JPH0549213B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0549213B2 JPH0549213B2 JP61117932A JP11793286A JPH0549213B2 JP H0549213 B2 JPH0549213 B2 JP H0549213B2 JP 61117932 A JP61117932 A JP 61117932A JP 11793286 A JP11793286 A JP 11793286A JP H0549213 B2 JPH0549213 B2 JP H0549213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resist
- film
- pattern
- resist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光露光方式におけるフオトマスクの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〈従来の技術〉
従来のフオトマスク製造工程は、第４図ａ〜ｅ
に示す工程からなる。マスク基板１に、Crなど
の光を通過させない薄膜２を蒸着、スパツタリン
グなどで付着し（第４図ａ）、上記薄膜２上にレ
ジスト膜３を塗布する（第４図ｂ）。次に、上記
レジスト膜３を露光・現像してレジストパターン
４を形成する（第４図ｃ）。次に薄膜２をエツチ
ングし（第４図ｄ）、最後にレジスト膜３を除去
して、マスクパターン５を有するフオトマスクを
形成する（第４図ｅ）。
に示す工程からなる。マスク基板１に、Crなど
の光を通過させない薄膜２を蒸着、スパツタリン
グなどで付着し（第４図ａ）、上記薄膜２上にレ
ジスト膜３を塗布する（第４図ｂ）。次に、上記
レジスト膜３を露光・現像してレジストパターン
４を形成する（第４図ｃ）。次に薄膜２をエツチ
ングし（第４図ｄ）、最後にレジスト膜３を除去
して、マスクパターン５を有するフオトマスクを
形成する（第４図ｅ）。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、近年マスクパターンの微細化にともな
い、従来の方法により製造されたフオトマスクで
は洗浄工程などでマスクパターンのはく離により
欠陥が発生し易いという欠点が生じる。
い、従来の方法により製造されたフオトマスクで
は洗浄工程などでマスクパターンのはく離により
欠陥が発生し易いという欠点が生じる。
本発明の目的は、マスクパターンのはく離など
の欠陥が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオト
マスクを提供することにある。
の欠陥が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオト
マスクを提供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉
本願発明に係る第１のフオトマスクの製造方法
は、マスク基板１上にドライエツチングの工程で
等方性エツチングが進行する第１薄膜６を付着し
（第１図ａ）、 次に、レジスト膜３を被覆し（第１図ｂ）、 次に、該レジスト膜３に微細パターンを露光・
現像し（第１図ｃ）、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝１ａを形成し（第１図
ｄ）、 次に、光を通過させない第２薄膜２を付着し
（第１図ｅ）、 次に、レジストパターン部分に付着した第２薄
膜をレジスト膜と共に除去し、 次に、第１薄膜６を除去する（第１図ｆ）こと
を特徴とする。
は、マスク基板１上にドライエツチングの工程で
等方性エツチングが進行する第１薄膜６を付着し
（第１図ａ）、 次に、レジスト膜３を被覆し（第１図ｂ）、 次に、該レジスト膜３に微細パターンを露光・
現像し（第１図ｃ）、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝１ａを形成し（第１図
ｄ）、 次に、光を通過させない第２薄膜２を付着し
（第１図ｅ）、 次に、レジストパターン部分に付着した第２薄
膜をレジスト膜と共に除去し、 次に、第１薄膜６を除去する（第１図ｆ）こと
を特徴とする。
本願発明に係る第２のフオトマスクの製造方法
は、マスク基板１上にドライエツチングの工程で
等方性エツチングが進行する第１薄膜６を付着し
（第１図ａ）、 次に、レジスト膜３を被覆し（第１図ｂ）、 次に、該レジスト膜３に微細パターンを露光・
現像し（第１図ｃ）、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝１ａを形成し（第１図
ｄ）、 次に、光を通過させない第２薄膜２を付着し
（第１図ｅ）、 次に、第１薄膜６を除去するを除去することに
よつてレジストパターン部分に付着した第２薄膜
２とレジスト膜３と共に除去する（第１図ｆ）こ
とを特徴とする。
は、マスク基板１上にドライエツチングの工程で
等方性エツチングが進行する第１薄膜６を付着し
（第１図ａ）、 次に、レジスト膜３を被覆し（第１図ｂ）、 次に、該レジスト膜３に微細パターンを露光・
現像し（第１図ｃ）、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝１ａを形成し（第１図
ｄ）、 次に、光を通過させない第２薄膜２を付着し
（第１図ｅ）、 次に、第１薄膜６を除去するを除去することに
よつてレジストパターン部分に付着した第２薄膜
２とレジスト膜３と共に除去する（第１図ｆ）こ
とを特徴とする。
〈作用〉
本発明に係るフオトマスクは、マスク基板中に
溝を形成し、そこにマスクパターンを形成する。
マスクパターン用の溝は、ドライエツチング工程
により形成される。マスクパターン用のレジスタ
パターンは、ドライエツチング工程で等方的にエ
ツチングが進行する第１薄膜の上に形成される。
したがつて、第１薄膜はドライエツチング工程で
サイドエツチングが生じ、このため、レジスト膜
等は容易に除去でき、マスクパターンの精度は高
い。
溝を形成し、そこにマスクパターンを形成する。
マスクパターン用の溝は、ドライエツチング工程
により形成される。マスクパターン用のレジスタ
パターンは、ドライエツチング工程で等方的にエ
ツチングが進行する第１薄膜の上に形成される。
したがつて、第１薄膜はドライエツチング工程で
サイドエツチングが生じ、このため、レジスト膜
等は容易に除去でき、マスクパターンの精度は高
い。
〈実施例〉
以下、本発明に係るフオトマスクの製造方法の
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図ａ〜ｆは、本発明に係るフオトマスクの
製造方法を工程順に示す説明図である。
製造方法を工程順に示す説明図である。
工程（）……石英またはガラスなどのマスク
基板１の上に、ドライエツチングで等方性
ａが進行する性質を有する薄膜６（Si，
Mo，Si3N4等）を蒸着、スパツタリング
などにより付着する（第１図ａ）。
基板１の上に、ドライエツチングで等方性
ａが進行する性質を有する薄膜６（Si，
Mo，Si3N4等）を蒸着、スパツタリング
などにより付着する（第１図ａ）。
工程（）……次に、その上にレジスト膜３を
塗布する（第１図ｂ）。
塗布する（第１図ｂ）。
工程（）……上記レジスト膜３に電子線また
はレーザー光などを用いて露光を行い、現
像工程を通してレジストパターン４を形成
する（第１図ｃ）。
はレーザー光などを用いて露光を行い、現
像工程を通してレジストパターン４を形成
する（第１図ｃ）。
工程（）……上記レジストパターン４の被覆
状態においてドライエツチングを行ない、
レジストパターン４，４，……の間に溝１
ａ，１ａ，……を形成する（第１図ｄ）。
この時、薄膜６は等方性エツチングが進行
するためサイドエツチング部分８，８，…
…が発生し、石英、ガラスなどのマスク基
板１は異方性エツチングが進行するためサ
イドエツチングが発生しない。
状態においてドライエツチングを行ない、
レジストパターン４，４，……の間に溝１
ａ，１ａ，……を形成する（第１図ｄ）。
この時、薄膜６は等方性エツチングが進行
するためサイドエツチング部分８，８，…
…が発生し、石英、ガラスなどのマスク基
板１は異方性エツチングが進行するためサ
イドエツチングが発生しない。
工程（）……次に、レジストパターン４の被
覆状態で紫外線などの光を通過させない
Cr・Ta等の薄膜２を蒸着、スパツタリン
グなどにより付着する（第１図ｅ）。
覆状態で紫外線などの光を通過させない
Cr・Ta等の薄膜２を蒸着、スパツタリン
グなどにより付着する（第１図ｅ）。
工程（）……最後に、レジストパターン４の
部分に付着した薄膜２をレジストパターン
４と共にはく離して、その後薄膜６を除去
するか又は薄膜６を除去することでレジス
トパターン４と共にはく離して、マスクパ
ターン５を有するフオトマスクを形成する
（第１図ｆ）。
部分に付着した薄膜２をレジストパターン
４と共にはく離して、その後薄膜６を除去
するか又は薄膜６を除去することでレジス
トパターン４と共にはく離して、マスクパ
ターン５を有するフオトマスクを形成する
（第１図ｆ）。
次に第２図ａ，ｂに、それぞれ、薄膜６を設け
ず溝１ａ，１ａ，……を形成した場合と薄膜６を
設けて溝を形成した場合に、Cr・Ta等の薄膜２
を付着した状態での一部断面を示す。
ず溝１ａ，１ａ，……を形成した場合と薄膜６を
設けて溝を形成した場合に、Cr・Ta等の薄膜２
を付着した状態での一部断面を示す。
同図ａは薄膜６がない場合を示す。工程（）
で石英、ガラス等のマスク基板では異方性エツチ
ングが進行するため、薄膜２が側壁部７を覆つて
しまい、レジスト部分に付着した薄膜２をはく離
することが困難となる。
で石英、ガラス等のマスク基板では異方性エツチ
ングが進行するため、薄膜２が側壁部７を覆つて
しまい、レジスト部分に付着した薄膜２をはく離
することが困難となる。
同図ｂは薄膜６がある場合を示す。工程（）
で石英、ガラス等のマスク基板は異方性エツチン
グが進行するが、薄膜６は等方性エツチングが進
行するためサイドエツチング部分８が形成され
る。このため、薄膜２を付着した時このサイドエ
ツチング部分８で不連続な部分が発生し、レジス
トパターン４の部分の薄膜２は、レジスト膜３を
はく離するか薄膜６を除去することで簡単にはく
離することができる。また、マスク基板は、異方
性エツチングが進行しているため、マスクパター
ン５の寸法は精度良く形成される。
で石英、ガラス等のマスク基板は異方性エツチン
グが進行するが、薄膜６は等方性エツチングが進
行するためサイドエツチング部分８が形成され
る。このため、薄膜２を付着した時このサイドエ
ツチング部分８で不連続な部分が発生し、レジス
トパターン４の部分の薄膜２は、レジスト膜３を
はく離するか薄膜６を除去することで簡単にはく
離することができる。また、マスク基板は、異方
性エツチングが進行しているため、マスクパター
ン５の寸法は精度良く形成される。
次に第３図ａ，ｂに、それぞれ、従来方式によ
り製造されたフオトマスクと本発明による方式で
製造されたフオトマスクの一部断面を示す。
り製造されたフオトマスクと本発明による方式で
製造されたフオトマスクの一部断面を示す。
同図ａは、従来方式で製造されたフオトマスク
の一部断面図である。この場合、外部との接触面
９はマスクパターン５の表面上にあり、洗浄など
による外力は直接マスクパターン５に影響し、一
部でマスクパターン５がはく離してしまう。
の一部断面図である。この場合、外部との接触面
９はマスクパターン５の表面上にあり、洗浄など
による外力は直接マスクパターン５に影響し、一
部でマスクパターン５がはく離してしまう。
同図ｂは、本発明による方式で製造されたフオ
トマスクの一部断面図である。この場合、外部と
の接触面９がマスク基板１の表面にあり、洗浄な
どによる外力はマスク基板表面に吸収されて、マ
スクパターン５は非常にはく離し難くなる。
トマスクの一部断面図である。この場合、外部と
の接触面９がマスク基板１の表面にあり、洗浄な
どによる外力はマスク基板表面に吸収されて、マ
スクパターン５は非常にはく離し難くなる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、マスクパターンのはく離が発
生し難く、信頼性の高い、長寿命なフオトマスク
を提供することができる。
生し難く、信頼性の高い、長寿命なフオトマスク
を提供することができる。
第１図ａ〜ｆは、本発明の実施例のフオトマス
クの製造工程を順次示す説明図である。第２図
ａ，ｂは、それぞれ、フオトマスクの製造工程途
中の溝形状を示す説明図である。第３図ａ，ｂ
は、従来方式と本発明方式でそれぞれ製造された
フオトマスクの一部断面図面である。第４図ａ〜
ｅは、従来のフオトマスクの製造工程を順次示す
説明図である。 １……マスク基板、２……光を通過させない第
２薄膜、３……レジスト膜、４……レジストパタ
ーン、５……マスクパターン、６……等方性エツ
チングが進行する第１薄膜、８……サイドエツチ
ング部分。
クの製造工程を順次示す説明図である。第２図
ａ，ｂは、それぞれ、フオトマスクの製造工程途
中の溝形状を示す説明図である。第３図ａ，ｂ
は、従来方式と本発明方式でそれぞれ製造された
フオトマスクの一部断面図面である。第４図ａ〜
ｅは、従来のフオトマスクの製造工程を順次示す
説明図である。 １……マスク基板、２……光を通過させない第
２薄膜、３……レジスト膜、４……レジストパタ
ーン、５……マスクパターン、６……等方性エツ
チングが進行する第１薄膜、８……サイドエツチ
ング部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク基板上にドライエツチングの工程で等
方性エツチングが進行する第１薄膜を付着し、 次に、レジスト膜を被覆し、 次に、該レジスト膜に微細パターンを露光・現
像し、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝を形成し、 次に、光を通過させない第２薄膜を付着し、 次に、レジストパターン部分に付着した第２薄
膜をレジスト膜と共に除去し、 次に、第１薄膜を除去することを特徴とするフ
オトマスクの製造方法。 ２ マスク基板上にドライエツチングの工程で等
方性エツチングが進行する第１薄膜を付着し、 次に、レジスト膜を被覆し、 次に、該レジスト膜に微細パターンを露光・現
像し、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基
板をドライエツチングし、レジストパターンの被
覆されていない部分に溝を形成し、 次に、光を通過させない第２薄膜を付着し、 次に、第１薄膜を除去することによつてレジス
トパターン部分に付着した第２薄膜とレジスト膜
と共に除去することを特徴とするフオトマスクの
製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117932A JPS62273543A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | フオトマスクの製造方法 |
| CA000530396A CA1313792C (en) | 1986-02-28 | 1987-02-23 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| EP87102561A EP0234547B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| EP92120246A EP0533217B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photo-mask and method of production thereof |
| DE3789881T DE3789881T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske. |
| DE3752197T DE3752197T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photomaske und Herstellungsverfahren dafür |
| US07/019,704 US5087535A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US07/684,680 US5457006A (en) | 1986-02-28 | 1991-03-29 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117932A JPS62273543A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273543A JPS62273543A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0549213B2 true JPH0549213B2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=14723772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117932A Granted JPS62273543A (ja) | 1986-02-28 | 1986-05-21 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273543A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114613666A (zh) * | 2020-12-09 | 2022-06-10 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231959A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Sharp Corp | フオトマスクの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61117932A patent/JPS62273543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62273543A (ja) | 1987-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |