JPH0547996A - フエールセーフ半導体素子 - Google Patents
フエールセーフ半導体素子Info
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- JPH0547996A JPH0547996A JP19916791A JP19916791A JPH0547996A JP H0547996 A JPH0547996 A JP H0547996A JP 19916791 A JP19916791 A JP 19916791A JP 19916791 A JP19916791 A JP 19916791A JP H0547996 A JPH0547996 A JP H0547996A
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- Japan
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- fail
- heat
- transistor
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フェールセーフ性を高め、低価格化、小型化す
る。 【構成】フェールセーフなトランジスタ10等を、出力許
可信号が入力されている時はペルチエ素子５で吸熱し、
出力許可信号が入力されていない時にコントローラ14か
ら出力信号「１」が出力された場合、トランジスタ10の
正常動作温度でトランジスタ10の電流入出力用配線であ
る温度ヒューズ３を溶断する。
る。 【構成】フェールセーフなトランジスタ10等を、出力許
可信号が入力されている時はペルチエ素子５で吸熱し、
出力許可信号が入力されていない時にコントローラ14か
ら出力信号「１」が出力された場合、トランジスタ10の
正常動作温度でトランジスタ10の電流入出力用配線であ
る温度ヒューズ３を溶断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、安全が確認されない時
に出力を発生しないフェールセーフな処理を行うフェー
ルセーフ半導体素子に関する。
に出力を発生しないフェールセーフな処理を行うフェー
ルセーフ半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、安全を確保する為にはフェールセ
ーフな処理が要求される。特に鉄道等においてはこのよ
うなフェールセーフ性が要求される。このようにフェー
ルセーフ性が要求される分野における出力装置では、例
えばアクチュエータの電源等のように、アクチュエータ
が誤動作しても安全は確保されているという出力許可信
号があってはじめて信号が出力されるように構成するこ
とが必要である。
ーフな処理が要求される。特に鉄道等においてはこのよ
うなフェールセーフ性が要求される。このようにフェー
ルセーフ性が要求される分野における出力装置では、例
えばアクチュエータの電源等のように、アクチュエータ
が誤動作しても安全は確保されているという出力許可信
号があってはじめて信号が出力されるように構成するこ
とが必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体素子、例えばトランジスタ、ＳＳＲ（ソリッドステー
トリレー）、サイリスタ等のディスクリート素子、及び
これらを集積化したハイブリッドＩＣ、及びその他の集
積回路等では、万が一、短絡故障が発生した時に、出力
許可信号がないにもかかわらず出力を生じる可能性があ
る為、このような半導体素子をフェールセーフな出力装
置に使用する場合には、出力許可信号と出力結果を照合
してチェックするようにしている。さらにこのチェック
機能を有する照合回路においても、フェールセーフ性を
備える為に例えば１つのＡＮＤゲートを構成するのに数
多くの半導体素子を必要とし、回路構成が複雑となる。
また万が一、出力用半導体素子が短絡故障を起こした場
合、最終的にはその出力用半導体素子の供給電源をフェ
ールセーフ特性を有する機械式のリレーによって切り離
し、通電を遮断してフェールセーフ性を保証するように
しているが、このような機械式のリレーは、制作が容易
ではなく大量生産をするのが難しい為、高価であり、小
型化出来ないおそれがあった。
体素子、例えばトランジスタ、ＳＳＲ（ソリッドステー
トリレー）、サイリスタ等のディスクリート素子、及び
これらを集積化したハイブリッドＩＣ、及びその他の集
積回路等では、万が一、短絡故障が発生した時に、出力
許可信号がないにもかかわらず出力を生じる可能性があ
る為、このような半導体素子をフェールセーフな出力装
置に使用する場合には、出力許可信号と出力結果を照合
してチェックするようにしている。さらにこのチェック
機能を有する照合回路においても、フェールセーフ性を
備える為に例えば１つのＡＮＤゲートを構成するのに数
多くの半導体素子を必要とし、回路構成が複雑となる。
また万が一、出力用半導体素子が短絡故障を起こした場
合、最終的にはその出力用半導体素子の供給電源をフェ
ールセーフ特性を有する機械式のリレーによって切り離
し、通電を遮断してフェールセーフ性を保証するように
しているが、このような機械式のリレーは、制作が容易
ではなく大量生産をするのが難しい為、高価であり、小
型化出来ないおそれがあった。
【０００４】本発明ではこのような従来の課題に鑑みて
なされたもので、機械式のリレーを用いずに、簡便かつ
小型化を可能にするフェールセーフ回路を構成出来るフ
ェールセーフ半導体素子を提供することを目的とする。
なされたもので、機械式のリレーを用いずに、簡便かつ
小型化を可能にするフェールセーフ回路を構成出来るフ
ェールセーフ半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、半導
体素子のヒートシンクに密着し、安全が確認された時に
のみ入力される出力許可信号で電気エネルギが印加され
て吸熱する吸熱手段と、前記半導体素子の通電線であっ
て、半導体素子の通常の動作温度より低く吸熱手段の吸
熱動作時の温度よりも高い所定温度で断線する断線手段
と、を備えるようにした。
体素子のヒートシンクに密着し、安全が確認された時に
のみ入力される出力許可信号で電気エネルギが印加され
て吸熱する吸熱手段と、前記半導体素子の通電線であっ
て、半導体素子の通常の動作温度より低く吸熱手段の吸
熱動作時の温度よりも高い所定温度で断線する断線手段
と、を備えるようにした。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、安全が確認された時、出
力許可信号が入力されて吸熱手段に電気エネルギが印加
され、吸熱手段によりヒートシンクを介して半導体素子
が吸熱され、半導体素子は、通常の動作温度、即ち吸熱
されていない時に通電された場合の発熱温度未満となり
正常に動作する。出力許可信号が入力されなかった時、
吸熱手段に電気エネルギが印加されなくなり、吸熱手段
の吸熱動作が停止し、半導体素子の温度は、半導体素子
に通電された場合の通常の動作温度となる。この為、断
線手段である半導体素子の通電線が断線し、半導体素子
への通電が遮断される。これにより出力許可信号がある
時のみ半導体素子から出力発生させることが出来るよう
になる。
力許可信号が入力されて吸熱手段に電気エネルギが印加
され、吸熱手段によりヒートシンクを介して半導体素子
が吸熱され、半導体素子は、通常の動作温度、即ち吸熱
されていない時に通電された場合の発熱温度未満となり
正常に動作する。出力許可信号が入力されなかった時、
吸熱手段に電気エネルギが印加されなくなり、吸熱手段
の吸熱動作が停止し、半導体素子の温度は、半導体素子
に通電された場合の通常の動作温度となる。この為、断
線手段である半導体素子の通電線が断線し、半導体素子
への通電が遮断される。これにより出力許可信号がある
時のみ半導体素子から出力発生させることが出来るよう
になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜５に基づい
て説明する。本実施例のフェールセーフ半導体素子であ
るトランジスタ10を示す図１において、トランジスタ10
のチップ１は例えば銅等のヒートシンク２上に接合さ
れ、断線手段であり通電線である温度ヒューズ３で、例
えば銅等のリード４までボンディングされている。この
温度ヒューズ３は後述するようにトランジスタ10の通常
の動作温度未満で溶断するように設定されている。吸熱
手段であるペルチエ素子５は異種金属あるいは半導体が
接合され、通電されて接合面で吸熱あるいは発熱する素
子であり、図１ではｐ型半導体５ａ、ｎ型半導体５ｂ
は、導体を接合面５ｃとして接合している。ｐ型半導体
５ａ、ｎ型半導体５ｂは、接合面５ｃの反対端で、其々
電極となる導体５ｄ、５ｅが形成され、ワイヤ６が両導
体５ｄ、５ｅに其々配線されている。またペルチエ素子
５は接合面５ｃ側で絶縁体７ａを介してトランジスタ10
に密着し、導体５ｄ ５ｅは絶縁体７ｂを介して放熱器
８に密着している。そして安全であると判断された時、
入力される出力許可信号「１」に基づいて接合面５ｃで
トランジスタ10の熱が吸熱されるように、ワイヤ６を介
してｎ型半導体５ｂを正極側にしてペルチエ素子５に電
気エネルギーを印加する。樹脂９はチップ１、ヒートシ
ンク２、温度ヒューズ３、リード４のボンディング部、
ペルチエ素子５をモールドし、放熱器８を樹脂９のモー
ルド外にしてペルチエ素子５で吸熱された熱を放熱器８
で放熱させる。
て説明する。本実施例のフェールセーフ半導体素子であ
るトランジスタ10を示す図１において、トランジスタ10
のチップ１は例えば銅等のヒートシンク２上に接合さ
れ、断線手段であり通電線である温度ヒューズ３で、例
えば銅等のリード４までボンディングされている。この
温度ヒューズ３は後述するようにトランジスタ10の通常
の動作温度未満で溶断するように設定されている。吸熱
手段であるペルチエ素子５は異種金属あるいは半導体が
接合され、通電されて接合面で吸熱あるいは発熱する素
子であり、図１ではｐ型半導体５ａ、ｎ型半導体５ｂ
は、導体を接合面５ｃとして接合している。ｐ型半導体
５ａ、ｎ型半導体５ｂは、接合面５ｃの反対端で、其々
電極となる導体５ｄ、５ｅが形成され、ワイヤ６が両導
体５ｄ、５ｅに其々配線されている。またペルチエ素子
５は接合面５ｃ側で絶縁体７ａを介してトランジスタ10
に密着し、導体５ｄ ５ｅは絶縁体７ｂを介して放熱器
８に密着している。そして安全であると判断された時、
入力される出力許可信号「１」に基づいて接合面５ｃで
トランジスタ10の熱が吸熱されるように、ワイヤ６を介
してｎ型半導体５ｂを正極側にしてペルチエ素子５に電
気エネルギーを印加する。樹脂９はチップ１、ヒートシ
ンク２、温度ヒューズ３、リード４のボンディング部、
ペルチエ素子５をモールドし、放熱器８を樹脂９のモー
ルド外にしてペルチエ素子５で吸熱された熱を放熱器８
で放熱させる。
【０００８】次にこのフェールセーフなトランジスタ10
を用いて構成された図２のフェールセーフ回路について
説明する。図２において、アクチュエータ11は破線で示
す領域Ａの範囲内で動作する。センサ12はこの領域Ａに
おいて例えば人等の存在の有無を検知し、人が存在して
いない時は安全と判断して出力許可信号「１」を出力す
る。前述のフェールセーフなトランジスタ10を用いたＡ
ＮＤ回路13はセンサ12の信号とコントローラ14から出力
された出力信号と、を入力し、両信号の論理積を出力す
るものであり、センサ12からの信号が出力許可信号
「１」である時は、コントラーラ14の出力信号をそのま
ま出力し、出力許可信号「１」が出力されていない時
は、出力信号のアクチュエータ11への出力を遮断する。
アクチュエータ11は、センサ12から出力許可信号「１」
が出力されている時、ＡＮＤ回路13から出力されたコン
トローラ14の出力信号に基づいて動作する。
を用いて構成された図２のフェールセーフ回路について
説明する。図２において、アクチュエータ11は破線で示
す領域Ａの範囲内で動作する。センサ12はこの領域Ａに
おいて例えば人等の存在の有無を検知し、人が存在して
いない時は安全と判断して出力許可信号「１」を出力す
る。前述のフェールセーフなトランジスタ10を用いたＡ
ＮＤ回路13はセンサ12の信号とコントローラ14から出力
された出力信号と、を入力し、両信号の論理積を出力す
るものであり、センサ12からの信号が出力許可信号
「１」である時は、コントラーラ14の出力信号をそのま
ま出力し、出力許可信号「１」が出力されていない時
は、出力信号のアクチュエータ11への出力を遮断する。
アクチュエータ11は、センサ12から出力許可信号「１」
が出力されている時、ＡＮＤ回路13から出力されたコン
トローラ14の出力信号に基づいて動作する。
【０００９】次に動作を説明する。センサ12により領域
Ａに人が存在していない時、出力許可信号「１」がペル
チエ素子５に入力される。出力許可信号「１」が入力さ
れた時、ペルチエ素子５には、ヒートシンク２に密着し
ている接合面５ｃでトランジスタ10を吸熱するように、
ワイヤ６を介して通電される。そしてペルチエ素子５の
熱は放熱器８または外気等を介して放熱されている。図
３のように、温度ヒューズ３の溶断温度ｔ0 の設定は、
温度ｔ1 を吸熱時のトランジスタ10の温度、温度ｔ2 を
ペルチエ素子５が吸熱しない時にトランジスタ10に通電
された場合の発熱温度である通常の動作温度として、ｔ
1 ＜ｔ0 ＜ｔ2 とする。コントローラ14から出力信号が
出力されるとトランジスタ10は発熱するが、ペルチエ素
子５の吸熱反応によってトランジスタ10のチップ１の温
度は温度ヒューズ３の溶断する温度ｔ0 未満に維持され
るので、トランジスタ10は正常に動作し、コントローラ
14からの出力信号「１」はそのまま出力される。
Ａに人が存在していない時、出力許可信号「１」がペル
チエ素子５に入力される。出力許可信号「１」が入力さ
れた時、ペルチエ素子５には、ヒートシンク２に密着し
ている接合面５ｃでトランジスタ10を吸熱するように、
ワイヤ６を介して通電される。そしてペルチエ素子５の
熱は放熱器８または外気等を介して放熱されている。図
３のように、温度ヒューズ３の溶断温度ｔ0 の設定は、
温度ｔ1 を吸熱時のトランジスタ10の温度、温度ｔ2 を
ペルチエ素子５が吸熱しない時にトランジスタ10に通電
された場合の発熱温度である通常の動作温度として、ｔ
1 ＜ｔ0 ＜ｔ2 とする。コントローラ14から出力信号が
出力されるとトランジスタ10は発熱するが、ペルチエ素
子５の吸熱反応によってトランジスタ10のチップ１の温
度は温度ヒューズ３の溶断する温度ｔ0 未満に維持され
るので、トランジスタ10は正常に動作し、コントローラ
14からの出力信号「１」はそのまま出力される。
【００１０】センサ12により領域Ａに人の存在が検知さ
れた時、センサ12から出力許可信号「１」が出力され
ず、ペルチエ素子５への通電が停止し、ペルチエ素子５
の吸熱動作も停止している。この時誤ってコントローラ
14から出力信号「１」が出力されると、トランジスタ10
のチップ１の温度は吸熱動作が停止しているので、発熱
により温度ヒューズ３の溶断する温度ｔ0 を越えて通常
の動作温度ｔ2 となる。その為温度ヒューズ３は溶断し
てトランジスタ10は断線故障状態となり、トランジスタ
10のチップ１への通電が停止する。したがってこの時コ
ントローラ14から誤って出力信号「１」が出力されても
トランジスタ10の通電が遮断されるので出力信号「１」
はアクチュエータ11へ出力されず、フェールセーフ性が
維持される。
れた時、センサ12から出力許可信号「１」が出力され
ず、ペルチエ素子５への通電が停止し、ペルチエ素子５
の吸熱動作も停止している。この時誤ってコントローラ
14から出力信号「１」が出力されると、トランジスタ10
のチップ１の温度は吸熱動作が停止しているので、発熱
により温度ヒューズ３の溶断する温度ｔ0 を越えて通常
の動作温度ｔ2 となる。その為温度ヒューズ３は溶断し
てトランジスタ10は断線故障状態となり、トランジスタ
10のチップ１への通電が停止する。したがってこの時コ
ントローラ14から誤って出力信号「１」が出力されても
トランジスタ10の通電が遮断されるので出力信号「１」
はアクチュエータ11へ出力されず、フェールセーフ性が
維持される。
【００１１】またトランジスタ10は出力許可信号がない
時に誤って出力が発生した場合には、自ら出力を遮断す
る構造であり、断線故障モードのみ存在して短絡故障モ
ードの存在しない非対称故障素子である為、さらにフェ
ールセーフ性を高めることが出来る。かかる構成によれ
ば、フェールセーフなトランジスタ10等を、出力許可信
号が入力されている時はペルチエ素子５で吸熱し、出力
許可信号が入力されていない時にコントローラ14から出
力信号「１」が出力された場合、トランジスタ10の正常
動作温度でトランジスタ10の電流入出力用配線である温
度ヒューズ３を溶断する構成とすることにより、安全が
確認された時のみトランジスタ10の通電を許可する構成
とすることが出来る。またトランジスタ10が自ら出力を
遮断する構造であり断線故障のみ存在する非対称故障素
子であるので、フェールセーフ性が高められる。そし
て、従来、使用されてきたフェールセーフ機能を有する
高価な機械式リレーに置き換えることが出来、半導体チ
ップのパッケージの中にこのような機能が単純化されて
収納された構成となるので、小型化を実現してさらに価
格を低減することが出来、特にフェールセーフ処理が要
求される分野において、既存のシステムの置き換え、あ
るいは新しいシステムの構築にも用いることが出来、極
めて有用である。
時に誤って出力が発生した場合には、自ら出力を遮断す
る構造であり、断線故障モードのみ存在して短絡故障モ
ードの存在しない非対称故障素子である為、さらにフェ
ールセーフ性を高めることが出来る。かかる構成によれ
ば、フェールセーフなトランジスタ10等を、出力許可信
号が入力されている時はペルチエ素子５で吸熱し、出力
許可信号が入力されていない時にコントローラ14から出
力信号「１」が出力された場合、トランジスタ10の正常
動作温度でトランジスタ10の電流入出力用配線である温
度ヒューズ３を溶断する構成とすることにより、安全が
確認された時のみトランジスタ10の通電を許可する構成
とすることが出来る。またトランジスタ10が自ら出力を
遮断する構造であり断線故障のみ存在する非対称故障素
子であるので、フェールセーフ性が高められる。そし
て、従来、使用されてきたフェールセーフ機能を有する
高価な機械式リレーに置き換えることが出来、半導体チ
ップのパッケージの中にこのような機能が単純化されて
収納された構成となるので、小型化を実現してさらに価
格を低減することが出来、特にフェールセーフ処理が要
求される分野において、既存のシステムの置き換え、あ
るいは新しいシステムの構築にも用いることが出来、極
めて有用である。
【００１２】尚、本実施例ではペルチエ素子５を樹脂７
でモールドしたが、図４のようにペルチエ素子５を一般
市販品である樹脂モールドタイプのトランジスタのヒー
トシンク２に絶縁物等を介して密着させるようにしても
よい。このようにすることにより、トランジスタ10が破
損してトランジスタ10を交換しても、非常に高価なペル
チエ素子５をまた使用できる。
でモールドしたが、図４のようにペルチエ素子５を一般
市販品である樹脂モールドタイプのトランジスタのヒー
トシンク２に絶縁物等を介して密着させるようにしても
よい。このようにすることにより、トランジスタ10が破
損してトランジスタ10を交換しても、非常に高価なペル
チエ素子５をまた使用できる。
【００１３】また、ペルチエ素子５を図５のように構成
してもよい。図５の構成は、例えばステンレス等の金属
パッケージ21にペルチエ素子５を収納したものである。
ここで、金属パッケージ21ａを接合面５ｃに密着させ、
金属パッケージ21ｂを絶縁体７ｂを介して導体５ｄ、５
ｅに密着させ、金属パッケージ21ａ、21ｂが其々吸熱
側、発熱側となる為、断熱材22で其々の間を断熱する。
そしてこの断熱材22に、ペルチエ素子５の半導体５ａ、
５ｂに配線しているワイヤ６を貫通させる。この金属パ
ッケージ21を、吸熱側の金属パッケージ21ａをヒートシ
ンクにして、絶縁物等を介して密着させる。このように
構成することにより、ペルチエ素子５の交換が非常に容
易となる。
してもよい。図５の構成は、例えばステンレス等の金属
パッケージ21にペルチエ素子５を収納したものである。
ここで、金属パッケージ21ａを接合面５ｃに密着させ、
金属パッケージ21ｂを絶縁体７ｂを介して導体５ｄ、５
ｅに密着させ、金属パッケージ21ａ、21ｂが其々吸熱
側、発熱側となる為、断熱材22で其々の間を断熱する。
そしてこの断熱材22に、ペルチエ素子５の半導体５ａ、
５ｂに配線しているワイヤ６を貫通させる。この金属パ
ッケージ21を、吸熱側の金属パッケージ21ａをヒートシ
ンクにして、絶縁物等を介して密着させる。このように
構成することにより、ペルチエ素子５の交換が非常に容
易となる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、安
全が確認されて出力許可信号が出力されている時、半導
体素子を吸熱し、出力許可信号が出力されていない時、
吸熱動作を停止し、この時誤って半導体素子に通電され
れば半導体素子の通電線を断線させることにより、安全
が確認された時のみ半導体素子への通電を許可すること
が出来る。また半導体素子が断線故障モードだけが存在
する非対称故障素子とすることによりフェールセーフ性
を高めることが出来、従来、煩雑な構造であったフェー
ルセーフ機能を有するものに置き換えることが出来、パ
ッケージの中にフェールセーフチェック機能が収納され
た半導体素子として、小型化を実現することが出来、さ
らに価格も低減する。
全が確認されて出力許可信号が出力されている時、半導
体素子を吸熱し、出力許可信号が出力されていない時、
吸熱動作を停止し、この時誤って半導体素子に通電され
れば半導体素子の通電線を断線させることにより、安全
が確認された時のみ半導体素子への通電を許可すること
が出来る。また半導体素子が断線故障モードだけが存在
する非対称故障素子とすることによりフェールセーフ性
を高めることが出来、従来、煩雑な構造であったフェー
ルセーフ機能を有するものに置き換えることが出来、パ
ッケージの中にフェールセーフチェック機能が収納され
た半導体素子として、小型化を実現することが出来、さ
らに価格も低減する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す回路図
【図２】図１の半導体素子を示す断面図
【図３】図２の半導体の動作温度の説明図
【図４】フェールセーフ半導体素子の別の構成図
【図５】フェールセーフ半導体素子の別の構成図
１ チップ ２ ヒートシンク ３ 温度ヒューズ ５ ペルチエ素子 ５ａ ｐ型半導体 ５ｂ ｎ型半導体 11 アクチュエータ 12 センサ 13 ＡＮＤ回路 14 コントローラ 21 金属パッケージ 22 断熱材
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子のヒートシンクに密着し、安全
が確認された時にのみ入力される出力許可信号で電気エ
ネルギが印加されて吸熱する吸熱手段と、 前記半導体素子の通電線であって、半導体素子の通常の
動作温度より低く吸熱手段の吸熱動作時の温度よりも高
い所定温度で断線する断線手段と、 を備えたことを特徴とするフェールセーフ半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19916791A JP2890075B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | フェールセーフ半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19916791A JP2890075B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | フェールセーフ半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547996A true JPH0547996A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2890075B2 JP2890075B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=16403274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19916791A Expired - Lifetime JP2890075B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | フェールセーフ半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890075B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5815921A (en) * | 1994-01-26 | 1998-10-06 | Sun Microsystems, Inc. | Electronic package cooling system and heat sink with heat transfer assembly |
| US5895964A (en) * | 1993-06-30 | 1999-04-20 | Pioneer Electronic Corporation | Thermoelectric cooling system |
| US5921087A (en) * | 1997-04-22 | 1999-07-13 | Intel Corporation | Method and apparatus for cooling integrated circuits using a thermoelectric module |
| US6029742A (en) * | 1994-01-26 | 2000-02-29 | Sun Microsystems, Inc. | Heat exchanger for electronic equipment |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP19916791A patent/JP2890075B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890075B2 (ja) | 1999-05-10 |
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