JPH0548057A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0548057A JPH0548057A JP3200487A JP20048791A JPH0548057A JP H0548057 A JPH0548057 A JP H0548057A JP 3200487 A JP3200487 A JP 3200487A JP 20048791 A JP20048791 A JP 20048791A JP H0548057 A JPH0548057 A JP H0548057A
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- JP
- Japan
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- micro
- light receiving
- gap
- condenser lens
- lens
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ集光レンズ間のギャップをなくすこ
とにより、イメージエリア全体に入射する光を有効利用
できるようにして、感度の大幅なる向上を図る。 【構成】 シリコン基板１の表面に、イメージエリアを
構成する多数の受光部２が形成され、これら受光部２を
含む全面に平坦化膜３が形成され、更に、平坦化膜３上
に、例えば赤、緑及び青のカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及
び４Ｂが夫々対応する受光部２上に形成され、そして、
このカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂ上に、各受光部
２に対応した位置に第１のマイクロ集光レンズ５が形成
された固体撮像装置において、第１のマイクロ集光レン
ズ５上に、第１のマイクロ集光レンズ５間のギャップｇ
を埋めるように第２のマイクロ集光レンズ７を形成して
構成する。
とにより、イメージエリア全体に入射する光を有効利用
できるようにして、感度の大幅なる向上を図る。 【構成】 シリコン基板１の表面に、イメージエリアを
構成する多数の受光部２が形成され、これら受光部２を
含む全面に平坦化膜３が形成され、更に、平坦化膜３上
に、例えば赤、緑及び青のカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及
び４Ｂが夫々対応する受光部２上に形成され、そして、
このカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂ上に、各受光部
２に対応した位置に第１のマイクロ集光レンズ５が形成
された固体撮像装置において、第１のマイクロ集光レン
ズ５上に、第１のマイクロ集光レンズ５間のギャップｇ
を埋めるように第２のマイクロ集光レンズ７を形成して
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に、受光部上にマイクロ集光レンズを形成した固体撮
像装置に関する。
特に、受光部上にマイクロ集光レンズを形成した固体撮
像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置、例えばＣＣＤ固体撮像装
置は、そのＣＣＤにおける信号電荷及び雑音と像面照度
との関係をみた場合、低照度側において、信号電荷のゆ
らぎによる雑音（ショット雑音）と暗時雑音の影響が大
きくなるということが知られている。
置は、そのＣＣＤにおける信号電荷及び雑音と像面照度
との関係をみた場合、低照度側において、信号電荷のゆ
らぎによる雑音（ショット雑音）と暗時雑音の影響が大
きくなるということが知られている。
【０００３】上記ショット雑音を減らすには、受光部の
開口率を大きくすれば良いが、最近の微細化傾向に伴
い、上記開口率の増大化には限界がある。そこで、現
在、受光部上にマイクロ集光レンズを形成した構造が提
案されている。このマイクロ集光レンズを形成した構造
の場合、光の利用率が上がり、受光部における感度の向
上を図ることができ、上記ショット雑音の低減化に有効
となる（尚、マイクロ集光レンズの形成方法について
は、例えば特開昭６０−５３０７３号公報及び特開平１
−１０６６６号公報参照）。
開口率を大きくすれば良いが、最近の微細化傾向に伴
い、上記開口率の増大化には限界がある。そこで、現
在、受光部上にマイクロ集光レンズを形成した構造が提
案されている。このマイクロ集光レンズを形成した構造
の場合、光の利用率が上がり、受光部における感度の向
上を図ることができ、上記ショット雑音の低減化に有効
となる（尚、マイクロ集光レンズの形成方法について
は、例えば特開昭６０−５３０７３号公報及び特開平１
−１０６６６号公報参照）。
【０００４】従来のＣＣＤ固体撮像装置は、図２に示す
ように、シリコン基板１１の表面に、イメージエリアを
構成する多数の受光部１２が形成され、これら受光部１
２を含む全面に平坦化膜１３が形成され、更に、該平坦
化膜１３上に、例えば赤、緑及び青のカラーフィルタ１
４Ｒ、１４Ｇおよび１４Ｂが夫々対応する受光部１２上
に形成され、そして、このカラーフィルタ１４Ｒ、１４
Ｇおよび１４Ｂ上において、各受光部１２に対応した位
置にマイクロ集光レンズ１５が形成されて構成されてい
る。尚、図において、１６は転送電極及び遮光膜の形成
による段差を模式的に示すものである。
ように、シリコン基板１１の表面に、イメージエリアを
構成する多数の受光部１２が形成され、これら受光部１
２を含む全面に平坦化膜１３が形成され、更に、該平坦
化膜１３上に、例えば赤、緑及び青のカラーフィルタ１
４Ｒ、１４Ｇおよび１４Ｂが夫々対応する受光部１２上
に形成され、そして、このカラーフィルタ１４Ｒ、１４
Ｇおよび１４Ｂ上において、各受光部１２に対応した位
置にマイクロ集光レンズ１５が形成されて構成されてい
る。尚、図において、１６は転送電極及び遮光膜の形成
による段差を模式的に示すものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像装置においては、受光部１２上に１層のマイク
ロ集光レンズ１５を形成して構成しているため、そのマ
イクロ集光レンズ１５の形成上、どうしてもマイクロ集
光レンズ１５間にギャップｇができてしまうという問題
があった。即ち、マイクロ集光レンズ１５間にギャップ
ｇが形成されると、このギャップｇの部分に入射した光
Ｌｇは、集光されずにそのままカラーフィルタ（図示の
例では１４Ｒ）を通って、遮光膜が存する段差１６に入
射することになり、受光部１２へは到達しない。
固体撮像装置においては、受光部１２上に１層のマイク
ロ集光レンズ１５を形成して構成しているため、そのマ
イクロ集光レンズ１５の形成上、どうしてもマイクロ集
光レンズ１５間にギャップｇができてしまうという問題
があった。即ち、マイクロ集光レンズ１５間にギャップ
ｇが形成されると、このギャップｇの部分に入射した光
Ｌｇは、集光されずにそのままカラーフィルタ（図示の
例では１４Ｒ）を通って、遮光膜が存する段差１６に入
射することになり、受光部１２へは到達しない。
【０００６】このように、従来の固体撮像装置において
は、ギャップｇ以外のレンズ面に入射する光Ｌのみしか
受光部１２に入射させることができず、イメージエリア
全体に入射する光を有効利用することができない。従っ
て、マイクロ集光レンズ１５を形成したことによる感度
の向上には、限界があるという不都合があった。
は、ギャップｇ以外のレンズ面に入射する光Ｌのみしか
受光部１２に入射させることができず、イメージエリア
全体に入射する光を有効利用することができない。従っ
て、マイクロ集光レンズ１５を形成したことによる感度
の向上には、限界があるという不都合があった。
【０００７】ここで、集光レンズの繰り返しピッチＰを
８μｍ、マイクロ集光レンズ１５間のギャップ幅ｄを
１．５μｍとすると、集光最大幅は８−１．５＝６．５
μｍ、最大感度の向上率は６．５／３＝２．２倍であ
る。尚、図において、マイクロ集光レンズ１５は、スト
ライプ形状で、断面方向からの集光しか考えないものと
する。
８μｍ、マイクロ集光レンズ１５間のギャップ幅ｄを
１．５μｍとすると、集光最大幅は８−１．５＝６．５
μｍ、最大感度の向上率は６．５／３＝２．２倍であ
る。尚、図において、マイクロ集光レンズ１５は、スト
ライプ形状で、断面方向からの集光しか考えないものと
する。
【０００８】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、マイクロ集光レンズ
間のギャップをなくすことができ、イメージエリア全体
に入射する光を有効利用することができる固体撮像装置
を提供することにある。
もので、その目的とするところは、マイクロ集光レンズ
間のギャップをなくすことができ、イメージエリア全体
に入射する光を有効利用することができる固体撮像装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部２上に
集光レンズが形成された固体撮像装置において、集光レ
ンズを、夫々屈折率の異なる第１及び第２の集光レンズ
５及び７にて構成し、第２の集光レンズ７で第１の集光
レンズ５のギャップｇを埋めるように形成して構成す
る。
集光レンズが形成された固体撮像装置において、集光レ
ンズを、夫々屈折率の異なる第１及び第２の集光レンズ
５及び７にて構成し、第２の集光レンズ７で第１の集光
レンズ５のギャップｇを埋めるように形成して構成す
る。
【００１０】この場合、上記第１及び第２の集光レンズ
５及び７の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ
1 ＞ｎ2 ＞１の関係にする。
５及び７の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ
1 ＞ｎ2 ＞１の関係にする。
【００１１】
【作用】上述の本発明の構成によれば、受光部２上に形
成される集光レンズを、夫々屈折率の異なる第１及び第
２の集光レンズ５及び７にて構成し、第２の集光レンズ
７で第１の集光レンズ５のギャップｇを埋めるように形
成するようにしたので、下層に形成される第１の集光レ
ンズ５間のギャップｇを上層に形成される第２の集光レ
ンズ７で埋めるかたちとなり、集光レンズ間のギャップ
レス化を実現させることができる。その結果、イメージ
エリア全体に入射する光を有効利用することができ、感
度の向上を効率よく図ることができる。
成される集光レンズを、夫々屈折率の異なる第１及び第
２の集光レンズ５及び７にて構成し、第２の集光レンズ
７で第１の集光レンズ５のギャップｇを埋めるように形
成するようにしたので、下層に形成される第１の集光レ
ンズ５間のギャップｇを上層に形成される第２の集光レ
ンズ７で埋めるかたちとなり、集光レンズ間のギャップ
レス化を実現させることができる。その結果、イメージ
エリア全体に入射する光を有効利用することができ、感
度の向上を効率よく図ることができる。
【００１２】特に、第１及び第２の集光レンズ５及び７
の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ1 ＞ｎ2
＞１の関係にすることにより、第１の集光レンズ５間の
ギャップｇ部分に入射する光Ｌｇを受光部２側へ有効に
集光させることができ、更に感度の向上を図ることがで
きる。
の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ1 ＞ｎ2
＞１の関係にすることにより、第１の集光レンズ５間の
ギャップｇ部分に入射する光Ｌｇを受光部２側へ有効に
集光させることができ、更に感度の向上を図ることがで
きる。
【００１３】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装置の要部
を示す構成図である。
説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装置の要部
を示す構成図である。
【００１４】この固体撮像装置は、図示するように、シ
リコン基板１の表面に、イメージエリアを構成する多数
の受光部２が形成され、これら受光部２を含む全面に平
坦化膜３が形成され、更に、該平坦化膜３上に、例えば
赤、緑及び青のカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂが夫
々対応する受光部２上に形成され、そして、このカラー
フィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂ上において、各受光部２に
対応した位置に第１のマイクロ集光レンズ５が形成され
て構成されている。ここまでの構成は、図２に示す従来
例の構成と同じである。尚、図において、６は転送電極
及び遮光膜の形成による段差を模式的に示すものであ
る。
リコン基板１の表面に、イメージエリアを構成する多数
の受光部２が形成され、これら受光部２を含む全面に平
坦化膜３が形成され、更に、該平坦化膜３上に、例えば
赤、緑及び青のカラーフィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂが夫
々対応する受光部２上に形成され、そして、このカラー
フィルタ４Ｒ、４Ｇ及び４Ｂ上において、各受光部２に
対応した位置に第１のマイクロ集光レンズ５が形成され
て構成されている。ここまでの構成は、図２に示す従来
例の構成と同じである。尚、図において、６は転送電極
及び遮光膜の形成による段差を模式的に示すものであ
る。
【００１５】しかして、本例においては、第１のマイク
ロ集光レンズ５上に、第２のマイクロ集光レンズ７を形
成して構成する。この第２のマイクロ集光レンズ７は、
第１のマイクロ集光レンズ５の屈折率ｎ1 よりも低い屈
折率ｎ2 を有する材料を約５０００Åほどコーティング
またはＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低温にて形成す
る。このとき、第１のマイクロ集光レンズ５間に形成さ
れたギャップｇを埋めるように第２のマイクロ集光レン
ズ７が形成される。
ロ集光レンズ５上に、第２のマイクロ集光レンズ７を形
成して構成する。この第２のマイクロ集光レンズ７は、
第１のマイクロ集光レンズ５の屈折率ｎ1 よりも低い屈
折率ｎ2 を有する材料を約５０００Åほどコーティング
またはＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低温にて形成す
る。このとき、第１のマイクロ集光レンズ５間に形成さ
れたギャップｇを埋めるように第２のマイクロ集光レン
ズ７が形成される。
【００１６】また、第１のマイクロ集光レンズ５の材料
としては、例えばポリイミド等、屈折率ｎ1 が１．７〜
１．８のものを使用することができる。また、第２のマ
イクロ集光レンズ７の材料は、その形成方法によって異
なり、コーティングによって形成する場合の材料として
は、例えばｉ線レジスト又はｇ線レジスト及びフッ素系
樹脂など、屈折率ｎ2 が１．４〜１．６のものを用いる
ことができる。一方、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低
温にて形成する場合の材料としては、例えばプラズマＳ
ｉＯ2 膜など、屈折率ｎ2 が１．４〜１．５のものを用
いることができる。
としては、例えばポリイミド等、屈折率ｎ1 が１．７〜
１．８のものを使用することができる。また、第２のマ
イクロ集光レンズ７の材料は、その形成方法によって異
なり、コーティングによって形成する場合の材料として
は、例えばｉ線レジスト又はｇ線レジスト及びフッ素系
樹脂など、屈折率ｎ2 が１．４〜１．６のものを用いる
ことができる。一方、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低
温にて形成する場合の材料としては、例えばプラズマＳ
ｉＯ2 膜など、屈折率ｎ2 が１．４〜１．５のものを用
いることができる。
【００１７】次に、第１のマイクロ集光レンズ５間にお
けるギャップｇ部分に入射する光Ｌｇの光路を説明す
る。
けるギャップｇ部分に入射する光Ｌｇの光路を説明す
る。
【００１８】ギャップｇ部分に入射する光Ｌｇは、ま
ず、空気中の屈折率よりも大きい屈折率ｎ2 （＞１）を
有する第２のマイクロ集光レンズ７の表面にて、フレネ
ルの法則に従って屈折する。即ち、法線Ｍに対して角度
θ1にて入射した上記光Ｌｇは、第２のマイクロ集光レ
ンズ７の表面にて、法線Ｍに対して角度θ2 （＜θ1 ）
方向に屈折される。
ず、空気中の屈折率よりも大きい屈折率ｎ2 （＞１）を
有する第２のマイクロ集光レンズ７の表面にて、フレネ
ルの法則に従って屈折する。即ち、法線Ｍに対して角度
θ1にて入射した上記光Ｌｇは、第２のマイクロ集光レ
ンズ７の表面にて、法線Ｍに対して角度θ2 （＜θ1 ）
方向に屈折される。
【００１９】次に、この第２のマイクロ集光レンズ７に
入射した光Ｌｇは、第２のマイクロ集光レンズ７の屈折
率ｎ2 よりも大きい屈折率ｎ1 （＞ｎ2 ）を有する第１
のマイクロ集光レンズ５の表面にて、フレネルの法則に
従って屈折する。即ち、法線Ｎに対して角度θ3 にて入
射した上記光Ｌｇは、第１のマイクロ集光レンズ５の表
面にて、法線Ｎに対して角度θ4 （＞θ3 ）方向に屈折
される。
入射した光Ｌｇは、第２のマイクロ集光レンズ７の屈折
率ｎ2 よりも大きい屈折率ｎ1 （＞ｎ2 ）を有する第１
のマイクロ集光レンズ５の表面にて、フレネルの法則に
従って屈折する。即ち、法線Ｎに対して角度θ3 にて入
射した上記光Ｌｇは、第１のマイクロ集光レンズ５の表
面にて、法線Ｎに対して角度θ4 （＞θ3 ）方向に屈折
される。
【００２０】そして、この第１のマイクロ集光レンズ５
に入射した光Ｌｇは、次に、下層のカラーフィルタ（図
示の例では４Ｒ）及び平坦化膜３の各表面にて、幾分屈
折されて、最終的にシリコン基板１表面に形成された受
光部２に入射する。このように、第１のマイクロ集光レ
ンズ５間におけるギャップｇ部分に入射する光Ｌｇも受
光部２上に集光させることができる。尚、ギャップｇ以
外の部分に入射する光Ｌは、確実に受光部２に入射され
る。
に入射した光Ｌｇは、次に、下層のカラーフィルタ（図
示の例では４Ｒ）及び平坦化膜３の各表面にて、幾分屈
折されて、最終的にシリコン基板１表面に形成された受
光部２に入射する。このように、第１のマイクロ集光レ
ンズ５間におけるギャップｇ部分に入射する光Ｌｇも受
光部２上に集光させることができる。尚、ギャップｇ以
外の部分に入射する光Ｌは、確実に受光部２に入射され
る。
【００２１】上述のように、本例によれば、受光部２上
に形成されるマイクロ集光レンズを、夫々屈折率の異な
る第１及び第２のマイクロ集光レンズ５及び７にて構成
し、第２のマイクロ集光レンズ７で第１のマイクロ集光
レンズ５のギャップｇを埋めるように形成するようにし
たので、下層に形成される第１のマイクロ集光レンズ５
間のギャップｇを上層に形成される第２のマイクロ集光
レンズ７で埋めるかたちとなり、マイクロ集光レンズ間
のギャップレス化を実現させることができる。その結
果、イメージエリア全体に入射する光を有効利用するこ
とができ、感度の向上を効率よく図ることができる。
に形成されるマイクロ集光レンズを、夫々屈折率の異な
る第１及び第２のマイクロ集光レンズ５及び７にて構成
し、第２のマイクロ集光レンズ７で第１のマイクロ集光
レンズ５のギャップｇを埋めるように形成するようにし
たので、下層に形成される第１のマイクロ集光レンズ５
間のギャップｇを上層に形成される第２のマイクロ集光
レンズ７で埋めるかたちとなり、マイクロ集光レンズ間
のギャップレス化を実現させることができる。その結
果、イメージエリア全体に入射する光を有効利用するこ
とができ、感度の向上を効率よく図ることができる。
【００２２】特に、第１及び第２のマイクロ集光レンズ
５及び７の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ
1 ＞ｎ2 ＞１の関係にすることにより、第１のマイクロ
集光レンズ５間のギャップｇ部分に入射する光Ｌｇを受
光部２側へ有効に集光させることができ、更に感度の向
上を図ることができる。
５及び７の各屈折率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ
1 ＞ｎ2 ＞１の関係にすることにより、第１のマイクロ
集光レンズ５間のギャップｇ部分に入射する光Ｌｇを受
光部２側へ有効に集光させることができ、更に感度の向
上を図ることができる。
【００２３】ここで、第１のマイクロ集光レンズ５の繰
り返しピッチＰを８μｍ、第１のマイクロ集光レンズ５
間のギャップ幅ｄを１．５μｍとすると、本例の場合、
上層の第２のマイクロ集光レンズ７によって、第１のマ
イクロ集光レンズ５間のギャップｇがなくなる形となる
ため、集光最大幅は８−０＝８μｍ、最大感度の向上率
は８／３＝２．７倍となり、従来の２．２倍と比して大
幅なる感度の向上を図ることができる。尚、図におい
て、第１及び第２のマイクロ集光レンズ５及び７は、ス
トライプ形状で、断面方向からの集光しか考えないもの
とする。
り返しピッチＰを８μｍ、第１のマイクロ集光レンズ５
間のギャップ幅ｄを１．５μｍとすると、本例の場合、
上層の第２のマイクロ集光レンズ７によって、第１のマ
イクロ集光レンズ５間のギャップｇがなくなる形となる
ため、集光最大幅は８−０＝８μｍ、最大感度の向上率
は８／３＝２．７倍となり、従来の２．２倍と比して大
幅なる感度の向上を図ることができる。尚、図におい
て、第１及び第２のマイクロ集光レンズ５及び７は、ス
トライプ形状で、断面方向からの集光しか考えないもの
とする。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、マ
イクロ集光レンズ間のギャップをなくして、イメージエ
リア全体に入射する光を有効利用することができ、感度
の大幅なる向上を図ることができる。
イクロ集光レンズ間のギャップをなくして、イメージエ
リア全体に入射する光を有効利用することができ、感度
の大幅なる向上を図ることができる。
【図１】本実施例に係る固体撮像装置の要部（イメージ
エリア）を示す構成図。
エリア）を示す構成図。
【図２】従来例に係る固体撮像装置の要部（イメージエ
リア）を示す構成図。
リア）を示す構成図。
１ シリコン基板 ２ 受光部 ３ 平坦化膜 ４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ カラーフィルタ ５ 第１のマイクロ集光レンズ ６ 段差 ７ 第２のマイクロ集光レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 受光部上に集光レンズが形成された固体
撮像装置において、 上記集光レンズが、夫々屈折率の異なる第１及び第２の
集光レンズにて構成され、上記第２の集光レンズが、上
記第１の集光レンズのギャップを埋めるように形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項２】 上記第１及び第２の集光レンズの各屈折
率を夫々ｎ1 及びｎ2 としたとき、ｎ1 ＞ｎ2 ＞１の関
係を有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048791A JP3166220B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048791A JP3166220B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548057A true JPH0548057A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3166220B2 JP3166220B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=16425136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20048791A Expired - Fee Related JP3166220B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166220B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100399939B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| WO2004006336A1 (ja) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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| JP2006190906A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| US7084472B2 (en) | 2002-07-09 | 2006-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor |
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| US7262072B2 (en) | 2004-12-24 | 2007-08-28 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| JP2008085335A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
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| JP2020057812A (ja) * | 2009-03-19 | 2020-04-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置、及び、電子機器 |
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-
1991
- 1991-08-09 JP JP20048791A patent/JP3166220B2/ja not_active Expired - Fee Related
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