JPH0548072A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH0548072A JPH0548072A JP20170191A JP20170191A JPH0548072A JP H0548072 A JPH0548072 A JP H0548072A JP 20170191 A JP20170191 A JP 20170191A JP 20170191 A JP20170191 A JP 20170191A JP H0548072 A JPH0548072 A JP H0548072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor laser
- single crystal
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｓi電子回路と半導体レーザ、またはさらに受
光器を設けた半導体素子において、長時間安定して動作
する長寿命の半導体レーザを提供する。 【構成】Ｓi基板上に、Ｓiからなる電子回路と、少なく
とも１種以上の単結晶化合物半導体層（例えば、ＧaＡs
およびＩnＧaＡsのバッファ層を介して単結晶ＩnＰ半導
体層を積層する）を介して、波長が１.４μｍ以上の長
波長光を発振する半導体レーザおよび受光器を集積して
構成した半導体素子。 【効果】バッファ層を介して積層することによりＩnＰ
半導体層の転位密度および残留応力を低減することがで
き、レーザの発振波長を１.４μｍ以上とすることがで
き長寿命の半導体レーザが得られる。
光器を設けた半導体素子において、長時間安定して動作
する長寿命の半導体レーザを提供する。 【構成】Ｓi基板上に、Ｓiからなる電子回路と、少なく
とも１種以上の単結晶化合物半導体層（例えば、ＧaＡs
およびＩnＧaＡsのバッファ層を介して単結晶ＩnＰ半導
体層を積層する）を介して、波長が１.４μｍ以上の長
波長光を発振する半導体レーザおよび受光器を集積して
構成した半導体素子。 【効果】バッファ層を介して積層することによりＩnＰ
半導体層の転位密度および残留応力を低減することがで
き、レーザの発振波長を１.４μｍ以上とすることがで
き長寿命の半導体レーザが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓiからなる半導体基
板本体上に、単結晶化合物半導体層を積層して構成した
半導体基板を用い、Ｓi電子回路と半導体レーザを集積
した半導体素子またはＳi電子回路と半導体レーザおよ
び受光器を集積した半導体素子に関する。
板本体上に、単結晶化合物半導体層を積層して構成した
半導体基板を用い、Ｓi電子回路と半導体レーザを集積
した半導体素子またはＳi電子回路と半導体レーザおよ
び受光器を集積した半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶Ｓiよりなる半導体基板本
体上に、元素の周期表III−Ｖ族からなる化合物半導体
層を積層して構成した半導体素子の提案がなされてい
る。現在までに行われている素子応用のうちで半導体レ
ーザの作製は、III−Ｖ族化合物半導体による光素子
と、Ｓi-ＬＳＩの光・電子融合を可能とする重要な技術
である。これまでに検討されているＳi基板上の半導体
レーザの作製には、おもにＧaＡs材料が用いられていた
が、これらの半導体レーザには致命的な欠点があった。
それは、数時間の動作で劣化してしまい短寿命であるこ
とである。これは、Ｓi基板上のＧaＡs膜内に存在する
高密度の転位と残留応力に起因することが明らかにされ
ている。このため、Ｓi電子回路とＧaＡs系半導体レー
ザが集積された光・電子融合素子はいまだ実現されてい
ない。これに対して、ＧaＡs以外の材料系で半導体レー
ザへの応用が検討されているものとして、アプライド
フイジックス レター、５３巻（１９８８年)、第２３８
９頁〔Ａppl．Ｐhys．Ｌett.，５３（１９８８）p.２３
８９〕に記載されているＩnＰ系の１.３μｍ半導体レー
ザが挙げられる。この半導体レーザについて特筆すべき
点は、ＧaＡs系半導体レーザで見られるような急激な劣
化がないことである。半導体レーザの寿命に対する材料
依存性は、Ｓi基板上に限らず、通常の半導体レーザに
おいても言われていることである。しかし、このＩnＰ
系半導体レーザにおいても急激ではないが、徐々に駆動
電流が増加して半導体素子の劣化が見られ、実用レベル
からみると依然問題が存在していた。
体上に、元素の周期表III−Ｖ族からなる化合物半導体
層を積層して構成した半導体素子の提案がなされてい
る。現在までに行われている素子応用のうちで半導体レ
ーザの作製は、III−Ｖ族化合物半導体による光素子
と、Ｓi-ＬＳＩの光・電子融合を可能とする重要な技術
である。これまでに検討されているＳi基板上の半導体
レーザの作製には、おもにＧaＡs材料が用いられていた
が、これらの半導体レーザには致命的な欠点があった。
それは、数時間の動作で劣化してしまい短寿命であるこ
とである。これは、Ｓi基板上のＧaＡs膜内に存在する
高密度の転位と残留応力に起因することが明らかにされ
ている。このため、Ｓi電子回路とＧaＡs系半導体レー
ザが集積された光・電子融合素子はいまだ実現されてい
ない。これに対して、ＧaＡs以外の材料系で半導体レー
ザへの応用が検討されているものとして、アプライド
フイジックス レター、５３巻（１９８８年)、第２３８
９頁〔Ａppl．Ｐhys．Ｌett.，５３（１９８８）p.２３
８９〕に記載されているＩnＰ系の１.３μｍ半導体レー
ザが挙げられる。この半導体レーザについて特筆すべき
点は、ＧaＡs系半導体レーザで見られるような急激な劣
化がないことである。半導体レーザの寿命に対する材料
依存性は、Ｓi基板上に限らず、通常の半導体レーザに
おいても言われていることである。しかし、このＩnＰ
系半導体レーザにおいても急激ではないが、徐々に駆動
電流が増加して半導体素子の劣化が見られ、実用レベル
からみると依然問題が存在していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来技術における問題点を解消するものであって、
単結晶Ｓiからなる半導体基板本体上に、単結晶化合物
半導体層を積層して構成した半導体基板を用いて、Ｓi
電子回路と半導体レーザ、またはさらに受光器を集積し
て構成した半導体素子において、長時間安定して動作す
る半導体レーザを提供することにある。
した従来技術における問題点を解消するものであって、
単結晶Ｓiからなる半導体基板本体上に、単結晶化合物
半導体層を積層して構成した半導体基板を用いて、Ｓi
電子回路と半導体レーザ、またはさらに受光器を集積し
て構成した半導体素子において、長時間安定して動作す
る半導体レーザを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、Ｓiからなる半導体基板本体上に、単結晶
ＩnＰからなる半導体層を積層し、Ｓi電子回路と半導体
レーザ、またはＳi電子回路と半導体レーザおよび受光
器を集積して半導体素子を構成するに際し、Ｓiからな
る半導体基板本体と単結晶ＩnＰからなる半導体層との
間に、バッファ用半導体層を介して積層することによ
り、単結晶ＩnＰからなる半導体層を高品質化して、波
長が１.４μｍ以上の長波長光を発振する長寿命の半導
体レーザを実現するものである。
するために、Ｓiからなる半導体基板本体上に、単結晶
ＩnＰからなる半導体層を積層し、Ｓi電子回路と半導体
レーザ、またはＳi電子回路と半導体レーザおよび受光
器を集積して半導体素子を構成するに際し、Ｓiからな
る半導体基板本体と単結晶ＩnＰからなる半導体層との
間に、バッファ用半導体層を介して積層することによ
り、単結晶ＩnＰからなる半導体層を高品質化して、波
長が１.４μｍ以上の長波長光を発振する長寿命の半導
体レーザを実現するものである。
【０００５】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本実施例において作製した半導体
素子の構成の一例を示す摸式図である。図において、Ｓ
i基板１上に、Ｓi-ＣＭＯＳ２と半導体レーザ３が集積
されている。このとき、半導体レーザ３は、ＧaＡsから
なる第１のバッファ層４と、ＩnＧaＡsからなる第２の
バッファ層５の上のＩnＰ層８上に作製されている。こ
の半導体レーザ３の活性層９は、多重量子井戸からな
り、バリヤ層は１０nｍのＩnＧaＡsＰ（波長１.３μ
ｍ)、ウエル層は７.５nｍのＩnＧaＡs（波長１.６５μ
ｍ）からなる。なお、ガイド層も１００nｍのＩnＧaＡs
Ｐ（ 波長１.３μｍ）からなっている。ウエル層の総
数は６層とした。この時の発振波長は１.５４μｍであ
った。次に、化学エッチングによる選択エッチングによ
って、６μｍ幅のリッジ６を形成した。さらに、ドライ
エッチングによりミラー面を形成した。絶縁膜１０とし
て、窒化シリコンを用い、３００μｍ共振長のレーザと
した。作製した半導体レーザはｐ，ｎ両電極１１，１２
が上方となるような構造とした。作製したＳi基板１上
の半導体レーザ３は、室温においてしきい値５５ｍＡで
発振した。さらに、この半導体レーザ３は２ｍＷの一定
出力による室温動作において、１５００時間以上、駆動
電流が変化することなく、その劣化が見られなかった。
さらに、集積したＳi-ＣＭＯＳ２からなる半導体レーザ
駆動回路により１ＧＨzの高速動作を問題なく行うこと
ができた。言うまでもなく、本発明の半導体レーザは上
記した実施例に限定されるものではなく、１.４μｍ以
上の長波長を発振するものであれば、リッジ幅、活性層
は種々の構造のものが作製でき、また埋め込み型の構造
のものも作製可能である。
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本実施例において作製した半導体
素子の構成の一例を示す摸式図である。図において、Ｓ
i基板１上に、Ｓi-ＣＭＯＳ２と半導体レーザ３が集積
されている。このとき、半導体レーザ３は、ＧaＡsから
なる第１のバッファ層４と、ＩnＧaＡsからなる第２の
バッファ層５の上のＩnＰ層８上に作製されている。こ
の半導体レーザ３の活性層９は、多重量子井戸からな
り、バリヤ層は１０nｍのＩnＧaＡsＰ（波長１.３μ
ｍ)、ウエル層は７.５nｍのＩnＧaＡs（波長１.６５μ
ｍ）からなる。なお、ガイド層も１００nｍのＩnＧaＡs
Ｐ（ 波長１.３μｍ）からなっている。ウエル層の総
数は６層とした。この時の発振波長は１.５４μｍであ
った。次に、化学エッチングによる選択エッチングによ
って、６μｍ幅のリッジ６を形成した。さらに、ドライ
エッチングによりミラー面を形成した。絶縁膜１０とし
て、窒化シリコンを用い、３００μｍ共振長のレーザと
した。作製した半導体レーザはｐ，ｎ両電極１１，１２
が上方となるような構造とした。作製したＳi基板１上
の半導体レーザ３は、室温においてしきい値５５ｍＡで
発振した。さらに、この半導体レーザ３は２ｍＷの一定
出力による室温動作において、１５００時間以上、駆動
電流が変化することなく、その劣化が見られなかった。
さらに、集積したＳi-ＣＭＯＳ２からなる半導体レーザ
駆動回路により１ＧＨzの高速動作を問題なく行うこと
ができた。言うまでもなく、本発明の半導体レーザは上
記した実施例に限定されるものではなく、１.４μｍ以
上の長波長を発振するものであれば、リッジ幅、活性層
は種々の構造のものが作製でき、また埋め込み型の構造
のものも作製可能である。
【０００６】（実施例２）図２に、本実施例で作製した
半導体素子の構成の一例を示す。実施例１と同様に、Ｓ
i-ＣＭＯＳ２と半導体レーザ３の集積されているＳi基
板１上には、ＩnＧaＡsを受光層１３とする受光器７が
集積されている。ただし、本実施例の半導体レーザ３は
ＩnＧaＡsＰバルク活性層９を有するＤＨ構造であり、
発振波長は１.４μｍであった。この半導体レーザ３
は、室温においてしきい値５７ｍＡで発振した。さら
に、この半導体レーザ３は２ｍＷの一定出力による室温
動作において、１２００時間以上、駆動電流が変化する
ことなく、その劣化が見られなかった。集積された受光
器７は、半導体レーザ３と同様に、第１のＧaＡsバッフ
ァ層４、第２のＩnＧaＡsバッファ層５上に形成したＩn
Ｐ層８上に作製されている。本実施例の半導体素子によ
って、受光器７への入力光により変調された半導体レー
ザの発光信号が得られる半導体素子を実現することがで
きた。
半導体素子の構成の一例を示す。実施例１と同様に、Ｓ
i-ＣＭＯＳ２と半導体レーザ３の集積されているＳi基
板１上には、ＩnＧaＡsを受光層１３とする受光器７が
集積されている。ただし、本実施例の半導体レーザ３は
ＩnＧaＡsＰバルク活性層９を有するＤＨ構造であり、
発振波長は１.４μｍであった。この半導体レーザ３
は、室温においてしきい値５７ｍＡで発振した。さら
に、この半導体レーザ３は２ｍＷの一定出力による室温
動作において、１２００時間以上、駆動電流が変化する
ことなく、その劣化が見られなかった。集積された受光
器７は、半導体レーザ３と同様に、第１のＧaＡsバッフ
ァ層４、第２のＩnＧaＡsバッファ層５上に形成したＩn
Ｐ層８上に作製されている。本実施例の半導体素子によ
って、受光器７への入力光により変調された半導体レー
ザの発光信号が得られる半導体素子を実現することがで
きた。
【０００７】
【発明の効果】本発明の半導体素子は、Ｓiからなる電
子回路を塔載するＳi基板上に、単結晶ＩnＰの半導体層
を積層して構成するが、この場合、バッファ用半導体層
を介して単結晶ＩnＰ半導体層を積層することにより、
単結晶ＩnＰ半導体層を高品質化することができる。高
品質化とは、具体的には半導体素子内の転位密度の低
減、残留応力の低減を意味する。さらに、集積された半
導体レーザの発振波長を１.４μｍ以上とすることによ
り長寿命の半導体レーザを実現するものである。これに
より、半導体レーザ動作時のダークライン欠陥の増殖を
抑制するのに有効であり、半導体レーザの長寿命化を実
現することができる。さらに、上記の半導体レーザの長
波長帯は、光ファイバの低損失の波長帯と一致している
ため伝送用の光素子として有望である。また、上記構造
の半導体レーザはＳi-ＬＳＩとの融合による光・電子融
合回路のみならず、石英系導波路との融合による光集積
回路の実現を可能にする。これら集積回路の実現は、従
来のシステムの小型化、高性能化の可能性に留まらず、
将来の光交換、光コンピュータの実現に重要なキーデバ
イスになるものと期待される。
子回路を塔載するＳi基板上に、単結晶ＩnＰの半導体層
を積層して構成するが、この場合、バッファ用半導体層
を介して単結晶ＩnＰ半導体層を積層することにより、
単結晶ＩnＰ半導体層を高品質化することができる。高
品質化とは、具体的には半導体素子内の転位密度の低
減、残留応力の低減を意味する。さらに、集積された半
導体レーザの発振波長を１.４μｍ以上とすることによ
り長寿命の半導体レーザを実現するものである。これに
より、半導体レーザ動作時のダークライン欠陥の増殖を
抑制するのに有効であり、半導体レーザの長寿命化を実
現することができる。さらに、上記の半導体レーザの長
波長帯は、光ファイバの低損失の波長帯と一致している
ため伝送用の光素子として有望である。また、上記構造
の半導体レーザはＳi-ＬＳＩとの融合による光・電子融
合回路のみならず、石英系導波路との融合による光集積
回路の実現を可能にする。これら集積回路の実現は、従
来のシステムの小型化、高性能化の可能性に留まらず、
将来の光交換、光コンピュータの実現に重要なキーデバ
イスになるものと期待される。
【図１】本発明の実施例１で例示した半導体素子の構成
の一例を示す摸式図。
の一例を示す摸式図。
【図２】本発明の実施例２で例示した半導体素子の構成
の一例を示す摸式図。
の一例を示す摸式図。
１…Ｓi基板 ２…Ｓi-ＣＭＯＳ ３…半導体レーザ ４…第１のＧaＡsバッファ層 ５…第２のＩnＧaＡsバッファ層 ６…リッジ ７…受光器 ８…ＩｎＰ層 ９…活性層 １０…絶縁層 １１…ｐ電極 １２…ｎ電極 １３…受光層 １４，１５…電極
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン（Ｓi）基板上に、Ｓiからなる電
子回路と、少なくとも１種以上の単結晶化合物半導体層
を介して、波長が１.４μｍ以上の長波長光を発振する
半導体レーザを集積してなることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項２】シリコン（Ｓi）基板上に、Ｓiからなる電
子回路と、少なくとも１種以上の単結晶化合物半導体層
を介して、波長が１.４μｍ以上の長波長光を発振する
半導体レーザおよび受光器を集積してなることを特徴と
する半導体素子。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、シリコ
ン（Ｓi）基板上に積層する単結晶化合物半導体層が、
ＧaＡsからなる第１のバッファ層と、ＩnＧaＡsからな
る第２のバッファ層を介して、ＩnＰ層からなる単結晶
化合物半導体層を積層して構成したことを特徴とする半
導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20170191A JPH0548072A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20170191A JPH0548072A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548072A true JPH0548072A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16445489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20170191A Pending JPH0548072A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548072A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059835A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices |
| US6410941B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-06-25 | Motorola, Inc. | Reconfigurable systems using hybrid integrated circuits with optical ports |
| WO2002050879A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a monocrystalline film |
| US6427066B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-07-30 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for effecting communications among a plurality of remote stations |
| US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
| WO2002045140A3 (en) * | 2000-11-22 | 2003-02-06 | Motorola Inc | Semiconductor structures having a compliant substrate |
| US6563118B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Pyroelectric device on a monocrystalline semiconductor substrate and process for fabricating same |
| US6583034B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-06-24 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a compliant substrate having a graded monocrystalline layer and methods for fabricating the structure and semiconductor devices including the structure |
| WO2003009382A3 (en) * | 2001-07-17 | 2004-03-04 | Motorola Inc | Semiconductor structures with integrated control components |
| US7046719B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-05-16 | Motorola, Inc. | Soft handoff between cellular systems employing different encoding rates |
| DE19913355B4 (de) * | 1998-03-26 | 2007-03-22 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Integrierte opto-elektronische Schaltung mit ZnO-Schicht als Lichtwellenleiter |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP20170191A patent/JPH0548072A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19913355B4 (de) * | 1998-03-26 | 2007-03-22 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Integrierte opto-elektronische Schaltung mit ZnO-Schicht als Lichtwellenleiter |
| WO2001059835A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices |
| WO2001059837A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Motorola Inc. | Integrated circuit |
| WO2001059821A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Motorola Inc. | A process for forming a semiconductor structure |
| US6392257B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-05-21 | Motorola Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US6427066B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-07-30 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for effecting communications among a plurality of remote stations |
| US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
| US6410941B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-06-25 | Motorola, Inc. | Reconfigurable systems using hybrid integrated circuits with optical ports |
| WO2002045140A3 (en) * | 2000-11-22 | 2003-02-06 | Motorola Inc | Semiconductor structures having a compliant substrate |
| US6583034B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-06-24 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a compliant substrate having a graded monocrystalline layer and methods for fabricating the structure and semiconductor devices including the structure |
| US6563118B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Pyroelectric device on a monocrystalline semiconductor substrate and process for fabricating same |
| WO2002050879A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a monocrystalline film |
| US7046719B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-05-16 | Motorola, Inc. | Soft handoff between cellular systems employing different encoding rates |
| WO2003009382A3 (en) * | 2001-07-17 | 2004-03-04 | Motorola Inc | Semiconductor structures with integrated control components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07297476A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5363393A (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
| JPH0548072A (ja) | 半導体素子 | |
| US5263040A (en) | Strained quantum well laser diode | |
| JP2870486B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3306892B2 (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| JPH02130988A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JP2004140007A (ja) | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光送信モジュール及び光送受信モジュール及び光通信システム及びレーザプリンター及び光ピックアップシステム | |
| JP2004031925A (ja) | ｎ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム | |
| KR100249629B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| JP2812273B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3041381B2 (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| JP3717206B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH10135573A (ja) | 半導体レーザ、並列伝送用光送信モジュール及びそれらを使用した応用システム | |
| JP3149878B2 (ja) | 半導体レーザを用いた光双安定素子 | |
| JP3046454B2 (ja) | 量子井戸型半導体発光素子 | |
| JP2518255B2 (ja) | 多重量子井戸型光双安定半導体レ−ザ | |
| JP3062510B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP3225943B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH09275239A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04372188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH10190139A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2708750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3471612B2 (ja) | 光リミッター素子およびその製造方法 | |
| JPH09219561A (ja) | 半導体レーザ |