JPH0548154A - 酸化物超電導体チツプの製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体チツプの製造方法Info
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- JPH0548154A JPH0548154A JP3229403A JP22940391A JPH0548154A JP H0548154 A JPH0548154 A JP H0548154A JP 3229403 A JP3229403 A JP 3229403A JP 22940391 A JP22940391 A JP 22940391A JP H0548154 A JPH0548154 A JP H0548154A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイシング時の水分等で酸化物超電導膜が劣
化することを防止でき、カット精度に優れる酸化物超電
導体チップの製造方法を得ること。 【構成】 基板上に形成された、酸化物超電導膜パター
ンからなる複数の素子単位の上に耐水性保護膜（１）を
設ける工程、その耐水性保護膜を介して基板（２）をダ
イシング用テープ（３）と接着して固定する工程、ダイ
シング用テープに固定された基板（２）を基板側よりカ
ッターにて素子単位（２１）にダイシングする工程から
なる酸化物超電導体チップの製造方法。 【効果】 超電導特性の維持率に優れる小サイズの酸化
物超電導体チップを効率的に製造できる。
化することを防止でき、カット精度に優れる酸化物超電
導体チップの製造方法を得ること。 【構成】 基板上に形成された、酸化物超電導膜パター
ンからなる複数の素子単位の上に耐水性保護膜（１）を
設ける工程、その耐水性保護膜を介して基板（２）をダ
イシング用テープ（３）と接着して固定する工程、ダイ
シング用テープに固定された基板（２）を基板側よりカ
ッターにて素子単位（２１）にダイシングする工程から
なる酸化物超電導体チップの製造方法。 【効果】 超電導特性の維持率に優れる小サイズの酸化
物超電導体チップを効率的に製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導膜パター
ンの水分劣化を防止した、カット精度に優れる酸化物超
電導体チップの製造方法に関する。
ンの水分劣化を防止した、カット精度に優れる酸化物超
電導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の素子単位を構成する回路パ
ターンを形成した半導体ウエハを、ダイシング用テープ
に接着固定したのち、それをダイヤモンドソー等からな
るカッターにて素子単位にダイシング（分断）する半導
体チップの製造方法が知られていた。かかる方法は、手
作業等によるカッティングでは形成が困難な小さいチッ
プでも容易に、かつ効率的に形成できる利点があるが、
そのダイシング時に水を供給してカッターの冷却や切削
屑の除去等を行う必要がある。
ターンを形成した半導体ウエハを、ダイシング用テープ
に接着固定したのち、それをダイヤモンドソー等からな
るカッターにて素子単位にダイシング（分断）する半導
体チップの製造方法が知られていた。かかる方法は、手
作業等によるカッティングでは形成が困難な小さいチッ
プでも容易に、かつ効率的に形成できる利点があるが、
そのダイシング時に水を供給してカッターの冷却や切削
屑の除去等を行う必要がある。
【０００３】しかしながら、前記の方法を酸化物超電導
体チップの製造に適用した場合、ダイシング時に供給す
る水により酸化物超電導膜が劣化する問題点があった。
体チップの製造に適用した場合、ダイシング時に供給す
る水により酸化物超電導膜が劣化する問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、酸化物超電
導膜の水分劣化を防止した、カット精度に優れる酸化物
超電導体チップの製造方法の開発を課題とする。
導膜の水分劣化を防止した、カット精度に優れる酸化物
超電導体チップの製造方法の開発を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された、酸化物超電導膜パターンからなる複数の素子単
位の上に耐水性保護膜を設ける工程、その耐水性保護膜
を介して基板をダイシング用テープと接着して固定する
工程、ダイシング用テープに固定された基板を基板側よ
りカッターにて素子単位にダイシングする工程からなる
ことを特徴とする酸化物超電導体チップの製造方法を提
供するものである。
された、酸化物超電導膜パターンからなる複数の素子単
位の上に耐水性保護膜を設ける工程、その耐水性保護膜
を介して基板をダイシング用テープと接着して固定する
工程、ダイシング用テープに固定された基板を基板側よ
りカッターにて素子単位にダイシングする工程からなる
ことを特徴とする酸化物超電導体チップの製造方法を提
供するものである。
【０００６】
【作用】上記の方法により、耐水性保護膜が水分を遮断
して内部の酸化物超電導膜パターンがダイシング時に供
給する水分で劣化することを防止できる。
して内部の酸化物超電導膜パターンがダイシング時に供
給する水分で劣化することを防止できる。
【０００７】
【実施例】本発明は、基板上に形成された、酸化物超電
導膜パターンからなる複数の素子単位を、その素子単位
毎に分断して酸化物超電導体チップを得るものであり、
そのために先ず、基板上の酸化物超電導膜パターンから
なる複数の素子単位の上に耐水性保護膜を設ける。
導膜パターンからなる複数の素子単位を、その素子単位
毎に分断して酸化物超電導体チップを得るものであり、
そのために先ず、基板上の酸化物超電導膜パターンから
なる複数の素子単位の上に耐水性保護膜を設ける。
【０００８】耐水性保護膜を設ける対象の、酸化物超電
導膜パターンからなる複数の素子単位を有する基板は、
適宜に形成したものであってよい。その例としては、Ｍ
gＯやＳrＴiＯ3等のセラミックなどからなる適宜な基板
上に設けた酸化物超電導膜を所定のパターンにエッチン
グ処理する方法などがあげられる。
導膜パターンからなる複数の素子単位を有する基板は、
適宜に形成したものであってよい。その例としては、Ｍ
gＯやＳrＴiＯ3等のセラミックなどからなる適宜な基板
上に設けた酸化物超電導膜を所定のパターンにエッチン
グ処理する方法などがあげられる。
【０００９】酸化物超電導膜のエッチング処理は例え
ば、フォトリソグラフィー方式などにより酸化物超電導
膜の上にレジスト等のパターンニングを施したのち、塩
素ガス、アルゴンガス、水素ガス等の適宜なエッチャン
トを用いたリアクティブイオンエッチング方式、イオン
ビームエッチング方式、レーザービームエッチング方
式、ＥＣＲプラズマエッチング方式などにより行うこと
ができる。
ば、フォトリソグラフィー方式などにより酸化物超電導
膜の上にレジスト等のパターンニングを施したのち、塩
素ガス、アルゴンガス、水素ガス等の適宜なエッチャン
トを用いたリアクティブイオンエッチング方式、イオン
ビームエッチング方式、レーザービームエッチング方
式、ＥＣＲプラズマエッチング方式などにより行うこと
ができる。
【００１０】形成する酸化物超電導膜パターンは、ダイ
オードやトランジスタ、あるいはセンサーなどの、目的
とする超電導応用デバイスにより決定される。本発明に
用いられる基板は、かかる超電導応用デバイスとしての
素子単位を複数形成したものである。
オードやトランジスタ、あるいはセンサーなどの、目的
とする超電導応用デバイスにより決定される。本発明に
用いられる基板は、かかる超電導応用デバイスとしての
素子単位を複数形成したものである。
【００１１】なおエッチング処理後、酸化物超電導膜パ
ターン上に残存するレジスト層等は、例えば酸素ガスを
用いたリアクティブイオンエッチング方式などのＯ2ア
ッシング方式などにより除去することができる。また、
基板上への酸化物超電導膜の形成は、例えばスパッタリ
ング法、レーザースパッタリング法、イオンビームスパ
ッタリング法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾル・ゲル
法、噴霧熱分解法などの任意な方式で行うことができ
る。
ターン上に残存するレジスト層等は、例えば酸素ガスを
用いたリアクティブイオンエッチング方式などのＯ2ア
ッシング方式などにより除去することができる。また、
基板上への酸化物超電導膜の形成は、例えばスパッタリ
ング法、レーザースパッタリング法、イオンビームスパ
ッタリング法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾル・ゲル
法、噴霧熱分解法などの任意な方式で行うことができ
る。
【００１２】基板上に形成する酸化物超電導膜は任意で
ある。その例としては、ＹＢa2Ｃu3ＯyやＹＢa2Ｃu4Ｏy
の如きＹ系酸化物超電導体、Ｂa1-xＫxＢiＯ3の如きＢa
系酸化物超電導体、Ｎd2-xＣexＣuＯyの如きＮd系酸化
物超電導体、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy、Ｂi2-xＰbxＳr2Ｃa2
Ｃu3Ｏyの如きＢi系酸化物超電導体、その他Ｌa系酸化
物超電導体、Ｔl系酸化物超電導体、Ｐb系酸化物超電導
体などからなるものがあげられる。
ある。その例としては、ＹＢa2Ｃu3ＯyやＹＢa2Ｃu4Ｏy
の如きＹ系酸化物超電導体、Ｂa1-xＫxＢiＯ3の如きＢa
系酸化物超電導体、Ｎd2-xＣexＣuＯyの如きＮd系酸化
物超電導体、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy、Ｂi2-xＰbxＳr2Ｃa2
Ｃu3Ｏyの如きＢi系酸化物超電導体、その他Ｌa系酸化
物超電導体、Ｔl系酸化物超電導体、Ｐb系酸化物超電導
体などからなるものがあげられる。
【００１３】また、前記のＹ等の成分を他の希土類元素
で置換したものや、Ｂa等の成分を他のアルカリ土類金
属で置換したもの、あるいはＯ成分をＦなどで置換した
ものなどもあげられる。さらに、ピンニングセンターを
含有させたものなどもあげられる。
で置換したものや、Ｂa等の成分を他のアルカリ土類金
属で置換したもの、あるいはＯ成分をＦなどで置換した
ものなどもあげられる。さらに、ピンニングセンターを
含有させたものなどもあげられる。
【００１４】図１に例示の如く、酸化物超電導膜パター
ンの上に設ける耐水性保護膜１は、ダイシング時に水分
が内部の酸化物超電導膜部分に侵入することを防止する
ものであればよい。その例としては、ＳiＯ2やＳiＮxの
如きセラミックなどからなる膜があげられる。耐水性保
護膜の形成は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法な
どの適宜な方式で行うことができる。形成する耐水性保
護膜の厚さは、防水性能等に応じて適宜に決定される
が、通例５００μm以下、就中１〜１００μmである。な
お図中の２は、酸化物超電導膜パターンからなる複数の
素子単位が形成された基板である。
ンの上に設ける耐水性保護膜１は、ダイシング時に水分
が内部の酸化物超電導膜部分に侵入することを防止する
ものであればよい。その例としては、ＳiＯ2やＳiＮxの
如きセラミックなどからなる膜があげられる。耐水性保
護膜の形成は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法な
どの適宜な方式で行うことができる。形成する耐水性保
護膜の厚さは、防水性能等に応じて適宜に決定される
が、通例５００μm以下、就中１〜１００μmである。な
お図中の２は、酸化物超電導膜パターンからなる複数の
素子単位が形成された基板である。
【００１５】図２に例示の如く、酸化物超電導膜パター
ンからなる複数の素子単位の上に設けられた耐水性保護
膜は、必要に応じて素子単位の大きさに応じた適宜な面
積単位１１にパターンニングされる。そのパターンニン
グは例えば、上記した酸化物超電導膜のエッチング処理
に準じた方式などにより行うことができる。
ンからなる複数の素子単位の上に設けられた耐水性保護
膜は、必要に応じて素子単位の大きさに応じた適宜な面
積単位１１にパターンニングされる。そのパターンニン
グは例えば、上記した酸化物超電導膜のエッチング処理
に準じた方式などにより行うことができる。
【００１６】本発明において、耐水性保護膜が設けられ
た基板は、次に図３に例示の如く、その耐水性保護膜１
１を介してダイシング用テープ３と接着され、固定され
る。ダイシング用テープとしては、例えばプラスチック
フィルム等からなる支持基材に粘着剤層を設けてなる接
着テープなど、半導体チップの製造に用いられるものな
どを用いることができる。
た基板は、次に図３に例示の如く、その耐水性保護膜１
１を介してダイシング用テープ３と接着され、固定され
る。ダイシング用テープとしては、例えばプラスチック
フィルム等からなる支持基材に粘着剤層を設けてなる接
着テープなど、半導体チップの製造に用いられるものな
どを用いることができる。
【００１７】ダイシング用テープに固定された基板は、
次に図４に例示の如く、ダイヤモンドソーの如きカッタ
ーを用いて、冷却水ないし洗浄水等の供給下に、基板２
側より素子単位２１にダイシングされる。ダイシング処
理は、図例の如く基板２に容易にブレーキングできる程
度の切れ目４を入れる程度のものであってもよいし、基
板２を完全に分断するものであってもよい。前者の場合
には、必要な段階でその切れ目４を利用して押圧ローラ
等を押し付けて素子単位２１にブレーキングされ、ダイ
シング用テープより剥離されて図５に例示の如き酸化物
超電導体チップ２２が得られる。
次に図４に例示の如く、ダイヤモンドソーの如きカッタ
ーを用いて、冷却水ないし洗浄水等の供給下に、基板２
側より素子単位２１にダイシングされる。ダイシング処
理は、図例の如く基板２に容易にブレーキングできる程
度の切れ目４を入れる程度のものであってもよいし、基
板２を完全に分断するものであってもよい。前者の場合
には、必要な段階でその切れ目４を利用して押圧ローラ
等を押し付けて素子単位２１にブレーキングされ、ダイ
シング用テープより剥離されて図５に例示の如き酸化物
超電導体チップ２２が得られる。
【００１８】なお、得られた酸化物超電導体チップにお
ける酸化物超電導膜パターンの上に残存する耐水性保護
膜は、後続工程における保護膜として存置しておいても
よいし、除去してもよい。その除去は、エッチング方式
等により適宜に行ってよいが、耐水性保護膜のあるほう
が超電導特性の劣化防止に有効であるので、一般には存
置される。
ける酸化物超電導膜パターンの上に残存する耐水性保護
膜は、後続工程における保護膜として存置しておいても
よいし、除去してもよい。その除去は、エッチング方式
等により適宜に行ってよいが、耐水性保護膜のあるほう
が超電導特性の劣化防止に有効であるので、一般には存
置される。
【００１９】ちなみに、ＭgＯ基板上にゾル・ゲル法で形
成した厚さ１０μmのＹＢa2Ｃu3Ｏy系酸化物超電導膜
を、その上にフォトリソグラフィー方式でパターンニン
グしてレジストパターンを形成後、平行平板型リアクテ
ィブイオンエッチング装置を用いて、５／１０6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空下に塩素ガスと水素ガスによりエッチング
処理し、次いで酸素ガスにより酸化物超電導膜パターン
上のレジストを除去して得た、酸化物超電導膜パターン
からなる複数の素子単位を有するＭgＯ基板を用いて、
その酸化物超電導膜パターンの上にスパッタリング方式
により、厚さ１０μmのＳiＯ2膜を設けた。
成した厚さ１０μmのＹＢa2Ｃu3Ｏy系酸化物超電導膜
を、その上にフォトリソグラフィー方式でパターンニン
グしてレジストパターンを形成後、平行平板型リアクテ
ィブイオンエッチング装置を用いて、５／１０6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空下に塩素ガスと水素ガスによりエッチング
処理し、次いで酸素ガスにより酸化物超電導膜パターン
上のレジストを除去して得た、酸化物超電導膜パターン
からなる複数の素子単位を有するＭgＯ基板を用いて、
その酸化物超電導膜パターンの上にスパッタリング方式
により、厚さ１０μmのＳiＯ2膜を設けた。
【００２０】次に、前記で得たＭgＯ基板をそのＳiＯ2
膜を介して、ポリエステルフィルム上にアクリル系粘着
剤層を設けてなるダイシング用テープに接着して固定し
たのち、その基板側よりタイヤモンドソーを用いて冷却
水の供給下に素子単位に切れ目を入れ、ついで押圧ロー
ラを押し付けてブレーキングすると共に、ダイシング用
テープより剥離して５mm角の酸化物超電導体チップを得
た。
膜を介して、ポリエステルフィルム上にアクリル系粘着
剤層を設けてなるダイシング用テープに接着して固定し
たのち、その基板側よりタイヤモンドソーを用いて冷却
水の供給下に素子単位に切れ目を入れ、ついで押圧ロー
ラを押し付けてブレーキングすると共に、ダイシング用
テープより剥離して５mm角の酸化物超電導体チップを得
た。
【００２１】前記において、ＳiＯ2膜付与前における酸
化物超電導膜パターンの臨界温度は８８Ｋで、臨界電流
密度は７５００Ａ／cm2（７７.３Ｋ）であり、得られた
酸化物超電導体チップにおける酸化物超電導膜パターン
の臨界温度は８８Ｋで、臨界電流密度は７５００Ａ／cm
2（７７.３Ｋ）であった。
化物超電導膜パターンの臨界温度は８８Ｋで、臨界電流
密度は７５００Ａ／cm2（７７.３Ｋ）であり、得られた
酸化物超電導体チップにおける酸化物超電導膜パターン
の臨界温度は８８Ｋで、臨界電流密度は７５００Ａ／cm
2（７７.３Ｋ）であった。
【００２２】一方、比較のために、ＳiＯ2膜を設けない
ほかは前記の実施例に準じて酸化物超電導体チップを得
た。得られた酸化物超電導体チップにおける酸化物超電
導膜パターンの臨界温度は６０Ｋで、臨界電流密度は８
００Ａ／cm2（７７.３Ｋ）であった。
ほかは前記の実施例に準じて酸化物超電導体チップを得
た。得られた酸化物超電導体チップにおける酸化物超電
導膜パターンの臨界温度は６０Ｋで、臨界電流密度は８
００Ａ／cm2（７７.３Ｋ）であった。
【００２３】なお前記において、臨界温度は０.１Ａ／c
m2の電流密度下、液体窒素で冷却しながら４端子法で電
気抵抗の温度変化を測定し、電圧端子間の発生電圧が０
となったときの温度である。
m2の電流密度下、液体窒素で冷却しながら４端子法で電
気抵抗の温度変化を測定し、電圧端子間の発生電圧が０
となったときの温度である。
【００２４】また臨界電流密度は、パワーリードと共に
液体窒素で冷却しながら徐々に電流値を上げて、４端子
法により電圧端子間の電圧の印加電流による変化を測定
し、Ｘ−Ｙレコーダにおいて１μv／cmの電圧が出現し
たときの電流値を超電導体の断面積で除した値である。
液体窒素で冷却しながら徐々に電流値を上げて、４端子
法により電圧端子間の電圧の印加電流による変化を測定
し、Ｘ−Ｙレコーダにおいて１μv／cmの電圧が出現し
たときの電流値を超電導体の断面積で除した値である。
【００２５】本発明による酸化物超電導体チップの製造
方法は、例えばダイオードやトランジスタ、あるいはセ
ンサーなどの超電導を応用したデバイス、特に小型のデ
バイスを量産する場合などに好ましく用いることができ
る。
方法は、例えばダイオードやトランジスタ、あるいはセ
ンサーなどの超電導を応用したデバイス、特に小型のデ
バイスを量産する場合などに好ましく用いることができ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によればダイシング時の水分等で
酸化物超電導膜が劣化することを防止でき、超電導特性
の維持率に優れる小サイズの酸化物超電導体チップを効
率的に製造することができる。
酸化物超電導膜が劣化することを防止でき、超電導特性
の維持率に優れる小サイズの酸化物超電導体チップを効
率的に製造することができる。
【図１】耐水性保護膜付設工程の斜視説明図。
【図２】耐水性保護膜のパターンニングの斜視説明図。
【図３】基板を固定した状態の正面説明図。
【図４】ダイシング工程の正面説明図。
【図５】酸化物超電導体チップの正面説明図。
１：耐水性保護膜 １１：パターンニングされた耐水性保護膜 ２：基板 ２１：素子単位 ３：ダイシング用テープ ４：切れ目 ２２：酸化物超電導体チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成された、酸化物超電導膜パ
ターンからなる複数の素子単位の上に耐水性保護膜を設
ける工程、その耐水性保護膜を介して基板をダイシング
用テープと接着して固定する工程、ダイシング用テープ
に固定された基板を基板側よりカッターにて素子単位に
ダイシングする工程からなることを特徴とする酸化物超
電導体チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229403A JPH0548154A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 酸化物超電導体チツプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229403A JPH0548154A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 酸化物超電導体チツプの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548154A true JPH0548154A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16891666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229403A Pending JPH0548154A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 酸化物超電導体チツプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013018870A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2015-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 超電導導体の製造方法、超電導導体および超電導導体用基板 |
| EP4533929A1 (en) * | 2022-06-02 | 2025-04-09 | Subra A/S | Plurality of superconducting filaments |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP3229403A patent/JPH0548154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013018870A1 (ja) * | 2011-08-02 | 2015-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 超電導導体の製造方法、超電導導体および超電導導体用基板 |
| EP4533929A1 (en) * | 2022-06-02 | 2025-04-09 | Subra A/S | Plurality of superconducting filaments |
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