JPH0548065A - Photoelectric converter - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチ素子である薄
膜トランジスタを光電変換素子上に形成した光電変換装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device in which a thin film transistor which is a switching element is formed on a photoelectric conversion element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、光電変換素子はファクシミリやイ
メージスキャナーの画像読み取り装置等に広く用いられ
ている。このような画像読み取り装置においては、各光
電変換素子で検出された画像信号は、その各素子に対応
して設けられた読み取り手段（スイッチ及びマトリクス
等）によって読み取りが行われるのが一般的である。2. Description of the Related Art In recent years, photoelectric conversion elements have been widely used in image reading devices such as facsimiles and image scanners. In such an image reading apparatus, an image signal detected by each photoelectric conversion element is generally read by a reading unit (switch, matrix, etc.) provided corresponding to each element. ..
【０００３】従来、非晶質半導体、例えばアモルファス
シリコン（以下a-Si）を用いたラインセンサにおいては
各画素信号の読み取りのためにそれぞれの光電変換素子
に一対一に対応するスイッチ素子及びその駆動回路を備
えた単結晶シリコン形成のＩＣを用いている。また、Ｉ
Ｃを用いる場合に、読み取りに必要なＩＣの数を減らす
ためマトリックス型配線を用いるなどしている。後者で
は前者に比べ低コスト化が図れるが配線容量の増加によ
り相互ノイズ増加や信号電圧の低減といった問題があ
る。Conventionally, in a line sensor using an amorphous semiconductor, for example, amorphous silicon (hereinafter a-Si), a switching element corresponding to each photoelectric conversion element for reading each pixel signal and its driving are provided. An IC formed of single crystal silicon having a circuit is used. Also, I
When C is used, matrix type wiring is used to reduce the number of ICs required for reading. In the latter case, the cost can be reduced as compared with the former, but there are problems such as an increase in mutual noise and a decrease in signal voltage due to an increase in wiring capacitance.
【０００４】また、最近では、低コスト化や工程数低減
のためスイッチ素子にも光電変換素子と同じa-Siを用い
て読み取りを行うラインセンサも実用化されている。し
かし、同じa-Siのスイッチ素子を用いて実用化されてい
る液晶表示素子と異なり、ラインセンサに要求されてい
る解像度と読み取り速度が大きいためa-Siの持つ移動度
では対応できず、周辺回路への負担が大きくなってい
る。In recent years, a line sensor has been put into practical use for reading by using the same a-Si as a photoelectric conversion element for a switching element in order to reduce costs and reduce the number of steps. However, unlike a liquid crystal display device that has been put into practical use using the same a-Si switching device, the resolution and reading speed required for line sensors are high, so the mobility of a-Si cannot support it, and The load on the circuit is increasing.
【０００５】そこで、スイッチ素子及びその駆動回路に
a-Siの多結晶化（poly-Si化）膜を用いることによりス
イッチ部読み取り速度の高速化及び駆動回路の低コスト
化する研究が盛んに行われている。Therefore, in the switch element and its drive circuit,
A lot of researches have been done to increase the reading speed of the switch part and to reduce the cost of the driving circuit by using a poly-crystallized (poly-Si) film of a-Si.
【０００６】しかし、多結晶化するためには高温熱処理
が必要であるため、光電変換素子部とスイッチ素子及び
駆動回路の形成は別々の工程が必要であり、また、基板
も耐熱性のある高コストな石英基板などを用いる必要が
あった。（例えば、テレビジョン学会技術報告 ＥＤ９
８３ 第１７頁〜第２２頁の記載「Poly-Si薄膜トラン
ジスタ走査回路を集積化したa-Si：Ｈ密着型イメージセ
ンサ」に詳しい）また、最近の研究でレーザーなど高エ
ネルギービームを用いることによって多結晶化プロセス
の低温化が進んでいる。この方法によれば、多結晶化さ
せるべき微小な領域のみを熱処理でき、基板には耐熱性
の必要がない低コストなものを用いることができるの
で、上記のラインセンサに応用すれば低コスト化に有利
であると考えられる。しかし、この場合でも光電変換素
子部は多結晶化の必要がないため、スイッチ素子及び駆
動回路領域の高エネルギービームによる多結晶化時には
光電変換素子領域へのビームの影響を防止する必要があ
り、更なる低コスト化には不利である。However, since a high temperature heat treatment is required for polycrystallization, separate steps are required for forming the photoelectric conversion element portion, the switch element and the drive circuit, and the substrate is also highly heat resistant. It was necessary to use a costly quartz substrate or the like. (For example, Technical Report of Television Society ED9
(See “A-Si: H Contact Image Sensor Integrated with Poly-Si Thin-Film Transistor Scanning Circuit” on page 17-22) for more information on high energy beam such as laser in recent research. The crystallization process is becoming lower in temperature. According to this method, only a minute area to be polycrystallized can be heat-treated, and a low-cost substrate that does not need heat resistance can be used. Considered to be advantageous. However, even in this case, since the photoelectric conversion element portion does not need to be polycrystallized, it is necessary to prevent the influence of the beam on the photoelectric conversion element region at the time of polycrystallization by the high energy beam of the switch element and the drive circuit region, It is disadvantageous for further cost reduction.
【０００７】このようなビーム影響防止対策としては、
以下の３つの方法が考えられる。 (1)光電変換素子領域上に保護膜を形成する。 (2)光電変換素子領域とスイッチ素子及び駆動回路領域
間の距離を十分開ける。 (3)光電変換素子とスイッチ素子及び駆動回路形成は別
工程で行う。As a measure for preventing such a beam effect,
The following three methods are possible. (1) A protective film is formed on the photoelectric conversion element region. (2) A sufficient distance is provided between the photoelectric conversion element area and the switch element and drive circuit area. (3) The photoelectric conversion element, the switch element, and the drive circuit are formed in separate steps.
【０００８】ここで、従来の完全密着型ラインセンサを
図示する。図５は従来センサの部分（３画素分）平面
図、図６は図５のＢ−Ｂ’線断面図である。Here, a conventional perfect contact type line sensor will be illustrated. FIG. 5 is a plan view of a portion (three pixels) of the conventional sensor, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
【０００９】この装置においては、光電変換膜５１は、
導光窓５７を開けた下部電極５３と原稿からの光の入射
側となる透明電極６５に挟まれて光電変換素子Ｐを形成
している。この光電変換素子Ｐからの信号はゲート電極
５４に印加される制御電圧に従いスイッチ素子Ｓを通し
て信号読み取り電極５５に取り出される。In this device, the photoelectric conversion film 51 is
The photoelectric conversion element P is formed by being sandwiched between the lower electrode 53 having the light guide window 57 opened and the transparent electrode 65 on the light incident side of the document. The signal from the photoelectric conversion element P is taken out to the signal reading electrode 55 through the switch element S according to the control voltage applied to the gate electrode 54.
【００１０】この従来例では光電変換素子Ｐとスイッチ
素子Ｓの形成は別々に行っている。In this conventional example, the photoelectric conversion element P and the switch element S are formed separately.
【００１１】即ち、まずスイッチ素子Ｓ及びその駆動回
路用のa-Si膜を成膜し、これを高温熱処理あるいは高エ
ネルギービームにて多結晶化して各素子の形成を行う。
その後、光電変換膜用に再度a-Si膜を成膜し、光電変換
素子を形成して、最後に接続電極６６で光電変換素子Ｐ
とスイッチ素子Ｓの接続を行っている。That is, first, an a-Si film for the switch element S and its drive circuit is formed, and this is polycrystallized by high temperature heat treatment or a high energy beam to form each element.
After that, an a-Si film is formed again for the photoelectric conversion film, a photoelectric conversion element is formed, and finally the connection electrode 66 is used to form the photoelectric conversion element P.
And the switch element S are connected.
【００１２】このように、各素子部分の形成が別々であ
り工程が複雑である。また、多結晶化した後、光電変換
素子Ｐとスイッチ素子Ｓ間を接続する電極が必要である
が、この電極で問題になるのが光電変換素子Ｐまたはス
イッチ素子Ｓ端部での配線切れや寄生容量による信号電
圧の低下である。更に、この従来例のように完全密着型
ラインセンサに応用した場合、入射光は基板に対して素
子側から入るため、この接続電極の少なくとも一部に透
明電極が必要であり、プロセスが複雑化する。（この従
来例については特開昭５６−１３８９６７号公報の記載
に詳しい）以上の従来技術の問題点を要約すると、高速
動作を可能とする多結晶半導体膜をラインセンサのスイ
ッチ素子及び駆動回路に応用する場合、高温熱処理が必
要であるが、従来の光電変換素子構造では熱処理が難し
く、同じ材料を用いているにも拘わらず、光電変換素子
Ｐとスイッチ素子Ｓの形成を別工程で行わなければなら
いという不都合があった。As described above, the formation of each element portion is separate and the process is complicated. Further, after polycrystallizing, an electrode for connecting the photoelectric conversion element P and the switch element S is required. However, this electrode causes a problem such as disconnection of wiring at the end of the photoelectric conversion element P or the switch element S. This is a decrease in signal voltage due to parasitic capacitance. Furthermore, when applied to a perfect contact type line sensor like this conventional example, since incident light enters the substrate from the element side, a transparent electrode is required for at least a part of this connection electrode, which complicates the process. To do. (For details of this conventional example, refer to the description of Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-138967.) To summarize the above problems of the prior art, a polycrystalline semiconductor film capable of high speed operation is used as a switch element and a drive circuit of a line sensor. When applied, high-temperature heat treatment is required, but heat treatment is difficult with the conventional photoelectric conversion element structure, and the photoelectric conversion element P and the switch element S must be formed in separate steps even though the same material is used. There was the inconvenience of foolishness.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明の光電変換装置
は、上述の実情を考慮してなされたものであって、光電
変換素子とスイッチ素子を一体化した光電変換装置を提
供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The photoelectric conversion device of the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides a photoelectric conversion device in which a photoelectric conversion element and a switch element are integrated. ..
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、絶縁基板上に非単結晶半導体膜を備える光電変換素
子と該光電変換素子から得られる光電変換信号を取り出
すための非単結晶半導体膜を備えるＭＯＳトランジスタ
素子とを併設してなる光電変換装置に於て、上記光電変
換素子の非単結晶半導体膜を延在形成した領域をトラン
ジスタ素子の半導体膜として用い、該トランジスタ素子
のドレイン電極あるいはソース電極を光電変換素子の一
方の電極に一体的に連結した事を特徴とするものであ
る。A photoelectric conversion device of the present invention comprises a photoelectric conversion element having a non-single crystal semiconductor film on an insulating substrate and a non-single crystal semiconductor for extracting a photoelectric conversion signal obtained from the photoelectric conversion element. In a photoelectric conversion device provided with a MOS transistor element provided with a film, a region formed by extending a non-single crystal semiconductor film of the photoelectric conversion element is used as a semiconductor film of the transistor element, and a drain electrode of the transistor element is used. Alternatively, the source electrode is integrally connected to one electrode of the photoelectric conversion element.
【００１５】[0015]
【作用】本発明の光電変換装置においては、変換素子の
非単結晶半導体膜を延在形成した領域をトランジスタ素
子の半導体膜として用い、該トランジスタ素子のドレイ
ン電極あるいはソース電極を光電変換素子の一方の電極
に連結することにより光電変換素子とＭＯＳトランジス
タ素子が一体構造となる。In the photoelectric conversion device of the present invention, the region formed by extending the non-single crystal semiconductor film of the conversion element is used as the semiconductor film of the transistor element, and the drain electrode or the source electrode of the transistor element is used as one of the photoelectric conversion elements. The photoelectric conversion element and the MOS transistor element are integrated with each other by connecting to the electrode.
【００１６】[0016]
【実施例】図１は本発明の光電変換装置の一実施例の側
断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a side sectional view of an embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention.
【００１７】同図において、１４は絶縁性透明基板であ
りガラス等からなる。３はクロム（Cr）等の金属薄膜か
らなる下部電極であり、上記絶縁性透明基板１４上に形
成されている。６は酸化シリコン（SiO2）、窒化シリコ
ン（SiNX）等からなる下部絶縁層であり、上記下部電極
３上に形成され、スイッチ素子領域下を残してパターニ
ングされたものである。１は約1μｍ程度の膜厚の光電
変換膜（ノンドープa-Si層）であり、下部電極３上に積
層されている（一部は上記下部絶縁層６上に積層されて
いる）。また、１１、１２はコンタクト層であり、上記
a-Si層の上層部にボロン（Ｂ）ド−プのP+-a-Si層を300
〜600Å積層し、下部絶縁層６上に位置するチャネル領
域１３上となる部分をエッチング除去後、ArFエキシマ
レーザーなど短波長レーザ光を照射して表面から500〜1
000Å程度を多結晶化したものである。In the figure, 14 is an insulating transparent substrate, which is made of glass or the like. Reference numeral 3 denotes a lower electrode made of a metal thin film such as chromium (Cr), which is formed on the insulating transparent substrate 14. Reference numeral 6 denotes a lower insulating layer made of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ), or the like, which is formed on the lower electrode 3 and is patterned while leaving the lower part of the switch element region. Reference numeral 1 denotes a photoelectric conversion film (non-doped a-Si layer) having a film thickness of about 1 μm, which is laminated on the lower electrode 3 (a part thereof is laminated on the lower insulating layer 6). Further, 11 and 12 are contact layers,
A boron (B) doped P + -a-Si layer is formed on the a-Si layer by 300 times.
~ 600 Å Laminate and remove the part on the channel region 13 located on the lower insulating layer 6 by etching, then irradiate short wavelength laser light such as ArF excimer laser to 500 ~ 1 from the surface.
It is a polycrystal of about 000Å.
【００１８】１３は3000Å厚程度のチャネル領域であ
る。９は上記下部電極と同じ酸化シリコン（SiO2）、窒
化シリコン（SiNX）等からなる絶縁層であり、この光電
変換装置を被うように形成され、素子保護膜とチャネル
領域におけるゲート絶縁膜を兼ねている。４はゲート電
極であって、上記絶縁層９上に形成されている。また、
５は信号読み取り電極であって、信号取り出し側コンタ
クト層１２と絶縁層９に開けられた孔８を通じて接続さ
れている。Reference numeral 13 is a channel region having a thickness of about 3000Å. Reference numeral 9 denotes an insulating layer made of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x ) or the like, which is the same as the lower electrode, and is formed so as to cover the photoelectric conversion device, and is an element protective film and a gate insulating film in the channel region. Doubles as Reference numeral 4 is a gate electrode, which is formed on the insulating layer 9. Also,
A signal reading electrode 5 is connected to the signal extraction side contact layer 12 through a hole 8 formed in the insulating layer 9.
【００１９】図２は本発明の光電変換装置を完全密着型
ラインセンサに適用した場合の一実施例の部分（３画素
分）平面図である。また、図３は図２におけるスイッチ
素子Ｓの拡大図であり、図４は図２のＡ−Ａ’線断面図
である。FIG. 2 is a plan view of a portion (three pixels) of an embodiment in which the photoelectric conversion device of the present invention is applied to a perfect contact type line sensor. 3 is an enlarged view of the switch element S in FIG. 2, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
【００２０】この実施例においても、便宜上図面の符号
は図１と同一のものを用いている。Also in this embodiment, the same reference numerals as those in FIG. 1 are used for the sake of convenience.
【００２１】同図において、１−１〜１−３は光電変換
素子であり、２−１〜２−３はスイッチ素子である。ま
た、３は下部電極であり、この下部電極には導光窓７が
設けてある。更に４はゲート電極、５は信号読み取り電
極、６は下部絶縁層である。In the figure, 1-1 to 1-3 are photoelectric conversion elements, and 2-1 to 2-3 are switching elements. Further, 3 is a lower electrode, and a light guide window 7 is provided in this lower electrode. Further, 4 is a gate electrode, 5 is a signal reading electrode, and 6 is a lower insulating layer.
【００２２】この光電変換装置は１次元方向に1ｍｍ当
り16素子の間隔で配置されており、下部電極３や信号読
み取り電極５は各素子間で共通に接続されている。This photoelectric conversion device is arranged in the one-dimensional direction at an interval of 16 elements per 1 mm, and the lower electrode 3 and the signal reading electrode 5 are commonly connected between the elements.
【００２３】また、この光電変換素子はp+-poly-Si/i-a
-Si/下部電極構成のp-iホトダイオードであり、スイッ
チ素子はｐチャネル型poly-SiＴＦＴとなっている。Further, this photoelectric conversion element is p + -poly-Si / ia
It is a pi photodiode with -Si / bottom electrode configuration, and the switch element is a p-channel type poly-Si TFT.
【００２４】スイッチ素子のチャネル幅及び長さはそれ
ぞれ5μｍ、10μｍ程度である。また、再結晶化後のチ
ャネル部の電界効果移動度は約100ｃｍ2/Ｖ・ｓとなり光
電変換素子からの信号を十分短時間で取り出すことがで
きる。The channel width and length of the switch element are about 5 μm and 10 μm, respectively. Further, the field effect mobility of the channel portion after recrystallization becomes about 100 cm 2 / V · s, and the signal from the photoelectric conversion element can be taken out in a sufficiently short time.
【００２５】次に図２、３、４に示した如き本発明の光
電変換装置を完全密着型イメージセンサに用いた場合を
例にとり図７（図４の断面図に対応している）に基づ
き、その動作を説明する。Next, referring to FIG. 7 (corresponding to the sectional view of FIG. 4), the photoelectric conversion device of the present invention as shown in FIGS. 2, 3 and 4 is used for a perfect contact type image sensor as an example. , Its operation will be described.
【００２６】このイメージセンサの光信号の読み取りに
は蓄積モードが用いられている。予め光電変換膜１には
スイッチ素子部２を通して逆バイアス電圧１９が印加さ
れ、光電変換領域ホトダイオードの容量に初期電荷が蓄
積されている。A storage mode is used for reading the optical signal of the image sensor. A reverse bias voltage 19 is applied to the photoelectric conversion film 1 through the switch element unit 2 in advance, and initial charges are accumulated in the capacitance of the photoelectric conversion region photodiode.
【００２７】ガラス側から入射した光１７は下部電極３
に設けられた導光窓７を通して、光電変換素子１の上面
に定められた距離をもって置かれた原稿１６の一画素分
に照射される。The light 17 incident from the glass side receives the lower electrode 3
One pixel of the document 16 placed on the upper surface of the photoelectric conversion element 1 with a predetermined distance is irradiated with light through the light guide window 7 provided in the.
【００２８】次に、その原稿１６からの反射光１８は光
電変換層１のコンタクト層１１側から照射され、発生電
荷によりコンタクト層１１に蓄積されている電荷を光量
に応じて放電し、コンタクト層１１の電圧が上昇する。Next, the reflected light 18 from the original 16 is irradiated from the side of the contact layer 11 of the photoelectric conversion layer 1, and the charges accumulated in the contact layer 11 are discharged according to the amount of light, and the contact layer is discharged. The voltage of 11 rises.
【００２９】上述の如く、本発明の光電変換装置は光電
変換素子とスイッチ素子の一体型であり、接続電極に起
因する寄生容量が小さいことから信号電圧の損失が少な
く、スイッチ素子の両コンタクト層間電圧が大きく取れ
るため残像の低減にも効果がある。ゲート電極４にはＯ
ＦＦ電圧が印加されており、チャンネル領域１３はＯＦ
Ｆ状態である。次にゲート４にＯＮ電圧を印加し、チャ
ンネル領域１３をＯＮ状態とすることにより、光電変換
領域１に逆バイアス電圧１９が再印加される。これによ
り放電された電荷分が負荷抵抗２０を通してコンタクト
層１１に再蓄積され、この時負荷抵抗２０に生じた電圧
が光信号として出力される。As described above, the photoelectric conversion device of the present invention is an integrated type of the photoelectric conversion element and the switch element, and since the parasitic capacitance due to the connection electrode is small, the loss of the signal voltage is small, and the contact layers between the switch elements are small. Since a large voltage can be obtained, it is also effective in reducing the afterimage. O for the gate electrode 4
The FF voltage is applied, and the channel region 13 is OF
It is in the F state. Next, the reverse bias voltage 19 is reapplied to the photoelectric conversion region 1 by applying an ON voltage to the gate 4 and turning on the channel region 13. As a result, the discharged charges are stored again in the contact layer 11 through the load resistor 20, and the voltage generated in the load resistor 20 at this time is output as an optical signal.
【００３０】この構造ではスイッチ素子の下に非晶質半
導体層が残るが、実施例のように不透明の下部電極がス
イッチ部下まで延在すれば、この部分への光入射はな
く、光キャリアが発生することがないので十分良好なス
イッチ特性が得られる。In this structure, the amorphous semiconductor layer remains under the switch element, but if the opaque lower electrode extends below the switch portion as in the embodiment, there is no light incident on this portion, and the photocarriers are not generated. Since it does not occur, sufficiently good switch characteristics can be obtained.
【００３１】実施例については光電変換装置として、p-
i接合型を用いた完全密着型ラインセンサについてのみ
記述しているがこの例が必ずしも本発明を限定するもの
ではなく、その他方式の光電変換装置、例えば下部電極
/絶縁膜/i-a-Si/p-poly-SiのようなＭＩＳ構造によるも
のや、ガラス面から光入射する通常の密着型ラインセン
サのため下部電極をＩＴＯなどの透明電極とし、透明電
極/i-a-Si/n-poly-Siのようなショットキー構造を用
い、n-poly-Siがスイッチ素子のコンタクト層となる構
造についても同様な効果が得られることは明白である。In the embodiment, p-
Although only the complete contact type line sensor using the i-junction type is described, this example does not necessarily limit the present invention, and other types of photoelectric conversion devices, such as lower electrodes, are used.
/ Insulation film / ia-Si / p-poly-Si or other MIS structure, or a normal contact type line sensor where light is incident from the glass surface, the lower electrode is a transparent electrode such as ITO. It is obvious that the same effect can be obtained also in a structure in which a Schottky structure such as -Si / n-poly-Si is used and n-poly-Si serves as the contact layer of the switch element.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明の光電変換装置によれば、光電変
換素子とスイッチ素子を一体構造としているので、装置
全体の簡素化が図れる。しかもこのような一体構造を実
現したので、光電変換素子にもコンタクト層程度の厚み
だけを多結晶化するような高エネルギービーム（例え
ば、膜表面だけに光吸収される短波長のレーザ光）を使
用することによって、スイッチ素子及び駆動回路部と同
時にビーム照射による熱処理を行うことが可能となる。According to the photoelectric conversion device of the present invention, since the photoelectric conversion element and the switch element are integrated, the entire device can be simplified. Moreover, since such an integrated structure is realized, a high-energy beam (for example, a laser beam of a short wavelength that is absorbed only by the film surface) that polycrystallizes only the thickness of the contact layer is also applied to the photoelectric conversion element. By using it, it becomes possible to perform heat treatment by beam irradiation at the same time as the switch element and the drive circuit section.
【００３３】また、多結晶化スイッチ素子を使用するイ
メージセンサにおいて光電変換素子とスイッチ素子を接
続する電極が不必要となるので、これに起因していた寄
生容量による信号電圧低下を防止し、さらにプロセス工
程数の低減、信頼性の向上、低コスト化に有利となる。Further, since the electrode connecting the photoelectric conversion element and the switch element is unnecessary in the image sensor using the polycrystallized switch element, the signal voltage drop due to the parasitic capacitance caused by this is prevented, and further This is advantageous in reducing the number of process steps, improving reliability, and reducing costs.
【図１】本発明の光電変換装置の一実施例の側断面図。FIG. 1 is a side sectional view of an embodiment of a photoelectric conversion device of the present invention.
【図２】本発明の光電変換装置の一実施例を完全密着型
ラインセンサに応用した場合の平面図。FIG. 2 is a plan view of an embodiment of a photoelectric conversion device of the present invention applied to a perfect contact type line sensor.
【図３】図２におけるスイッチ素子Ｓの拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of a switch element S in FIG.
【図４】図２のＡ−Ａ’線断面図。4 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.
【図５】従来の光電変換素子とスイッチ素子の配置を示
した平面図。FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of a conventional photoelectric conversion element and a switch element.
【図６】図５におけるＢ−Ｂ’線断面図。6 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG.
【図７】本発明の光電変換装置の一実施例を完全密着型
ラインセンサに応用した場合の読み取り時動作を説明す
るための図。FIG. 7 is a diagram for explaining a reading operation when an embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention is applied to a perfect contact type line sensor.
１ 光電変換膜 ３ 下部電極 ４ ゲート電極 ５ 信号読み取り電極 ６ 下部絶縁層 ９ 絶縁層 １１ 光電変換素子側コンタクト層 １２ 信号読み取り側コンタクト層 １３ チャネル領域 １４ 透明絶縁性基板 Ｐ 光電変換素子 Ｓ チャネル素子 1 Photoelectric conversion film 3 Lower electrode 4 Gate electrode 5 Signal reading electrode 6 Lower insulating layer 9 Insulating layer 11 Photoelectric conversion element side contact layer 12 Signal reading side contact layer 13 Channel region 14 Transparent insulating substrate P Photoelectric conversion element S channel element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 8422−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location 8422-4M H01L 31/10 A
Claims (3)
光電変換素子と該光電変換素子から得られる光電変換信
号を取り出すための非単結晶半導体膜を備えるＭＯＳト
ランジスタ素子とを併設してなる光電変換装置に於て、 上記光電変換素子の非単結晶半導体膜を延在形成した領
域をトランジスタ素子の半導体膜として用い、該トラン
ジスタ素子のドレイン電極あるいはソース電極を光電変
換素子の一方の電極に一体的に連結した事を特徴とする
光電変換装置。1. A photoelectric conversion element provided with a non-single-crystal semiconductor film on an insulating substrate, and a MOS transistor element provided with a non-single-crystal semiconductor film for extracting a photoelectric conversion signal obtained from the photoelectric conversion element. In the photoelectric conversion device, a region in which the non-single crystal semiconductor film of the photoelectric conversion element is formed to extend is used as a semiconductor film of a transistor element, and the drain electrode or the source electrode of the transistor element is used as one electrode of the photoelectric conversion element. A photoelectric conversion device characterized by being integrally connected.
るいはソース電極、並びに該ドレイン電極あるいはソー
ス電極に連結した上記光電変換素子の一方の電極を多結
晶半導体膜にて形成してなる請求項１記載の光電変換装
置。2. The photoelectric conversion element according to claim 1, wherein a drain electrode or a source electrode of the transistor element and one electrode of the photoelectric conversion element connected to the drain electrode or the source electrode are formed of a polycrystalline semiconductor film. Converter.
の非単結晶半導体膜はアモルファスシリコンからなり、
トランジスタ素子のチャンネル領域を多結晶化してなる
請求項１、又は２記載の光電変換装置。3. The non-single crystal semiconductor film of the photoelectric conversion element and the transistor element is made of amorphous silicon,
The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the channel region of the transistor element is polycrystallized.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200477A JPH0548065A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200477A JPH0548065A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Photoelectric converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548065A true JPH0548065A (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=16424970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200477A Pending JPH0548065A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Photoelectric converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548065A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61203856A (en) * | 1985-03-01 | 1986-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | commutator machine |
| JPS6212361A (en) * | 1985-07-08 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | commutator machine |
| JPH09135012A (en) * | 1995-09-04 | 1997-05-20 | Canon Inc | Electromagnetic wave detector |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200477A patent/JPH0548065A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61203856A (en) * | 1985-03-01 | 1986-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | commutator machine |
| JPS6212361A (en) * | 1985-07-08 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | commutator machine |
| JPH09135012A (en) * | 1995-09-04 | 1997-05-20 | Canon Inc | Electromagnetic wave detector |
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