JPH0548135A - 半導体光検出装置とその製造方法 - Google Patents
半導体光検出装置とその製造方法Info
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- JPH0548135A JPH0548135A JP3209241A JP20924191A JPH0548135A JP H0548135 A JPH0548135 A JP H0548135A JP 3209241 A JP3209241 A JP 3209241A JP 20924191 A JP20924191 A JP 20924191A JP H0548135 A JPH0548135 A JP H0548135A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程の簡略化をはかり、効率の高い半導
体光検出装置を得る。 【構成】 半導体基板１上に適当なマスク２を用い部分
的にエピタキシャル成長により第１導電型の半導体層３
を設け、この第１導電型の半導体層３の側壁を半導体超
格子光吸収層５の成長シードとすることにより、基板表
面に対し垂直な超格子面の半導体超格子光吸収層５が得
られる。このため、光の入射方向として最も面積の大き
い表面垂直方向が利用できる。 【効果】 入射光を有効に光信号に変換でき、また、同
時に多数の装置を同一基板内に形成することができる。
体光検出装置を得る。 【構成】 半導体基板１上に適当なマスク２を用い部分
的にエピタキシャル成長により第１導電型の半導体層３
を設け、この第１導電型の半導体層３の側壁を半導体超
格子光吸収層５の成長シードとすることにより、基板表
面に対し垂直な超格子面の半導体超格子光吸収層５が得
られる。このため、光の入射方向として最も面積の大き
い表面垂直方向が利用できる。 【効果】 入射光を有効に光信号に変換でき、また、同
時に多数の装置を同一基板内に形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料を用いた半
導体光検出装置とその製造方法に関するものである。
導体光検出装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、例えばApplied Physics Letter
50 (16),p.1092 に示された従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ超格子を用いた赤外線検出装置を示す断面図であ
る。この図において、１は半導体基板、５は半導体超格
子光吸収層、６はこの半導体超格子光吸収層５上に形成
された電極形成層、７は電極、９は前記半導体基板１上
に形成された電極形成層、１０は前記半導体基板１を斜
め４５度に研磨した光入射面である。
50 (16),p.1092 に示された従来のＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ超格子を用いた赤外線検出装置を示す断面図であ
る。この図において、１は半導体基板、５は半導体超格
子光吸収層、６はこの半導体超格子光吸収層５上に形成
された電極形成層、７は電極、９は前記半導体基板１上
に形成された電極形成層、１０は前記半導体基板１を斜
め４５度に研磨した光入射面である。
【０００３】次に、製造方法について説明する。半導体
基板１、例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、有機金属気
相成長法または分子線エピタキシー法等の半導体結晶成
長法により、高キャリア濃度の第２導電型の半導体層
（電極形成層）９、例えばｎ型ＧａＡｓ層を約１μｍ成
長させる。この後、同様の成長手段により、半導体超格
子光吸収層５、例えば４０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ
0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期を形成させる。さらに、半導
体超格子光吸収層５の上に半導体層９と同様の第２導電
型の半導体層（電極形成層）６を設け、この後、半導体
基板１の端部を素子形成面に対し４５度の角度で研磨を
行い、光入射面１０を形成する。最後に、第２導電型の
半導体層６，９の表面に電極７、例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎ
ｉ等の金属を蒸着し、本素子は完成する。
基板１、例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、有機金属気
相成長法または分子線エピタキシー法等の半導体結晶成
長法により、高キャリア濃度の第２導電型の半導体層
（電極形成層）９、例えばｎ型ＧａＡｓ層を約１μｍ成
長させる。この後、同様の成長手段により、半導体超格
子光吸収層５、例えば４０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ
0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期を形成させる。さらに、半導
体超格子光吸収層５の上に半導体層９と同様の第２導電
型の半導体層（電極形成層）６を設け、この後、半導体
基板１の端部を素子形成面に対し４５度の角度で研磨を
行い、光入射面１０を形成する。最後に、第２導電型の
半導体層６，９の表面に電極７、例えばＡｕ／Ｇｅ／Ｎ
ｉ等の金属を蒸着し、本素子は完成する。
【０００４】この素子の基板研磨面である光入射面１０
より、例えば波長約８μｍの赤外線を入射させると、入
射光は半導体基板１を透過し、半導体超格子光吸収層５
に達する。ここで、入射光はＧａＡｓ井戸サブバンド中
の電子を伝導帯に励起させ、この電子はホットエレクト
ロンとなって走行し、光信号として検出される。
より、例えば波長約８μｍの赤外線を入射させると、入
射光は半導体基板１を透過し、半導体超格子光吸収層５
に達する。ここで、入射光はＧａＡｓ井戸サブバンド中
の電子を伝導帯に励起させ、この電子はホットエレクト
ロンとなって走行し、光信号として検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光検出装
置は以上のように構成されているので、作成工程におい
て半導体基板１自体の研磨をしなければならず、さら
に、光を斜めから入射させる必要があった。このため、
超格子面に垂直な光成分のみ吸収されるので、量子効率
が最大でも０．５にしかならない。また、単体素子しか
半導体基板１上に形成できないため、集積化が困難であ
るなどの問題点があった。
置は以上のように構成されているので、作成工程におい
て半導体基板１自体の研磨をしなければならず、さら
に、光を斜めから入射させる必要があった。このため、
超格子面に垂直な光成分のみ吸収されるので、量子効率
が最大でも０．５にしかならない。また、単体素子しか
半導体基板１上に形成できないため、集積化が困難であ
るなどの問題点があった。
【０００６】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板研磨が不要で、光を斜めか
ら入射させる必要がなく、かつ量子効率が向上し、さら
に同一基板上に多数の素子を同時に形成できる半導体光
検出装置とその製造方法を得ることを目的としている。
ためになされたもので、基板研磨が不要で、光を斜めか
ら入射させる必要がなく、かつ量子効率が向上し、さら
に同一基板上に多数の素子を同時に形成できる半導体光
検出装置とその製造方法を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体光検
出装置は、半導体基板上に形成された第１導電型の半導
体層と第２導電型の半導体層の間に、光吸収層面が半導
体基板表面と垂直に形成された半導体超格子光吸収層を
設けたものである。
出装置は、半導体基板上に形成された第１導電型の半導
体層と第２導電型の半導体層の間に、光吸収層面が半導
体基板表面と垂直に形成された半導体超格子光吸収層を
設けたものである。
【０００８】また、本発明に係る半導体光検出装置の製
造方法は、半導体層の側壁をシードとしてサイドウォー
ルをエピタキシャル成長させ、半導体超格子光吸収層を
前記半導体基板に垂直に形成するものである。
造方法は、半導体層の側壁をシードとしてサイドウォー
ルをエピタキシャル成長させ、半導体超格子光吸収層を
前記半導体基板に垂直に形成するものである。
【０００９】
【作用】本発明における半導体超格子光吸収層は、その
超格子面は基板表面と垂直となり、基板表面または裏面
より入射する光成分は全て半導体超格子光吸収層と相互
作用することになる。
超格子面は基板表面と垂直となり、基板表面または裏面
より入射する光成分は全て半導体超格子光吸収層と相互
作用することになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の半導体光検出装置の一実施例を示す
断面図である。図１において、１は半導体基板で、例え
ばＧａＡｓからなる。２はこの半導体基板１上に形成さ
れた絶縁膜で、例えばＳｉＮ膜である。３は前記半導体
基板１上にエピタキシャル成長されたストライプ状の第
１導電型の半導体層で、例えばｐ型ＧａＡｓ層である。
４は素子保護用の絶縁膜で、例えばＳｉＮ膜である。５
は入射光を吸収する半導体超格子光吸収層で、例えば４
０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期
に形成される。６は第２導電型の半導体層で、例えばｎ
型ＧａＡｓ層である。７は第２導電型の電極で、例えば
Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ等の合金属で形成される。８は前記半
導体基板１の裏面全面に蒸着等により形成された第１導
電型の電極で、例えばＡｕ／Ｚｎで形成される。素子表
面の絶縁膜４を通して入射した光の電磁界ベクトルは超
格子面に対して全て垂直である。したがって、入射光は
全て半導体超格子光吸収層５と相互作用しうる。よっ
て、電磁界ベクトルの半分しか相互作用できない従来例
に比べ本質的に効率向上が望める。
る。図１は本発明の半導体光検出装置の一実施例を示す
断面図である。図１において、１は半導体基板で、例え
ばＧａＡｓからなる。２はこの半導体基板１上に形成さ
れた絶縁膜で、例えばＳｉＮ膜である。３は前記半導体
基板１上にエピタキシャル成長されたストライプ状の第
１導電型の半導体層で、例えばｐ型ＧａＡｓ層である。
４は素子保護用の絶縁膜で、例えばＳｉＮ膜である。５
は入射光を吸収する半導体超格子光吸収層で、例えば４
０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期
に形成される。６は第２導電型の半導体層で、例えばｎ
型ＧａＡｓ層である。７は第２導電型の電極で、例えば
Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ等の合金属で形成される。８は前記半
導体基板１の裏面全面に蒸着等により形成された第１導
電型の電極で、例えばＡｕ／Ｚｎで形成される。素子表
面の絶縁膜４を通して入射した光の電磁界ベクトルは超
格子面に対して全て垂直である。したがって、入射光は
全て半導体超格子光吸収層５と相互作用しうる。よっ
て、電磁界ベクトルの半分しか相互作用できない従来例
に比べ本質的に効率向上が望める。
【００１１】次に、光検出の原理について説明する。本
発明における装置の基本構造は、いわゆるＰＩＮ型フォ
トダイオードと呼ばれるものである。受光部、すなわち
半導体超格子光吸収層５、例えば４０ÅＧａＡｓ／３０
０ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期においては、ＧａＡ
ｓ井戸とＡｌＧａＡｓバリアが形成されている。各々の
井戸は唯一のサブバンドと拡張した連続的励起状態を持
つ。ここに光、例えば波長約８μｍの赤外線が入射する
とサブバンドにある電子は励起され、この連続的励起状
態、つまり伝導帯に跳び移りここをホットエレクトロン
となって走行し、光信号となって検出される。
発明における装置の基本構造は、いわゆるＰＩＮ型フォ
トダイオードと呼ばれるものである。受光部、すなわち
半導体超格子光吸収層５、例えば４０ÅＧａＡｓ／３０
０ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周期においては、ＧａＡ
ｓ井戸とＡｌＧａＡｓバリアが形成されている。各々の
井戸は唯一のサブバンドと拡張した連続的励起状態を持
つ。ここに光、例えば波長約８μｍの赤外線が入射する
とサブバンドにある電子は励起され、この連続的励起状
態、つまり伝導帯に跳び移りここをホットエレクトロン
となって走行し、光信号となって検出される。
【００１２】本発明で本質的なのは、光吸収に係る半導
体超格子光吸収層５を従来例に見られるような超格子面
と基板表面が平行になるように形成するのではなく、垂
直になるように形成することである。このためには、エ
ピタキシャル成長のシードに一旦基板上に成長したエピ
タキシャル層の側壁を用いて、ここより基板に垂直な超
格子面を成長するものである。
体超格子光吸収層５を従来例に見られるような超格子面
と基板表面が平行になるように形成するのではなく、垂
直になるように形成することである。このためには、エ
ピタキシャル成長のシードに一旦基板上に成長したエピ
タキシャル層の側壁を用いて、ここより基板に垂直な超
格子面を成長するものである。
【００１３】図２は本発明の半導体光検出装置の他の実
施例を示す断面図で、この実施例では、電極７を同一電
極材料にて形成し、上面に他の電極８を形成したもので
ある。
施例を示す断面図で、この実施例では、電極７を同一電
極材料にて形成し、上面に他の電極８を形成したもので
ある。
【００１４】以下、図３，図４に示す製造フローに従っ
て図１の半導体光検出装置の製造方法を説明する。ま
ず、図３（ａ）に示すように、半導体基板１に、例えば
プラズマＣＶＤ法により絶縁膜２を堆積させる。次い
で、例えば熱ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層１
１を堆積させる。次に、図３（ｂ）に示すように、適当
なパターニングマスクにてアモルファスシリコン層１１
を、例えばＣＨＦ3 ／ＳＦ6 プラズマによりドライエッ
チングを行い穴を形成する。次いで、例えば、バッファ
フッ酸により穴部分の絶縁膜２を除去し、基板表面を露
呈させ第１導電型の半導体層形成用の溝１２を形成す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、溝１２中に適当な
半導体エピタキシー法、例えば有機金属気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ）法を用いて第１導電型の半導体層３をエピタキ
シャル成長させる。続いて、図３（ｄ）に示すように、
エピタキシャル成長させた第１導電型の半導体層３、ア
モルファスシリコン層１１の全面を覆うように素子保護
用の絶縁膜４を、例えば熱ＣＶＤ法にて堆積させる。こ
の後、図３（ｅ）に示すように、適当なパターニングマ
スクによりアモルファスシリコン層１１の上の一部の素
子保護用の絶縁膜４を、例えばフッ酸等でエッチング除
去し、アモルファスシリコン層１１の除去用の穴１３を
形成する。
て図１の半導体光検出装置の製造方法を説明する。ま
ず、図３（ａ）に示すように、半導体基板１に、例えば
プラズマＣＶＤ法により絶縁膜２を堆積させる。次い
で、例えば熱ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層１
１を堆積させる。次に、図３（ｂ）に示すように、適当
なパターニングマスクにてアモルファスシリコン層１１
を、例えばＣＨＦ3 ／ＳＦ6 プラズマによりドライエッ
チングを行い穴を形成する。次いで、例えば、バッファ
フッ酸により穴部分の絶縁膜２を除去し、基板表面を露
呈させ第１導電型の半導体層形成用の溝１２を形成す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、溝１２中に適当な
半導体エピタキシー法、例えば有機金属気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ）法を用いて第１導電型の半導体層３をエピタキ
シャル成長させる。続いて、図３（ｄ）に示すように、
エピタキシャル成長させた第１導電型の半導体層３、ア
モルファスシリコン層１１の全面を覆うように素子保護
用の絶縁膜４を、例えば熱ＣＶＤ法にて堆積させる。こ
の後、図３（ｅ）に示すように、適当なパターニングマ
スクによりアモルファスシリコン層１１の上の一部の素
子保護用の絶縁膜４を、例えばフッ酸等でエッチング除
去し、アモルファスシリコン層１１の除去用の穴１３を
形成する。
【００１５】次いで、図４（ａ）に示すように、穴１３
を通して、例えばＣＨＦ3 ／ＳＦ6プラズマエッチング
によりアモルファスシリコン層１１を分解除去し、半導
体超格子光吸収層形成用の穴１４を形成する。ここで、
先にエピタキシャル成長した第１導電型の半導体層３の
側壁（サイドウォール１６）が露呈される。この後、図
４（ｂ）に示すように、サイドウォール１６をシードと
して、例えばＭＯＣＶＤ法，ハイドライド気相成長法
（ＶＰＥ）等により、半導体超格子光吸収層５、例えば
４０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周
期を形成する。なお、穴１４は完全に埋め込まず一部、
すなわち第２導電型の半導体層形成用の溝１５を残して
おく。次に、図４（ｃ）に示すように、先と同様の半導
体結晶成長法を用い、第２導電型の半導体層６、例えば
成長時にＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓ層をエピタ
キシャル成長させる。最後に、図４（ｄ）に示すよう
に、第２導電型の半導体層６の上部に、第２導電型の電
極７を蒸着し、また、半導体基板１の裏面全面には第１
導電型の電極８を蒸着形成し、本発明に係る半導体光検
出装置は完成する。
を通して、例えばＣＨＦ3 ／ＳＦ6プラズマエッチング
によりアモルファスシリコン層１１を分解除去し、半導
体超格子光吸収層形成用の穴１４を形成する。ここで、
先にエピタキシャル成長した第１導電型の半導体層３の
側壁（サイドウォール１６）が露呈される。この後、図
４（ｂ）に示すように、サイドウォール１６をシードと
して、例えばＭＯＣＶＤ法，ハイドライド気相成長法
（ＶＰＥ）等により、半導体超格子光吸収層５、例えば
４０ÅＧａＡｓ／３００ÅＡｌ0.31Ｇａ0.69Ａｓ５０周
期を形成する。なお、穴１４は完全に埋め込まず一部、
すなわち第２導電型の半導体層形成用の溝１５を残して
おく。次に、図４（ｃ）に示すように、先と同様の半導
体結晶成長法を用い、第２導電型の半導体層６、例えば
成長時にＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓ層をエピタ
キシャル成長させる。最後に、図４（ｄ）に示すよう
に、第２導電型の半導体層６の上部に、第２導電型の電
極７を蒸着し、また、半導体基板１の裏面全面には第１
導電型の電極８を蒸着形成し、本発明に係る半導体光検
出装置は完成する。
【００１６】なお、上記実施例では、第１導電型の半導
体基板１を用い、電流は半導体基板１の表裏方向に流れ
る構造となっているが、半絶縁性の基板を用い、第１導
電型，第２導電型の電極８，７を基板表面の同一面に形
成して検出する光を基板裏面より入射させても良い。こ
の例を図５（ａ），（ｂ）により説明する。図５（ａ）
に示すように、第２導電型の半導体層６で穴１４を埋め
込んだ後、素子保護用の絶縁膜４の第１導電型の半導体
層３上部の一部をフッ酸等によりエッチング除去し、第
１導電型の電極形成用の穴１７を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、第２導電型の電極７を第２導電型
の半導体層６上に形成し、また、第１導電型の電極８を
第１導電型の半導体層３上に形成することによって、本
発明の他の実施例による半導体光検出装置が完成する。
体基板１を用い、電流は半導体基板１の表裏方向に流れ
る構造となっているが、半絶縁性の基板を用い、第１導
電型，第２導電型の電極８，７を基板表面の同一面に形
成して検出する光を基板裏面より入射させても良い。こ
の例を図５（ａ），（ｂ）により説明する。図５（ａ）
に示すように、第２導電型の半導体層６で穴１４を埋め
込んだ後、素子保護用の絶縁膜４の第１導電型の半導体
層３上部の一部をフッ酸等によりエッチング除去し、第
１導電型の電極形成用の穴１７を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、第２導電型の電極７を第２導電型
の半導体層６上に形成し、また、第１導電型の電極８を
第１導電型の半導体層３上に形成することによって、本
発明の他の実施例による半導体光検出装置が完成する。
【００１７】なお、上記実施例では、第１導電型の電極
金属を基板裏面全面に形成し、検出光は表面より入射さ
せることを前提としたが、裏面の一部にのみ電極を形成
し、表裏両面より検出光を入射させても良い。
金属を基板裏面全面に形成し、検出光は表面より入射さ
せることを前提としたが、裏面の一部にのみ電極を形成
し、表裏両面より検出光を入射させても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項
１、２に記載の発明は、半導体基板上に部分的に第１導
電型の半導体層を形成し、この第１導電型の半導体層の
側壁を半導体超格子光吸収層の成長シードとして半導体
超格子光吸収層を形成したので、以下に記載するような
効果を奏する。
１、２に記載の発明は、半導体基板上に部分的に第１導
電型の半導体層を形成し、この第１導電型の半導体層の
側壁を半導体超格子光吸収層の成長シードとして半導体
超格子光吸収層を形成したので、以下に記載するような
効果を奏する。
【００１９】半導体基板の研磨が必要でないため、製造
工程は簡略化され効率良く装置が作製できる。また、基
板に対して垂直に光を入射させることができるため、入
射光成分は全て超格子面に対し垂直となって吸収される
ので、量子効率の向上が望める。また、同一半導体基板
上に多数の素子を形成できるため、開口部面積、すなわ
ち受光面積が増加し高感度な装置となる。さらに、同一
基板上での集積化が可能であるため、２次元的撮像素子
として使用できる。
工程は簡略化され効率良く装置が作製できる。また、基
板に対して垂直に光を入射させることができるため、入
射光成分は全て超格子面に対し垂直となって吸収される
ので、量子効率の向上が望める。また、同一半導体基板
上に多数の素子を形成できるため、開口部面積、すなわ
ち受光面積が増加し高感度な装置となる。さらに、同一
基板上での集積化が可能であるため、２次元的撮像素子
として使用できる。
【図１】本発明の一実施例による半導体光検出装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す半導体光検出装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の半導体光検出装置の製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図３に引き続く製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の他の製造方法の工程を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体光検出装置を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 第１導電型の半導体層 ４ 素子保護用の絶縁膜 ５ 半導体超格子光吸収層 ６ 第２導電型の半導体層 ７ 第２導電型の電極 ８ 第１導電型の電極 １１ アモルファスシリコン層 １２ 第１導電型の半導体層形成用の溝 １３ アモルファスシリコン層除去用の穴 １４ 半導体超格子光吸収層形成用の穴 １５ 第２導電型の半導体層形成用の溝 １６ サイドウォール １７ 第１導電型の電極形成用の穴
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された第１導電型の
半導体層と第２導電型の半導体層の間に、光吸収層面が
前記半導体基板表面と垂直に形成された半導体超格子光
吸収層を設けたことを特徴とする半導体光検出装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に所定パターンで第１導電
型の半導体層を形成し、この第１導電型の半導体層の側
壁をそのシードとして半導体超格子光吸収層を前記半導
体基板面に垂直に形成する工程を含むことを特徴とする
半導体光検出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209241A JPH0548135A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体光検出装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209241A JPH0548135A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体光検出装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548135A true JPH0548135A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16569701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209241A Pending JPH0548135A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 半導体光検出装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227450A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
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1991
- 1991-08-21 JP JP3209241A patent/JPH0548135A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227450A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
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