JPH0548404B2 - - Google Patents
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- JPH0548404B2 JPH0548404B2 JP59188485A JP18848584A JPH0548404B2 JP H0548404 B2 JPH0548404 B2 JP H0548404B2 JP 59188485 A JP59188485 A JP 59188485A JP 18848584 A JP18848584 A JP 18848584A JP H0548404 B2 JPH0548404 B2 JP H0548404B2
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- Japan
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- pyroelectric
- along
- imaginary straight
- plate
- electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/193—Infrared image sensors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、画像処理装置などに適用するための
二次元焦電型イメージセンサに関する。
二次元焦電型イメージセンサに関する。
焦電型イメージセンサとしては、スリツトによ
つて所定方向に焦電素子を並列形成した焦電素子
群を支持基板に接続固定し、焦電素子からの出力
を電極により時系列信号として取出すものがある
（例えば、特開昭57−120830号公報）。
つて所定方向に焦電素子を並列形成した焦電素子
群を支持基板に接続固定し、焦電素子からの出力
を電極により時系列信号として取出すものがある
（例えば、特開昭57−120830号公報）。
しかしながら、上記センサは一次元の信号を取
出すものであり、二次元の信号を取出せるように
しようとすれば、支持基板の多数を、焦電素子の
並列方向と直交する方向に並置し、例えば、焦電
素子の並列方向をＸ方向に、そして、支持基板の
並置方向をＹ方向にといつたようにして信号を取
出さざるを得ない。
出すものであり、二次元の信号を取出せるように
しようとすれば、支持基板の多数を、焦電素子の
並列方向と直交する方向に並置し、例えば、焦電
素子の並列方向をＸ方向に、そして、支持基板の
並置方向をＹ方向にといつたようにして信号を取
出さざるを得ない。
ところが、このような構成とした場合には、焦
電素子の並設ピツチがＸ方向とＹ方向とで異なつ
ていることになる結果、画像処理などの必要な動
作を行わせるためには種々の補正を加えなければ
ならず、実用上のさまざまな不都合が生じること
になつてしまう。
電素子の並設ピツチがＸ方向とＹ方向とで異なつ
ていることになる結果、画像処理などの必要な動
作を行わせるためには種々の補正を加えなければ
ならず、実用上のさまざまな不都合が生じること
になつてしまう。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、上記の点に鑑み、単体としての二次
元焦電型イメージセンサを、解像度高くして提供
しようとするものである。
元焦電型イメージセンサを、解像度高くして提供
しようとするものである。
本発明の二次元焦電型イメージセンサは、上記
問題点を解決するために、焦電体板の縦横方向に
沿つて互いに離間する所定位置ごとに形成されて
前記焦電体板を表裏面方向に沿つて貫通する空間
を有し、縦横方向のいずれか一方に沿いつつ所定
間隔を隔てて設定された第１仮想直線のそれぞれ
上において隣り合う前記空間で挟まれたすべて若
しくは所定の箇所を検出部として構成するととも
に、各第１仮想直線上に位置する前記検出部のそ
れぞれを構成すべく前記焦電体板の表面に形成さ
れた電極のすべてと、各第１仮想直線に沿つて延
出されたうえで前記焦電体板の表面側端部に形成
された第１の電極とを導通接続する一方、前記縦
横方向の他方に沿いつつ所定間隔を隔てて設定さ
れた第２仮想直線のそれぞれ上に位置する各検出
部を構成すべく前記焦電体板の裏面に形成された
電極のすべてと、各第２仮想直線に沿つて延出さ
れたうえで前記焦電体板の裏面側端部に形成され
た第２の電極とを導通接続していることを特徴と
するものである。
問題点を解決するために、焦電体板の縦横方向に
沿つて互いに離間する所定位置ごとに形成されて
前記焦電体板を表裏面方向に沿つて貫通する空間
を有し、縦横方向のいずれか一方に沿いつつ所定
間隔を隔てて設定された第１仮想直線のそれぞれ
上において隣り合う前記空間で挟まれたすべて若
しくは所定の箇所を検出部として構成するととも
に、各第１仮想直線上に位置する前記検出部のそ
れぞれを構成すべく前記焦電体板の表面に形成さ
れた電極のすべてと、各第１仮想直線に沿つて延
出されたうえで前記焦電体板の表面側端部に形成
された第１の電極とを導通接続する一方、前記縦
横方向の他方に沿いつつ所定間隔を隔てて設定さ
れた第２仮想直線のそれぞれ上に位置する各検出
部を構成すべく前記焦電体板の裏面に形成された
電極のすべてと、各第２仮想直線に沿つて延出さ
れたうえで前記焦電体板の裏面側端部に形成され
た第２の電極とを導通接続していることを特徴と
するものである。
上記構成によれば、各第１仮想直線に沿つて延
出されることによつて焦電体板における縦横方向
の他方側に沿つて並んだ第１の電極それぞれがＹ
方向成分を表すことになり、また、各第２仮想直
線に沿つて延出されることによつて焦電体板にお
ける縦横方向の一方側に沿つて並んだ第２の電極
それぞれがＸ方向成分を表すことになる。そこ
で、空間を介して互いに分離した状態で配置され
た検出部それぞれからの信号に基づいてＸ方向及
びＹ方向、即ち、二次元方向での位置が検出され
ることになり、この検出結果が画像処理などに有
効利用されるのである。
出されることによつて焦電体板における縦横方向
の他方側に沿つて並んだ第１の電極それぞれがＹ
方向成分を表すことになり、また、各第２仮想直
線に沿つて延出されることによつて焦電体板にお
ける縦横方向の一方側に沿つて並んだ第２の電極
それぞれがＸ方向成分を表すことになる。そこ
で、空間を介して互いに分離した状態で配置され
た検出部それぞれからの信号に基づいてＸ方向及
びＹ方向、即ち、二次元方向での位置が検出され
ることになり、この検出結果が画像処理などに有
効利用されるのである。
次に、本発明の実施例を図面に基いて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る二次元焦電型イメージセ
ンサの第１実施例を示し、第１図のａは平面図、
第１図のｂは第１図ａのＸ−Ｘ線断面図である。
ンサの第１実施例を示し、第１図のａは平面図、
第１図のｂは第１図ａのＸ−Ｘ線断面図である。
１は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛系磁器、
チタン酸鉛系磁器、LiTaO3、PVF2などを材料
として、通常公知の方法によつて得られる50μｍ
以下の厚みの焦電体板である。まず、この四角形
状とされた焦電体板１の縦横方向に沿つて互いに
離間する所定位置ごとには、この焦電体板１を表
裏面方向に沿つて貫通する矩形状の空間２…が所
定間隔を隔てながら形成されている。そして、こ
の焦電体板１の縦横方向のいずれか一方（図で
は、横方向）に沿いつつ所定間隔を隔てて設定さ
れた第１仮想直線L1のそれぞれ上において隣り
合う空間…で挟まれた箇所、例えば、空間２…
夫々の長辺部分２ａ…が隣り合う箇所の夫々は、
焦電体板１の表裏面それぞれに形成された電極
と、表面側の電極を覆う熱吸収膜とからなる検出
部３…として構成されている。また、このとき、
検出部３…のそれぞれは、焦電体板１の縦横方向
の他方（図では、縦方向）に沿つて所定間隔を隔
てながら設定され、かつ、第１仮想直線L1と直
交する第２仮想直線L2のそれぞれ上にも並置さ
れた状態となつている。なお、ここで、前記空間
２…は、CO2レーザ、YAGレーザなどによつて
カツトするとか、化学エツチングやプラズマエツ
チング、あるいは、化学エツチングとレーザエツ
チングとを併用してカツトするなど各種の手段が
採用可能である。また、検出部３の一部を構成す
る熱吸収膜としては、Ni−Cr、白金黒、カーボ
ン系塗料、金属黒材料など各種材料を用いて形成
できる。
チタン酸鉛系磁器、LiTaO3、PVF2などを材料
として、通常公知の方法によつて得られる50μｍ
以下の厚みの焦電体板である。まず、この四角形
状とされた焦電体板１の縦横方向に沿つて互いに
離間する所定位置ごとには、この焦電体板１を表
裏面方向に沿つて貫通する矩形状の空間２…が所
定間隔を隔てながら形成されている。そして、こ
の焦電体板１の縦横方向のいずれか一方（図で
は、横方向）に沿いつつ所定間隔を隔てて設定さ
れた第１仮想直線L1のそれぞれ上において隣り
合う空間…で挟まれた箇所、例えば、空間２…
夫々の長辺部分２ａ…が隣り合う箇所の夫々は、
焦電体板１の表裏面それぞれに形成された電極
と、表面側の電極を覆う熱吸収膜とからなる検出
部３…として構成されている。また、このとき、
検出部３…のそれぞれは、焦電体板１の縦横方向
の他方（図では、縦方向）に沿つて所定間隔を隔
てながら設定され、かつ、第１仮想直線L1と直
交する第２仮想直線L2のそれぞれ上にも並置さ
れた状態となつている。なお、ここで、前記空間
２…は、CO2レーザ、YAGレーザなどによつて
カツトするとか、化学エツチングやプラズマエツ
チング、あるいは、化学エツチングとレーザエツ
チングとを併用してカツトするなど各種の手段が
採用可能である。また、検出部３の一部を構成す
る熱吸収膜としては、Ni−Cr、白金黒、カーボ
ン系塗料、金属黒材料など各種材料を用いて形成
できる。
さらに、焦電体板１の縦方向に沿う表面側端部
には第１の電極４…が互いに所定間隔を隔てなが
ら形成されており、各電極４は第１仮想直線L1
のそれぞれに沿う平行状態で空間２…夫々の短辺
部分２ｂ…が隣り合う箇所を通りながら、図面上
では上側に位置する第１仮想直線L1上に配置さ
れた各検出部３を構成すべく焦電体板１の表面に
形成された電極のすべてと導通接続されている。
また、焦電体板１の横方向に沿う裏面側端部には
第２の電極５…が互いに所定間隔を隔てながら形
成されており、各電極５は第２仮想直線L2のそ
れぞれに沿う平行状態で空間２…夫々の長辺部分
２ａ…どうしが隣り合う箇所を通りながら第２仮
想直線L2上に並置された検出部３…のそれぞれ
を構成すべく焦電体板１の裏面に形成された電極
のすべてと導通接続されている。
には第１の電極４…が互いに所定間隔を隔てなが
ら形成されており、各電極４は第１仮想直線L1
のそれぞれに沿う平行状態で空間２…夫々の短辺
部分２ｂ…が隣り合う箇所を通りながら、図面上
では上側に位置する第１仮想直線L1上に配置さ
れた各検出部３を構成すべく焦電体板１の表面に
形成された電極のすべてと導通接続されている。
また、焦電体板１の横方向に沿う裏面側端部には
第２の電極５…が互いに所定間隔を隔てながら形
成されており、各電極５は第２仮想直線L2のそ
れぞれに沿う平行状態で空間２…夫々の長辺部分
２ａ…どうしが隣り合う箇所を通りながら第２仮
想直線L2上に並置された検出部３…のそれぞれ
を構成すべく焦電体板１の裏面に形成された電極
のすべてと導通接続されている。
そこで、上記構成によれば、各第１仮想直線
L1に沿つて延出されることによつて焦電体板１
における縦方向に沿つて並んだ第１の電極４…そ
れぞれがＹ方向成分を表すことになり、また、各
第２仮想直線L2に沿つて延出されることによつ
て焦電体板１における横方向に沿つて並んだ第２
の電極５…それぞれがＸ方向成分を表すことにな
る。なお、ここで、前記第１および第２の電極４
…、５…夫々は、フオトリソグラフイー技術によ
つて形成されるものである。
L1に沿つて延出されることによつて焦電体板１
における縦方向に沿つて並んだ第１の電極４…そ
れぞれがＹ方向成分を表すことになり、また、各
第２仮想直線L2に沿つて延出されることによつ
て焦電体板１における横方向に沿つて並んだ第２
の電極５…それぞれがＸ方向成分を表すことにな
る。なお、ここで、前記第１および第２の電極４
…、５…夫々は、フオトリソグラフイー技術によ
つて形成されるものである。
前記焦電体板１の裏面の周部所定箇所に、前記
検出部３…から離れて支持台６が設けられ、検出
部３…を熱的に良好に分離し、その感度を高める
ように構成されている。
検出部３…から離れて支持台６が設けられ、検出
部３…を熱的に良好に分離し、その感度を高める
ように構成されている。
なお、図示しないが、第１の電極４…ならびに
第２の電極５…夫々の端部には、後述するような
回路との導通を確保するためのリード線がボンデ
イングなどにより接続される。
第２の電極５…夫々の端部には、後述するような
回路との導通を確保するためのリード線がボンデ
イングなどにより接続される。
第２図は、本発明の第２実施例を示し、横方向
に所定間隔をへだてて形成された空間２…の長手
方向一端側どうしを更に別の空間７によつてつな
げ、かつ、切込みにより、焦電体板１と検出部３
の連結部の横断面積を小さくしており、焦電体板
１に対して片持支持状態で検出部３…が構成され
ている。第１仮想直線L1…夫々上に配置された
検出部３…の表面の電極のすべてが、図面上で左
側に位置する第１の電極４に接続され、また、第
２仮想直線L2…夫々に配置された検出部３…の
裏面の電極のすべてが、図面上で上側に位置する
第２の電極５に接続されている。
に所定間隔をへだてて形成された空間２…の長手
方向一端側どうしを更に別の空間７によつてつな
げ、かつ、切込みにより、焦電体板１と検出部３
の連結部の横断面積を小さくしており、焦電体板
１に対して片持支持状態で検出部３…が構成され
ている。第１仮想直線L1…夫々上に配置された
検出部３…の表面の電極のすべてが、図面上で左
側に位置する第１の電極４に接続され、また、第
２仮想直線L2…夫々に配置された検出部３…の
裏面の電極のすべてが、図面上で上側に位置する
第２の電極５に接続されている。
この第２実施例によれば、検出部３…夫々から
の熱拡散を良好に防止でき、解像度をより一層高
められる利点がある。
の熱拡散を良好に防止でき、解像度をより一層高
められる利点がある。
第３図は本発明の第３実施例を示し、前記空間
２…夫々がアングル状で、検出部３…が縦方向で
両持ちでありながら、その連結部の横断面積の総
和を極力小にし、機械的強度を極力低下させずに
検出部３…からの熱拡散を良好に防止するように
構成されている。
２…夫々がアングル状で、検出部３…が縦方向で
両持ちでありながら、その連結部の横断面積の総
和を極力小にし、機械的強度を極力低下させずに
検出部３…からの熱拡散を良好に防止するように
構成されている。
第４図は、上記二次元焦電型イメージセンサの
適用例を模式的に示したものである。前記の第１
の電極４の各々が、インピーダンス交換用FET
のゲート電極Ｇに接続され、他方前記の第２の電
極５が、スイツチングFETを通して接地されて
いる。
適用例を模式的に示したものである。前記の第１
の電極４の各々が、インピーダンス交換用FET
のゲート電極Ｇに接続され、他方前記の第２の電
極５が、スイツチングFETを通して接地されて
いる。
熱（赤外線）を感知した検出部３が焦電効果に
より電荷を発生し、Ｘ方向の走査に伴ない検出部
３夫々に対応するＹ方向の位置信号をそれぞれの
ソースＳから並列信号として取り出して画像処理
を行なうように回路が構成されている。
より電荷を発生し、Ｘ方向の走査に伴ない検出部
３夫々に対応するＹ方向の位置信号をそれぞれの
ソースＳから並列信号として取り出して画像処理
を行なうように回路が構成されている。
図中格子模様の実線が第１および第２の電極
４，５を示し、その交点が検出部３を示す。
４，５を示し、その交点が検出部３を示す。
駆動回路について詳述すればＹ方向の出力端子
８が、第１の電極４の夫々に対応させて、FET
のゲート電極Ｇに接線されていて、Ｘ方向の出力
端子９が第２の電極５の夫々に対応させてスイツ
チングFET（x1…xo）を介して接地されている。
８が、第１の電極４の夫々に対応させて、FET
のゲート電極Ｇに接線されていて、Ｘ方向の出力
端子９が第２の電極５の夫々に対応させてスイツ
チングFET（x1…xo）を介して接地されている。
第５図は駆動回路の他の例を示し、イメージセ
ンサを時系列に駆動させるものである。第１の電
極４が、スイツチSY1，SY2…SYoを介して接地さ
れ、第２の電極５がスイツチSX1…SXoを介して、
FETのゲート電極Ｇに接続されている。FETに
は、ドレイン電極Ｄから直流電圧が印加されてお
り、検出部３で発生した電荷により抵抗Rgに電
流が流れて電圧が発生する。電荷の読み出し方法
を第６図にもとづいて説明すると以下の様にな
る。スイツチSY1，SY2…SYoは、順次に一定期間
だけ閉となり、その期間中にSX1，SX2…SXoが順
次に閉となることにより、SYが閉となつている電
極４とSXが閉となつている電極５の交点におけ
る信号が、順次読み出されていく。FETのゲー
トに発生した電圧は、FETのソース・フオロワ
回路によりインピーダンス変換され、時系列に発
生した電圧Rsの両端の電圧変化として、直流バ
イアス電圧に重畳して交流信号がソース電極Ｓよ
り順次取出される。したがつて、この駆動回路に
よつて、シメージセンサ全域で熱（赤外線）を受
ければ出力信号が現われ、またイメージセンサの
一部で熱（赤外線）を受ければ、対応した出力信
号が現われる。もし、赤外線を放射する物体が静
止物体であれば、焦電体板１の表側、つまり、第
１の電極８…に対向する位置に温度変化を発生さ
せるためのチヨツパを設ける必要がある。この場
合、スイツチSY1…SYo，SX1…SXoを開閉する周
期、即ち、走査速度はチヨツパによるチヨツピン
グより数倍速く作動させることが好ましい。赤外
線を放射する物体が移動するものあるいは熱変化
するものであれば、対象物体の移動速度あるいは
熱変化速度よりも走査速度を数倍速くすることが
好ましい。
ンサを時系列に駆動させるものである。第１の電
極４が、スイツチSY1，SY2…SYoを介して接地さ
れ、第２の電極５がスイツチSX1…SXoを介して、
FETのゲート電極Ｇに接続されている。FETに
は、ドレイン電極Ｄから直流電圧が印加されてお
り、検出部３で発生した電荷により抵抗Rgに電
流が流れて電圧が発生する。電荷の読み出し方法
を第６図にもとづいて説明すると以下の様にな
る。スイツチSY1，SY2…SYoは、順次に一定期間
だけ閉となり、その期間中にSX1，SX2…SXoが順
次に閉となることにより、SYが閉となつている電
極４とSXが閉となつている電極５の交点におけ
る信号が、順次読み出されていく。FETのゲー
トに発生した電圧は、FETのソース・フオロワ
回路によりインピーダンス変換され、時系列に発
生した電圧Rsの両端の電圧変化として、直流バ
イアス電圧に重畳して交流信号がソース電極Ｓよ
り順次取出される。したがつて、この駆動回路に
よつて、シメージセンサ全域で熱（赤外線）を受
ければ出力信号が現われ、またイメージセンサの
一部で熱（赤外線）を受ければ、対応した出力信
号が現われる。もし、赤外線を放射する物体が静
止物体であれば、焦電体板１の表側、つまり、第
１の電極８…に対向する位置に温度変化を発生さ
せるためのチヨツパを設ける必要がある。この場
合、スイツチSY1…SYo，SX1…SXoを開閉する周
期、即ち、走査速度はチヨツパによるチヨツピン
グより数倍速く作動させることが好ましい。赤外
線を放射する物体が移動するものあるいは熱変化
するものであれば、対象物体の移動速度あるいは
熱変化速度よりも走査速度を数倍速くすることが
好ましい。
第７図は本発明の二次元焦電型イメージセンサ
の適用例の変形例を模式的に示し、前記空間２…
で挾まれた箇所のうちの適当な数箇所（図面中黒
丸で示す）には熱吸収膜を形成せずに非感熱部１
１…を構成し、その非感熱部１１…から振動信号
のみを取出すように構成されている。そして、こ
の非感熱部１１…からの振動信号に基いてセンサ
全体の振動信号を演算処理し、検出部３…から取
出される信号中に雑音として混じつている振動信
号を補正し、感度および解像度をより一層高める
ことができるように構成されている。
の適用例の変形例を模式的に示し、前記空間２…
で挾まれた箇所のうちの適当な数箇所（図面中黒
丸で示す）には熱吸収膜を形成せずに非感熱部１
１…を構成し、その非感熱部１１…から振動信号
のみを取出すように構成されている。そして、こ
の非感熱部１１…からの振動信号に基いてセンサ
全体の振動信号を演算処理し、検出部３…から取
出される信号中に雑音として混じつている振動信
号を補正し、感度および解像度をより一層高める
ことができるように構成されている。
以上説明したように、本発明の二次元焦電型イ
メージセンサによれば、単体でありながら二次元
方向での位置を検出でき、画像の検知などをも良
好に行える新規な焦電型イメージセンサを提供で
きた。しかも、隣り合う検出部が、空間により互
いに熱的に分離されており、熱による相互干渉、
いわゆるクロストークを抑制できて解像度ならび
に感度のいずれをも高められるようになつた。
メージセンサによれば、単体でありながら二次元
方向での位置を検出でき、画像の検知などをも良
好に行える新規な焦電型イメージセンサを提供で
きた。しかも、隣り合う検出部が、空間により互
いに熱的に分離されており、熱による相互干渉、
いわゆるクロストークを抑制できて解像度ならび
に感度のいずれをも高められるようになつた。
第１図は本発明の第１実施例を示し、第１図ａ
は平面図、第１図ｂは第１図ａのＸ−Ｘ線断面
図、第２図は本発明の第２実施例の平面図、第３
図は本発明の第３実施例の平面図、第４図は本発
明を適用した画像処理装置を示し、駆動回路と共
に示した模式図である。第５図は駆動回路の他の
例を示す回路図、第６図は電荷の読み出し方法を
説明する図、第７図は変形例を示す模式図であ
る。 １……焦電体板、２……空間、３……検出部、
４……第１の電極、５……第２の電極、L1……
第１仮想直線、L2……第２仮想直線。
は平面図、第１図ｂは第１図ａのＸ−Ｘ線断面
図、第２図は本発明の第２実施例の平面図、第３
図は本発明の第３実施例の平面図、第４図は本発
明を適用した画像処理装置を示し、駆動回路と共
に示した模式図である。第５図は駆動回路の他の
例を示す回路図、第６図は電荷の読み出し方法を
説明する図、第７図は変形例を示す模式図であ
る。 １……焦電体板、２……空間、３……検出部、
４……第１の電極、５……第２の電極、L1……
第１仮想直線、L2……第２仮想直線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 焦電体板の縦横方向に沿つて互いに離間する
所定位置ごとに形成されて前記焦電体板を表裏面
方向に沿つて貫通する空間を有し、縦横方向のい
ずれか一方に沿いつつ所定間隔を隔てて設定され
た第１仮想直線のそれぞれ上において隣り合う前
記空間で挟まれたすべて若しくは所定の箇所を検
出部として構成するとともに、 各第１仮想直線上に位置する前記検出部のそれ
ぞれを構成すべく前記焦電体板の表面に形成され
た電極のすべてと、各第１仮想直線に沿つて延出
されたうえで前記焦電体板の表面側端部に形成さ
れた第１の電極とを導通接続する一方、 前記縦横方向の他方に沿いつつ所定間隔を隔て
て設定された第２仮想直線のそれぞれ上に位置す
る各検出部を構成すべく前記焦電体板の裏面に形
成された電極のすべてと、各第２仮想直線に沿つ
て延出されたうえで前記焦電体板の裏面側端部に
形成された第２の電極とを導通接続していること
を特徴とする二次元焦電型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188485A JPS6166128A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 二次元焦電型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188485A JPS6166128A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 二次元焦電型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166128A JPS6166128A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0548404B2 true JPH0548404B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=16224554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59188485A Granted JPS6166128A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 二次元焦電型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166128A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4876304B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2012-02-15 | パナソニック電工株式会社 | 焦電型赤外線センサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120830A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting element for pyroelectric type linear array infrared ray and its preparation |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59188485A patent/JPS6166128A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6166128A (ja) | 1986-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |