となる。
極を配設してこれをセラミツクス素子の両端面に
当接させているため、外装体内に余分な空間を設
ける必要もなく、装置の小型化を図ることが可能
となる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の円筒型サージ吸
収素子の実施例について説明する。
収素子の実施例について説明する。
第１図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
本実施例の円筒型サージ吸収素子１は、柱状の
セラミツクス絶縁体２の表面に、絶縁溝３を有す
る導電性皮膜４を形成してなるセラミツクス素子
５が円筒形の絶縁性外装体６に内装されており、
外装体６の筒軸方向両端側には円盤形の電極７が
セラミツクス素子５の両端面に当接して配設され
ている。導電性皮膜４は、セラミツクス絶縁体２
の外周面及び両端面を被覆するように形成され、
絶縁溝３は、セラミツクス絶縁体２の外周面を周
回して絶縁体２を周回線状に露出させる線状露出
部であり、導電性皮膜４を複数個（図では２個）
に分割する放電ギヤツプである。セラミツクス素
子５は、外装体６の内部に同軸的に配置され、外
装体６の内周面とセラミツクス素子５の外面とは
離隔されている。このセラミツクス素子５は、そ
の外径が軸心方向両端部においては外装体６の内
径とほぼ等しく、中央部はそれよりも小さい。
セラミツクス絶縁体２の表面に、絶縁溝３を有す
る導電性皮膜４を形成してなるセラミツクス素子
５が円筒形の絶縁性外装体６に内装されており、
外装体６の筒軸方向両端側には円盤形の電極７が
セラミツクス素子５の両端面に当接して配設され
ている。導電性皮膜４は、セラミツクス絶縁体２
の外周面及び両端面を被覆するように形成され、
絶縁溝３は、セラミツクス絶縁体２の外周面を周
回して絶縁体２を周回線状に露出させる線状露出
部であり、導電性皮膜４を複数個（図では２個）
に分割する放電ギヤツプである。セラミツクス素
子５は、外装体６の内部に同軸的に配置され、外
装体６の内周面とセラミツクス素子５の外面とは
離隔されている。このセラミツクス素子５は、そ
の外径が軸心方向両端部においては外装体６の内
径とほぼ等しく、中央部はそれよりも小さい。
以下に本発明のサージ吸収素子の各構成部材の
詳細について説明する。
詳細について説明する。
セラミツクス絶縁体２は、電極間にサージ電圧
が印加された場合、導電性皮膜４の絶縁溝３に電
界を集中させる。絶縁体のセラミツクス材料とし
ては、例えばムライト磁器、フオルステライト磁
器、アルミナ磁器、ステアタイト磁器等が好適で
ある。
が印加された場合、導電性皮膜４の絶縁溝３に電
界を集中させる。絶縁体のセラミツクス材料とし
ては、例えばムライト磁器、フオルステライト磁
器、アルミナ磁器、ステアタイト磁器等が好適で
ある。
このようなセラミツクス絶縁体２の表面に形成
する導電性皮膜４としては、銀等の金属製皮膜、
その他導電性のセラミツクス皮膜が採用される。
導電性セラミツクスとしては、導電性金属酸化物
及び侵入型窒化物を含む導電性セラミツクスが挙
げられ、導電性金属酸化物としては、SnO2、
Nb2O3、MoO3、WO2等が好適である。一方、侵
入型窒化物としては主として遷移元素の窒化物が
これに相当し、金属原子の隙間に窒素原子が侵入
した構造であるので、微量の不純物を添加しなく
ても導電性を有するものであり、TiN、TaN等
が好適である。これらの導電性金属酸化物及び侵
入型窒化物はいずれも融点が高く、耐酸化性、耐
食性に優れている。
する導電性皮膜４としては、銀等の金属製皮膜、
その他導電性のセラミツクス皮膜が採用される。
導電性セラミツクスとしては、導電性金属酸化物
及び侵入型窒化物を含む導電性セラミツクスが挙
げられ、導電性金属酸化物としては、SnO2、
Nb2O3、MoO3、WO2等が好適である。一方、侵
入型窒化物としては主として遷移元素の窒化物が
これに相当し、金属原子の隙間に窒素原子が侵入
した構造であるので、微量の不純物を添加しなく
ても導電性を有するものであり、TiN、TaN等
が好適である。これらの導電性金属酸化物及び侵
入型窒化物はいずれも融点が高く、耐酸化性、耐
食性に優れている。
絶縁体２の表面にこれら導電性皮膜４を形成す
るには、めつき、スパツタリングあるいはイオン
プレーテイング等の気相蒸着法が有利である。
るには、めつき、スパツタリングあるいはイオン
プレーテイング等の気相蒸着法が有利である。
このような導電性皮膜４に設ける絶縁溝３は、
放電遅れを低減するためには細い方が好ましい
が、狭すぎると放電の際の融着による短絡の恐れ
がある。
放電遅れを低減するためには細い方が好ましい
が、狭すぎると放電の際の融着による短絡の恐れ
がある。
なお、第１図においては、溝３を１本設けた例
が示されているが、溝３はサージ吸収素子の用途
等に応じて２本以上の複数本としても良い。
が示されているが、溝３はサージ吸収素子の用途
等に応じて２本以上の複数本としても良い。
絶縁溝３は通常レーザー加工により形成され、
レーザーとしては、YAGレーザー等の固体レー
ザー、アルゴンガスレーザー等のガスレーザーが
使用される。特にYAGレーザーは安定性が高く
好適である。
レーザーとしては、YAGレーザー等の固体レー
ザー、アルゴンガスレーザー等のガスレーザーが
使用される。特にYAGレーザーは安定性が高く
好適である。
本発明において、セラミツクス素子５は、その
両端部においては外装体６の内径とほぼ等しい外
径とされ、中央部ではそれよりも細くなつてい
る。なお、本実施例では、両端から中心に向けて
その外径は次第に縮径するような形状とされてい
る。
両端部においては外装体６の内径とほぼ等しい外
径とされ、中央部ではそれよりも細くなつてい
る。なお、本実施例では、両端から中心に向けて
その外径は次第に縮径するような形状とされてい
る。
セラミツクス素子５がこのような形状を有する
ことから、セラミツクス素子５は外装体内で容易
に位置決めすることができ、しかも放電に必要な
空間１０を十分に確保し、サージ耐量等の電気的
特性を向上させることができる。
ことから、セラミツクス素子５は外装体内で容易
に位置決めすることができ、しかも放電に必要な
空間１０を十分に確保し、サージ耐量等の電気的
特性を向上させることができる。
本発明において、セラミツクス素子５の両端面
は、円盤形の電極７と当接させる際、その当接面
積を十分に確保するために、電極７の円盤面とほ
ぼ等しい円形平面とするのが好ましい。
は、円盤形の電極７と当接させる際、その当接面
積を十分に確保するために、電極７の円盤面とほ
ぼ等しい円形平面とするのが好ましい。
なお、本発明のサージ吸収素子１は、外装体６
にセラミツクス素子５を挿入して電極７で封入す
るものであるので、外装体６と電極７とは熱膨張
差の少ない材質を選定することが好ましい。
にセラミツクス素子５を挿入して電極７で封入す
るものであるので、外装体６と電極７とは熱膨張
差の少ない材質を選定することが好ましい。
外装体６としては通常ガラス等の絶縁性物質が
採用される。電極７としては、ジユメツト、コバ
ール等が用いられる。
採用される。電極７としては、ジユメツト、コバ
ール等が用いられる。
本発明のサージ吸収素子１はセラミツクス素子
５を円筒状の外装体６に挿入し、外装体６の両端
に円盤形の電極７をセラミツクス素子５の両端面
に当接するように嵌め込んで封入することによ
り、セラミツクス素子を外装体内に位置決めする
に際し、煩雑な操作を要することなく容易に組立
てることができる。
５を円筒状の外装体６に挿入し、外装体６の両端
に円盤形の電極７をセラミツクス素子５の両端面
に当接するように嵌め込んで封入することによ
り、セラミツクス素子を外装体内に位置決めする
に際し、煩雑な操作を要することなく容易に組立
てることができる。
なお、この場合、封入ガスとしては、希ガス及
び窒素ガスよりなる群の中から選ばれた少なくと
も一種のガスを使用する。封入ガスの圧力につい
ては特に限定されないが、減圧であることが好適
である。
び窒素ガスよりなる群の中から選ばれた少なくと
も一種のガスを使用する。封入ガスの圧力につい
ては特に限定されないが、減圧であることが好適
である。
第１図においては、電極７にリード線を設けて
いないサージ吸収素子について示したが、本発明
のサージ吸収素子は電極７にリード線を接続した
タイプのものであつても良い。しかしながら、リ
ード線を接続したものでは、 リード線の浮遊容量による高周波信号の歪を
生じる。
いないサージ吸収素子について示したが、本発明
のサージ吸収素子は電極７にリード線を接続した
タイプのものであつても良い。しかしながら、リ
ード線を接続したものでは、 リード線の浮遊容量による高周波信号の歪を
生じる。
リード線によつて他の電子部品との空間的配
置に制限を受ける。また基板等への装着が困難
であり装着機構も複雑である。
置に制限を受ける。また基板等への装着が困難
であり装着機構も複雑である。
リード線の部分が長く、小型化に限界があり
材料費等のコスト低減が難しい。
材料費等のコスト低減が難しい。
等の問題を生じることがあることから、リード線
を設けない形式とするのが有利である。
を設けない形式とするのが有利である。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の円筒型サージ吸収
素子は、柱状のセラミツクス絶縁体と、該絶縁体
の外周面及び両端面を被覆する導電性皮膜と、該
絶縁体の外周面を周回し該絶縁体を周回線状に露
出させる線状露出部よりなり、該導電性皮膜を複
数個に分割している放電ギヤツプとしての絶縁溝
と、からなるセラミツクス素子；内部に該セラミ
ツクス素子が同軸的に配置されている筒状の外装
体であつて、該外装体の内周面と該セラミツクス
素子の外面とが離隔されている絶縁性外装体；及
び該外装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌され
ており、その内面に対し前記セラミツクス素子の
端面が当接された円盤形の電極；を備えてなり、
前記セラミツクス素子は、その外径が両端部にお
いては外装体の内径とほぼ等しいと共に中央部で
はそれよりも小さい形状を有しているものであつ
て、マイクロギヤツプ式サージ吸収素子の著しく
優れたサージ吸収特性を具備する上に、構成部材
の組立が容易でしかも小型化を図ることができる
という特徴を有する。
素子は、柱状のセラミツクス絶縁体と、該絶縁体
の外周面及び両端面を被覆する導電性皮膜と、該
絶縁体の外周面を周回し該絶縁体を周回線状に露
出させる線状露出部よりなり、該導電性皮膜を複
数個に分割している放電ギヤツプとしての絶縁溝
と、からなるセラミツクス素子；内部に該セラミ
ツクス素子が同軸的に配置されている筒状の外装
体であつて、該外装体の内周面と該セラミツクス
素子の外面とが離隔されている絶縁性外装体；及
び該外装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌され
ており、その内面に対し前記セラミツクス素子の
端面が当接された円盤形の電極；を備えてなり、
前記セラミツクス素子は、その外径が両端部にお
いては外装体の内径とほぼ等しいと共に中央部で
はそれよりも小さい形状を有しているものであつ
て、マイクロギヤツプ式サージ吸収素子の著しく
優れたサージ吸収特性を具備する上に、構成部材
の組立が容易でしかも小型化を図ることができる
という特徴を有する。
従つて、このような本発明の円筒型サージ吸収
素子は各種設備のサージ電圧吸収機構として工業
的に極めて有用である。
素子は各種設備のサージ電圧吸収機構として工業
的に極めて有用である。
第１図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実
施例を示す断面図、第２図は従来のサージ吸収素
子の断面図である。 １……サージ吸収素子、２……絶縁体、３……
絶縁溝、４……導電性皮膜、５……セラミツクス
素子、６……外装体、７……電極。
施例を示す断面図、第２図は従来のサージ吸収素
子の断面図である。 １……サージ吸収素子、２……絶縁体、３……
絶縁溝、４……導電性皮膜、５……セラミツクス
素子、６……外装体、７……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 柱状のセラミツクス絶縁体と、 該絶縁体の外周面及び両端面を被覆する導電性
皮膜と、 該絶縁体の外周面を周回し該絶縁体を周回線状
に露出させる線状露出部よりなり、該導電性皮膜
を複数個に分割している放電ギヤツプとしての絶
縁溝と、 からなるセラミツクス素子； 内部に該セラミツクス素子が同軸的に配置され
ている筒状の外装体であつて、該外装体の内周面
と該セラミツクス素子の外面とが離隔されている
絶縁性外装体；及び 該外装体の筒軸方向両端側にそれぞれ内嵌され
ており、その内面に対し前記セラミツクス素子の
端面が当接された円盤形の電極； を備えてなり、前記セラミツクス素子は、その外
径が両端部においては外装体の内径とほぼ等しい
と共に中央部ではそれよりも小さい形状を有して
いることを特徴とする円筒型サージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11212186A JPS62268106A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11212186A JPS62268106A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268106A JPS62268106A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH054795B2 true JPH054795B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=14578711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11212186A Granted JPS62268106A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268106A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192322A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ及びその製造方法 |
| JP5305011B2 (ja) * | 2009-02-21 | 2013-10-02 | 三菱マテリアル株式会社 | サージアブソーバ及びその製造方法 |
| US20130194711A1 (en) * | 2010-08-10 | 2013-08-01 | Yoshiyuki Tanaka | Surge absorber and method for producing the same |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11212186A patent/JPS62268106A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62268106A (ja) | 1987-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI500063B (zh) | 包含電阻及熔線元件之電路保護裝置 | |
| JPH054795B2 (ja) | ||
| JPH054793B2 (ja) | ||
| US6285535B1 (en) | Surge absorber | |
| JP2000216001A (ja) | 角形チップ抵抗器 | |
| JPH054794B2 (ja) | ||
| JPH07107867B2 (ja) | 多極マイクロギャップ式サージ吸収器 | |
| JP3265874B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| JPS61126789A (ja) | サ−ジ吸収素子 | |
| JPH0727795B2 (ja) | サ−ジ吸収素子 | |
| JP2000077163A (ja) | 表面実装型サージ吸収素子 | |
| JP3536592B2 (ja) | 放電管型サージアブソーバ | |
| JP4239422B2 (ja) | サージアブソーバ | |
| GB2032191A (en) | Improvements in Electrical Resistors | |
| JP2637983B2 (ja) | 絶縁性薄板によるサージ吸収素子 | |
| JPH0338803Y2 (ja) | ||
| JPH11354248A (ja) | 表面実装型サージ吸収素子 | |
| JPS61208768A (ja) | 抵抗入りプラグ | |
| JPH0732054B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
| KR200405295Y1 (ko) | 칩형 써지 어레스터 | |
| JPH0113364Y2 (ja) | ||
| JPH0338802Y2 (ja) | ||
| JP2534958B2 (ja) | チップ型サ―ジ吸収素子 | |
| JPH0541543Y2 (ja) | ||
| JPH0110881Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |